JP2010232645A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (1)

1. 第１の導電層を有し、
   前記第１の導電層の上方に半導体層を有し、
   前記半導体層の上方に第１の絶縁層を有し、
   前記第１の絶縁層の上方に第２の導電層を有し、
   前記第１の絶縁層の上方に第３の導電層を有し、
   前記第２の導電層の上方と前記第３の導電層の上方とに第２の絶縁層を有し、
   前記第２の絶縁層の上方に第４の導電層を有し、
   前記第２の導電層の少なくとも一部と、前記半導体層の少なくとも一部と、は重なり、
   前記第１の導電層の少なくとも一部と、前記第３の導電層の少なくとも一部と、前記第４の導電層の少なくとも一部と、は重なり、
   前記第１の導電層は、透光性を有し、
   前記第３の導電層は、透光性を有し、
   前記第４の導電層は、透光性を有することを特徴とする半導体装置。