JPH0282221A - 電気光学素子の配線方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は電気光学素子の配線方法に関する。

［従来の技術］ 従来の電気光学素子の金属補助配線の配線方法は第２図
（ａ）又は第２図（ｂ）のようになっており、金属補助
配線２０３は透明電極２０２の上下のどちらかで透明電
極と導通がとれるようｌ：、金属補助配線と透明電極は
重なるように配線されるものが知られていた。

［発明が解決しようとする課題］ 液晶光学素子において、特に大型化とともに、透明電極
の電気抵抗は液晶光学素子の性能に大きく影響する。特
に単純マトリクス方式の液晶デイスプレィでは、配線電
極と液晶に駆動電圧を印加する電極が共用されるため透
明電極の電気抵抗が高いと、配線電極の間で駆動電界に
分布が生じコントラストむらが発生したり、駆動波形が
なまってしまうために糸ひき（ハーフトーン）が発生し
たりする。そのため液晶デイスプレィの大型化、高画質
化を実現するためには透明電極の低抵抗化が要求される
。

この問題の解決策としては透明電極と平行にニッケルや
クロム等の金属を配線することで配線抵抗を下げる方法
がある。この金属の配線を金属補助配線と呼ぶ。

しかし金属補助配線は光を透過せず、接続のために透明
電極と重ねて配線するためと、開口率が低下し透過光量
が減少してしまう。開口率を太きくするには金属補助配
線の線幅を細くしたり、透明電極の線間を細くすればよ
いが、どちらの方法も非常に高いパターニング精度を必
要とするため高価な装置を必要としたり生産性が悪くな
ってしまう。このためにコストが高くなってしまうとい
う問題があった。　　そこで、本発明では金属補助配線
の一部に絶縁層を形成した後に透明電極を配線すること
でこの問題を解決し、電気光学素子の生産性の向上を目
的としている。

［課題を解決するための手段］ 本発明の電気光学素子の配線方法は、透明電極に対する
金属補助配線を有する電気光学素子の配線方法に於て、
前記金属補助配線上の一部に絶縁層を形成した後に透明
電極を配線することを特徴とする。

［実施例１〕 第１図に本発明による第１の実施例として、液晶光学素
子用の透明基体として透明電極と金属補助配線の配線を
行った透明基体を示す。ここで、１０４は液晶に駆動電
圧を印加する為の透明電極、１０２は透明電１１０４と
、１０５の部分で導通した金属補助配線であり、透明電
極の線間の遮光部として機能する、１０３は絶縁層であ
り金属補助配線１０２が隣の透明電極１０４と短絡する
ことを防いでいる。

以下第３図（ａ）〜（Ｃ）を用いて本実施例を詳細に説
明する。

まず、ガラス基体の上に蒸着によって形成した膜厚０．
５μｍのクロムをフォトエツチングでパターニングして
第３図（ａ）に示すように金属補助配線１０２を形成し
た。　次に、この基体上に感光性ポリイミド前駆体を用
いたフォト工程で第３図（ｂ）に示すようにポリイミド
層をパターニングし、金属補助配線上の一部が覆われる
ようにポリイミドの絶縁層１０３を形成した。前記の感
光性ポリイミド前駆体としては旭化成工業株式会社製の
ＰＩＭＥＬを用いた。

次に、この基体上に透明電極として膜厚ｏ、０８μｍの
ＩＴＯを蒸着によって形成し第３図（Ｃ）に示すように
フォトエツチングでパターニングした。ＩＴＯの透明電
極１０４とクロムの金属補助配線の絶縁層から露出した
部分は結線し導通をすることにより透明電極の配線抵抗
を著しくさげることができた。

以上のようにして電気光学素子のガラス基体上に、透明
電極の線間が遮光部になるように金属補助配線を形成す
ることができた。

［実施例２］ 第２−の実施例としては、カラーフィルター上の透明電
極に金属補助配線を、透明電極の線間の遮光部になるよ
うに配線した。以下第４図（ａ）〜（ｂ）を用いて説明
する。

まず、カラーフィルター層３０２を印刷したガラス基体
でなる透明基体３０１上にオーバーコート層を形成した
。このオーバーコート層上に膜厚１μｍのアルミニウム
層を低温スッパタで形成し、フォトエツチングで第４図
（ａ）に示すようにパターニングして金属補助配線３０
４を形成した。

カラーフィルター層３０２やオーバーコート層３０３は
耐熱性が弱いため金属補助配線の金属層の形成には低温
スッパタを用いたが、ニッケルの無電界メツキでも同じ
ように、カラーフィルター層やオーバーコート層を損傷
せずに金属層を形成することが可能であった。

次に、感光性ポリイミド前駆体を用いたフォト行程で第
４図（ｂ）に示すようにポリイミド層をパターニングし
、金属補助配線上の一部が覆われるようにポリイミドの
絶縁層３０５を形成した。

前記の感光性ポリイミド前駆体しては旭化成工業株式会
社製のＰＩＭＥＬを用いた。

次に、この基体上に透明電極として膜厚０．２μｍのＩ
ＴＯを低温スパッタで形成し、フォトエツチングで第４
図（Ｃ）に示すようにバターニング精度。ＩＴＯの透明
電極とアルミニウムの金属補助配線の絶縁層から露出し
た部分は結線し導通を示し透明電極の配線抵抗を著しく
さげることができた。

以上のようにして電気光学素子のカラーフィルター上に
、透明電極の線間が遮光部になるように金属補助配線を
形成することができた。

この基体を用いて、本出願人が先に提案した（例えば特
願ＩＩ！６２−１２１７０１号）ＮＴＮ％−ドの液晶光
学素子に用いたところ対角１２インチのサイズにも関わ
らず、表示画面の全面に於て均一な動作特性を示し、か
つコントラスト比１：３５を実現することができた。

以上実施例を述べたが、本発明は以上の実施例のみなら
ず、液晶以外の電気光学素子の透明基体における金属配
線のなどに応用が可能である。

［発明の効果］ 以上述べたように本発明によれば、電気光学素子の透明
電極の金属補助配線の形成が容易になる。

このために、電気光学素子の生産性が向上し、低価格化
が可能になる。

また、金属補助配線と絶縁層を透明電極の線間の遮光部
として機能させることが可能となるため、電気光学素子
の性能を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の電気光学素子の配線方法を示す図。 第２図（ａ）（ｂ）は従来の電気光学素子の配線方法を
示す図。 第３図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の実施例１における工程
を示す図。 第４図（ａ）〜（ｅ）は本発明の実施例２における工程
を示す図。 １０１・・・・・透明基体 １０２・・・・・金属補助配線 １０３・・・・絶縁層 １０４・・・・・透明電極 １０５・・・・・透明電極と金属補助配線の結線部分２
０１・・・・・透明基体 ２０２・・・・・透明電極 ２０３・・・・・金属補助配線 ３０１・・・・・透明基体 ３０２・・・・・カラーフィルター層 ３０３・・・・・オーバーコート層 ３０４・・・・・金属補助配線 ３０５・・・・・絶縁層 ３０６・・・・・透明電極 第１図 以上 出願人　セイコーエプソン株式会社 代理人　弁理士　鈴木喜三部（他１名）第２図（α） 第２図（ｂ） 第３図 第４図 （Ｃ／）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 透明電極に対する金属補助配線を有する電気光学素子の
   配線方法に於て、前記金属補助配線上の一部に絶縁層を
   形成した後に透明電極を配線することを特徴とする電気
   光学素子の配線方法。