JPH0720499A - 非線形素子およびその製造方法と非線形素子を備えた電気光学装置用素子基板並びに電気光学装置 - Google Patents
非線形素子およびその製造方法と非線形素子を備えた電気光学装置用素子基板並びに電気光学装置Info
- Publication number
- JPH0720499A JPH0720499A JP16575493A JP16575493A JPH0720499A JP H0720499 A JPH0720499 A JP H0720499A JP 16575493 A JP16575493 A JP 16575493A JP 16575493 A JP16575493 A JP 16575493A JP H0720499 A JPH0720499 A JP H0720499A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- conductor
- thin film
- linear
- conductive thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】第１導電体と非線形導電性薄膜および第２導電
体の積層によって形成される非線形素子において、非線
形導電性薄膜をゾル−ゲル法によるコーティングによっ
て形成することにより、素子を形成する材料の選択の幅
を広げるとともに、その製造工程の簡略化を図ることを
目的とする。 【構成】絶縁性基板上に第１導電体２を形成後、非線形
導電性薄膜３をゾル−ゲル法によるコーティングによっ
て形成し、その後で第２導電体４、画素電極５を形成す
ることによって非線形な電流電圧特性を示す素子を作
る。素子の構造、および製造方法をこのようにすること
により、導電体や非線形導電性薄膜に用いる材料の選択
の幅を広げることができるとともに、製造工程の簡略化
を行うこともできる。
体の積層によって形成される非線形素子において、非線
形導電性薄膜をゾル−ゲル法によるコーティングによっ
て形成することにより、素子を形成する材料の選択の幅
を広げるとともに、その製造工程の簡略化を図ることを
目的とする。 【構成】絶縁性基板上に第１導電体２を形成後、非線形
導電性薄膜３をゾル−ゲル法によるコーティングによっ
て形成し、その後で第２導電体４、画素電極５を形成す
ることによって非線形な電流電圧特性を示す素子を作
る。素子の構造、および製造方法をこのようにすること
により、導電体や非線形導電性薄膜に用いる材料の選択
の幅を広げることができるとともに、製造工程の簡略化
を行うこともできる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば情報端末やアミ
ューズメント機器の表示部として用いられる液晶ディス
プレイ等の電気光学装置に用いられる素子基板、その中
でも特に画素毎に非線形素子を備えた素子基板及びその
素子基板を用いた電気光学装置に関する。
ューズメント機器の表示部として用いられる液晶ディス
プレイ等の電気光学装置に用いられる素子基板、その中
でも特に画素毎に非線形素子を備えた素子基板及びその
素子基板を用いた電気光学装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より知られている、非線形導電性薄
膜を利用した非線形素子の構成の一例として、その平面
図を図９に、図中、Ａ−Ｂ線上での断面図を図１０に示
す。図において１はガラスからなる絶縁性基板である。
２は第１導電体であり、材料にはＴａを用いる。３は非
線形導電性薄膜であり、第１導電体であるＴａを所定電
圧で陽極酸化することにより形成されている。４は第２
導電体であり、材料としてはＣｒ等が用いられる。第１
導電体２、非線形導電性薄膜３と第２導電体４で６に示
す素子を形成している。５は画素電極であり光透過型の
表示装置として用いる場合には、薄膜状態で透明なＩＴ
Ｏを用いるのが極めて一般的である。
膜を利用した非線形素子の構成の一例として、その平面
図を図９に、図中、Ａ−Ｂ線上での断面図を図１０に示
す。図において１はガラスからなる絶縁性基板である。
２は第１導電体であり、材料にはＴａを用いる。３は非
線形導電性薄膜であり、第１導電体であるＴａを所定電
圧で陽極酸化することにより形成されている。４は第２
導電体であり、材料としてはＣｒ等が用いられる。第１
導電体２、非線形導電性薄膜３と第２導電体４で６に示
す素子を形成している。５は画素電極であり光透過型の
表示装置として用いる場合には、薄膜状態で透明なＩＴ
Ｏを用いるのが極めて一般的である。
【０００３】以下に、この例についての製造工程を順を
追って説明する。
追って説明する。
【０００４】（１）第１導電体２となるＴａパターンを
形成する。
形成する。
【０００５】（２）（１）で形成したＴａパターンをク
エン酸溶液中にて所定電圧で陽極酸化することにより、
非線形導電性薄膜３を形成する。
エン酸溶液中にて所定電圧で陽極酸化することにより、
非線形導電性薄膜３を形成する。
【０００６】（３）第２導電体４となるＣｒパターンを
形成する。
形成する。
【０００７】（４）画素電極５となるＩＴＯパターンを
形成する。
形成する。
【０００８】さらに非線形導電性薄膜を利用した非線形
素子の構成の一例として、１つの画素に非線形素子を２
つ直列につないだ場合の構成を示す。このような構成に
することにより、非線形素子の電流電圧特性における極
性差を打ち消すことができるので、画素として見た場合
には非常に良好な電流電圧特性が得られる。その平面図
を図１１に、図中、Ａ−Ｂ線上での断面図を図１２に示
す。先の例で説明したのと同様に、１はガラスの絶縁性
基板である。２は第１導電体であるＴａであるが、この
構成の場合には、画素用配線パターンと電気的に絶縁さ
れた別のパターンであることが必要である。３は非線形
導電性薄膜、４は第２導電体であるＣｒ、５は画素電極
である。この例の場合は６で示される素子が、１つの画
素電極に対し２つ直列につながれた状態になっているこ
とが大きな特徴である。
素子の構成の一例として、１つの画素に非線形素子を２
つ直列につないだ場合の構成を示す。このような構成に
することにより、非線形素子の電流電圧特性における極
性差を打ち消すことができるので、画素として見た場合
には非常に良好な電流電圧特性が得られる。その平面図
を図１１に、図中、Ａ−Ｂ線上での断面図を図１２に示
す。先の例で説明したのと同様に、１はガラスの絶縁性
基板である。２は第１導電体であるＴａであるが、この
構成の場合には、画素用配線パターンと電気的に絶縁さ
れた別のパターンであることが必要である。３は非線形
導電性薄膜、４は第２導電体であるＣｒ、５は画素電極
である。この例の場合は６で示される素子が、１つの画
素電極に対し２つ直列につながれた状態になっているこ
とが大きな特徴である。
【０００９】以下に、この例についての製造工程を順を
追って説明する。
追って説明する。
【００１０】（１）第１導電体２となるＴａパターンを
形成する。この段階では、陽極酸化を行う為に素子部が
配線部と電気的に接続されていることが必要である。
形成する。この段階では、陽極酸化を行う為に素子部が
配線部と電気的に接続されていることが必要である。
【００１１】（２）（１）で形成したＴａパターンをク
エン酸溶液中にて所定電圧で陽極酸化することにより、
非線形導電性薄膜３を形成する。
エン酸溶液中にて所定電圧で陽極酸化することにより、
非線形導電性薄膜３を形成する。
【００１２】（３）素子部を配線部から電気的に切り離
すためのパターンニングを行う。この例の場合は図にお
いて６で示される部分のＴａパターンをエッチングする
ことにより素子部を切り離している。本例におけるよう
な素子構成を取る場合、このような工程が必ず必要であ
る。
すためのパターンニングを行う。この例の場合は図にお
いて６で示される部分のＴａパターンをエッチングする
ことにより素子部を切り離している。本例におけるよう
な素子構成を取る場合、このような工程が必ず必要であ
る。
【００１３】（４）第２導電体４となるＣｒパターンを
形成する。
形成する。
【００１４】（５）画素電極５となるＩＴＯパターンを
形成する。
形成する。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術では、非線
形素子を形成する非線形導電性薄膜を、Ｔａパターンを
所定の電圧により陽極酸化する事によって形成してい
た。このため素子を形成する２つの導電体のうち、少な
くともどちらかには材料としてＴａ、もしくはＡｌ等の
陽極酸化が可能な金属材料を用いることが必要であっ
た。また従来の技術では、陽極酸化時に素子になる部位
が配線を通して基板の他の部位と電気的に接続されてい
ることが必要であった。これは従来例の２番目で説明し
たように、素子を２つ直列につないだ構成をとる場合に
は、陽極酸化時にしか必要ない配線部分を取り除く工程
が必要になるなど、製造工程の複雑化を招いていた。
形素子を形成する非線形導電性薄膜を、Ｔａパターンを
所定の電圧により陽極酸化する事によって形成してい
た。このため素子を形成する２つの導電体のうち、少な
くともどちらかには材料としてＴａ、もしくはＡｌ等の
陽極酸化が可能な金属材料を用いることが必要であっ
た。また従来の技術では、陽極酸化時に素子になる部位
が配線を通して基板の他の部位と電気的に接続されてい
ることが必要であった。これは従来例の２番目で説明し
たように、素子を２つ直列につないだ構成をとる場合に
は、陽極酸化時にしか必要ない配線部分を取り除く工程
が必要になるなど、製造工程の複雑化を招いていた。
【００１６】本発明の目的は、以上のような材料に関す
る制約や、基板構成上、また製造工程上の制約を取り除
き、電気光学装置用の素子基板を安易な方法で得ること
にある。
る制約や、基板構成上、また製造工程上の制約を取り除
き、電気光学装置用の素子基板を安易な方法で得ること
にある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明による非線形素子
は、第１の導電体と非線形導電性薄膜および第２導電体
を積層してなり、それらが重なる部分が非線形な電流電
圧特性を有する素子において、以下のような特徴を持つ
ものである。
は、第１の導電体と非線形導電性薄膜および第２導電体
を積層してなり、それらが重なる部分が非線形な電流電
圧特性を有する素子において、以下のような特徴を持つ
ものである。
【００１８】（１）その非線形導電性薄膜をゾル−ゲル
法によるコーティングによって形成することを特徴とす
る。
法によるコーティングによって形成することを特徴とす
る。
【００１９】（２）（１）の素子を互いに逆向きに直列
につないだ構成にして素子の電流電圧特性における極性
差をなくしたことを特徴とする。
につないだ構成にして素子の電流電圧特性における極性
差をなくしたことを特徴とする。
【００２０】（３）ゾル−ゲル法によって形成する非線
形導電性薄膜が、Ｔａの酸化物を主成分であることを特
徴とする。
形導電性薄膜が、Ｔａの酸化物を主成分であることを特
徴とする。
【００２１】（４）画素電極を２つの導電体のうち少な
くともどちらかの導電体と同一の材料で同時に形成する
ことを特徴とする。
くともどちらかの導電体と同一の材料で同時に形成する
ことを特徴とする。
【００２２】（５）画素用配線を２つの導電体のうち少
なくともどちらかの導電体と同一の材料で同時に形成す
ることを特徴とする。
なくともどちらかの導電体と同一の材料で同時に形成す
ることを特徴とする。
【００２３】
【実施例】以下に本発明の実施例を図を用いて順に説明
する。
する。
【００２４】［実施例１］図１、図２に本発明による、
電気光学装置用素子基板の一例を示す。図１は平面図で
あり、図２はＡ−Ｂ線上における断面図である。１はガ
ラスからなる絶縁性基板である。２は第１導電体であり
材料にはエッチングの簡便さと、配線として電気抵抗が
小さい材料が望ましいことから、この例の場合はＣｒを
用いている。３はゾル−ゲル法によって成膜した非線形
導電性薄膜であり、Ｔａの酸化物を主成分としている。
４は第２導電体でありＣｒを用いている。５は画素電極
であり、薄膜状態で透明な導体であるＩＴＯよって形成
する。この場合、６で示す部分が導電体、非線形導電性
薄膜、導電体からなる素子になる。以下にその製造工程
を説明する。
電気光学装置用素子基板の一例を示す。図１は平面図で
あり、図２はＡ−Ｂ線上における断面図である。１はガ
ラスからなる絶縁性基板である。２は第１導電体であり
材料にはエッチングの簡便さと、配線として電気抵抗が
小さい材料が望ましいことから、この例の場合はＣｒを
用いている。３はゾル−ゲル法によって成膜した非線形
導電性薄膜であり、Ｔａの酸化物を主成分としている。
４は第２導電体でありＣｒを用いている。５は画素電極
であり、薄膜状態で透明な導体であるＩＴＯよって形成
する。この場合、６で示す部分が導電体、非線形導電性
薄膜、導電体からなる素子になる。以下にその製造工程
を説明する。
【００２５】（１）ガラス基板上に配線を兼ねた第１導
電体２であるＣｒパターンを形成する。Ｃｒパターンは
スパッタ法によりＣｒ薄膜をガラス基板上に成膜後、フ
ォトエッチングよりパターニングを行うことによって形
成する。
電体２であるＣｒパターンを形成する。Ｃｒパターンは
スパッタ法によりＣｒ薄膜をガラス基板上に成膜後、フ
ォトエッチングよりパターニングを行うことによって形
成する。
【００２６】（２）非線形導電性薄膜３をゾル−ゲル法
によるコーティングによって形成する。具体的には、Ｔ
ａのアルコキシドであるＴａ（ＯＣ2Ｈ5）5 を、メタノ
ール、エタノール、プロパノール、ブタノール、メチル
セルソルブ、ブチルセルソルブ、ブチルセルソルブ等の
溶剤にて希釈し、Ｔａ2Ｏ5に換算して濃度、２〜１０ｗ
ｔ％のコート剤を調整する。その後で、該コート剤をロ
ールコーターによって基板上に４００〜６００Åの厚さ
で塗布、Ｎ2 雰囲気中にて４００℃、１２０分加熱、焼
成することによって形成した。
によるコーティングによって形成する。具体的には、Ｔ
ａのアルコキシドであるＴａ（ＯＣ2Ｈ5）5 を、メタノ
ール、エタノール、プロパノール、ブタノール、メチル
セルソルブ、ブチルセルソルブ、ブチルセルソルブ等の
溶剤にて希釈し、Ｔａ2Ｏ5に換算して濃度、２〜１０ｗ
ｔ％のコート剤を調整する。その後で、該コート剤をロ
ールコーターによって基板上に４００〜６００Åの厚さ
で塗布、Ｎ2 雰囲気中にて４００℃、１２０分加熱、焼
成することによって形成した。
【００２７】（３）第２導電体４であるＣｒパターンを
形成する。これも先に説明した第１導電体と同様の方法
で形成される。
形成する。これも先に説明した第１導電体と同様の方法
で形成される。
【００２８】（４）画素電極５であるＩＴＯパターン形
成する。画素電極はＩＴＯをスパッタ法によって成膜
後、フォトエッチングによってパターンニングを行うこ
とによって形成する。
成する。画素電極はＩＴＯをスパッタ法によって成膜
後、フォトエッチングによってパターンニングを行うこ
とによって形成する。
【００２９】以上の工程により、面積が１６μｍ2 の素
子を作成した結果、素子抵抗値が印加電圧が４Ｖのとき
に比べ、１６Ｖのときには３桁以上も小さくなる素子が
得られた。製造工程についても、従来の素子に比べて陽
極酸化工程がなくなるなどの簡略化が行われた。また導
電体の材料としてＣｒ等の電気抵抗が小さい金属を用い
ることが可能となった。
子を作成した結果、素子抵抗値が印加電圧が４Ｖのとき
に比べ、１６Ｖのときには３桁以上も小さくなる素子が
得られた。製造工程についても、従来の素子に比べて陽
極酸化工程がなくなるなどの簡略化が行われた。また導
電体の材料としてＣｒ等の電気抵抗が小さい金属を用い
ることが可能となった。
【００３０】この例の場合は第１導電体２、第２導電体
４の両方に材料としてＣｒを用いたが、もちろん他の金
属であってもかまわないし、もちろん同一の材料にする
必要もない。例えば第２導電体の材料としては画素電極
５と同じＩＴＯを用いても良い。また非線形導電性薄膜
３についても、本実施例であげたアルコキシド以外のも
のでも構わない。例えば、Ｔａ（ＯＣＨ3）5やＴａ（Ｏ
Ｃ3Ｈ7）5、Ｔａ（ＯＣ4Ｈ9）5 等も考えられる。さら
にゾル−ゲル法によって成膜できる膜ならばＴａの酸化
物以外のものを主成分とする膜であってもかまわない。
例えばＳｉの酸化物やＡｌの酸化物を主成分とするもの
であっても良い。
４の両方に材料としてＣｒを用いたが、もちろん他の金
属であってもかまわないし、もちろん同一の材料にする
必要もない。例えば第２導電体の材料としては画素電極
５と同じＩＴＯを用いても良い。また非線形導電性薄膜
３についても、本実施例であげたアルコキシド以外のも
のでも構わない。例えば、Ｔａ（ＯＣＨ3）5やＴａ（Ｏ
Ｃ3Ｈ7）5、Ｔａ（ＯＣ4Ｈ9）5 等も考えられる。さら
にゾル−ゲル法によって成膜できる膜ならばＴａの酸化
物以外のものを主成分とする膜であってもかまわない。
例えばＳｉの酸化物やＡｌの酸化物を主成分とするもの
であっても良い。
【００３１】これら用いる材料系の変更は、いずれの場
合も素子の電流電圧特性の変化を伴う。
合も素子の電流電圧特性の変化を伴う。
【００３２】［実施例２］次に図３、図４に本発明によ
る、電気光学装置用素子基板の構成の一例として、１つ
の画素に非線形素子を２つ直列につないだ場合の構成を
示す。図３は平面図であり、図４はＡ−Ｂ線上における
断面図である。このような構成にすることにより、非線
形素子が持つ電流電圧特性における極性差を打ち消すこ
とができることは従来例で説明した通りである。［実施
例１］において説明したのと同様に、１はガラスの絶縁
性基板である。２は第１導電体であり、Ｃｒを用いる。
３はゾル−ゲル法によって成膜した非線形導電性薄膜で
あり、Ｔａの酸化物を主成分としている。４は第２導電
体であり、この場合もＣｒを用いている。５は画素電極
であり、これも［実施例１］と同様の理由からＩＴＯを
用いている。この場合は６で示される素子が、１つの画
素電極に対し２つ直列につながれた状態になっているこ
とが大きな特徴である。また、この例の場合には、第２
導電体４が配線を兼ねる。以下にその製造工程を説明す
る。
る、電気光学装置用素子基板の構成の一例として、１つ
の画素に非線形素子を２つ直列につないだ場合の構成を
示す。図３は平面図であり、図４はＡ−Ｂ線上における
断面図である。このような構成にすることにより、非線
形素子が持つ電流電圧特性における極性差を打ち消すこ
とができることは従来例で説明した通りである。［実施
例１］において説明したのと同様に、１はガラスの絶縁
性基板である。２は第１導電体であり、Ｃｒを用いる。
３はゾル−ゲル法によって成膜した非線形導電性薄膜で
あり、Ｔａの酸化物を主成分としている。４は第２導電
体であり、この場合もＣｒを用いている。５は画素電極
であり、これも［実施例１］と同様の理由からＩＴＯを
用いている。この場合は６で示される素子が、１つの画
素電極に対し２つ直列につながれた状態になっているこ
とが大きな特徴である。また、この例の場合には、第２
導電体４が配線を兼ねる。以下にその製造工程を説明す
る。
【００３３】（１）ガラス基板上に第１導電体２である
Ｃｒパターンを形成する。Ｃｒパターンはスパッタ法に
よりＣｒ薄膜をガラス基板上に成膜後、フォトエッチン
グよりパターニングを行うことによって形成する。
Ｃｒパターンを形成する。Ｃｒパターンはスパッタ法に
よりＣｒ薄膜をガラス基板上に成膜後、フォトエッチン
グよりパターニングを行うことによって形成する。
【００３４】（２）非線形導電性薄膜３をゾル−ゲル法
によるコーティングによって形成する。具体的には、Ｔ
ａのアルコキシドであるＴａ（ＯＣ3Ｈ）5 を、メタノ
ール、エタノール、プロパノール、ブタノール、メチル
セルソルブ、ブチルセルソルブ、ブチルセルソルブ等の
溶剤にて希釈し、Ｔａ2Ｏ5に換算して濃度、２〜１０ｗ
ｔ％のコート剤を調整する。その後で、該コート剤をロ
ールコーターによって基板上に３００〜４５０Åの厚さ
で塗布、Ｎ2 雰囲気中にて４００℃、１２０分加熱、焼
成することによって形成した。
によるコーティングによって形成する。具体的には、Ｔ
ａのアルコキシドであるＴａ（ＯＣ3Ｈ）5 を、メタノ
ール、エタノール、プロパノール、ブタノール、メチル
セルソルブ、ブチルセルソルブ、ブチルセルソルブ等の
溶剤にて希釈し、Ｔａ2Ｏ5に換算して濃度、２〜１０ｗ
ｔ％のコート剤を調整する。その後で、該コート剤をロ
ールコーターによって基板上に３００〜４５０Åの厚さ
で塗布、Ｎ2 雰囲気中にて４００℃、１２０分加熱、焼
成することによって形成した。
【００３５】（３）第２導電体４であるＣｒパターンを
形成する。これも先に説明した第１導電体と同様の方法
で形成される。このとき同時に配線パターンも形成す
る。
形成する。これも先に説明した第１導電体と同様の方法
で形成される。このとき同時に配線パターンも形成す
る。
【００３６】（４）画素電極５であるＩＴＯパターン形
成する。画素電極はＩＴＯをスパッタ法によって成膜
後、フォトエッチングによってパターンニングを行うこ
とによって形成する。
成する。画素電極はＩＴＯをスパッタ法によって成膜
後、フォトエッチングによってパターンニングを行うこ
とによって形成する。
【００３７】以上の工程により、極性差がない非常に良
好な特性をもつ非線形素子を得ることができた。製造工
程については、［実施例１］の場合に比べ、非線形導電
性薄膜をゾルーゲル法によるコーティングによって形成
することによっているので複雑にはならない。また導電
体の材料としてＣｒ等の電気抵抗が小さい金属を用いる
ことが可能となった。
好な特性をもつ非線形素子を得ることができた。製造工
程については、［実施例１］の場合に比べ、非線形導電
性薄膜をゾルーゲル法によるコーティングによって形成
することによっているので複雑にはならない。また導電
体の材料としてＣｒ等の電気抵抗が小さい金属を用いる
ことが可能となった。
【００３８】この例の場合は第１導電体２、第２導電体
４の両方に材料としてＣｒを用いたが、もちろん他の金
属であっても構わない点については［実施例１］のとこ
ろで説明した通りである。非線形導電性薄膜に用いる材
料についても［実施例１］と同様、他の材料であっても
構わない。
４の両方に材料としてＣｒを用いたが、もちろん他の金
属であっても構わない点については［実施例１］のとこ
ろで説明した通りである。非線形導電性薄膜に用いる材
料についても［実施例１］と同様、他の材料であっても
構わない。
【００３９】［実施例３］図５、図６に本発明による、
電気光学装置用素子基板の一例を示す。本例おける素子
基板は、光反射型の表示体のものであり、そのために素
子基板上の画素電極に光反射板の機能を持たせている。
図５は平面図であり、図６はＡ−Ｂ線上における断面図
である。［実施例１］において説明したのと同様に、１
はガラスの絶縁性基板である。２は第１導電体であり、
Ｃｒを用いる。３はゾル−ゲル法によって成膜した非線
形導電性薄膜であり、Ｔａの酸化物を主成分としてい
る。４は第２導電体であるが、この場合は画素電極と同
時に形成している。材料には光の反射率が高いことから
Ａｌを用いている。以下にその製造工程を説明する。
電気光学装置用素子基板の一例を示す。本例おける素子
基板は、光反射型の表示体のものであり、そのために素
子基板上の画素電極に光反射板の機能を持たせている。
図５は平面図であり、図６はＡ−Ｂ線上における断面図
である。［実施例１］において説明したのと同様に、１
はガラスの絶縁性基板である。２は第１導電体であり、
Ｃｒを用いる。３はゾル−ゲル法によって成膜した非線
形導電性薄膜であり、Ｔａの酸化物を主成分としてい
る。４は第２導電体であるが、この場合は画素電極と同
時に形成している。材料には光の反射率が高いことから
Ａｌを用いている。以下にその製造工程を説明する。
【００４０】（１）ガラス基板上に配線を兼ねた第１導
電体２であるＣｒパターンを形成する。Ｃｒパターンは
スパッタ法によりＣｒ薄膜をガラス基板上に成膜後、フ
ォトエッチングよりパターニングを行うことによって形
成する。
電体２であるＣｒパターンを形成する。Ｃｒパターンは
スパッタ法によりＣｒ薄膜をガラス基板上に成膜後、フ
ォトエッチングよりパターニングを行うことによって形
成する。
【００４１】（２）非線形導電性薄膜３をゾル−ゲル法
によるコーティングによって形成する。具体的には、Ｔ
ａのアルコキシドのあるＴａ（ＯＣ2Ｈ5）5 を、メタノ
ール、エタノール、プロパノール、ブタノール、メチル
セルソルブ、ブチルセルソルブ、ブチルセルソルブ等の
溶剤に希釈し、Ｔａ2Ｏ5に換算して濃度、２〜１０ｗｔ
％のコート剤を調整する。その後で、該コート剤をフレ
キソ印刷法により基板上に約５００Åの厚さで塗布、Ｎ
2 雰囲気中にて４００℃、１２０分加熱、焼成すること
によって形成した。
によるコーティングによって形成する。具体的には、Ｔ
ａのアルコキシドのあるＴａ（ＯＣ2Ｈ5）5 を、メタノ
ール、エタノール、プロパノール、ブタノール、メチル
セルソルブ、ブチルセルソルブ、ブチルセルソルブ等の
溶剤に希釈し、Ｔａ2Ｏ5に換算して濃度、２〜１０ｗｔ
％のコート剤を調整する。その後で、該コート剤をフレ
キソ印刷法により基板上に約５００Åの厚さで塗布、Ｎ
2 雰囲気中にて４００℃、１２０分加熱、焼成すること
によって形成した。
【００４２】（３）第２導電体４であるＡｌパターンを
形成する。このとき画素電極部分も同時に形成する。こ
れも先に説明した第１導電体と同様の方法で形成され
る。
形成する。このとき画素電極部分も同時に形成する。こ
れも先に説明した第１導電体と同様の方法で形成され
る。
【００４３】以上の工程により、面積が１０μｍ2 の素
子を作成した結果、素子抵抗値が印加電圧が４Ｖのとき
に比べ、１６Ｖのときには３桁以上も小さくなる素子が
得られた。製造工程についても画素電極を第２導電体と
同時に形成することによって、［実施例１］の場合よ
り、さらに簡略化することができた。
子を作成した結果、素子抵抗値が印加電圧が４Ｖのとき
に比べ、１６Ｖのときには３桁以上も小さくなる素子が
得られた。製造工程についても画素電極を第２導電体と
同時に形成することによって、［実施例１］の場合よ
り、さらに簡略化することができた。
【００４４】導電体として用いる材料については、もち
ろん他の金属であっても構わない点については［実施例
１］のところで説明した通りである。非線形導電性薄膜
に用いる材料についても［実施例１］と同様、他の材料
であっても構わない。
ろん他の金属であっても構わない点については［実施例
１］のところで説明した通りである。非線形導電性薄膜
に用いる材料についても［実施例１］と同様、他の材料
であっても構わない。
【００４５】［実施例４］図７に本発明によって得られ
た素子基板を用いた液晶表示装置において、ゾル−ゲル
法によって形成した、非線形導電性薄膜が外部に対し
て、電気的な保護膜として働く様子を模式的に示す。図
で１１は［実施例１］において説明した素子基板であ
る。１２は対向基板、２１は対向電極、２２はポリイミ
ド配向膜であり、２４は液晶層である。
た素子基板を用いた液晶表示装置において、ゾル−ゲル
法によって形成した、非線形導電性薄膜が外部に対し
て、電気的な保護膜として働く様子を模式的に示す。図
で１１は［実施例１］において説明した素子基板であ
る。１２は対向基板、２１は対向電極、２２はポリイミ
ド配向膜であり、２４は液晶層である。
【００４６】またここで、２５は素子基板と対向基板を
向かい合わせて配置する際に、両基板間に挟まれてしま
った導電性の異物である。もしこのような異物が存在し
た場合、従来の素子基板であれば、素子基板上の画素用
配線パターンでもある第２導電体２と対向電極２１が電
気的に短絡状態となり、表示体として重大な不良を引き
起こすが、この場合にはゾル−ゲル法によって形成した
非線形導電性薄膜が電気的な保護膜となって、そのよう
な不良の発生を防止する役目を担う。
向かい合わせて配置する際に、両基板間に挟まれてしま
った導電性の異物である。もしこのような異物が存在し
た場合、従来の素子基板であれば、素子基板上の画素用
配線パターンでもある第２導電体２と対向電極２１が電
気的に短絡状態となり、表示体として重大な不良を引き
起こすが、この場合にはゾル−ゲル法によって形成した
非線形導電性薄膜が電気的な保護膜となって、そのよう
な不良の発生を防止する役目を担う。
【００４７】［実施例５］図８に本発明によって得られ
た、素子基板を用いて作成した電気光学装置の一例とし
て、それを液晶表示装置に利用した場合の例を示す。図
で１１は［実施例１］において説明した素子基板であ
る。１２は対向基板、２１はＩＴＯによる対向電極、２
２はポリイミド配向膜である。２４は液晶層でありこの
場合は、２つの基板間で配向方向を９０゜ひねったＴＮ
モードとなっており、そのため表示に際しては偏光板２
３を要する。以上の液晶パネルにバックライトを組み合
わせて、走査線数２４０本の液晶表示装置を構成した結
果、５０以上のコントラスト比が得られた。
た、素子基板を用いて作成した電気光学装置の一例とし
て、それを液晶表示装置に利用した場合の例を示す。図
で１１は［実施例１］において説明した素子基板であ
る。１２は対向基板、２１はＩＴＯによる対向電極、２
２はポリイミド配向膜である。２４は液晶層でありこの
場合は、２つの基板間で配向方向を９０゜ひねったＴＮ
モードとなっており、そのため表示に際しては偏光板２
３を要する。以上の液晶パネルにバックライトを組み合
わせて、走査線数２４０本の液晶表示装置を構成した結
果、５０以上のコントラスト比が得られた。
【００４８】
【発明の効果】これまでに説明したように、本発明によ
れば素子の構成に自由度が大きく、かつ導電体に用いる
金属材料の選択の幅が広い非線形素子、およびそれを利
用した電気光学装置用素子基板をこれまでよりも簡単な
方法で得ることができる。
れば素子の構成に自由度が大きく、かつ導電体に用いる
金属材料の選択の幅が広い非線形素子、およびそれを利
用した電気光学装置用素子基板をこれまでよりも簡単な
方法で得ることができる。
【図１】本発明による素子基板構造の一例を示す平面
図。
図。
【図２】図１におけるＡ−Ｂ線上での断面図。
【図３】本発明による素子基板構造の一例を示す平面
図。
図。
【図４】図３におけるＡ−Ｂ線上での断面図。
【図５】本発明による素子基板構造の一例を示す平面
図。
図。
【図６】図５におけるＡ−Ｂ線上での断面図。
【図７】本発明による非線形導電性薄膜の電気的な保護
膜としての効果を示した模式図。
膜としての効果を示した模式図。
【図８】本発明による電気光学装置用素子基板を用いて
構成した液晶表示装置の断面図。
構成した液晶表示装置の断面図。
【図９】従来例よりの素子基板構造の一例を示す平面
図。
図。
【図１０】図９におけるＡ−Ｂ線上での断面図。
【図１１】従来例よりの素子基板構造の一例を示す平面
図。
図。
【図１２】図１１におけるＡ−Ｂ線上での断面図。
１ 絶縁性基板 ２ 第１導電体 ３ 非線形導電性薄膜 ４ 第２導電体 ５ 画素電極 ６ 非線形素子 ７ エッチングによるパターン切り抜き部 １１ 素子基板 １２ 対向基板 ２１ 対向電極 ２２ 配向膜 ２３ 偏光板 ２４ 液晶層 ２５ ２つの基板間に挟まった導電性の異物
Claims (8)
- 【請求項１】第１の導電体と非線形導電性薄膜および第
２の導電体を積層してなり、それらが重なる部分が非線
形な電流電圧特性を有する素子において、その非線形導
電性薄膜をゾル−ゲル法によるコーティングによって形
成したことを特徴とする非線形素子およびその製造方
法。 - 【請求項２】請求項１に示す非線形素子を互いに逆向き
に直列につないだ構成にして、素子の電流電圧特性にお
ける極性差をなくしたことを特徴とする非線形素子およ
びその製造方法。 - 【請求項３】該非線形素子において、ゾル−ゲル法によ
って形成する非線形導電性薄膜が、Ｔａの酸化物を主成
分とすることを特徴とする、非線形素子。 - 【請求項４】該非線形素子において、素子をなす２つの
導電体のうち、少なくともどちらかの導電体を画素電極
と同一の材料によって同時に形成することを特徴とする
非線形素子。 - 【請求項５】該非線形素子において、素子をなす２つの
導電体のうち、少なくともどちらかの導電体を画素用配
線と同一の材料によって同時に形成することを特徴とす
る非線形素子。 - 【請求項６】該非線形素子を、基板上にマトリクス状に
配置した画素電極と基板配線の間にそれぞれ設けたこと
を特徴とする電気光学装置用素子基板。 - 【請求項７】請求項６に示す素子基板において、素子基
板の画素部全面にゾル−ゲル法によるコーティングよっ
て非線形導電性薄膜を形成することにより、その膜に基
板に対する電気的な保護膜としての役割を持たせたこと
を特徴とした、電気光学装置用素子基板。 - 【請求項８】請求項６に示す素子基板と、それに対面し
内側に電極を設けた対向基板と、それらの間に挟持され
た液晶層によって構成されることを特徴とする電気光学
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16575493A JPH0720499A (ja) | 1993-07-05 | 1993-07-05 | 非線形素子およびその製造方法と非線形素子を備えた電気光学装置用素子基板並びに電気光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16575493A JPH0720499A (ja) | 1993-07-05 | 1993-07-05 | 非線形素子およびその製造方法と非線形素子を備えた電気光学装置用素子基板並びに電気光学装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0720499A true JPH0720499A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=15818431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16575493A Pending JPH0720499A (ja) | 1993-07-05 | 1993-07-05 | 非線形素子およびその製造方法と非線形素子を備えた電気光学装置用素子基板並びに電気光学装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0720499A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6288822B2 (en) | 1997-10-29 | 2001-09-11 | Teloptics Corporation | Discrete element light modulating microstructure devices |
| US6486996B1 (en) | 1998-10-27 | 2002-11-26 | Teloptics Corporations | Discrete element light modulating microstructure devices |
-
1993
- 1993-07-05 JP JP16575493A patent/JPH0720499A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6288822B2 (en) | 1997-10-29 | 2001-09-11 | Teloptics Corporation | Discrete element light modulating microstructure devices |
| US6297899B1 (en) | 1997-10-29 | 2001-10-02 | Teloptics Corporation | Discrete element light modulating microstructure devices |
| US6310712B1 (en) * | 1997-10-29 | 2001-10-30 | Teloptics Corporation | Discrete element light modulating microstructure devices |
| US6381060B1 (en) | 1997-10-29 | 2002-04-30 | Teloptics Corporation | Total internal reflection light modulating microstructure devices |
| US6486996B1 (en) | 1998-10-27 | 2002-11-26 | Teloptics Corporations | Discrete element light modulating microstructure devices |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2010108000A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JP3831028B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH0720499A (ja) | 非線形素子およびその製造方法と非線形素子を備えた電気光学装置用素子基板並びに電気光学装置 | |
| JP2000250065A (ja) | 液晶画像表示装置および画像表示装置用半導体装置の製造方法 | |
| JPH0743748A (ja) | 金属配線基板と薄膜ダイオードアレイ及びその製造方法 | |
| JPH06148616A (ja) | 液晶表示パネル | |
| JPS61143725A (ja) | カラ−液晶パネル | |
| US5568289A (en) | Liquid crystal display device | |
| JP3006990B2 (ja) | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 | |
| JPH02273721A (ja) | カラー液晶表示素子 | |
| JP2008108807A (ja) | 非線形素子、非線形素子の製造方法、および電気光学装置 | |
| JPH03174123A (ja) | 電気光学装置およびその製造方法 | |
| JPH09146123A (ja) | ２端子非線形素子及びその製造方法 | |
| JPH05232517A (ja) | 液晶表示装置用基板およびその製造方法 | |
| JPH06308539A (ja) | マトリクスアレイ基板の製造方法 | |
| JP3108600B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH06308538A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| KR20020079439A (ko) | 비선형 소자 제조 방법, 전기 광학 장치 제조 방법, 전기광학 장치 및 전자 기기 | |
| JPH01271728A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP3324613B2 (ja) | 非線形素子を備えた素子基板およびその製造方法並びにその素子基板を用いた電気光学装置 | |
| JPH1124088A (ja) | 液晶表示パネル及びその製造方法 | |
| JPH06301064A (ja) | Ｍｉｍ型非線形素子及びその製造方法 | |
| JPH04235530A (ja) | 液晶表示素子 | |
| JPH04263223A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JP2004133480A (ja) | 液晶装置の製造方法 |