JPH04263223A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法Info
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- JPH04263223A JPH04263223A JP3024255A JP2425591A JPH04263223A JP H04263223 A JPH04263223 A JP H04263223A JP 3024255 A JP3024255 A JP 3024255A JP 2425591 A JP2425591 A JP 2425591A JP H04263223 A JPH04263223 A JP H04263223A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［発明の目的］
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置の製造方法
に関し，とりわけ金属−絶縁体−金属（以下ＭＩＭと称
する）素子をスイッチング素子として基板に設けた液晶
表示装置の製造方法に関する。
に関し，とりわけ金属−絶縁体−金属（以下ＭＩＭと称
する）素子をスイッチング素子として基板に設けた液晶
表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年，液晶を用いた表示装置はパーソナ
ルコンピュータ，ワ−ドプロセッサ，さらにはＯＡ端末
機器用のディスプレイやテレビ画像表示などを指向した
大容量の装置の開発，実用化が進んでいる。その代表的
なものとして，液晶表示装置の個々の画素をスイッチン
グ素子によって駆動する方法，いわゆるアクティブマト
リクス方式が開発されている。
ルコンピュータ，ワ−ドプロセッサ，さらにはＯＡ端末
機器用のディスプレイやテレビ画像表示などを指向した
大容量の装置の開発，実用化が進んでいる。その代表的
なものとして，液晶表示装置の個々の画素をスイッチン
グ素子によって駆動する方法，いわゆるアクティブマト
リクス方式が開発されている。
【０００３】アクティブマトリクス型液晶表示装置には
，スイッチング素子に薄膜トランジスタを用いたものと
非線形抵抗素子を用いたものがあり，一般的に非線形抵
抗素子を用いた場合構造が簡単で製造工程を少なくでき
るため製造上の歩留が良い。この非線形抵抗素子につい
ては種々の構造を持つものが開発されているが，その中
でＭＩＭ構造を持つものが液晶表示装置のスイッチング
素子として実用化されている。
，スイッチング素子に薄膜トランジスタを用いたものと
非線形抵抗素子を用いたものがあり，一般的に非線形抵
抗素子を用いた場合構造が簡単で製造工程を少なくでき
るため製造上の歩留が良い。この非線形抵抗素子につい
ては種々の構造を持つものが開発されているが，その中
でＭＩＭ構造を持つものが液晶表示装置のスイッチング
素子として実用化されている。
【０００４】このＭＩＭ素子を用いたＭＩＭ型液晶表示
装置では下部電極，上部電極，表示画素電極を形成する
際にそれぞれＰＥＰ工程を用いる。特開昭６０−１６４
７２４号公報にはこれよりさらに工程を簡略化し二回の
ＰＥＰを用いて素子を形成する方法が提唱されている。
装置では下部電極，上部電極，表示画素電極を形成する
際にそれぞれＰＥＰ工程を用いる。特開昭６０−１６４
７２４号公報にはこれよりさらに工程を簡略化し二回の
ＰＥＰを用いて素子を形成する方法が提唱されている。
【０００５】この製造方法では，表示画素電極とＭＩＭ
素子の上部電極とを，１００オングストローム以下の厚
さに形成された透明金属薄膜とＩＴＯなどの金属酸化物
導電体よりなる透明金属とから形成している。ここで透
明金属薄膜とは，１００オングストローム以下の厚さに
形成されたＣｒ，Ａｌなどの金属膜のことであり，この
様な金属薄膜は一般に高い透過率を有する。図２にこの
ＭＩＭ型液晶表示装置の製造方法を示す。
素子の上部電極とを，１００オングストローム以下の厚
さに形成された透明金属薄膜とＩＴＯなどの金属酸化物
導電体よりなる透明金属とから形成している。ここで透
明金属薄膜とは，１００オングストローム以下の厚さに
形成されたＣｒ，Ａｌなどの金属膜のことであり，この
様な金属薄膜は一般に高い透過率を有する。図２にこの
ＭＩＭ型液晶表示装置の製造方法を示す。
【０００６】図２（ａ）に示すようにガラスからなる絶
縁性の透明基板９上にＴａなどからなる第一層金属を薄
膜形成する。この第一層金属をＰＥＰ工程を用いてパタ
ーニングし，配線電極１０とＭＩＭ素子の下部電極１１
とを形成する。図２（ａ）の線ＢＢにそった断面図を図
２（ｂ）に示す。次に図２（ｃ）に示すように下部電極
１５の表面に陽極酸化などの方法を用いて第一金属酸化
膜１３を積層し，ＭＩＭ素子の絶縁層を形成する。その
後図２（ｄ）に示すようにＣｒなどからなる第二層金属
１４を１００オングストローム以下の厚さで薄膜形成す
る。さらに図２（ｅ）に示すように連続してＩＴＯ等の
金属酸化物導電体からなる透明電極１５を薄膜形成する
。次にＰＥＰ工程を用いて第二層金属１３および透明電
極１４をパターニングし図２（ｆ）に示すようにＭＩＭ
素子の上部電極および表示画素電極１６を形成する。 一方図示しないがこのＭＩＭ素子が形成された基板とこ
れに対向した基板との間に液晶が挾持され液晶表示装置
が形成される。
縁性の透明基板９上にＴａなどからなる第一層金属を薄
膜形成する。この第一層金属をＰＥＰ工程を用いてパタ
ーニングし，配線電極１０とＭＩＭ素子の下部電極１１
とを形成する。図２（ａ）の線ＢＢにそった断面図を図
２（ｂ）に示す。次に図２（ｃ）に示すように下部電極
１５の表面に陽極酸化などの方法を用いて第一金属酸化
膜１３を積層し，ＭＩＭ素子の絶縁層を形成する。その
後図２（ｄ）に示すようにＣｒなどからなる第二層金属
１４を１００オングストローム以下の厚さで薄膜形成す
る。さらに図２（ｅ）に示すように連続してＩＴＯ等の
金属酸化物導電体からなる透明電極１５を薄膜形成する
。次にＰＥＰ工程を用いて第二層金属１３および透明電
極１４をパターニングし図２（ｆ）に示すようにＭＩＭ
素子の上部電極および表示画素電極１６を形成する。 一方図示しないがこのＭＩＭ素子が形成された基板とこ
れに対向した基板との間に液晶が挾持され液晶表示装置
が形成される。
【０００７】また特開昭６１−２９５５２９号公報には
，さらに工程を簡略化し表示画素電極および非線形抵抗
素子の上部電極を金属酸化物系導電体膜のみで形成する
方法が提案されている。
，さらに工程を簡略化し表示画素電極および非線形抵抗
素子の上部電極を金属酸化物系導電体膜のみで形成する
方法が提案されている。
【０００８】しかし金属酸化物系導電体は一般に安定し
た膜質を得ることが難しく，またＰＥＰ工程により微細
なパターニングを行うことが困難である。このため金属
酸化物系導電体のパターンによりＭＩＭ素子のサイズが
決定されるこの製造方法ではＭＩＭ素子のサイズにばら
つきが生じ，液晶の駆動に悪影響を及ぼすおそれがある
。
た膜質を得ることが難しく，またＰＥＰ工程により微細
なパターニングを行うことが困難である。このため金属
酸化物系導電体のパターンによりＭＩＭ素子のサイズが
決定されるこの製造方法ではＭＩＭ素子のサイズにばら
つきが生じ，液晶の駆動に悪影響を及ぼすおそれがある
。
【０００９】また後者の製造方法においては，非線形抵
抗素子の上部金属と下部金属に用いる材料の電気的特性
が大きく異なる。このため上記の問題に加え非線形抵抗
素子の電流−電圧特性が非対称となり，液晶を駆動する
素子としては好ましくないという欠点があった。
抗素子の上部金属と下部金属に用いる材料の電気的特性
が大きく異なる。このため上記の問題に加え非線形抵抗
素子の電流−電圧特性が非対称となり，液晶を駆動する
素子としては好ましくないという欠点があった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の技術的
背景を考慮しＰＥＰ工程を簡略化し，かつ非線形抵抗素
子の大きさを均一に形成可能な液晶表示装置の製造方法
を提供する。 ［発明の構成］
背景を考慮しＰＥＰ工程を簡略化し，かつ非線形抵抗素
子の大きさを均一に形成可能な液晶表示装置の製造方法
を提供する。 ［発明の構成］
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明では上記の課題を
解決するため，絶縁性の透明基板と，透明基板上に配設
された複数の配線電極と，これらの配線電極に接続され
マトリクス上に配設された下部金属−絶縁層−上部金属
（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）素子
構造よりなる非線形抵抗素子と，非線形抵抗素子の各々
に接続された複数の表示画素電極とを備えた液晶表示装
置の製造方法であって，非線形抵抗素子の絶縁層上に透
明金属薄膜および透明絶縁膜を形成し，この透明金属薄
膜および透明絶縁膜をパターニングし同一工程で非線形
抵抗素子の上部金属と表示画素電極とを形成する液晶表
示装置の製造方法を用いる。
解決するため，絶縁性の透明基板と，透明基板上に配設
された複数の配線電極と，これらの配線電極に接続され
マトリクス上に配設された下部金属−絶縁層−上部金属
（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）素子
構造よりなる非線形抵抗素子と，非線形抵抗素子の各々
に接続された複数の表示画素電極とを備えた液晶表示装
置の製造方法であって，非線形抵抗素子の絶縁層上に透
明金属薄膜および透明絶縁膜を形成し，この透明金属薄
膜および透明絶縁膜をパターニングし同一工程で非線形
抵抗素子の上部金属と表示画素電極とを形成する液晶表
示装置の製造方法を用いる。
【００１２】
【作用】本発明によれば非線形抵抗素子の上部電極と表
示画素電極を同一の工程で形成するため，ＰＥＰ工程を
簡略化できる。さらに上部電極および表示画素電極を形
成する際透明金属薄膜および金属酸化膜を用いるためパ
ターニングが容易で，サイズが均一でありかつ電流−電
圧特性の対称な非線形抵抗素子を得ることができる。ま
た，画素電極上に透明絶縁膜が形成されるため，画素電
極の表面が保護され良好な画像表示能力を維持すること
ができる。これらのことから特性の良好な液晶表示装置
を得ることができる。
示画素電極を同一の工程で形成するため，ＰＥＰ工程を
簡略化できる。さらに上部電極および表示画素電極を形
成する際透明金属薄膜および金属酸化膜を用いるためパ
ターニングが容易で，サイズが均一でありかつ電流−電
圧特性の対称な非線形抵抗素子を得ることができる。ま
た，画素電極上に透明絶縁膜が形成されるため，画素電
極の表面が保護され良好な画像表示能力を維持すること
ができる。これらのことから特性の良好な液晶表示装置
を得ることができる。
【００１３】
【実施例】以下に本発明の実施例を図面を参照して詳細
に説明する。図１に本発明の液晶表示装置の製造方法の
一実施例を示す。まずガラスなどからなる絶縁性の透明
基板１上に，例えばＴａなどからなる第一金属層をスパ
ッタリング法などを用いて積層し，一回目のＰＥＰ工程
を用いて図１（ａ）に示すようにＭＩＭ素子の下部電極
３及び配線電極２を形成する。図１（ｂ）は図１（ａ）
の線ＡＡにおける断面図を示す。次に陽極酸化法などを
用いて図１（ｃ）に示すように第一層金属４を酸化する
。こうして第一層金属酸化膜５を積層し，ＭＩＭ素子の
絶縁層を形成する。この絶縁層の形成方法は，この方法
に限らず第一層金属に絶縁性物質を積層する方法でもよ
い。
に説明する。図１に本発明の液晶表示装置の製造方法の
一実施例を示す。まずガラスなどからなる絶縁性の透明
基板１上に，例えばＴａなどからなる第一金属層をスパ
ッタリング法などを用いて積層し，一回目のＰＥＰ工程
を用いて図１（ａ）に示すようにＭＩＭ素子の下部電極
３及び配線電極２を形成する。図１（ｂ）は図１（ａ）
の線ＡＡにおける断面図を示す。次に陽極酸化法などを
用いて図１（ｃ）に示すように第一層金属４を酸化する
。こうして第一層金属酸化膜５を積層し，ＭＩＭ素子の
絶縁層を形成する。この絶縁層の形成方法は，この方法
に限らず第一層金属に絶縁性物質を積層する方法でもよ
い。
【００１４】その後図１（ｄ）に示すように，ＭＩＭ素
子の上部電極および表示画素電極として適当でありかつ
陽極酸化が可能な金属，例えばＴａを第二層金属６とし
てスパッタリング法を用いて積層し，全面に数百オング
ストロームの厚さに形成する。さらに図１（ｅ）に示す
ようにこの第二層金属６をＭＩＭ素子の上部電極として
最低限必要な厚さ（数十オングストローム程度）を残し
て全面陽極酸化し，透明金属薄膜７と同時に，透明絶縁
膜として第二層金属酸化膜８を形成する。なお本発明で
は透明絶縁膜を金属膜を酸化して形成したが，例えば透
明金属薄膜を形成した後，Ｔａ２ Ｏ５ などの金属酸
化物からなる透明絶縁膜をスパッタ法などを用いて積層
する方法を用いても良い。
子の上部電極および表示画素電極として適当でありかつ
陽極酸化が可能な金属，例えばＴａを第二層金属６とし
てスパッタリング法を用いて積層し，全面に数百オング
ストロームの厚さに形成する。さらに図１（ｅ）に示す
ようにこの第二層金属６をＭＩＭ素子の上部電極として
最低限必要な厚さ（数十オングストローム程度）を残し
て全面陽極酸化し，透明金属薄膜７と同時に，透明絶縁
膜として第二層金属酸化膜８を形成する。なお本発明で
は透明絶縁膜を金属膜を酸化して形成したが，例えば透
明金属薄膜を形成した後，Ｔａ２ Ｏ５ などの金属酸
化物からなる透明絶縁膜をスパッタ法などを用いて積層
する方法を用いても良い。
【００１５】この後図１（ｆ）に示すように，二回目の
ＰＥＰ工程を用いて所定の形状に形成し，非線形抵抗素
子の上部金属および表示画素電極８を形成する。このよ
うにして形成されたＭＩＭ素子および表示画素電極は十
分な透過率を有する。この後図示しないがＭＩＭ素子お
よび画素電極が形成された基板と，これに対向する基板
との間に液晶が挾持され液晶表示装置が形成される。
ＰＥＰ工程を用いて所定の形状に形成し，非線形抵抗素
子の上部金属および表示画素電極８を形成する。このよ
うにして形成されたＭＩＭ素子および表示画素電極は十
分な透過率を有する。この後図示しないがＭＩＭ素子お
よび画素電極が形成された基板と，これに対向する基板
との間に液晶が挾持され液晶表示装置が形成される。
【００１６】上記の液晶表示装置の製造方法では，同一
工程でＭＩＭ素子の上部電極および表示画素電極８を形
成する。このことによりＰＥＰ工程を簡略化できるため
，製造上の歩留まりを向上させることができる。また，
このようにして製造された液晶表示装置においては，透
明金属薄膜および金属酸化膜をもちいて上部金属および
表示画素電極を形成するため，ＭＩＭ素子のサイズを均
一に形成できる。したがってＭＩＭ素子サイズの各画素
間でのばらつきがなく，良好な特性を得ることができる
。さらに，画素電極上に金属酸化膜が形成されるため，
画素電極表面が保護され良好な画像表示能力を維持でき
る。
工程でＭＩＭ素子の上部電極および表示画素電極８を形
成する。このことによりＰＥＰ工程を簡略化できるため
，製造上の歩留まりを向上させることができる。また，
このようにして製造された液晶表示装置においては，透
明金属薄膜および金属酸化膜をもちいて上部金属および
表示画素電極を形成するため，ＭＩＭ素子のサイズを均
一に形成できる。したがってＭＩＭ素子サイズの各画素
間でのばらつきがなく，良好な特性を得ることができる
。さらに，画素電極上に金属酸化膜が形成されるため，
画素電極表面が保護され良好な画像表示能力を維持でき
る。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば，ＰＥＰ工程を簡略化で
きるため製造上の歩留が向上する。さらにＭＩＭ素子の
サイズを均一にできるため各画素間でのばらつきがなく
，特性の良好な液晶表示装置を得ることができる。また
，画素電極上に透明絶縁膜が形成されるため，画素電極
の表面が保護され良好な画像表示能力を維持することが
できる。
きるため製造上の歩留が向上する。さらにＭＩＭ素子の
サイズを均一にできるため各画素間でのばらつきがなく
，特性の良好な液晶表示装置を得ることができる。また
，画素電極上に透明絶縁膜が形成されるため，画素電極
の表面が保護され良好な画像表示能力を維持することが
できる。
【図１】本発明の液晶表示装置の製造方法を示す平面図
およびその線ＡＡに沿った断面図である。
およびその線ＡＡに沿った断面図である。
【図２】本発明の液晶表示装置の製造方法を示す平面図
およびその線ＢＢに沿った断面図である。
およびその線ＢＢに沿った断面図である。
１…基板
２…配線電極
３…下部電極
４…第一層金属
５…第一層金属酸化膜
６…第二層金属
７…透明金属薄膜
８…第二層金属酸化膜
９…表示画素電極
Claims (1)
- 【請求項１】 絶縁性の透明基板と，前記透明基板上
に配設された複数の配線電極と，前記配線電極に接続さ
れマトリクス上に配設された下部金属−絶縁層−上部金
属（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）素
子構造よりなる非線形抵抗素子と，前記非線形抵抗素子
の各々に接続された複数の表示画素電極とを備えた液晶
表示装置の製造方法であって，前記非線形抵抗素子の絶
縁層上に透明金属薄膜および透明絶縁膜を形成し，前記
透明金属薄膜および前記透明絶縁膜をパターニングし同
一工程で前記非線形抵抗素子の上部金属と前記表示画素
電極とを形成することを特徴とする液晶表示装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3024255A JPH04263223A (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | 液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3024255A JPH04263223A (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04263223A true JPH04263223A (ja) | 1992-09-18 |
Family
ID=12133138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3024255A Pending JPH04263223A (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04263223A (ja) |
-
1991
- 1991-02-19 JP JP3024255A patent/JPH04263223A/ja active Pending
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