JPH0342629A - 非線形抵抗素子及びこれを用いた液晶素子 - Google Patents
非線形抵抗素子及びこれを用いた液晶素子Info
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- JPH0342629A JPH0342629A JP1177015A JP17701589A JPH0342629A JP H0342629 A JPH0342629 A JP H0342629A JP 1177015 A JP1177015 A JP 1177015A JP 17701589 A JP17701589 A JP 17701589A JP H0342629 A JPH0342629 A JP H0342629A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［ａ業上の利用分野］
本発明は、液晶素子における液晶のアクティブ駆動など
に利用される非線形抵抗素子及び、プリンターヘッドや
デイスプレィに利用される、該非線形抵抗素子を用いた
液晶素子に関する。
に利用される非線形抵抗素子及び、プリンターヘッドや
デイスプレィに利用される、該非線形抵抗素子を用いた
液晶素子に関する。
［従来の技術］
従来、走査電極群と情報電極群とを対向させ直交させて
配置したマトリクス電極を有する液晶デイスプレィ等に
おいては、画素毎に非線形抵抗素子を介してマトリクス
電極間の液晶に電圧を印加するものが知られているか、
その非線形抵抗素としては、特開昭５８−１８４１１９
号等に記載されているような、平型の金属電極主に酸化
物質等の絶縁物を挟持したいわゆるＭＩＭ素子が知られ
ている。
配置したマトリクス電極を有する液晶デイスプレィ等に
おいては、画素毎に非線形抵抗素子を介してマトリクス
電極間の液晶に電圧を印加するものが知られているか、
その非線形抵抗素としては、特開昭５８−１８４１１９
号等に記載されているような、平型の金属電極主に酸化
物質等の絶縁物を挟持したいわゆるＭＩＭ素子が知られ
ている。
第４図は、このような液晶デイスプレィの一画素に相当
する部分の模式図である。図中、２は走査電極、１１ｃ
は情報電極、７ｅはＭＩＭ素子を介して情報（線側）電
極１１ｃに接続された下側電極である。走査電極２と下
側電極７ｅ間の液晶は画電極に印加されるパルス電圧に
よって駆動される。
する部分の模式図である。図中、２は走査電極、１１ｃ
は情報電極、７ｅはＭＩＭ素子を介して情報（線側）電
極１１ｃに接続された下側電極である。走査電極２と下
側電極７ｅ間の液晶は画電極に印加されるパルス電圧に
よって駆動される。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、このような従来のＭＩＭ素子は、絶縁層
が薄いためにＭＩＭ素子の積電容量か大きくなりやすく
、素子の電極サイズを精度よく小型化しなければ、液晶
素子と組み合わせた場合、ＭＩＭ部がオン状態となるた
めに必要な十分な電圧か印加てきなくなるという問題か
ある。したがって、情報（線側）電極１１ｃと下側（画
素）電極７ｅとの間に幅Ｗｇなる非画素部を設ける必要
があり、このためデイスプレィの開口率が損なわれると
いう欠点がある。
が薄いためにＭＩＭ素子の積電容量か大きくなりやすく
、素子の電極サイズを精度よく小型化しなければ、液晶
素子と組み合わせた場合、ＭＩＭ部がオン状態となるた
めに必要な十分な電圧か印加てきなくなるという問題か
ある。したがって、情報（線側）電極１１ｃと下側（画
素）電極７ｅとの間に幅Ｗｇなる非画素部を設ける必要
があり、このためデイスプレィの開口率が損なわれると
いう欠点がある。
本発明の目的は、このような従来技術の問題点に鑑み、
作製が容易で十分に容量の小さい非線形素子およびこれ
を用いた液晶素子を提供することにある。
作製が容易で十分に容量の小さい非線形素子およびこれ
を用いた液晶素子を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
上記目的を遠戚するため本発明の非線形抵抗素子は、少
なくとも一方に絶縁層を有する一対の電極て導電性ビー
ズを含む高分子樹脂層を挟持するようにしている。
なくとも一方に絶縁層を有する一対の電極て導電性ビー
ズを含む高分子樹脂層を挟持するようにしている。
また、本発明の液晶素子は、マトリクスＮ極および液晶
層を有し、マトリクス電極により液晶層に電圧を印加し
て液晶を駆動する液晶素子であって、マトリクス電極は
前記非線形抵抗素子を備え、これを介して液晶層に電圧
が印加されるようになっている。
層を有し、マトリクス電極により液晶層に電圧を印加し
て液晶を駆動する液晶素子であって、マトリクス電極は
前記非線形抵抗素子を備え、これを介して液晶層に電圧
が印加されるようになっている。
［作用］
この構成によれは、高分子樹脂層に含まれるビーズの密
度、材質、形状などを適切に選択することによって、容
易に容量の小さな非線形抵抗素子か作製される。また、
これを液晶素子に用いた場合、非線形部に十分な電圧が
印加され、安定した動作が行なわれる。
度、材質、形状などを適切に選択することによって、容
易に容量の小さな非線形抵抗素子か作製される。また、
これを液晶素子に用いた場合、非線形部に十分な電圧が
印加され、安定した動作が行なわれる。
［実施例コ
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は、
本発明の
実施例に係る非線形素子
を示す構成図であり、１１は厚さ約５００ÅのＴａ２０
５の絶縁膜９を有する金属電極、７は厚さ約１０００人
のＩＴＯの透明電極、８は高分子樹脂層、１０は厚さ０
．７ｍｍのガラス基板である。
５の絶縁膜９を有する金属電極、７は厚さ約１０００人
のＩＴＯの透明電極、８は高分子樹脂層、１０は厚さ０
．７ｍｍのガラス基板である。
透明電極７には絶縁層がないためビーズ１２と透明電極
７はほぼ導通状態にあるとみなすことができる。また、
１２は別脂にニッケルコートを施した平均直径約１μｍ
の導電性ビーズであり、高分子樹脂層８は導電性ビーズ
１２を０．０１個／μｍ２の密度て含む厚さ約１ｍｍの
ポリイくド樹脂で形成される。
７はほぼ導通状態にあるとみなすことができる。また、
１２は別脂にニッケルコートを施した平均直径約１μｍ
の導電性ビーズであり、高分子樹脂層８は導電性ビーズ
１２を０．０１個／μｍ２の密度て含む厚さ約１ｍｍの
ポリイくド樹脂で形成される。
また、金属電極１１の幅Ｗ１、は２０μｍであり、ＩＴ
Ｏ電極７の幅Ｗ７は２８０μｍである。
Ｏ電極７の幅Ｗ７は２８０μｍである。
したかって、ＷＩＩＸＷ７ ＝ ２０ ／１ｍＸ ２８
０ ｐｍ−５６００μｍ２なる面積に分布する導電性ビ
ーズの数は、５６００μｍ２ｘｏ、０１個／μｍ２−５
６個程度とみなすことがてきる。
０ ｐｍ−５６００μｍ２なる面積に分布する導電性ビ
ーズの数は、５６００μｍ２ｘｏ、０１個／μｍ２−５
６個程度とみなすことがてきる。
さらに１μｍφの導電性ビーズ１２の電極１１に対する
１個あたりの有効な電極面積を０． １μｍ２／個程度
と考えると、ＷＩＩＸ Ｗ７ ＝ ５６０Ｏμｍ２なる
面積を有する電極１１と７の重なり部分全体では、５６
個Ｘ０．１μｍ２ ／個−５．６μ’ｍ２程度の有効電
極面積であることかわかる。すなわち、金属電ｇ１１１
と絶縁膜９および導電性ビーズ１２からなるＭＩＭ構造
は、有効電極面積が５．６μｍ２程度であるような容量
の小さい非線形抵抗素子を形成している。
１個あたりの有効な電極面積を０． １μｍ２／個程度
と考えると、ＷＩＩＸ Ｗ７ ＝ ５６０Ｏμｍ２なる
面積を有する電極１１と７の重なり部分全体では、５６
個Ｘ０．１μｍ２ ／個−５．６μ’ｍ２程度の有効電
極面積であることかわかる。すなわち、金属電ｇ１１１
と絶縁膜９および導電性ビーズ１２からなるＭＩＭ構造
は、有効電極面積が５．６μｍ２程度であるような容量
の小さい非線形抵抗素子を形成している。
すなわち、本発明によって、５００人程度Ｔａ２０５を
つかったＭＩＭ付液晶デイスプレィにおいてよく言われ
る５μｍＸ５μｍ程度以下の電極面積に相当する容量の
小さい非線形抵抗素子が容易に得られることがわかる。
つかったＭＩＭ付液晶デイスプレィにおいてよく言われ
る５μｍＸ５μｍ程度以下の電極面積に相当する容量の
小さい非線形抵抗素子が容易に得られることがわかる。
第２図は、走査電極群と情報線側電極群とを直交させて
配置したいわゆるマトリクス電極を有する液晶素子であ
って上述の非線形抵抗を介して液晶層に電圧を印加する
ようにしたものの一部を示す断面図である。
配置したいわゆるマトリクス電極を有する液晶素子であ
って上述の非線形抵抗を介して液晶層に電圧を印加する
ようにしたものの一部を示す断面図である。
同図において、１は上側ガラス基板、２ａは走査電極で
あるところの上側透明電極、３は５ｉｎ２の絶縁層、４
はラビングを施こしたボリイミドの配向膜、５は液晶、
７ａと７ｂは１画素づつ孤立した下側透明電極、ｌｌａ
とｌｌｂは情報線側電極であるところのタンタル（Ｔａ
）の金属電極、９ａと９ｂは各金属電極１１ａ、ｆｉｂ
上に設けられたＴａ２０５の絶縁膜、１０ａは下側ガラ
ス基板である。下側透明ｉＥｇｉ７ａ、７ｂ、高分子樹
脂層８、導電性ビーズ１２、絶縁膜９ａ。
あるところの上側透明電極、３は５ｉｎ２の絶縁層、４
はラビングを施こしたボリイミドの配向膜、５は液晶、
７ａと７ｂは１画素づつ孤立した下側透明電極、ｌｌａ
とｌｌｂは情報線側電極であるところのタンタル（Ｔａ
）の金属電極、９ａと９ｂは各金属電極１１ａ、ｆｉｂ
上に設けられたＴａ２０５の絶縁膜、１０ａは下側ガラ
ス基板である。下側透明ｉＥｇｉ７ａ、７ｂ、高分子樹
脂層８、導電性ビーズ１２、絶縁膜９ａ。
９ｂ、および金属電極１１ａ、１１ｂは第１図て示した
と同様の非線形素子を２つ形成している。
と同様の非線形素子を２つ形成している。
一方、第３図は、第２図の各電極の配置を上側から見た
様子を示す模式図であり、７Ｃと７ｄは上述と同様の下
側透明電極、２ｂは上述と同様の上側透明電極である。
様子を示す模式図であり、７Ｃと７ｄは上述と同様の下
側透明電極、２ｂは上述と同様の上側透明電極である。
このように、この液晶素子は第１図て示した非線形素子
を利用しているので、非線形部の容量を小さくすること
か容易てあり、マトリクス電極（走査電極２ａ、２ｂ、
情報線側電極１１８１１ｂ）を用いて電圧を印加したと
きに、非線形部に十分に電圧を印加てきるため、安定な
動作か期待できるとともに、素子作製のためのマスク露
光工程時等のアライメント精度が緩和されるという効果
があり、大画面液晶デイスプレィの製造に適している。
を利用しているので、非線形部の容量を小さくすること
か容易てあり、マトリクス電極（走査電極２ａ、２ｂ、
情報線側電極１１８１１ｂ）を用いて電圧を印加したと
きに、非線形部に十分に電圧を印加てきるため、安定な
動作か期待できるとともに、素子作製のためのマスク露
光工程時等のアライメント精度が緩和されるという効果
があり、大画面液晶デイスプレィの製造に適している。
また、従来のＭＩＭ素子を使った場合にはＭＩＭ部の容
量を小さくするために、例えは、第４図に示す如く情報
電極１１ｃと下側画素電極７ｅの間に幅Ｗｇで示したよ
うな非画素部（画素間）を設けなければならなかったの
に対し、本実施例の液晶素子では、容量をビーズ密度、
ビーズ材質、またはビーズ形状などで容易に小さくでき
るので、第３図に示す如く画素間が少なく開光率の大き
な液晶デイスプレィが実現できる。
量を小さくするために、例えは、第４図に示す如く情報
電極１１ｃと下側画素電極７ｅの間に幅Ｗｇで示したよ
うな非画素部（画素間）を設けなければならなかったの
に対し、本実施例の液晶素子では、容量をビーズ密度、
ビーズ材質、またはビーズ形状などで容易に小さくでき
るので、第３図に示す如く画素間が少なく開光率の大き
な液晶デイスプレィが実現できる。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、少なくとも一方の
絶縁層を有する一対の電極で導電性ビーズを含む高分子
樹脂層を挟持するようにしたため、容量の小さな非線形
素子およびこれを用いた液晶素子を容量に作製すること
ができる。
絶縁層を有する一対の電極で導電性ビーズを含む高分子
樹脂層を挟持するようにしたため、容量の小さな非線形
素子およびこれを用いた液晶素子を容量に作製すること
ができる。
第１図は、本発明の一実施例に係る非線形素子の模式図
、 第２図は、第１図の非線形素子を用いた液晶素子の一部
を示す断面図、 第３図は、第２図の各電極の配置を上から見た様子を示
す模式図、そして 第４図は、従来例に係る液晶素子の一画素に相当する部
分を示す模式図である。 上側ガラス基板、２：走査電極、 絶縁層、４：配向膜、５：液晶、 ７ａ〜７ｅ・透明電極、 高分子樹脂層、 ９ａ、９ｂ＋絶縁膜、 １０ａ、１０ｂニガラス基板、 １１ａ〜ｌｌｃ金属電極、 ビーズ。
、 第２図は、第１図の非線形素子を用いた液晶素子の一部
を示す断面図、 第３図は、第２図の各電極の配置を上から見た様子を示
す模式図、そして 第４図は、従来例に係る液晶素子の一画素に相当する部
分を示す模式図である。 上側ガラス基板、２：走査電極、 絶縁層、４：配向膜、５：液晶、 ７ａ〜７ｅ・透明電極、 高分子樹脂層、 ９ａ、９ｂ＋絶縁膜、 １０ａ、１０ｂニガラス基板、 １１ａ〜ｌｌｃ金属電極、 ビーズ。
Claims (2)
- （１）少なくとも一方に絶縁層を有する一対の電極で導
電性ビーズを含む高分子樹脂層を挟持したことを特徴と
する非線形抵抗素子。 - （２）マトリクス電極および液晶層を有し、マトリクス
電極により液晶層に電圧を印加して液晶を駆動する液晶
素子において、マトリクス電極は請求項１の非線形抵抗
素子を備え、これを介して液晶層に電圧が印加されるこ
とを特徴とする液晶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1177015A JP2794198B2 (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 非線形抵抗素子及びこれを用いた液晶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1177015A JP2794198B2 (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 非線形抵抗素子及びこれを用いた液晶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0342629A true JPH0342629A (ja) | 1991-02-22 |
| JP2794198B2 JP2794198B2 (ja) | 1998-09-03 |
Family
ID=16023674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1177015A Expired - Fee Related JP2794198B2 (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 非線形抵抗素子及びこれを用いた液晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2794198B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6829021B2 (en) * | 2001-09-27 | 2004-12-07 | Prime View International Co., Ltd. | Thin film transistor crystal liquid display device including plural conductive beads and manufacturing method thereof |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4866790A (ja) * | 1971-12-15 | 1973-09-12 |
-
1989
- 1989-07-11 JP JP1177015A patent/JP2794198B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4866790A (ja) * | 1971-12-15 | 1973-09-12 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6829021B2 (en) * | 2001-09-27 | 2004-12-07 | Prime View International Co., Ltd. | Thin film transistor crystal liquid display device including plural conductive beads and manufacturing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2794198B2 (ja) | 1998-09-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |