JPH0326367B2 - - Google Patents
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- JPH0326367B2 JPH0326367B2 JP57067694A JP6769482A JPH0326367B2 JP H0326367 B2 JPH0326367 B2 JP H0326367B2 JP 57067694 A JP57067694 A JP 57067694A JP 6769482 A JP6769482 A JP 6769482A JP H0326367 B2 JPH0326367 B2 JP H0326367B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1365—Active matrix addressed cells in which the switching element is a two-electrode device
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- Optics & Photonics (AREA)
Description
本発明は電気光学装置の製造方法に関する。更
に詳しくは金属−酸化膜−金属構造を持つ非線型
素子（以下MIM素子と呼ぶ）を用いて各画素電
極に電荷を蓄積・保持させることにより表示を行
なう液晶を用いた電気光学装置の製造方法に関す
る。 近年、液晶表示装置の実用化が進み腕時計・電
卓を始めとして多くの分野に応用がなされてい
る。しかし、他の分野、例えば情報端末や個人用
小型電子機器等の表示部への応用を考えた時、表
示ユニツトの容積が小さい、低電圧駆動可能、消
費電力が少ないなどという利点にもかかわらず、
駆動電圧−コントラスト特性があまり良くなく、
多桁のマトリクス駆動ができないため表示可能な
情報量が少ないという欠点が問題となつていた。 この液晶表示装置の持つ欠点を解消するための
一方法としてMIM素子を用いたマトリクス駆動
が考えられた。 この方法は、第１図に一画素分の等価回路を示
すように非線形抵抗RMIMと容量CMIMが並列
につながつたMIM素子１及び抵抗RLCと容量CLC
が並列につながつた液晶を誘電体としたコンデン
サ２とが直列に結合されていると考えることがで
き、マトリクス駆動の選択期間にMIM素子１の
低抵抗状態を利用して液晶を誘電体としたコンデ
ンサ２に電荷を蓄積し、非選択期間はMIM素子
１の高抵抗状態を利用して前述の電荷を保持する
ことにより液晶に電界を印加して液晶の配向状態
を制御して表示を行なうものである。 この方式の場合、MIM素子１の非線形性と液
晶を誘電体としたコンデンサ２の容量CLC値及び
抵抗RLC値の３者の相関で液晶に印加される実効
値が決定される。これら３者のうち液晶を誘電体
としたコンデンサ２を容量CLCと抵抗RLCは画素電
極の寸法とセルギヤツプ及び使用する液晶を定め
れば必然的にその値が定まつてしまう。そのため
MIM素子１には液晶部分に応じた特性が要求さ
れ、例えば0.4mm角の画素電極を持つた7μmギヤ
ツプのセルに誘電異方性△ε＝27（ε11＝35，ε⊥
＝８）、Vth＝1.1Vrms，Vsat＝1.5Vrmsのネマ
チツク液晶を封入してツイストネマチツクセルと
して１／500デユーテイで駆動したい場合には、
例えばTa−Ta2O5−Ni Cr／Au構造のMIM素子
に要求される寸法は約5μm角となる。 MIM素子は、以下の方法で形成される。ガラ
ス等の透明基板５上にTa膜６をスパツタ蒸着等
により形成し、フオトエツチング法によりTaを
選択的にエツチングして所定の形状になす。この
ときTa配線とMIMの一方の電極が同じに形成さ
れる。 前記パターニングされたTa６を0.01wt％クエ
ン酸水溶液中で陽極酸化した後、Cr（NiCrもしく
は、さらに上層にAuを連続蒸着したものでもよ
い）８を蒸着し、これをフオトエツチング法によ
り所定の形状にパターンニングしてMIM素子と
なす。〔 〕の後透明電極９を形成して液晶表示
装置の一方の電極基板とする。以後通常の表示装
置と同様に組立てることにより液晶表示装置とな
す。 したがつてMIM素子寸法は、フオトエツチン
グの精度、特にフオトリソグラフイの精度により
最小限界が決まる。5μm寸法のパターン化には高
精度マスクアライナーを必要とするが、こういつ
た高精度マスクアライナーは、基板寸法が小さく
現段階では４インチ径の基板が最高で、これ以上
大きな基板が可能なマスクアライナーは解像度が
低くなる。別の方法としてマスク製作に利用され
ているパターンジエネレーターという装置を用い
る方法がある。このパターンジエネレーターは、
解像度は２〜3μmで基板寸法も６インチ四角のも
のが可能であるが処理能力が小さく、１時間当り
１枚程度でコスト高となり量産にはむかない。 本発明の目的は、かかる欠点を除去しパターン
形成におけるフオトリソグラフイのパターン寸法
に対する制限を緩やかにし、大型基板上への製造
を容易ならしめることにより大型の電気光学装置
を提供することにある。 本発明は、従来MIM素子が縦方向であつたも
のを横方向にすることにより、フオトエツチング
技術により制限されていたMIM素子寸法の下限
を大巾に下げることが出来るようにしたものであ
る。 MIM構造の電流−電圧特性は以下のように表
わされる。 Ｉ＝KVexp（β√） …(1) ここで、Ｉ，Ｖはそれぞれ電流、電圧である。 Ｋ及びβは Ｋ＝neμ・ｓ／ｄ・exp（−φ／kT） …(2) β＝１／kT（e3／πε0εd）1/2 …(3) ここで、ｎは電子密度、ｅは電荷、μは移動度
ｓは面積、ｄは絶縁体膜厚、φはドナーレベル、
ｋはボルツマン定数、Ｔは温度、ε0は真空中の誘
電率、εは絶縁体の比誘電率である。 以上からわかるように絶縁体膜厚が増加すると
電流は小さくなり、しかも指数関数的に減少す
る。 そこで、絶縁体の膜厚ｄと素子面積ｓが異なる
MIM素子の電流の比は、MIM素子１とMIM素
子２の各パラメータにそれぞれ添字１，２をつけ
て表わすと、 I1／I2＝d2′／d1・s1／s2exp｛１／kT（e3v／πε0
ε） 1/2（１／d1−１／d2）1/2｝ …(4) となり、温度Ｔを300〓とし各値を代入すると、 I1／I2＝d2／d1・s1／s2exp ｛1.276×10-3（１／d1−１／d2）1/2ｖ1/2｝…(5) となる。 ここで、MIM素子１，２の寸法S1，S2を同じ
にし、素子１の絶縁体膜厚d1をd1＝500Åとして
電圧ｖ及び素子の絶縁体膜厚d2をパラメータとし
て電流値の比I1／I2を求めると表１のようにな
る。
に詳しくは金属−酸化膜−金属構造を持つ非線型
素子（以下MIM素子と呼ぶ）を用いて各画素電
極に電荷を蓄積・保持させることにより表示を行
なう液晶を用いた電気光学装置の製造方法に関す
る。 近年、液晶表示装置の実用化が進み腕時計・電
卓を始めとして多くの分野に応用がなされてい
る。しかし、他の分野、例えば情報端末や個人用
小型電子機器等の表示部への応用を考えた時、表
示ユニツトの容積が小さい、低電圧駆動可能、消
費電力が少ないなどという利点にもかかわらず、
駆動電圧−コントラスト特性があまり良くなく、
多桁のマトリクス駆動ができないため表示可能な
情報量が少ないという欠点が問題となつていた。 この液晶表示装置の持つ欠点を解消するための
一方法としてMIM素子を用いたマトリクス駆動
が考えられた。 この方法は、第１図に一画素分の等価回路を示
すように非線形抵抗RMIMと容量CMIMが並列
につながつたMIM素子１及び抵抗RLCと容量CLC
が並列につながつた液晶を誘電体としたコンデン
サ２とが直列に結合されていると考えることがで
き、マトリクス駆動の選択期間にMIM素子１の
低抵抗状態を利用して液晶を誘電体としたコンデ
ンサ２に電荷を蓄積し、非選択期間はMIM素子
１の高抵抗状態を利用して前述の電荷を保持する
ことにより液晶に電界を印加して液晶の配向状態
を制御して表示を行なうものである。 この方式の場合、MIM素子１の非線形性と液
晶を誘電体としたコンデンサ２の容量CLC値及び
抵抗RLC値の３者の相関で液晶に印加される実効
値が決定される。これら３者のうち液晶を誘電体
としたコンデンサ２を容量CLCと抵抗RLCは画素電
極の寸法とセルギヤツプ及び使用する液晶を定め
れば必然的にその値が定まつてしまう。そのため
MIM素子１には液晶部分に応じた特性が要求さ
れ、例えば0.4mm角の画素電極を持つた7μmギヤ
ツプのセルに誘電異方性△ε＝27（ε11＝35，ε⊥
＝８）、Vth＝1.1Vrms，Vsat＝1.5Vrmsのネマ
チツク液晶を封入してツイストネマチツクセルと
して１／500デユーテイで駆動したい場合には、
例えばTa−Ta2O5−Ni Cr／Au構造のMIM素子
に要求される寸法は約5μm角となる。 MIM素子は、以下の方法で形成される。ガラ
ス等の透明基板５上にTa膜６をスパツタ蒸着等
により形成し、フオトエツチング法によりTaを
選択的にエツチングして所定の形状になす。この
ときTa配線とMIMの一方の電極が同じに形成さ
れる。 前記パターニングされたTa６を0.01wt％クエ
ン酸水溶液中で陽極酸化した後、Cr（NiCrもしく
は、さらに上層にAuを連続蒸着したものでもよ
い）８を蒸着し、これをフオトエツチング法によ
り所定の形状にパターンニングしてMIM素子と
なす。〔 〕の後透明電極９を形成して液晶表示
装置の一方の電極基板とする。以後通常の表示装
置と同様に組立てることにより液晶表示装置とな
す。 したがつてMIM素子寸法は、フオトエツチン
グの精度、特にフオトリソグラフイの精度により
最小限界が決まる。5μm寸法のパターン化には高
精度マスクアライナーを必要とするが、こういつ
た高精度マスクアライナーは、基板寸法が小さく
現段階では４インチ径の基板が最高で、これ以上
大きな基板が可能なマスクアライナーは解像度が
低くなる。別の方法としてマスク製作に利用され
ているパターンジエネレーターという装置を用い
る方法がある。このパターンジエネレーターは、
解像度は２〜3μmで基板寸法も６インチ四角のも
のが可能であるが処理能力が小さく、１時間当り
１枚程度でコスト高となり量産にはむかない。 本発明の目的は、かかる欠点を除去しパターン
形成におけるフオトリソグラフイのパターン寸法
に対する制限を緩やかにし、大型基板上への製造
を容易ならしめることにより大型の電気光学装置
を提供することにある。 本発明は、従来MIM素子が縦方向であつたも
のを横方向にすることにより、フオトエツチング
技術により制限されていたMIM素子寸法の下限
を大巾に下げることが出来るようにしたものであ
る。 MIM構造の電流−電圧特性は以下のように表
わされる。 Ｉ＝KVexp（β√） …(1) ここで、Ｉ，Ｖはそれぞれ電流、電圧である。 Ｋ及びβは Ｋ＝neμ・ｓ／ｄ・exp（−φ／kT） …(2) β＝１／kT（e3／πε0εd）1/2 …(3) ここで、ｎは電子密度、ｅは電荷、μは移動度
ｓは面積、ｄは絶縁体膜厚、φはドナーレベル、
ｋはボルツマン定数、Ｔは温度、ε0は真空中の誘
電率、εは絶縁体の比誘電率である。 以上からわかるように絶縁体膜厚が増加すると
電流は小さくなり、しかも指数関数的に減少す
る。 そこで、絶縁体の膜厚ｄと素子面積ｓが異なる
MIM素子の電流の比は、MIM素子１とMIM素
子２の各パラメータにそれぞれ添字１，２をつけ
て表わすと、 I1／I2＝d2′／d1・s1／s2exp｛１／kT（e3v／πε0
ε） 1/2（１／d1−１／d2）1/2｝ …(4) となり、温度Ｔを300〓とし各値を代入すると、 I1／I2＝d2／d1・s1／s2exp ｛1.276×10-3（１／d1−１／d2）1/2ｖ1/2｝…(5) となる。 ここで、MIM素子１，２の寸法S1，S2を同じ
にし、素子１の絶縁体膜厚d1をd1＝500Åとして
電圧ｖ及び素子の絶縁体膜厚d2をパラメータとし
て電流値の比I1／I2を求めると表１のようにな
る。
【表】
表１から明らかなように絶縁体の膜厚を500Å
から1000Åに２倍にすると電流値は1Vで約２ケ
タ減少する。電圧が高ければさらにこの傾向は大
きい。 本発明は上記MIM素子の特徴をいかし従来
MIM素子としていた平面上の絶縁体の膜厚を厚
くし、横側の絶縁体膜厚を薄くすることにより実
質的に横方向のMIM素子となし、これにより
MIM素子寸法の縮少をはかつたものである。 すなわち第４図に示すようにMIM素子の一方
の電極となる金属１１上に厚い絶縁体膜１２を形
成し金属１１の側面には薄い絶縁体膜１３を形成
し、さらにMIM素子の他の一方の電極となる金
属１４を形成する。このとき金属１４はできるな
らば厚い絶縁体膜１２上にはない方（第４図ａ）
がよいが、実際の工程上において金属１４が厚い
絶縁体膜上にオーバーラツプする（第４図ｂ）こ
とはさけられない。第４図ｂには２つのMIM構
造があり、絶縁体膜の膜厚の薄いMIM素子（以
後素子１とする）と、絶縁体膜の膜厚の厚い
MIM素子（以後素子２とする）が形成されてい
る。そこで前説明において述べたようにMIM素
子はその絶縁膜の膜厚によりその電流−電圧特性
が大きく異なつていることから、素子１と素子２
の絶縁体膜厚を変えることにより素子１に対する
素子２の電流−電圧特性への影響を無視できるよ
うにすることは、第１式あるいは第４式から可能
である。しかし実際製造するにはフオトエツチン
グ法で数回のパターンの合せが必要であり、この
ためパターンは、数μmの余裕が必要となること
から素子１の寸法に比べ素子２の寸法のほうが数
十倍大きくなる。したがつて素子１が素子２と比
べより支配的であるためには、素子２に比べ素子
１が低抵抗領域においてより低抵抗にまた高抵抗
領域において、同程度であることが望ましい。な
お第４図ｃは第４図ｂの拡大図であり素子１と素
子２を示す。１５……素子１，１６……素子２ま
た第４図ｄは、第４図ｂの平面図を示す。 そこで、金属１１の膜厚が2000Å、金属１４の
パター巾が10μm、金属１と金属２のオーバーラ
ツプが5μmの場合について考えると、第４図から
わかるように素子１の素子寸法（面積）S1はS1＝
2000A×10μm、素子２の素子寸法（面積）S2は、
S2＝5μm×10μmとなり、結局S1＝2μm2、S2＝
5μm2で素子２は素子１の25倍の面積となる。そ
こで素子１の絶縁体膜厚d1、素子２の絶縁体膜厚
d2をそれぞれ500Å，1000Åとすると電流比I1／I2
はＶ＝1Vで、I1／I2＝4.5，Ｖ＝10VでI1／I2＝664
となり、高抵抗領域で約20％低抵抗領域で約0.2
％、すなわち高抵抗領域では同様程度でやや素子
１が支配的であり、低抵抗領域においては完全に
素子１が支配的である。 以上のように、素子１の絶縁膜の膜厚が500Å
の場合は、1000Å以上の膜厚とすることにより、
素子２の影響を無視することができる。 実施例 MIM素子を液晶表示体に応用した表示装置の
例を第５図及び第６図を用いて説明する。 ガラス等の透明基板２２上にTa膜を約2500Å
の膜厚で形成し、Ta膜２２を陽極酸化してTa膜
表面に1000ÅのTa酸化膜２３を形成する。陽極
酸化は0.01％クエン酸水溶液中で電圧60Vの条件
で行うことにより、約1000Aの陽極酸化膜が得ら
れる(a)。次にフオトエツチング法により所定の形
状にTa膜２２及びTa酸化膜２３を選択的にエツ
チングする(b)。エツチングにより露光したTa膜
２２のエツチング面２４を陽極酸化する(c)。陽極
酸化はその酸化膜厚がその印加電圧に比例するこ
とからこの陽極酸化膜２５の形成のための印加電
圧は、前陽極酸化電圧の半分の30Vで行い酸化膜
の膜厚を約500Åとした（いいかえれば、MIM素
子の絶縁膜の膜厚の２倍以上の膜厚に第１の絶縁
膜の膜厚とする）。 次にMIM素子の一方の電極となるCr膜２６を
形成し、所望の形状にフオトエツチングする(d)。
このとき、Taとのオーバーラツプをできるかぎ
り少なする必要がある。以上によりMIM素子が
基板上に形成され、さらに液晶表示のための透明
電極を形成し、パツシベーシヨン膜としてsio2膜
を1500Åの膜厚で形成し、その後液晶配向のため
ポリイミド膜を形成しラビング処理を行つて液晶
表示装置の一方の基板となす。一方基板上に所定
の形状に形成した透明電極を有する基板を対向基
板とし、前記MIM素子を具備した基板と透明電
極を形成した基板の間に液晶を注入して液晶表示
装置となす。 以上本発明により従来と比べ素子寸法が１ケタ
以上小さいMIM素子を従来と同じ装置で製造可
能となつた。 また本発明により以下のような付随的な効果が
生じた。第７図に本発明によるMIM素子を具備
した液晶表示装置(a)と従来のMIM素子を具備し
た液晶表示装置(b)のそれぞれ一画素を示す。第７
図から明らかなように液晶駆動のための透明電極
２７のサイズが本発明による装置の方が大きくし
たがつて表示効率が高い。また素子構造も本発明
により単純化されているため設計上の制限をより
小さくでき、その応用も拡がることが期待され
る。 上述の如く本発明は、一対の基板内に電気光学
物質が封入され、該基板の一方の基板上に形成さ
れた第１配線、該第１配線を被覆してなる絶縁薄
膜、該第１配線の側部に該絶縁薄膜を介して接し
てなる第２配線を有し、該第１配線の側部−該絶
縁薄膜−該第２配線により非線型素子が形成され
てなるようにしたから、非線型素子の容量を十分
小さくとることができるのでスイツチング特性を
大幅に向上することができる。
から1000Åに２倍にすると電流値は1Vで約２ケ
タ減少する。電圧が高ければさらにこの傾向は大
きい。 本発明は上記MIM素子の特徴をいかし従来
MIM素子としていた平面上の絶縁体の膜厚を厚
くし、横側の絶縁体膜厚を薄くすることにより実
質的に横方向のMIM素子となし、これにより
MIM素子寸法の縮少をはかつたものである。 すなわち第４図に示すようにMIM素子の一方
の電極となる金属１１上に厚い絶縁体膜１２を形
成し金属１１の側面には薄い絶縁体膜１３を形成
し、さらにMIM素子の他の一方の電極となる金
属１４を形成する。このとき金属１４はできるな
らば厚い絶縁体膜１２上にはない方（第４図ａ）
がよいが、実際の工程上において金属１４が厚い
絶縁体膜上にオーバーラツプする（第４図ｂ）こ
とはさけられない。第４図ｂには２つのMIM構
造があり、絶縁体膜の膜厚の薄いMIM素子（以
後素子１とする）と、絶縁体膜の膜厚の厚い
MIM素子（以後素子２とする）が形成されてい
る。そこで前説明において述べたようにMIM素
子はその絶縁膜の膜厚によりその電流−電圧特性
が大きく異なつていることから、素子１と素子２
の絶縁体膜厚を変えることにより素子１に対する
素子２の電流−電圧特性への影響を無視できるよ
うにすることは、第１式あるいは第４式から可能
である。しかし実際製造するにはフオトエツチン
グ法で数回のパターンの合せが必要であり、この
ためパターンは、数μmの余裕が必要となること
から素子１の寸法に比べ素子２の寸法のほうが数
十倍大きくなる。したがつて素子１が素子２と比
べより支配的であるためには、素子２に比べ素子
１が低抵抗領域においてより低抵抗にまた高抵抗
領域において、同程度であることが望ましい。な
お第４図ｃは第４図ｂの拡大図であり素子１と素
子２を示す。１５……素子１，１６……素子２ま
た第４図ｄは、第４図ｂの平面図を示す。 そこで、金属１１の膜厚が2000Å、金属１４の
パター巾が10μm、金属１と金属２のオーバーラ
ツプが5μmの場合について考えると、第４図から
わかるように素子１の素子寸法（面積）S1はS1＝
2000A×10μm、素子２の素子寸法（面積）S2は、
S2＝5μm×10μmとなり、結局S1＝2μm2、S2＝
5μm2で素子２は素子１の25倍の面積となる。そ
こで素子１の絶縁体膜厚d1、素子２の絶縁体膜厚
d2をそれぞれ500Å，1000Åとすると電流比I1／I2
はＶ＝1Vで、I1／I2＝4.5，Ｖ＝10VでI1／I2＝664
となり、高抵抗領域で約20％低抵抗領域で約0.2
％、すなわち高抵抗領域では同様程度でやや素子
１が支配的であり、低抵抗領域においては完全に
素子１が支配的である。 以上のように、素子１の絶縁膜の膜厚が500Å
の場合は、1000Å以上の膜厚とすることにより、
素子２の影響を無視することができる。 実施例 MIM素子を液晶表示体に応用した表示装置の
例を第５図及び第６図を用いて説明する。 ガラス等の透明基板２２上にTa膜を約2500Å
の膜厚で形成し、Ta膜２２を陽極酸化してTa膜
表面に1000ÅのTa酸化膜２３を形成する。陽極
酸化は0.01％クエン酸水溶液中で電圧60Vの条件
で行うことにより、約1000Aの陽極酸化膜が得ら
れる(a)。次にフオトエツチング法により所定の形
状にTa膜２２及びTa酸化膜２３を選択的にエツ
チングする(b)。エツチングにより露光したTa膜
２２のエツチング面２４を陽極酸化する(c)。陽極
酸化はその酸化膜厚がその印加電圧に比例するこ
とからこの陽極酸化膜２５の形成のための印加電
圧は、前陽極酸化電圧の半分の30Vで行い酸化膜
の膜厚を約500Åとした（いいかえれば、MIM素
子の絶縁膜の膜厚の２倍以上の膜厚に第１の絶縁
膜の膜厚とする）。 次にMIM素子の一方の電極となるCr膜２６を
形成し、所望の形状にフオトエツチングする(d)。
このとき、Taとのオーバーラツプをできるかぎ
り少なする必要がある。以上によりMIM素子が
基板上に形成され、さらに液晶表示のための透明
電極を形成し、パツシベーシヨン膜としてsio2膜
を1500Åの膜厚で形成し、その後液晶配向のため
ポリイミド膜を形成しラビング処理を行つて液晶
表示装置の一方の基板となす。一方基板上に所定
の形状に形成した透明電極を有する基板を対向基
板とし、前記MIM素子を具備した基板と透明電
極を形成した基板の間に液晶を注入して液晶表示
装置となす。 以上本発明により従来と比べ素子寸法が１ケタ
以上小さいMIM素子を従来と同じ装置で製造可
能となつた。 また本発明により以下のような付随的な効果が
生じた。第７図に本発明によるMIM素子を具備
した液晶表示装置(a)と従来のMIM素子を具備し
た液晶表示装置(b)のそれぞれ一画素を示す。第７
図から明らかなように液晶駆動のための透明電極
２７のサイズが本発明による装置の方が大きくし
たがつて表示効率が高い。また素子構造も本発明
により単純化されているため設計上の制限をより
小さくでき、その応用も拡がることが期待され
る。 上述の如く本発明は、一対の基板内に電気光学
物質が封入され、該基板の一方の基板上に形成さ
れた第１配線、該第１配線を被覆してなる絶縁薄
膜、該第１配線の側部に該絶縁薄膜を介して接し
てなる第２配線を有し、該第１配線の側部−該絶
縁薄膜−該第２配線により非線型素子が形成され
てなるようにしたから、非線型素子の容量を十分
小さくとることができるのでスイツチング特性を
大幅に向上することができる。
第１図は一画素分のMIM素子と液晶部分の等
価回路を示す。第２図、第３図は従来のMIM素
子を示す。第４図は本発明によるMIM素子を示
す。第５図、第６図は本発明によるMIM素子の
製造方法を示し、第５図は断面図、第６図は平面
図である。第７図は、MIM素子を具備した液晶
表示装置の一画素分を示した平面図であり、ａ図
は本発明による画素、ｂ図は従来の画素を示す。
価回路を示す。第２図、第３図は従来のMIM素
子を示す。第４図は本発明によるMIM素子を示
す。第５図、第６図は本発明によるMIM素子の
製造方法を示し、第５図は断面図、第６図は平面
図である。第７図は、MIM素子を具備した液晶
表示装置の一画素分を示した平面図であり、ａ図
は本発明による画素、ｂ図は従来の画素を示す。
Claims (1)
- １ 一対の基板内に電気光学物質が封入され、該
基板の一方の基板上に形成された第１配線、該第
１配線を被覆してなる絶縁薄膜、該第１配線の側
部に該絶縁薄膜を介して接してなる第２配線を有
し、該第１配線の側部−該絶縁薄膜−該第２配線
により非線型素子が形成されてなることを特徴と
する液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57067694A JPS58184119A (ja) | 1982-04-22 | 1982-04-22 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57067694A JPS58184119A (ja) | 1982-04-22 | 1982-04-22 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58184119A JPS58184119A (ja) | 1983-10-27 |
| JPH0326367B2 true JPH0326367B2 (ja) | 1991-04-10 |
Family
ID=13352321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57067694A Granted JPS58184119A (ja) | 1982-04-22 | 1982-04-22 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58184119A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60149025A (ja) * | 1984-01-13 | 1985-08-06 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
| JPS61164279A (ja) * | 1985-01-16 | 1986-07-24 | Seiko Epson Corp | Ｍｉｍ液晶表示体製造方法 |
-
1982
- 1982-04-22 JP JP57067694A patent/JPS58184119A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58184119A (ja) | 1983-10-27 |
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