JPS59105615A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JPS59105615A JPS59105615A JP21606282A JP21606282A JPS59105615A JP S59105615 A JPS59105615 A JP S59105615A JP 21606282 A JP21606282 A JP 21606282A JP 21606282 A JP21606282 A JP 21606282A JP S59105615 A JPS59105615 A JP S59105615A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- mim
- electrode
- crystal display
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1365—Active matrix addressed cells in which the switching element is a two-electrode device
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、金属−絶縁体−金属の三層構造からなる非線
形抵抗素子ＭＩＭを利用したＭ 工Ｍ液晶表示装置ＶＣ
関するものであり、その目的はＭＩＭ液晶表示装置の画
素を高密度化することである。
形抵抗素子ＭＩＭを利用したＭ 工Ｍ液晶表示装置ＶＣ
関するものであり、その目的はＭＩＭ液晶表示装置の画
素を高密度化することである。
本発明の他の目的は、Ｍ Ｉ ）Ａの設計および製造を
容易にし、Ｍ工Ｍ液晶表示装ｆハ゛の製造コストを低下
はせることである。
容易にし、Ｍ工Ｍ液晶表示装ｆハ゛の製造コストを低下
はせることである。
液晶表示装置は小型低消費電、力の平面表示素子として
電卓、電子腕時計、電子ビームを中心とする広い分野に
応用されている。そして、最近は大容量表示ができる液
晶表示装置の請求が強くなってきており、また液晶表示
装置の研究開発もその方向に４んでいる。そのような研
究開発の動向のひとつの流れとして、非線形素子を用い
る方法があわ、Ｍ工Ｍ液晶老示装置もそれに属している
。
電卓、電子腕時計、電子ビームを中心とする広い分野に
応用されている。そして、最近は大容量表示ができる液
晶表示装置の請求が強くなってきており、また液晶表示
装置の研究開発もその方向に４んでいる。そのような研
究開発の動向のひとつの流れとして、非線形素子を用い
る方法があわ、Ｍ工Ｍ液晶老示装置もそれに属している
。
ＭＩＭが仲の非線形素子と比べてすぐわている点として
は、構造および製造工程が匍ｊｌであること透明ガラス
基板上に形成できること等が挙げられる。はて、ＭＩＭ
を用いて液晶を駆動する原理について説明すると以下の
ようになる。
は、構造および製造工程が匍ｊｌであること透明ガラス
基板上に形成できること等が挙げられる。はて、ＭＩＭ
を用いて液晶を駆動する原理について説明すると以下の
ようになる。
第１図は、Ｍ Ｔ Ｍ−液晶系の等価回路を示しており
、１は液晶の等価静電容量、２は液晶の等価抵抗、３は
ＭＩＭの等価静雷容１、そして４ ＶｉＭ工Ｍの等価抵
抗である。ＭＩＭはその構造ゆ先に必然的に等（ｌ′ｌ
ｈ静電容量３を有することに１ｆる。１．ＩＩＭ１′を
非線形抵抗素子であって、その両端に印加される電圧か
高いときは低抵抗になり、また電圧が低いときは高抵抗
になる。このことから、第１図の系においては、系の両
端のＥ１１加電圧が高いときにはＭＩＭ低抵抗になって
印加電圧の大部分は液晶に印加され、また印加電圧が低
いときにはＭＩＭは高抵抗になって印加電圧の大部分は
ＭＩＭに印加でれ液晶にはほとんど電圧が印加されない
ことになる。したがって第１図の系をマトリクス状に配
列して時分割駆動する場合には、１個の系に点灯状態な
らば選択時に高電圧、非選択時および非点灯状態の選択
時には低電圧がそれぞれ印加ζｈ、ることになるから、
液晶の動作マージンは印加実効電圧のマージンよりも大
きくなって、より多桁の時分割駆動が可能になる。
、１は液晶の等価静電容量、２は液晶の等価抵抗、３は
ＭＩＭの等価静雷容１、そして４ ＶｉＭ工Ｍの等価抵
抗である。ＭＩＭはその構造ゆ先に必然的に等（ｌ′ｌ
ｈ静電容量３を有することに１ｆる。１．ＩＩＭ１′を
非線形抵抗素子であって、その両端に印加される電圧か
高いときは低抵抗になり、また電圧が低いときは高抵抗
になる。このことから、第１図の系においては、系の両
端のＥ１１加電圧が高いときにはＭＩＭ低抵抗になって
印加電圧の大部分は液晶に印加され、また印加電圧が低
いときにはＭＩＭは高抵抗になって印加電圧の大部分は
ＭＩＭに印加でれ液晶にはほとんど電圧が印加されない
ことになる。したがって第１図の系をマトリクス状に配
列して時分割駆動する場合には、１個の系に点灯状態な
らば選択時に高電圧、非選択時および非点灯状態の選択
時には低電圧がそれぞれ印加ζｈ、ることになるから、
液晶の動作マージンは印加実効電圧のマージンよりも大
きくなって、より多桁の時分割駆動が可能になる。
ここで、時分割駆動において非選択状態から選択状態へ
移る場合について考先ると、そこでは第１図の系の両端
に印加される重圧は瞬間的に変化することになる。この
ように印加電圧が瞬間的に変化する場合、その瞬間では
第１図の系において電圧は液晶の等価静電容量１とＭＩ
Ｍの等価静電容量２によって分圧きれる。すなわち液晶
およびＭ Ｉ Ｍの等価静電容量をそれぞれＱＬＯ、Ｑ
ＭＩＭとして液晶およびＭＩＭに印加される電圧ｙｔｏ
および■腺の比は ”’ ： ＶＭＩＭ、 ０ＩＪＤＪ 。
移る場合について考先ると、そこでは第１図の系の両端
に印加される重圧は瞬間的に変化することになる。この
ように印加電圧が瞬間的に変化する場合、その瞬間では
第１図の系において電圧は液晶の等価静電容量１とＭＩ
Ｍの等価静電容量２によって分圧きれる。すなわち液晶
およびＭ Ｉ Ｍの等価静電容量をそれぞれＱＬＯ、Ｑ
ＭＩＭとして液晶およびＭＩＭに印加される電圧ｙｔｏ
および■腺の比は ”’ ： ＶＭＩＭ、 ０ＩＪＤＪ 。
ＯＬＯ＋ ＣＭＩＭ （’！ＬＯ＋ Ｑｕｎｌとなる
。この式からＱＭＩＩＪがＱｌｊｌｌにくらべて小づい
ほどＭＩＭに印加される電圧は高くなることがわかる。
。この式からＱＭＩＩＪがＱｌｊｌｌにくらべて小づい
ほどＭＩＭに印加される電圧は高くなることがわかる。
一方、点灯・非点灯の信号は選択状態において液晶に書
き込まれるから、選択状態に入った瞬間ではＭＩＭの抵
抗が低（ｊｒっているほど、すなｊつち１１ Ｉ Ｍの
印加電圧７′Ｉ＋高くかっているほどよいことになＺ、
。したがってＭＩＭを用いて液晶を駆動する場合、ｎｕ
ｕ ｌ−１０ＬＯＶＣ（らべて小づいことが望ましいこ
とになる。第２図は、従来のＭＩＭ液晶辰示装置におけ
るＭＩＭ基板の平面図であり表面に酸化膜形成された金
属電極５、上金属雷：ｔｆｉ６、および画素型ｆｉ７が
基板上に形成されている。
き込まれるから、選択状態に入った瞬間ではＭＩＭの抵
抗が低（ｊｒっているほど、すなｊつち１１ Ｉ Ｍの
印加電圧７′Ｉ＋高くかっているほどよいことになＺ、
。したがってＭＩＭを用いて液晶を駆動する場合、ｎｕ
ｕ ｌ−１０ＬＯＶＣ（らべて小づいことが望ましいこ
とになる。第２図は、従来のＭＩＭ液晶辰示装置におけ
るＭＩＭ基板の平面図であり表面に酸化膜形成された金
属電極５、上金属雷：ｔｆｉ６、および画素型ｆｉ７が
基板上に形成されている。
ＭＩＭの機能を有するのは、表面に酸化膜形成はれた金
属電極５と上金属雷、極６の交差部分である。
属電極５と上金属雷、極６の交差部分である。
そして、前記交差部分の面積がそのままＭＩＭの面積と
なる。ＭＩＭの等価静電容量Ｃ■ｌは、ＭＩＭの面積が
小さいほど、それに比例して小はくなるから、ＭＩＭの
面積、すなわち前１１交差部分を構成する電極５と６の
電伊巾が小ざい１１ど液晶の駆動は容易になる。ところ
で実験によれば、たとえば０６朋口の液晶画素を用いて
１００桁以上の多桁駆動をするためには、劇工Ｍの面積
は５μＸ１０μ以下であることが必要である。］７たが
って画素面積ｆＯ７５朋口より小ζくする場合に１−１
′、ＭＩＭの面積ｆ５μ×１０μより小言くしなければ
ならないが、この５μ×１０μというサイズは現在のフ
ォトエツチング技術のひとつの限界であって、こねより
小はいサイズのＭ 工Ｍをつくることは不可能ではない
が大巾なコストアップと歩留りの低下につながることに
なる。一方、ＭＩＭのサイズは一定のままでも、液晶の
誘電率を高くすること、あるいは液晶層の厚はを薄くす
ることによって液晶画素の単位面積あたりの等価静電容
量を大きくすレバ、画素面積を小ζくすることができる
が、これらの方法は現・在すでに技術的に限界に近いと
ころにあって、これ以上の進歩は期待できない。以上の
ことから、ＭＩＭを用いて液晶ｆＩＩｔＫ動する場合、
従来ではその画素面積のサイズに限界があり０６朋口よ
り小さい画素にすることは事実上不可能であることがわ
かる。現在、液晶表示装置は高密度大容量光示の方向へ
進んでおシ、前述の事実はＭＩＭ液晶表示装置をこの方
向へ進めるうえで大きな障害となる。
なる。ＭＩＭの等価静電容量Ｃ■ｌは、ＭＩＭの面積が
小さいほど、それに比例して小はくなるから、ＭＩＭの
面積、すなわち前１１交差部分を構成する電極５と６の
電伊巾が小ざい１１ど液晶の駆動は容易になる。ところ
で実験によれば、たとえば０６朋口の液晶画素を用いて
１００桁以上の多桁駆動をするためには、劇工Ｍの面積
は５μＸ１０μ以下であることが必要である。］７たが
って画素面積ｆＯ７５朋口より小ζくする場合に１−１
′、ＭＩＭの面積ｆ５μ×１０μより小言くしなければ
ならないが、この５μ×１０μというサイズは現在のフ
ォトエツチング技術のひとつの限界であって、こねより
小はいサイズのＭ 工Ｍをつくることは不可能ではない
が大巾なコストアップと歩留りの低下につながることに
なる。一方、ＭＩＭのサイズは一定のままでも、液晶の
誘電率を高くすること、あるいは液晶層の厚はを薄くす
ることによって液晶画素の単位面積あたりの等価静電容
量を大きくすレバ、画素面積を小ζくすることができる
が、これらの方法は現・在すでに技術的に限界に近いと
ころにあって、これ以上の進歩は期待できない。以上の
ことから、ＭＩＭを用いて液晶ｆＩＩｔＫ動する場合、
従来ではその画素面積のサイズに限界があり０６朋口よ
り小さい画素にすることは事実上不可能であることがわ
かる。現在、液晶表示装置は高密度大容量光示の方向へ
進んでおシ、前述の事実はＭＩＭ液晶表示装置をこの方
向へ進めるうえで大きな障害となる。
本発明は、従来のＭ工Ｍ液晶表示装置のかかる欠点を取
り除き、画素面積が小さい場合にも充分な動作マージン
を確保して高密度表示をすることが可能な液晶表示装置
を提仙するものである。
り除き、画素面積が小さい場合にも充分な動作マージン
を確保して高密度表示をすることが可能な液晶表示装置
を提仙するものである。
以下、本ざｔ明を実施例の図面を用いて説明しでいく、
第３図は、本発明の実施例におＨ２：、Ｍ１Ｍ基板の平
面図であり、図中の番号５〜７け第２図の番号５〜７と
それぞれ対応し、また８は本発明（でよって導入された
補助電極であって、電ｇｉ５〜７と１１極８との間には
絶縁膜が挿入ばれている。第４図は、第３図のＭ Ｉ
Ｍ基板を用いて絹入立てた液晶表示装置の第３図のＡ−
Ａ′軸に沿−って切断した断面図であり、図中の番号５
〜８は第３図の番号５〜８とそれぞれ対応し、士た９は
対向基板側偏光板、１０は対向基板、１１は対向１！棒
、１２け液晶層、１３は電接５〜７と？ｔｆｆｉ８との
間に挿入された絶縁膜、１４は電極５の表面酸化膜部分
、２５は雷、極５の金属部分、１６はＭ工Ｍ基板、そし
て１７けＭ工Ｍ基板測偏光板である。ばて、本実施例に
おけるＭＩＭ基板上の電極製造の方法は以下のとおりで
ある。最初に基板１６の上に補助電極８を形成・パター
ニングする。本実施例では補助電極８の材料としてＳｗ
ＯあるいはＩｎ２Ｏ，’を用いている。次に絶縁膜１３
を形成する。絶縁膜１３の材料としては５ｉ０２．
Ｔａ２Ｏ，、Ｔｉｅ、などを用イーｃいるが、基本的に
は、スパッタ法、蒸着法、ｃ■Ｄ法などの方法によって
簡単に形成でき、高誘電率を有する透明絶縁膜なら何で
もよい。つづいて従来と同じ方法で１１１ｉ５〜７を形
成・パターニングしてＭＩＭおよび画素電極ｆ製造する
ことによってＭＩＭ基板のプロセスが完了’する。
面図であり、図中の番号５〜７け第２図の番号５〜７と
それぞれ対応し、また８は本発明（でよって導入された
補助電極であって、電ｇｉ５〜７と１１極８との間には
絶縁膜が挿入ばれている。第４図は、第３図のＭ Ｉ
Ｍ基板を用いて絹入立てた液晶表示装置の第３図のＡ−
Ａ′軸に沿−って切断した断面図であり、図中の番号５
〜８は第３図の番号５〜８とそれぞれ対応し、士た９は
対向基板側偏光板、１０は対向基板、１１は対向１！棒
、１２け液晶層、１３は電接５〜７と？ｔｆｆｉ８との
間に挿入された絶縁膜、１４は電極５の表面酸化膜部分
、２５は雷、極５の金属部分、１６はＭ工Ｍ基板、そし
て１７けＭ工Ｍ基板測偏光板である。ばて、本実施例に
おけるＭＩＭ基板上の電極製造の方法は以下のとおりで
ある。最初に基板１６の上に補助電極８を形成・パター
ニングする。本実施例では補助電極８の材料としてＳｗ
ＯあるいはＩｎ２Ｏ，’を用いている。次に絶縁膜１３
を形成する。絶縁膜１３の材料としては５ｉ０２．
Ｔａ２Ｏ，、Ｔｉｅ、などを用イーｃいるが、基本的に
は、スパッタ法、蒸着法、ｃ■Ｄ法などの方法によって
簡単に形成でき、高誘電率を有する透明絶縁膜なら何で
もよい。つづいて従来と同じ方法で１１１ｉ５〜７を形
成・パターニングしてＭＩＭおよび画素電極ｆ製造する
ことによってＭＩＭ基板のプロセスが完了’する。
第５図は、本発明における液晶表示装置の４個の画素の
等価回路であり、番号１〜４け第１図の同じ番号に対応
しており、また１８け補助静電容量、１９１ｄ信号ｉｓ
、２ｏは走査電極、そして２１は補助走査電極である。
等価回路であり、番号１〜４け第１図の同じ番号に対応
しており、また１８け補助静電容量、１９１ｄ信号ｉｓ
、２ｏは走査電極、そして２１は補助走査電極である。
第５図の等価回路を第４図のＭ工Ｍ液晶表示装置の断面
図と対応きせると補助静電容量１８は画素電極７と補助
電極８が絶舛膜１３をはζんで対向する部分に形成これ
、また信号冨２極１９、走査［＄２０および補助走査電
極２１の轡能は、それぞれ表面に酸化膜形成ばれた金属
型、極５、対向Ｍ極１１および補助策ｉｆ ８ ）ｌ＋
果たす。第５図を用いて、本発明における液晶表示装置
の出動方法を説明すると次のようになる。
図と対応きせると補助静電容量１８は画素電極７と補助
電極８が絶舛膜１３をはζんで対向する部分に形成これ
、また信号冨２極１９、走査［＄２０および補助走査電
極２１の轡能は、それぞれ表面に酸化膜形成ばれた金属
型、極５、対向Ｍ極１１および補助策ｉｆ ８ ）ｌ＋
果たす。第５図を用いて、本発明における液晶表示装置
の出動方法を説明すると次のようになる。
信号常接１９と走査ｉ棒２０にはそれぞね従来と同じデ
ータ信号と走査信号を印加する。そして、補助走査電極
２１には走査電極と同じ走査信号を印加する。このとき
、液晶の等価静電容量１と補助静電容量１８は並列接続
になるから、電気的には液晶画素の静電容険が大きくな
ったことと同等となる。したがって見かけ上ＭＩＭの等
価静電容ｉ１Ｑｉｍと液晶の等価静電容量ＱＬＯＯ比は
小ζくなるから、既に説明した理由により動作マージン
は犬きくなって駆動が容易になる。以上に述べた駆動力
法では走査電極２０と補助走査電極２１とには同一の走
査信号が印加されるから、駆ｊ１１回路でつくり出す信
号は従来の場合とまったく同じでよい。走査電９ｉ２０
と補助走査電極２１け構造的にはそれぞれ対向基板側と
Ｍ工Ｍ基板側に配置されているが、上下基板の型棒間の
導通をとるために従来の液晶表示装置において一般に用
いられている上下導通法を用いれば、走査電極２０と補
助走査［Ｗｉ２１け電、気的にひとつＫまとめることも
できる。
ータ信号と走査信号を印加する。そして、補助走査電極
２１には走査電極と同じ走査信号を印加する。このとき
、液晶の等価静電容量１と補助静電容量１８は並列接続
になるから、電気的には液晶画素の静電容険が大きくな
ったことと同等となる。したがって見かけ上ＭＩＭの等
価静電容ｉ１Ｑｉｍと液晶の等価静電容量ＱＬＯＯ比は
小ζくなるから、既に説明した理由により動作マージン
は犬きくなって駆動が容易になる。以上に述べた駆動力
法では走査電極２０と補助走査電極２１とには同一の走
査信号が印加されるから、駆ｊ１１回路でつくり出す信
号は従来の場合とまったく同じでよい。走査電９ｉ２０
と補助走査電極２１け構造的にはそれぞれ対向基板側と
Ｍ工Ｍ基板側に配置されているが、上下基板の型棒間の
導通をとるために従来の液晶表示装置において一般に用
いられている上下導通法を用いれば、走査電極２０と補
助走査［Ｗｉ２１け電、気的にひとつＫまとめることも
できる。
以上に述べてきたように、本発明によればＭＩＭの面積
を従来より小づくすることか〈従来では、駆動不可能で
あるような小ざいサイズの液晶画素を有する液晶表示装
置を駆動することが可能になる。また液晶画素のサイズ
が従来の犬き享である場合に本発明を用いれば、ＭＩＭ
の面積を従来よりも犬きくすることが可能になるから、
Ｍ Ｉ Ｍの設計−ｉ造が容易となり歩留りの向上とコ
ンスダシンが可能となる。したがって、高密度画素を必
少とするＭ工Ｍ液晶表示装置や低価格ＭＵＭ液晶表示装
置に本発明を用いれば、その効果は大きい。
を従来より小づくすることか〈従来では、駆動不可能で
あるような小ざいサイズの液晶画素を有する液晶表示装
置を駆動することが可能になる。また液晶画素のサイズ
が従来の犬き享である場合に本発明を用いれば、ＭＩＭ
の面積を従来よりも犬きくすることが可能になるから、
Ｍ Ｉ Ｍの設計−ｉ造が容易となり歩留りの向上とコ
ンスダシンが可能となる。したがって、高密度画素を必
少とするＭ工Ｍ液晶表示装置や低価格ＭＵＭ液晶表示装
置に本発明を用いれば、その効果は大きい。
第１図は、Ｍ工Ｍ液晶系の等価回路を示す図。
第２図は、 従来のＭＩＭ液晶表示装置におはるＭＩＭ
基板の平面図。 第６図は、本発明の実施例におけるＭ Ｉ Ｍ基板の平
面図。 第４図は、本発明の実施例におけるＶ Ｉ ）Ａ液晶表
示装置の断面図。 第５図は、本発明における液晶表示装置の４個の画素の
等価回路を示す図。 １・・・・・・液晶の等価静電容量 ２・・・・・・液晶の等価抵抗 ６・・・・・・ＭＩＭの等価静電容量 ４・・・・・・ＭＩＭの等価抵抗 ５・・・・・・表面に酸化膜形成された金属電極６・・
・・・・土金属電極 ７・・・・・・画素電極 ８・・・・・・補助型棒 ９・・・・・・対向基板側偏光板 １０・・・・・・対向基板 １１・・・・・・対向電極 １２・・・・・・液晶層 １３・・・・・・絶縁膜 １４・・・・・・電極５の表面酸化膜部分１５・・・・
・・電極５の金属部分 １６・・・・・・ＭＩＭ基板 １７・・・・・・Ｍ Ｉ １．１１基板側偏光板１８・
・・・・・補助静電容量 １９・・・・・・信号電極 ２０・・・・・・走査電接 ２１・・・・・・補助走査電接 以 上 出願人 株式会社 諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 第１図 第２図 第４図
基板の平面図。 第６図は、本発明の実施例におけるＭ Ｉ Ｍ基板の平
面図。 第４図は、本発明の実施例におけるＶ Ｉ ）Ａ液晶表
示装置の断面図。 第５図は、本発明における液晶表示装置の４個の画素の
等価回路を示す図。 １・・・・・・液晶の等価静電容量 ２・・・・・・液晶の等価抵抗 ６・・・・・・ＭＩＭの等価静電容量 ４・・・・・・ＭＩＭの等価抵抗 ５・・・・・・表面に酸化膜形成された金属電極６・・
・・・・土金属電極 ７・・・・・・画素電極 ８・・・・・・補助型棒 ９・・・・・・対向基板側偏光板 １０・・・・・・対向基板 １１・・・・・・対向電極 １２・・・・・・液晶層 １３・・・・・・絶縁膜 １４・・・・・・電極５の表面酸化膜部分１５・・・・
・・電極５の金属部分 １６・・・・・・ＭＩＭ基板 １７・・・・・・Ｍ Ｉ １．１１基板側偏光板１８・
・・・・・補助静電容量 １９・・・・・・信号電極 ２０・・・・・・走査電接 ２１・・・・・・補助走査電接 以 上 出願人 株式会社 諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 第１図 第２図 第４図
Claims (2)
- （１） 液晶層を支持する二枚の基板の一方に金属−
絶縁体−金属の三層構造からなる非線型抵抗素子ＭＩＭ
および該ＭＵＭと電気的に結合した画素電極を有し、前
記の二枚の基板の他の一方である対向基板には複数個に
分割された対向電極全治する液晶表示装置において、Ｍ
ＩＭを有する側の基板であるＭ Ｉ Ｍ基板が、該基板
上に対向ＭＰの数と同数個に分割烙れた補助箱、極、絶
縁膜、ＭＩＭおよび該ＭＩＭと電気的に結合した画素電
極の各層がこの順番に形成された構造を有し、でらに補
助電極のそれぞれが対向基板上の複数個の対向電極のそ
れぞれと表示画面内においては互いに型抜することなく
一対一に対向していることを特徴とする液晶表示装置。 - （２）ＭＩＭ基板上の複数個の補助覆枠の十ハぞれに、
該補助電極と対向する対向基板上の対向電極に印加され
る駆動波形と同一の駆動波形を印加して駆動すみことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21606282A JPS59105615A (ja) | 1982-12-09 | 1982-12-09 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21606282A JPS59105615A (ja) | 1982-12-09 | 1982-12-09 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59105615A true JPS59105615A (ja) | 1984-06-19 |
Family
ID=16682675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21606282A Pending JPS59105615A (ja) | 1982-12-09 | 1982-12-09 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59105615A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3436527A1 (de) * | 1984-10-05 | 1986-04-10 | Vdo Adolf Schindling Ag, 6000 Frankfurt | Multiplexbare fluessigkristallzelle |
| EP0255850A2 (de) * | 1986-08-07 | 1988-02-17 | VDO Adolf Schindling AG | Flüssigkristallzelle |
-
1982
- 1982-12-09 JP JP21606282A patent/JPS59105615A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3436527A1 (de) * | 1984-10-05 | 1986-04-10 | Vdo Adolf Schindling Ag, 6000 Frankfurt | Multiplexbare fluessigkristallzelle |
| EP0255850A2 (de) * | 1986-08-07 | 1988-02-17 | VDO Adolf Schindling AG | Flüssigkristallzelle |
| EP0255850A3 (de) * | 1986-08-07 | 1989-07-19 | VDO Adolf Schindling AG | Flüssigkristallzelle |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4534623A (en) | Horizontally-stacked metal-insulator-metal element for electro-optical device and method for manufacture | |
| US5234541A (en) | Methods of fabricating mim type device arrays and display devices incorporating such arrays | |
| US3877790A (en) | Large liquid crystal displays and method of producing them | |
| JPS6321907B2 (ja) | ||
| JP3335895B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2568857B2 (ja) | アクティブマトリックス基板 | |
| Castleberry | Varistor-controlled liquid-crystal displays | |
| JPS59105615A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPS6167825A (ja) | 液晶セル | |
| JPS62138834A (ja) | アクテイブマトリクス型液晶表示装置 | |
| US5661579A (en) | Manufacturing method for liquid crystal display having matched liquid crystal and MIM element capacitances for enhancing contrast ratio | |
| JPH05203997A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2868758B1 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH0326367B2 (ja) | ||
| JPS5838922A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH0356456B2 (ja) | ||
| JPS59111680A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPS5842027A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JPH0559434B2 (ja) | ||
| JP3459993B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPS5997119A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2590670B2 (ja) | 電気光学装置の製造方法 | |
| JPS58147784A (ja) | 液晶表示パネル | |
| JPS59105616A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH02100022A (ja) | 液晶表示装置 |