JPS58184119A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPS58184119A JPS58184119A JP57067694A JP6769482A JPS58184119A JP S58184119 A JPS58184119 A JP S58184119A JP 57067694 A JP57067694 A JP 57067694A JP 6769482 A JP6769482 A JP 6769482A JP S58184119 A JPS58184119 A JP S58184119A
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- liquid crystal
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- mim
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1365—Active matrix addressed cells in which the switching element is a two-electrode device
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電気光学装雪の製造方法ＫＩ１１する。更に詳
しくは金属−酸化膜−金属構造を持つ非線形素子Ｃ以下
ＭＩＭ素子と呼ぶ）を用いて各画素電橋Ｋｌ＃を蓄積・
保持させることＫよ秒表示を行ｔ（へ液晶を用いた電気
光学装−の製造方法に関する。 ・４： 近年、液晶表示装参の実用化が進み腕時計・電卓を始め
として多くの分野に応用がなされている。
しくは金属−酸化膜−金属構造を持つ非線形素子Ｃ以下
ＭＩＭ素子と呼ぶ）を用いて各画素電橋Ｋｌ＃を蓄積・
保持させることＫよ秒表示を行ｔ（へ液晶を用いた電気
光学装−の製造方法に関する。 ・４： 近年、液晶表示装参の実用化が進み腕時計・電卓を始め
として多くの分野に応用がなされている。
しかし、伽の分野、例えば情報端末や傭人用小型電子機
器等の表示部への応用を考支喪時、表示ユニットの容積
が小さい、低電圧駆動可能、消費電力が少ないなどとい
う利点にもかかわらず、駆動電圧−コントラスト特性が
あまり皇〈なく、多桁のマトリクス駆動ができないため
表示可能な情報着が少ないという欠点か問題となってい
え。
器等の表示部への応用を考支喪時、表示ユニットの容積
が小さい、低電圧駆動可能、消費電力が少ないなどとい
う利点にもかかわらず、駆動電圧−コントラスト特性が
あまり皇〈なく、多桁のマトリクス駆動ができないため
表示可能な情報着が少ないという欠点か問題となってい
え。
この液晶表示ａｔの持つ欠点を解消するための一方法と
してＭＩＭ素子を用いたマトリクス駆動が：ｌＩ走られ
友。
してＭＩＭ素子を用いたマトリクス駆動が：ｌＩ走られ
友。
この方法は、第１１１１Ｋ−画素分の一価回路を示すよ
うに非線形抵抗ＲＭＴＭ と容量ＯＭＩＭが並列につな
がったＭＴＭ素子１及び抵抗ＲＬＣと容量ＣＬｃが並列
につながう九液晶を誘電体としたコンデンサ２とが直列
に結合場れていると考えることがで−、マトリクス駆動
の選択期間ＫＭＩＭ素子１の低折抗状襲を利用して液晶
を誘電体としたコンデンサ２Ｋｌ荷を蓄積し、非選択期
間けＭ１讐素子１の高抵抗状−を利用して前述の電荷を
保持することにより液晶に電界を印加して液晶のツ向状
鯵を制御して表示を行ならものである。
うに非線形抵抗ＲＭＴＭ と容量ＯＭＩＭが並列につな
がったＭＴＭ素子１及び抵抗ＲＬＣと容量ＣＬｃが並列
につながう九液晶を誘電体としたコンデンサ２とが直列
に結合場れていると考えることがで−、マトリクス駆動
の選択期間ＫＭＩＭ素子１の低折抗状襲を利用して液晶
を誘電体としたコンデンサ２Ｋｌ荷を蓄積し、非選択期
間けＭ１讐素子１の高抵抗状−を利用して前述の電荷を
保持することにより液晶に電界を印加して液晶のツ向状
鯵を制御して表示を行ならものである。
この方式の場合、ＭＴＭ素子１の非線形性と液晶を誘電
体としたコンデンサ２の容量ＣＬＣ値及び折抗ＲＬＩＴ
値の３者の相関で液晶に印加これる寮効値が決定これる
。これら３者のうち液晶を誘電体としｆｒコンデンサ２
の容量ＣＬｃと抵抗ＲＬＯけ画素電極の寸法とセルギャ
ップ及び伊用する液晶を定めれば必然的にその値が定ま
ってしまり、そのためＭＩ−Ｍ索子１には液晶部分に応
じた特性が要求これ、例えば０４′Ｈ角の画素電極を持
った７μ濯ギヤツプのセルに誘電異方性Δ＃＝２７（１
，＝３５゜＃、＝８１、ＶｔＡ＝ｔＩＶ１、ｖａａｔ
＝ ｔ ５ Ｖ？？ＦＩＪＩのネマチック液晶を封入［
２てツイストネマチックセルとして１１５００デユーテ
イで駆動したい場合ＫＦｉ、調走ばＴａ −ＴａｔＯ＊
−Ｎｉ Ｏｒ／＾Ｕ構造のＭＴＭ素子ＫＩＩ求される寸
法は約５ｓｔｎ角となる・ ＭＩＭ索子は、Ｎ下の方法で形成シれる。ガラス擲の透
明基［５上に丁８膜６をスパッタ蒸着ＩＩＩＩｆｉによ
ね形＃ １−、フォトエツチング法により Ｔａを選択
的にエツチングして所定の形状Ｋ ｆｒす。このと−Ｔ
ａ配線とＭＩＭの一方の電音が同１ｍ、 Ｋ形成される
。
体としたコンデンサ２の容量ＣＬＣ値及び折抗ＲＬＩＴ
値の３者の相関で液晶に印加これる寮効値が決定これる
。これら３者のうち液晶を誘電体としｆｒコンデンサ２
の容量ＣＬｃと抵抗ＲＬＯけ画素電極の寸法とセルギャ
ップ及び伊用する液晶を定めれば必然的にその値が定ま
ってしまり、そのためＭＩ−Ｍ索子１には液晶部分に応
じた特性が要求これ、例えば０４′Ｈ角の画素電極を持
った７μ濯ギヤツプのセルに誘電異方性Δ＃＝２７（１
，＝３５゜＃、＝８１、ＶｔＡ＝ｔＩＶ１、ｖａａｔ
＝ ｔ ５ Ｖ？？ＦＩＪＩのネマチック液晶を封入［
２てツイストネマチックセルとして１１５００デユーテ
イで駆動したい場合ＫＦｉ、調走ばＴａ −ＴａｔＯ＊
−Ｎｉ Ｏｒ／＾Ｕ構造のＭＴＭ素子ＫＩＩ求される寸
法は約５ｓｔｎ角となる・ ＭＩＭ索子は、Ｎ下の方法で形成シれる。ガラス擲の透
明基［５上に丁８膜６をスパッタ蒸着ＩＩＩＩｆｉによ
ね形＃ １−、フォトエツチング法により Ｔａを選択
的にエツチングして所定の形状Ｋ ｆｒす。このと−Ｔ
ａ配線とＭＩＭの一方の電音が同１ｍ、 Ｋ形成される
。
前記パターニングされたＴａ６をα０１Ｗｔ嗟クエン酸
水溶液中でｌｌＩ蓼酸化した後、ｃｒ （ｘｉ ｃｒも
しくは、ｌらに上層Ｋ Ａｕを連続蒸着し」のでもよい
）８を蒸着し、これをフォトエツチング法により所定の
形状にパターン形成グしてＭＩＭ素子となす、陽修醗化
膜この後透明電番９を形成して液晶表示装置の一方の電
極基板とする。以後通常のト示装曾と同様ＫＩＩＡ立て
ることＫよ抄液晶表示装診となす。
水溶液中でｌｌＩ蓼酸化した後、ｃｒ （ｘｉ ｃｒも
しくは、ｌらに上層Ｋ Ａｕを連続蒸着し」のでもよい
）８を蒸着し、これをフォトエツチング法により所定の
形状にパターン形成グしてＭＩＭ素子となす、陽修醗化
膜この後透明電番９を形成して液晶表示装置の一方の電
極基板とする。以後通常のト示装曾と同様ＫＩＩＡ立て
ることＫよ抄液晶表示装診となす。
したがってＭ工Ｍ素子寸法は、フォトエツチングの精度
、ＩＩＩＩＫフォｊ’、、）リングラフィの精度にょ抄
峰小限界が決まる。５ｓ惰寸法のパターン化には高ｎＷ
のマスクアライナ−を必要とするが、こういった高精度
マスク７ライナーは、基板寸法が小さく現段階では４イ
ンチ径の基板が量高で、こね以上大声な基板が可能なマ
スクアライナ−は解倫蜜が低くなる。別の方法としてマ
スク製作に利用されているパターンジェネレーターとい
り装置を用いる方法があるーこのパターンジェネレータ
＝Ｆｉ、解像１ｆａ２〜５ｓｍで基板寸法も６インチ四
角のものが可能であるが処理能力が小さく、１時間当り
１枚Ｓ噴でコスト高とな秒置１１ＫＦｉむかないＯ 本発明の目的は、かかる欠点を除去しパターン形成にお
けるフォトリソグラフィのパターン寸法に対する制限を
緩やかＫし、文書基板上への製造を容易ならしめること
によ抄大型の電気光学ａｔを提供することＫある。
、ＩＩＩＩＫフォｊ’、、）リングラフィの精度にょ抄
峰小限界が決まる。５ｓ惰寸法のパターン化には高ｎＷ
のマスクアライナ−を必要とするが、こういった高精度
マスク７ライナーは、基板寸法が小さく現段階では４イ
ンチ径の基板が量高で、こね以上大声な基板が可能なマ
スクアライナ−は解倫蜜が低くなる。別の方法としてマ
スク製作に利用されているパターンジェネレーターとい
り装置を用いる方法があるーこのパターンジェネレータ
＝Ｆｉ、解像１ｆａ２〜５ｓｍで基板寸法も６インチ四
角のものが可能であるが処理能力が小さく、１時間当り
１枚Ｓ噴でコスト高とな秒置１１ＫＦｉむかないＯ 本発明の目的は、かかる欠点を除去しパターン形成にお
けるフォトリソグラフィのパターン寸法に対する制限を
緩やかＫし、文書基板上への製造を容易ならしめること
によ抄大型の電気光学ａｔを提供することＫある。
本発明け、従来ＭＩＭ素子が縦方肉であったものを横方
向にすることにより、フォトエツチング技術により制限
されていたＭ工Ｍ素子寸法の下限を大巾に下げることが
出来るようにした奄のである。
向にすることにより、フォトエツチング技術により制限
されていたＭ工Ｍ素子寸法の下限を大巾に下げることが
出来るようにした奄のである。
ＭＴＭ構造の電流−電圧特性は以下のように！！わこれ
る。
る。
１ ＝ ｘ ｖ ａｚｎ （β／Ｔ ）−・・−・−（
１１ここで、Ｉ、ＶけそれすれＷＮ、電圧である。
１１ここで、Ｉ、ＶけそれすれＷＮ、電圧である。
Ｋｌｊびβは
ここで、電は電子！？Ｆｌ−け電荷、μけ移動賓８ｒｔ
ｈ積、ｄけＰ錘体膜厚、φけドナーレベル、にはポルッ
７ン定数、テは温廖、８゜け真空中の誘電率、ａ ｉＨ
ｊ ｐ験体の比誘電率である。
ｈ積、ｄけＰ錘体膜厚、φけドナーレベル、にはポルッ
７ン定数、テは温廖、８゜け真空中の誘電率、ａ ｉＨ
ｊ ｐ験体の比誘電率である。
以上かられかるよりに給縁体膜犀が増加すると曜Ｒは小
さぐな抄、しかも指数関数的に減少する。
さぐな抄、しかも指数関数的に減少する。
そこで、Ｐ２Ｎ２体の膜厚ｄと素子面積８が異なるＭ
Ｔ Ｍ素子の電流の比は、νＩＭ素子１とＭＩＭ章子２
の各パラメータにそれすれ添字１．２をつけて表わすと
、 とな抄、温賓Ｔを３００’にとし冬着を代入すると、と
なる。
Ｔ Ｍ素子の電流の比は、νＩＭ素子１とＭＩＭ章子２
の各パラメータにそれすれ添字１．２をつけて表わすと
、 とな抄、温賓Ｔを３００’にとし冬着を代入すると、と
なる。
ここで、ＶＩＩＪ素子１，２の寸法８．．８．を同じＫ
し、素子１のＰ綴体穫厚山をｔｉ、＝ ｓｏｎ ％とし
て電圧Ｖ及び素子のＰ鋳体膜厚４をパラメータとして電
流値の比−を求めると表１のようになる。
し、素子１のＰ綴体穫厚山をｔｉ、＝ ｓｏｎ ％とし
て電圧Ｖ及び素子のＰ鋳体膜厚４をパラメータとして電
流値の比−を求めると表１のようになる。
■！
表 １
ＭＩＭ素子の絶縁体膜厚Ｖ・ち
がいによる電流のちがい（−）
ｘ
表１から明らかなよらに絶縁体の膜厚ｆ５００ Ｋから
１ｎｏｏＺＫｚ倍にすると電流値は１ｖで約２ケタ減少
する。電圧が高ければざらＫこの傾向はよ、９゜
″： 本発明は上Ｉｔ’ＭＩ讐素子の特徴をいかし従奄ＭＩＭ
素子としていた平面上の？鋳体の膜厚を厚くし５、横−
ｆ’ｌ麹縁体膜厚を薄くすることＫＪり実質的に横方向
のνＩＭ参子とｆｒ Ｌ、これによりＭＩＭＩＦ子寸法
の縮少をはかつ六ものである。
１ｎｏｏＺＫｚ倍にすると電流値は１ｖで約２ケタ減少
する。電圧が高ければざらＫこの傾向はよ、９゜
″： 本発明は上Ｉｔ’ＭＩ讐素子の特徴をいかし従奄ＭＩＭ
素子としていた平面上の？鋳体の膜厚を厚くし５、横−
ｆ’ｌ麹縁体膜厚を薄くすることＫＪり実質的に横方向
のνＩＭ参子とｆｒ Ｌ、これによりＭＩＭＩＦ子寸法
の縮少をはかつ六ものである。
すなわち槙４図に示すようＫｋＡＴＭｌｌ子の一方の、
電接となる金属１１上に厚い？＃体膜１２を形成し金属
１，１の−ａＫＩｄ薄いＰ縁体膜１３を形成（、さらＫ
Ｍ ７Ｍ素子の他の一方の電音となる金＠１４ｆ形防す
る。このと−金属１４けで−るならば卿いＰ緩体膜１２
上にはない方（第４ｖα）がよいが、＊―の丁和上にお
いて金属１４が厚いｋｈ一体験上にオーバーラツプする
（第４図ｂ）ことＦｉはＨられない、蒙４図みには２つ
のνＩＭ構造があめ、絶縁体膜の膜厚の薄いＭＩＭ素子
（以伊素子１とする）と、絶縁体膜の膜厚の厚いＭＩＭ
ｌｌ子（以蕾素子２とする）が形成きれている。
電接となる金属１１上に厚い？＃体膜１２を形成し金属
１，１の−ａＫＩｄ薄いＰ縁体膜１３を形成（、さらＫ
Ｍ ７Ｍ素子の他の一方の電音となる金＠１４ｆ形防す
る。このと−金属１４けで−るならば卿いＰ緩体膜１２
上にはない方（第４ｖα）がよいが、＊―の丁和上にお
いて金属１４が厚いｋｈ一体験上にオーバーラツプする
（第４図ｂ）ことＦｉはＨられない、蒙４図みには２つ
のνＩＭ構造があめ、絶縁体膜の膜厚の薄いＭＩＭ素子
（以伊素子１とする）と、絶縁体膜の膜厚の厚いＭＩＭ
ｌｌ子（以蕾素子２とする）が形成きれている。
イこで前詐明において述べたよへにＭ、ＩＭ索子けぞの
Ｐ縁膜の膜厚によりその電流−電圧特性が大戦 揄〈異ｔ「うているこ・とから、素子１と素子２の給綽
体＊＊を菅えることＫより素子１に対する素子２の電流
−電圧特性への影響を無視で−るようにすることけ、１
４１式あるいは第４式から可能である。しかし１１際製
造するＫけフォトエツチング法で数回のパターンの合せ
が必豐であり、この大めパターンは、ＰＩ ｓ ｔｎの
余裕が必！となることからｔ子１の寸法に片ぺ索子２の
寸法のほうか数十倍大＃（なる。したがってｔ子１が索
子２と比べよね支ｖ的であるためＫＦｉ、素３２に比べ
素子１が恢抵抗領埴においてより低抵抗にまた高抵抗領
謔において、同和度であることが望ましい、なお第４ｖ
αけ第４因すの虻大図であ抄素子１と素子２を示す、１
５・・・・・・１子１．１６・・・・・・素子２′！！
た第４図ｄは、第４ＷＪｂの平面図を示す。
Ｐ縁膜の膜厚によりその電流−電圧特性が大戦 揄〈異ｔ「うているこ・とから、素子１と素子２の給綽
体＊＊を菅えることＫより素子１に対する素子２の電流
−電圧特性への影響を無視で−るようにすることけ、１
４１式あるいは第４式から可能である。しかし１１際製
造するＫけフォトエツチング法で数回のパターンの合せ
が必豐であり、この大めパターンは、ＰＩ ｓ ｔｎの
余裕が必！となることからｔ子１の寸法に片ぺ索子２の
寸法のほうか数十倍大＃（なる。したがってｔ子１が索
子２と比べよね支ｖ的であるためＫＦｉ、素３２に比べ
素子１が恢抵抗領埴においてより低抵抗にまた高抵抗領
謔において、同和度であることが望ましい、なお第４ｖ
αけ第４因すの虻大図であ抄素子１と素子２を示す、１
５・・・・・・１子１．１６・・・・・・素子２′！！
た第４図ｄは、第４ＷＪｂの平面図を示す。
そこで、金属１１の膜厚が２００ＯＡ、金属１４のパタ
ー中が１０μ惧、金属１と金属２のオーバーラツプが５
Ｊ１ｍの場合について看えると、蒙４図かられかるよう
に素子１の素子寸法（ｒＭ’ｌｌｌ ） ８＋けＳ＋
＝ ２０００ Ａ Ｘ １０μ愼、素子２の素子寸法（
面積）ｓ２は、８ｍ＝５μｍＸ１０ｊ惰となり、結局８
に士２μ−１ε！＝５μ−で素子２け素子１の２５倍の
面積となる。そこで１子１の＃１ｓｉｓ膜厚ｄ１、索子
２のＰ験体嘆厚ｄ、（ｒそれぞれｓｏｎ Ｘ 、 １０
ｎａ Ｘとすると電流Ｉ凰
１比−ｄＶＷＩＶで、−Ｗ４．５
．ｖ＝１ｏｖで〒、＝エエ ６６４とな抄、高抵抗領域で約２０嘔低抵抗領域で約０
２嗟、すなわち高抵抗領域でＦｉ同樺′Ｓ闇でや中素子
１が支Ｗ的であ抄、低折抗領埴にシいてけ７全に１子１
がｔｉｉ！的である。
ー中が１０μ惧、金属１と金属２のオーバーラツプが５
Ｊ１ｍの場合について看えると、蒙４図かられかるよう
に素子１の素子寸法（ｒＭ’ｌｌｌ ） ８＋けＳ＋
＝ ２０００ Ａ Ｘ １０μ愼、素子２の素子寸法（
面積）ｓ２は、８ｍ＝５μｍＸ１０ｊ惰となり、結局８
に士２μ−１ε！＝５μ−で素子２け素子１の２５倍の
面積となる。そこで１子１の＃１ｓｉｓ膜厚ｄ１、索子
２のＰ験体嘆厚ｄ、（ｒそれぞれｓｏｎ Ｘ 、 １０
ｎａ Ｘとすると電流Ｉ凰
１比−ｄＶＷＩＶで、−Ｗ４．５
．ｖ＝１ｏｖで〒、＝エエ ６６４とな抄、高抵抗領域で約２０嘔低抵抗領域で約０
２嗟、すなわち高抵抗領域でＦｉ同樺′Ｓ闇でや中素子
１が支Ｗ的であ抄、低折抗領埴にシいてけ７全に１子１
がｔｉｉ！的である。
以上のよ＃ＩＫ、素子１のＰＩＩＩ！膜の膜厚がｓｏｏ
′Ａの場合は、ｔｏｏｏａ以）の膜厚とすることによ
り、索子２の影響を無視することかで−る。
′Ａの場合は、ｔｏｏｏａ以）の膜厚とすることによ
り、索子２の影響を無視することかで−る。
実施例
ＭＩＭ素子を液晶表示体に応用した表示装置の例を第５
８ＩＮび第６図を用いて説明する。
８ＩＮび第６図を用いて説明する。
ガラス−の透明基板２２上にテα膜を約２５００ Ａの
膜厚で形成し、Ｔａ＠２２を陽ｌｊｅ化してＴα膜表１
ｍＫ １０００＾の丁α醗化５１２３を形成する。陽夛
酸化ｒｔｏ、ｆ）１１ｇクエン酸水溶液中で電圧６０Ｖ
の条件で行りことにより、約１０００ムの陽棲酸化膜が
得られるは）。次１フォトエツチング法によ抄所定の形
状ｋ（Ｔ（１＠ ２２及び’ｒａ酸化＄２３を選択的に
エツチングするの１゜エツチングにより露光したＴα膜
２２のエツチング面２４を陽椿駿化する（Ｃ）、−響駿
化はその酸化膜厚がその印加電圧に比例することからこ
の降接酸化ｌｌＩ２５の形成のための印加電圧は、＃Ｉ
ｌ響醗化電圧の半分の３０ｖで行い酔化腓の膜厚を約５
００ Ｋとした（いいか憂れげ、ＭＩＭ素子の絶級膜の
膜厚の２倍以上のＷＩＩＩＫ第１の絶鋒膜の膜厚とする
）。
膜厚で形成し、Ｔａ＠２２を陽ｌｊｅ化してＴα膜表１
ｍＫ １０００＾の丁α醗化５１２３を形成する。陽夛
酸化ｒｔｏ、ｆ）１１ｇクエン酸水溶液中で電圧６０Ｖ
の条件で行りことにより、約１０００ムの陽棲酸化膜が
得られるは）。次１フォトエツチング法によ抄所定の形
状ｋ（Ｔ（１＠ ２２及び’ｒａ酸化＄２３を選択的に
エツチングするの１゜エツチングにより露光したＴα膜
２２のエツチング面２４を陽椿駿化する（Ｃ）、−響駿
化はその酸化膜厚がその印加電圧に比例することからこ
の降接酸化ｌｌＩ２５の形成のための印加電圧は、＃Ｉ
ｌ響醗化電圧の半分の３０ｖで行い酔化腓の膜厚を約５
００ Ｋとした（いいか憂れげ、ＭＩＭ素子の絶級膜の
膜厚の２倍以上のＷＩＩＩＫ第１の絶鋒膜の膜厚とする
）。
次ＫＭＩＭ素子の一方の電極となるＯｒｌ［２６を形成
し、所望の形状にフォトエツチングする＆ｉ）。
し、所望の形状にフォトエツチングする＆ｉ）。
このとき、〒αとのオーバーラツプをでするかぎり少な
ぐする必要がある。以上ｆよｔ）ＭｒＭ素子が基板上に
形成ζね、寧らに液晶表示のための透明電極を形成し、
パッジページ曹ン膜としマ８ｉ０ＪＩを１５００Ｘの膜
厚で形成し、その後液晶１向のためポリイミド膜を形成
しラビング処ＩＩｔ行って液晶表示＃雪の一方の基板と
なす、一方基板上に所定の形状に形成した透明電ｗｉｔ
有する基Ｉｉｆ対向基徐とし、前ＰνＸＭ素子を真−し
た基板と透明電Ｗｔ形成した基板の間に液晶を注入して
液晶１示装量となす。
ぐする必要がある。以上ｆよｔ）ＭｒＭ素子が基板上に
形成ζね、寧らに液晶表示のための透明電極を形成し、
パッジページ曹ン膜としマ８ｉ０ＪＩを１５００Ｘの膜
厚で形成し、その後液晶１向のためポリイミド膜を形成
しラビング処ＩＩｔ行って液晶表示＃雪の一方の基板と
なす、一方基板上に所定の形状に形成した透明電ｗｉｔ
有する基Ｉｉｆ対向基徐とし、前ＰνＸＭ素子を真−し
た基板と透明電Ｗｔ形成した基板の間に液晶を注入して
液晶１示装量となす。
以上本発明により従来と比べ素子寸法が１ケタ以上小さ
いＭ１Ｍ素子を従来と回じ装曾で製造可能となった。
いＭ１Ｍ素子を従来と回じ装曾で製造可能となった。
また本発明によ秒以下のような付随的な効果が生にな、
第７図に本発明によるＭＩＭｌｌ子を具備した液晶―示
ａｔ顧と従来のＭＩＭ＊子を具備した液晶表示ａｔの）
のそれぞれ一画素を示す。第７図から明らかなように液
晶駆動のための透明電極２７のサイズが本発明による装
量の方が大−くしたがって表示効率が高い、また素子構
造も本発明により１１Ｍ化これているため設計上の制酬
をよ妙手ζ〈で−１その応用も拡がることが期待される
。
第７図に本発明によるＭＩＭｌｌ子を具備した液晶―示
ａｔ顧と従来のＭＩＭ＊子を具備した液晶表示ａｔの）
のそれぞれ一画素を示す。第７図から明らかなように液
晶駆動のための透明電極２７のサイズが本発明による装
量の方が大−くしたがって表示効率が高い、また素子構
造も本発明により１１Ｍ化これているため設計上の制酬
をよ妙手ζ〈で−１その応用も拡がることが期待される
。
第１図は一画素分の°ＭＩＭ素子と液晶部分の等価回路
を示す。 第２図、第３＠は従来のＭＩＭ素子を示す。 １図は本発明−一るｙ口Ｉ子を示す。 第５図、第６１１Ｉは本発明によるＭＩ輩素子の製造方
法を示」、第５図＃１ｌＦ１面図、第６図は平面図であ
る。 第７図は、ＭＸＭ素子を具備した液晶表示ａｔの一画案
分を示した平Ｗｉ図であり、ａ！ｌｌ＋は本発明による
１ｉｉ１！、６＠は従来の画素を示す。 以 上 出願人 株式会社 −訪精工舎 第１図 第３図 （Ｃ） ／Ａ 第４図 ９７−
を示す。 第２図、第３＠は従来のＭＩＭ素子を示す。 １図は本発明−一るｙ口Ｉ子を示す。 第５図、第６１１Ｉは本発明によるＭＩ輩素子の製造方
法を示」、第５図＃１ｌＦ１面図、第６図は平面図であ
る。 第７図は、ＭＸＭ素子を具備した液晶表示ａｔの一画案
分を示した平Ｗｉ図であり、ａ！ｌｌ＋は本発明による
１ｉｉ１！、６＠は従来の画素を示す。 以 上 出願人 株式会社 −訪精工舎 第１図 第３図 （Ｃ） ／Ａ 第４図 ９７−
Claims (1)
- 基板上に第１の金属膜を形成子る工程と、第１の金属膜
上に第１の絶縁体膜を形成する工程と、第１の金属膜及
び第１の絶縁体１１１を所定の形状に選択的にエツチン
グする工程と、＃ｒ第１の金属膜のエツチング面を陽椿
酸仕して第２のＩＰ＃体膜を形成する工程と、第２の金
属膜を形成する■容と、第２の金属膜を所定の形状に選
択的にエツチングする工程とを有することを養徽とする
電気光学装曾の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57067694A JPS58184119A (ja) | 1982-04-22 | 1982-04-22 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57067694A JPS58184119A (ja) | 1982-04-22 | 1982-04-22 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58184119A true JPS58184119A (ja) | 1983-10-27 |
| JPH0326367B2 JPH0326367B2 (ja) | 1991-04-10 |
Family
ID=13352321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57067694A Granted JPS58184119A (ja) | 1982-04-22 | 1982-04-22 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58184119A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61164279A (ja) * | 1985-01-16 | 1986-07-24 | Seiko Epson Corp | Ｍｉｍ液晶表示体製造方法 |
| US4683183A (en) * | 1984-01-13 | 1987-07-28 | Seiko Epson Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing MIM elements in liquid crystal displays |
-
1982
- 1982-04-22 JP JP57067694A patent/JPS58184119A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4683183A (en) * | 1984-01-13 | 1987-07-28 | Seiko Epson Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing MIM elements in liquid crystal displays |
| JPS61164279A (ja) * | 1985-01-16 | 1986-07-24 | Seiko Epson Corp | Ｍｉｍ液晶表示体製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0326367B2 (ja) | 1991-04-10 |
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