JPS587125A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法Info
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- JPS587125A JPS587125A JP56104839A JP10483981A JPS587125A JP S587125 A JPS587125 A JP S587125A JP 56104839 A JP56104839 A JP 56104839A JP 10483981 A JP10483981 A JP 10483981A JP S587125 A JPS587125 A JP S587125A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1365—Active matrix addressed cells in which the switching element is a two-electrode device
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液晶表示装置、特に金属−Ｐ縁周−金Ｍ（Ｍ工
Ｍ）のごときスイッチング装置を用いた、多数マトリッ
クス表示装置の製造方法に関する。
Ｍ）のごときスイッチング装置を用いた、多数マトリッ
クス表示装置の製造方法に関する。
液晶音用いた大容量表示装置については従来よシ各種の
検討がなされており、その最も簡単々例が第１図に示す
ごとく構成したものである。一連のデータ線１及びアド
レス線２、さらにそれぞれのデータ線とアドレス線の交
差点に構成された液晶セル５とにより成っており、所望
の液晶セルを点燈させる為には、その液晶セルに接続さ
れたデータ線とアドレス線との間に液晶を点燈させるに
十分な電圧を加えて行なった。しかるにこの方法では、
電圧が印加されたデータ線及びアドレス線に点燈すべき
液晶セル以外の液晶セルが接続されておし、この液晶セ
ルの一方の電極にも電圧が印加される事となる。この為
に第１図の構成による表示装置では用いる事の出来るデ
ータ線又はアドレス線の数は制限され、よく知られてい
る様に簡単には次の式によシその最大数が表わされる。
検討がなされており、その最も簡単々例が第１図に示す
ごとく構成したものである。一連のデータ線１及びアド
レス線２、さらにそれぞれのデータ線とアドレス線の交
差点に構成された液晶セル５とにより成っており、所望
の液晶セルを点燈させる為には、その液晶セルに接続さ
れたデータ線とアドレス線との間に液晶を点燈させるに
十分な電圧を加えて行なった。しかるにこの方法では、
電圧が印加されたデータ線及びアドレス線に点燈すべき
液晶セル以外の液晶セルが接続されておし、この液晶セ
ルの一方の電極にも電圧が印加される事となる。この為
に第１図の構成による表示装置では用いる事の出来るデ
ータ線又はアドレス線の数は制限され、よく知られてい
る様に簡単には次の式によシその最大数が表わされる。
■、−■ＩＶＣ１１丁・・・・・・・・（１）ここで■
、け液晶が点燈し々い彫°大印加雷圧、■２は液晶が点
燈する最少印加電圧であり、用いた液晶の釉類、セルの
構成により変わるが、唄在得られているＮの最大数は２
０程度でしかない。
、け液晶が点燈し々い彫°大印加雷圧、■２は液晶が点
燈する最少印加電圧であり、用いた液晶の釉類、セルの
構成により変わるが、唄在得られているＮの最大数は２
０程度でしかない。
この様々液晶表示装置を大室晶化する試みとして各液晶
セルとデータ線との間にスイッチング素子を直列に挿入
し、実効的なＮの値を高め乙方法がある。その１つがス
イッチング素子としてトランジスターを用いたいわゆる
アクティブマトリックス方式である。この方式によれば
、スイッチ素子としてトランジスターは完壁であるので
前記１式におけるＮの値はほとんど無限大寸で許容出来
る反面、大面積上に多数のトランジスターを欠陥なく製
造しなければならないという極めて困難な要求を必要と
する欠点がある。第２の方法としてスイッチング素子に
金属−・絶縁物−金属のサンドインチ製造（Ｍ工Ｍ素子
）を用いたものがあり、前記１式のＮの値を数百程度に
する事が可能であり、この程度の値を有すれば実際上は
トランジスターを甲いたものと比較してもなんら遜色は
無い。
セルとデータ線との間にスイッチング素子を直列に挿入
し、実効的なＮの値を高め乙方法がある。その１つがス
イッチング素子としてトランジスターを用いたいわゆる
アクティブマトリックス方式である。この方式によれば
、スイッチ素子としてトランジスターは完壁であるので
前記１式におけるＮの値はほとんど無限大寸で許容出来
る反面、大面積上に多数のトランジスターを欠陥なく製
造しなければならないという極めて困難な要求を必要と
する欠点がある。第２の方法としてスイッチング素子に
金属−・絶縁物−金属のサンドインチ製造（Ｍ工Ｍ素子
）を用いたものがあり、前記１式のＮの値を数百程度に
する事が可能であり、この程度の値を有すれば実際上は
トランジスターを甲いたものと比較してもなんら遜色は
無い。
このＭＩＭ素子の電圧−Ｔ、ｌ流特性を示したものが第
２回である。横軸■がＭ工Ｍ素子の金属−金属間に印加
する電圧であり縦軸が流れる電流である。
２回である。横軸■がＭ工Ｍ素子の金属−金属間に印加
する電圧であり縦軸が流れる電流である。
印加電子の低い時は電流はｔｌとんど流れず素子は面抵
抗状態であるが、印加軍用Ｖ ｔ Ｉ＋を鷲えると低抵
抗状態となり電流が流１．ｌ−Ｌる。この■ｔｈは用い
た金属及び絶縁層の種類によシ変わる。
抗状態であるが、印加軍用Ｖ ｔ Ｉ＋を鷲えると低抵
抗状態となり電流が流１．ｌ−Ｌる。この■ｔｈは用い
た金属及び絶縁層の種類によシ変わる。
このＭ工Ｍ素子を用いて構成した液晶セル従来における
一例を示したものが第３図である。液晶セルｌ１−１′
１対のガラス板４，１２からかり、それらの間に液晶１
０が密封されている。板４，１２０内表面は良く知られ
ている方法により液晶配向処理が施されている。液晶１
０は電極９及び１１の間に電圧を印加する事により再配
向され光学的特性に変化が生ずる。このうちの一方の電
極９に、ＭＩＭ素子が結合されている。すなわち、ＭＩ
Ｍ素子の一方の電極はセル電極９に接続された８であシ
絶縁層は７、又他方の電極は６である。第３図かられか
る様に電極のバターニング工程は電極６と、電極８，９
の２回のみで良く、又両電極の位置合わせの精度もそれ
程きびしくない為、トランジスターをスイッチング素子
として用いた場合に比べ製造上非常に簡単である。との
Ｍ工Ｍ素子の構成としては金属はタンタルを、絶縁層と
してタンタルを陽極酸化した厚さ約５００オングストロ
ームの五酸化タンタルを用いるのがよく知られた一般的
な方法である。この様に形成された°Ｍ！Ｖ［１１！素
子を用い、液晶セルを構成する場合、液晶セルの一方の
電極９０面積と、絶縁層７を介して２つの金属８と６が
対向する面積との比に最適な値が存在する。この最適値
は液晶の比抵抗とセルの電気容量及びＭ工Ｍの電気容量
とＶ−１特性によって決まり、通常電極９０面積はＭ工
Ｍの大きさの１万信又はそれ以上必要である。つまり液
晶セルを１ミリメートル四角としれ場合のＭ工Ｍの大き
さは１０ミクロンメートル四角又はそれ以下の大 ５− きさにしなければならない。この様に１０ミクロンメー
トルのパ；ターンを例えば５ないし１０センチメートル
四角のととくの大型表示パネル上に形成する事は非常に
困難な事であり、又、液晶セル電極９の大きさが１ミリ
メートル四角というのは表示ドツトとしてはかなりきめ
が粗く、表示品質上とのドツト面積を数分の１以下に小
さくする場合Ｍ工Ｍの大きさも数分の１の大きさにしな
ければならない。この場合必要とされるパターンサイズ
は５ミクロンメートル以下が必要となり、実現は不可能
である。
一例を示したものが第３図である。液晶セルｌ１−１′
１対のガラス板４，１２からかり、それらの間に液晶１
０が密封されている。板４，１２０内表面は良く知られ
ている方法により液晶配向処理が施されている。液晶１
０は電極９及び１１の間に電圧を印加する事により再配
向され光学的特性に変化が生ずる。このうちの一方の電
極９に、ＭＩＭ素子が結合されている。すなわち、ＭＩ
Ｍ素子の一方の電極はセル電極９に接続された８であシ
絶縁層は７、又他方の電極は６である。第３図かられか
る様に電極のバターニング工程は電極６と、電極８，９
の２回のみで良く、又両電極の位置合わせの精度もそれ
程きびしくない為、トランジスターをスイッチング素子
として用いた場合に比べ製造上非常に簡単である。との
Ｍ工Ｍ素子の構成としては金属はタンタルを、絶縁層と
してタンタルを陽極酸化した厚さ約５００オングストロ
ームの五酸化タンタルを用いるのがよく知られた一般的
な方法である。この様に形成された°Ｍ！Ｖ［１１！素
子を用い、液晶セルを構成する場合、液晶セルの一方の
電極９０面積と、絶縁層７を介して２つの金属８と６が
対向する面積との比に最適な値が存在する。この最適値
は液晶の比抵抗とセルの電気容量及びＭ工Ｍの電気容量
とＶ−１特性によって決まり、通常電極９０面積はＭ工
Ｍの大きさの１万信又はそれ以上必要である。つまり液
晶セルを１ミリメートル四角としれ場合のＭ工Ｍの大き
さは１０ミクロンメートル四角又はそれ以下の大 ５− きさにしなければならない。この様に１０ミクロンメー
トルのパ；ターンを例えば５ないし１０センチメートル
四角のととくの大型表示パネル上に形成する事は非常に
困難な事であり、又、液晶セル電極９の大きさが１ミリ
メートル四角というのは表示ドツトとしてはかなりきめ
が粗く、表示品質上とのドツト面積を数分の１以下に小
さくする場合Ｍ工Ｍの大きさも数分の１の大きさにしな
ければならない。この場合必要とされるパターンサイズ
は５ミクロンメートル以下が必要となり、実現は不可能
である。
本発明け以上の点を鑑みてなされたものであり、従来よ
り知られている技術を用い簡単により小さなＭ工Ｍ素子
を製造する方法を析供するものである。以下図面により
本発明の詳細な説明する。
り知られている技術を用い簡単により小さなＭ工Ｍ素子
を製造する方法を析供するものである。以下図面により
本発明の詳細な説明する。
捷ず最初にガラス基板上に第１のタンタル層を形成する
。このタンタル層の厚さは従来よく行なわれているｓ、
ｏ ｏ ｏ〜５．ＯＤＤオングストローム程度で良い
。次にこのタンタルをＩＯ製造方面で良く知られている
フォトエツチング技術ヲ用いて、 ６− 第４図の１３のごとくタンタルのパターニンクヲ行々す
。本実施例では第４図の１３の形状かられかる様に液晶
セルの電極とＭ ＩＩ Ｍ素子の一方の金属型棒とを同
じタンタルで同時に作り込む例について示した。次に第
４図の斜線部を除いたガラス基板上にレジスト材料を形
成する。この場合タンタル薄膜１５の一部は図に示され
た通り必ずレジストが塗布さねない様にする、又レジス
トの塗布厚さは通常■０の工程で用いられている１間程
度で良い。この第４図のｘ−ｘ’で示した位ｆＦｔでの
基板断面形状を示したものが第５図（ａ）の断面図でお
る。１４１はガラス板、１５はレジストである。
。このタンタル層の厚さは従来よく行なわれているｓ、
ｏ ｏ ｏ〜５．ＯＤＤオングストローム程度で良い
。次にこのタンタルをＩＯ製造方面で良く知られている
フォトエツチング技術ヲ用いて、 ６− 第４図の１３のごとくタンタルのパターニンクヲ行々す
。本実施例では第４図の１３の形状かられかる様に液晶
セルの電極とＭ ＩＩ Ｍ素子の一方の金属型棒とを同
じタンタルで同時に作り込む例について示した。次に第
４図の斜線部を除いたガラス基板上にレジスト材料を形
成する。この場合タンタル薄膜１５の一部は図に示され
た通り必ずレジストが塗布さねない様にする、又レジス
トの塗布厚さは通常■０の工程で用いられている１間程
度で良い。この第４図のｘ−ｘ’で示した位ｆＦｔでの
基板断面形状を示したものが第５図（ａ）の断面図でお
る。１４１はガラス板、１５はレジストである。
次に第５図Φ゛）に示される様にレジスト１５をマスク
として、レジストにおおわれていないタンタル全エツチ
ング除去し、さらにレジストを除去しない１寸タンタル
の鷹極酸化を行なう。この酸化によって五酸化タンタル
１６けタンタル１３のエツチング断面にしか成長しない
。次にさらにレジストを残した１貫、第２のタンタル薄
膜１７を基板全体に形成する。この第２のタンタル薄膜
１７の膜厚は第１のタンタルバグ膜１５のそれと同一で
あるのが最″も良（、又、レジス）・１５より薄いので
第５図（ｅ）の様にレジスト上に形成されるタンタル層
とレジストの無す所に形成されるタンタル層は容易に分
離して形成する事が町炒である。さらに又レジストの無
い所に形成されたタンタル層１７は絶ａ膜の五酸化タン
タル１６を介して第１のタンタル層１３とＭＩＭ素子を
形成する。苗後にレジスト１５を除去すると同時にレジ
ストの上に形成された第２のタンタル薄膜１７を除去す
れば第６図に示された様な＋ｆ’ｊ成で、・静晶セル宙
極、 ＭＩＭ素子、データ線が完成する。この様に第２
のタンタル層を形成パターニングする方法は、■Ｃの製
造」−・良く知られているリフトオフ法であって、これ
により形成されたＦ２のタンタル１７データ線と乃、る
。以降、液晶表示パネルは従来のものと全く同一の方法
によ、！ｌｌｌｌｌｌ製外えば良い。
として、レジストにおおわれていないタンタル全エツチ
ング除去し、さらにレジストを除去しない１寸タンタル
の鷹極酸化を行なう。この酸化によって五酸化タンタル
１６けタンタル１３のエツチング断面にしか成長しない
。次にさらにレジストを残した１貫、第２のタンタル薄
膜１７を基板全体に形成する。この第２のタンタル薄膜
１７の膜厚は第１のタンタルバグ膜１５のそれと同一で
あるのが最″も良（、又、レジス）・１５より薄いので
第５図（ｅ）の様にレジスト上に形成されるタンタル層
とレジストの無す所に形成されるタンタル層は容易に分
離して形成する事が町炒である。さらに又レジストの無
い所に形成されたタンタル層１７は絶ａ膜の五酸化タン
タル１６を介して第１のタンタル層１３とＭＩＭ素子を
形成する。苗後にレジスト１５を除去すると同時にレジ
ストの上に形成された第２のタンタル薄膜１７を除去す
れば第６図に示された様な＋ｆ’ｊ成で、・静晶セル宙
極、 ＭＩＭ素子、データ線が完成する。この様に第２
のタンタル層を形成パターニングする方法は、■Ｃの製
造」−・良く知られているリフトオフ法であって、これ
により形成されたＦ２のタンタル１７データ線と乃、る
。以降、液晶表示パネルは従来のものと全く同一の方法
によ、！ｌｌｌｌｌｌ製外えば良い。
以上の様にして製造し／こＭ Ｉ Ｍ素子の大きさは第
４図において斜線を施しだ領域へ突出したタンタル響１
５の巾と、このタンタルの厚みで決寸り、フォトエツチ
ングでの最少パターン寸法が１０ミクロンメートルであ
るとすると、従来方法を用いた時のＭ工１Ａの最小寸法
は１００ミフロンメートル×１ミクロンメートルであり
、本発明を実施した場合、タンタルの〃さを５，０００
オングストロームとしり場合は゛１０ミクロンメートル
×０．５ミクロンメートルとなり、従来の製造方法に比
べ特に微細パターン加工を必要とせずに２０分の１の大
きさにする事が可能である。従って液晶セルの大きさも
従来の２０分の１の大きさ、つ１如、約２００ミクロン
四角のものが実現出来、表示パネルのきめもと捷かくな
って表示品質上極めて良好なものが可能になる。又さら
に小さな液晶セルが必要である場合には、タンタル層の
厚さを上記の５、０００オンゲス）・ロームより薄く形
成する事により回部と々る等、極めて余裕の大きい製造
条件を取る事が出来る。さらに又、ＭＩＭ素子の厚みは
従来の２分の１以下であって凹凸が少なくなり、これは
表示パネルの液晶層の厚みが才す脣す薄形化している現
状を考えた場合、非猟に有利である ９− 等、本発明に１−数々のすぐねたｌ特徴をイ」するもの
１ある。
４図において斜線を施しだ領域へ突出したタンタル響１
５の巾と、このタンタルの厚みで決寸り、フォトエツチ
ングでの最少パターン寸法が１０ミクロンメートルであ
るとすると、従来方法を用いた時のＭ工１Ａの最小寸法
は１００ミフロンメートル×１ミクロンメートルであり
、本発明を実施した場合、タンタルの〃さを５，０００
オングストロームとしり場合は゛１０ミクロンメートル
×０．５ミクロンメートルとなり、従来の製造方法に比
べ特に微細パターン加工を必要とせずに２０分の１の大
きさにする事が可能である。従って液晶セルの大きさも
従来の２０分の１の大きさ、つ１如、約２００ミクロン
四角のものが実現出来、表示パネルのきめもと捷かくな
って表示品質上極めて良好なものが可能になる。又さら
に小さな液晶セルが必要である場合には、タンタル層の
厚さを上記の５、０００オンゲス）・ロームより薄く形
成する事により回部と々る等、極めて余裕の大きい製造
条件を取る事が出来る。さらに又、ＭＩＭ素子の厚みは
従来の２分の１以下であって凹凸が少なくなり、これは
表示パネルの液晶層の厚みが才す脣す薄形化している現
状を考えた場合、非猟に有利である ９− 等、本発明に１−数々のすぐねたｌ特徴をイ」するもの
１ある。
Ｌ″：Ｊ上水発明は、ＴＣ製Ｍ’、Ｔ’、利“におけＺ
）リフトオフ技術を用いて非常に小形のＭ工Ｍ素子を製
造する方法を揚イ１（するものであり、これによりＭ工
Ｍ素子を用いた従来の液晶表示パネルに比べ格段に小さ
な液晶セルを可能々らしめ、表示パネルの表示品質を大
巾に面子させるものである。
）リフトオフ技術を用いて非常に小形のＭ工Ｍ素子を製
造する方法を揚イ１（するものであり、これによりＭ工
Ｍ素子を用いた従来の液晶表示パネルに比べ格段に小さ
な液晶セルを可能々らしめ、表示パネルの表示品質を大
巾に面子させるものである。
桔１、本発明の実施例どして液晶セル駆動電極及びデー
タ線をＭＩＭ素子と同時に作り込むものについて述べた
が、ＭＩＭ素子とは別工程で製造しても本発明の主旨を
そこなうものでなく、又用いた金属及び箱・紛物も前記
実ＭＩＩ例に限るものでない事はいう丑でも々い。又印
５図において、第２０金屈層１７が、レジスト１５の土
の部分とレジストの介■い領域の部分とが接触していな
い場合は、レジスト１５を除去せずに表示パネルを絹む
事も可能であり、この場合のレジスト１５は工Ｃ製造上
用いられるフォトレジストリ外に金属酸化物等絶縁性物
質を用いる隼も可能である。
タ線をＭＩＭ素子と同時に作り込むものについて述べた
が、ＭＩＭ素子とは別工程で製造しても本発明の主旨を
そこなうものでなく、又用いた金属及び箱・紛物も前記
実ＭＩＩ例に限るものでない事はいう丑でも々い。又印
５図において、第２０金屈層１７が、レジスト１５の土
の部分とレジストの介■い領域の部分とが接触していな
い場合は、レジスト１５を除去せずに表示パネルを絹む
事も可能であり、この場合のレジスト１５は工Ｃ製造上
用いられるフォトレジストリ外に金属酸化物等絶縁性物
質を用いる隼も可能である。
−１０−
第１図は従来におはる液晶マトリックス表示装置の構成
法の一例を示した略図であり、第２図はＭ工Ｍ素子の電
圧−電流特性の一例を示したグラフであって、第３図は
従来においてＭ工Ｍ素子を用いて液晶表示装置の一例を
示す部分断面図である。 第４図、第５図、第６図は本発明によシ特に、Ｍ工Ｍ素
子を製造する製造方法を工程を追って示すそれぞれ、平
面図、断面図、斜視図である。 １・・・・・・データ線 ２・・・・・・アドレス線
３・・・・・パ液晶セル ４．１２・・・ガラス板６
・・・・・・データ線及びＭ工Ｍ素子の下部電極７・・
・・・・絶、線層 ８・・・・・・Ｍ工Ｍ素子の上部電極 ？・・・・・・液晶セル駆動電極 １０・・・液晶 １１・・・・・・電極具 上 出願人 株式会社 諏訪精工舎 代理人 弁理士最上 務 −１１−
法の一例を示した略図であり、第２図はＭ工Ｍ素子の電
圧−電流特性の一例を示したグラフであって、第３図は
従来においてＭ工Ｍ素子を用いて液晶表示装置の一例を
示す部分断面図である。 第４図、第５図、第６図は本発明によシ特に、Ｍ工Ｍ素
子を製造する製造方法を工程を追って示すそれぞれ、平
面図、断面図、斜視図である。 １・・・・・・データ線 ２・・・・・・アドレス線
３・・・・・パ液晶セル ４．１２・・・ガラス板６
・・・・・・データ線及びＭ工Ｍ素子の下部電極７・・
・・・・絶、線層 ８・・・・・・Ｍ工Ｍ素子の上部電極 ？・・・・・・液晶セル駆動電極 １０・・・液晶 １１・・・・・・電極具 上 出願人 株式会社 諏訪精工舎 代理人 弁理士最上 務 −１１−
Claims (2)
- （１） ガラス基板上に第１の電極を形成し、少なく
とも該電極をおおって、該電極より耐酸化性及び耐触刻
件のレジスト部材を形成し、該゛電極の一部を露出すべ
く前記レジスト部材を一部除去し、該露出した前記電極
をエツチング除去した後、該電極のエツチング断面に陽
極酸化等によシ該電極の酸化物層を形成し、次に基板全
体へ第２の電極部材を形成した後、前記レジスト部材と
ともに、該レジスト部材上に形成された前記第２の電極
部材を除去し、前記第１の電極（又は前記第２の電極）
を液晶駆動電極に、前記第２の電極（又は前記第１の電
極）を液晶駆動電源に接続して成る事を特徴とする液晶
表示装置の製造方法。 - （２）前記レジスト部材と、核レジスト部材上に形成さ
れた前記第２の電極部材とを除去せず液晶表示装置の構
成部材とする事を特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56104839A JPS587125A (ja) | 1981-07-03 | 1981-07-03 | 液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56104839A JPS587125A (ja) | 1981-07-03 | 1981-07-03 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS587125A true JPS587125A (ja) | 1983-01-14 |
| JPH029325B2 JPH029325B2 (ja) | 1990-03-01 |
Family
ID=14391512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56104839A Granted JPS587125A (ja) | 1981-07-03 | 1981-07-03 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS587125A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62166213A (ja) * | 1986-01-17 | 1987-07-22 | Paloma Ind Ltd | バ−ナヘツド |
-
1981
- 1981-07-03 JP JP56104839A patent/JPS587125A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62166213A (ja) * | 1986-01-17 | 1987-07-22 | Paloma Ind Ltd | バ−ナヘツド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH029325B2 (ja) | 1990-03-01 |
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