JPH0462050B2 - - Google Patents
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- JPH0462050B2 JPH0462050B2 JP11649182A JP11649182A JPH0462050B2 JP H0462050 B2 JPH0462050 B2 JP H0462050B2 JP 11649182 A JP11649182 A JP 11649182A JP 11649182 A JP11649182 A JP 11649182A JP H0462050 B2 JPH0462050 B2 JP H0462050B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高デユテイー駆動で表示コントラス
トの優れた液晶表示装置に関するものである。
トの優れた液晶表示装置に関するものである。
高デユーテイ駆動でコントラストの優れた液晶
表示装置としては従来、薄膜スイツチング素子を
用いたTFT方式、薄膜非線型素子を用いたMIM
方式等があつた。
表示装置としては従来、薄膜スイツチング素子を
用いたTFT方式、薄膜非線型素子を用いたMIM
方式等があつた。
第１図は従来のMIM方式による液晶表示パネ
ルの一方の電極基板の図である。１はガラス基
板、２は透明導電膜、３はタンタル金属薄膜で表
面が五酸化タンタルの酸化膜３′で被われている。
４はクロム、金、タンタル等の上部薄膜電極であ
る。金属薄膜４〜酸化タンタル膜３′〜金属タン
タル薄膜３間でMIM構成が形成され、これによ
り非線型特性が得られ、デユーテイ比100分の１
〜300分の１位の比でも鮮明でコントラストの良
い液晶表示装置が得られる。しかるに、従来の
MIM方式による液晶表示装置に於ては、 (1) タンタル金属薄膜３及びクロム、金、タンタ
ル等の金属薄膜４の電極巾は5μm〜10μmと集
積回路なみのフアインパターンが要求される。
又、タンタル金属薄膜３と透明電導膜２との間
〓も5μm〜10μmと狭いため、電極の切断、隣
り合う電極間のシヨート等による製造歩留まり
の低下があつた。
ルの一方の電極基板の図である。１はガラス基
板、２は透明導電膜、３はタンタル金属薄膜で表
面が五酸化タンタルの酸化膜３′で被われている。
４はクロム、金、タンタル等の上部薄膜電極であ
る。金属薄膜４〜酸化タンタル膜３′〜金属タン
タル薄膜３間でMIM構成が形成され、これによ
り非線型特性が得られ、デユーテイ比100分の１
〜300分の１位の比でも鮮明でコントラストの良
い液晶表示装置が得られる。しかるに、従来の
MIM方式による液晶表示装置に於ては、 (1) タンタル金属薄膜３及びクロム、金、タンタ
ル等の金属薄膜４の電極巾は5μm〜10μmと集
積回路なみのフアインパターンが要求される。
又、タンタル金属薄膜３と透明電導膜２との間
〓も5μm〜10μmと狭いため、電極の切断、隣
り合う電極間のシヨート等による製造歩留まり
の低下があつた。
(2) 製造工程が、透明電極スパツタ→フオトエツ
チング→Taスパツタ→フオトエツチング→Ta
表面酸化→上部薄膜電極４のスパツタ又は真空
蒸着→フオトエツチングと液晶表示体の一方の
電極基板の製造だけでもフオトエツチング工程
が３回もあり、製造工程が長く、更にフオトエ
ツチングが精度5μm〜10μmが要求されるため
製造歩留まりも悪く結果的に多大のコストがか
かり、商品性という面で問題があつた。
チング→Taスパツタ→フオトエツチング→Ta
表面酸化→上部薄膜電極４のスパツタ又は真空
蒸着→フオトエツチングと液晶表示体の一方の
電極基板の製造だけでもフオトエツチング工程
が３回もあり、製造工程が長く、更にフオトエ
ツチングが精度5μm〜10μmが要求されるため
製造歩留まりも悪く結果的に多大のコストがか
かり、商品性という面で問題があつた。
本発明はこれらの欠点を除去したもので、その
目的は、製造工程の簡略化、エツチング精度の容
易化を図る事にあり、究極的には、安価な、比較
的大容量の液晶表示装置を提供する事にある。
目的は、製造工程の簡略化、エツチング精度の容
易化を図る事にあり、究極的には、安価な、比較
的大容量の液晶表示装置を提供する事にある。
第２図は本発明の一実施例に使用する液晶表示
パネルの一方の電極基板で、５はガラス基板でソ
ーダライム系、ホウケイ酸系、溶融石英系いづれ
でも良い。６はドツトマトリツクス電極を形成す
るストライプ状電極部で７，８の２層構造かた成
り立つている。８は透明電極で主成分は酸化スズ
もしくは酸化インジウムもしくはそれらの混合物
である。７は金属タンタル薄膜を陽極酸化法によ
り酸化した酸化タンタル薄膜である。電極基板の
製造方法としては、ガラス基板５上に酸化スズも
しくは酸化インジウムを真空蒸着、もしくはスパ
ツタリング、もしくはCVD（Chemical Vapor
Deposition）法により焼く200〓〜1200〓の透明
電極の薄膜層８を形成する。この場合、200〓以
下では比抵抗が1KΩ／□（スクウエア）以上と
なりクロストーク、表示コントラスト不足等をも
たらす。1200〓以上では透明電極の透過率が悪く
なり表示外観上好ましくない。次に、タンタル金
属を上記透明電極上にやはり全面スパツタ法によ
り形成する。この時の厚みは約500〓以下の時に
は液晶表示体を高デユーテイ駆動する時に必要な
非線型効果が充分に出ず、3000〓以上では非線型
特性と示す電流〜電圧特性カーブのスレツシヨル
ド電圧が、30V以上になり液晶表示体の駆動電圧
が上昇し駆動LSIの耐圧対策上好ましくない。
又、透明電極、ガラス基板との応力により剥離が
生ずる場合がある。
パネルの一方の電極基板で、５はガラス基板でソ
ーダライム系、ホウケイ酸系、溶融石英系いづれ
でも良い。６はドツトマトリツクス電極を形成す
るストライプ状電極部で７，８の２層構造かた成
り立つている。８は透明電極で主成分は酸化スズ
もしくは酸化インジウムもしくはそれらの混合物
である。７は金属タンタル薄膜を陽極酸化法によ
り酸化した酸化タンタル薄膜である。電極基板の
製造方法としては、ガラス基板５上に酸化スズも
しくは酸化インジウムを真空蒸着、もしくはスパ
ツタリング、もしくはCVD（Chemical Vapor
Deposition）法により焼く200〓〜1200〓の透明
電極の薄膜層８を形成する。この場合、200〓以
下では比抵抗が1KΩ／□（スクウエア）以上と
なりクロストーク、表示コントラスト不足等をも
たらす。1200〓以上では透明電極の透過率が悪く
なり表示外観上好ましくない。次に、タンタル金
属を上記透明電極上にやはり全面スパツタ法によ
り形成する。この時の厚みは約500〓以下の時に
は液晶表示体を高デユーテイ駆動する時に必要な
非線型効果が充分に出ず、3000〓以上では非線型
特性と示す電流〜電圧特性カーブのスレツシヨル
ド電圧が、30V以上になり液晶表示体の駆動電圧
が上昇し駆動LSIの耐圧対策上好ましくない。
又、透明電極、ガラス基板との応力により剥離が
生ずる場合がある。
次の工程はフオトエツチング工程（フオトレジ
ストコーテイング→乾燥→マスク露光→現像→ド
ライエツチング→レジスト剥離）でまずタンタル
薄膜を第２図に示す様なストライプ電極６上にパ
ターニングする。更に透明電極膜を上記タンタル
薄膜をマスクとしてエツチング（エツチング液15
％塩酸もしくは亜鉛粉末と15％塩酸）して不要部
分を除去する。
ストコーテイング→乾燥→マスク露光→現像→ド
ライエツチング→レジスト剥離）でまずタンタル
薄膜を第２図に示す様なストライプ電極６上にパ
ターニングする。更に透明電極膜を上記タンタル
薄膜をマスクとしてエツチング（エツチング液15
％塩酸もしくは亜鉛粉末と15％塩酸）して不要部
分を除去する。
次に上記金属タンタル薄膜を陽極酸化法により
ほぼ全層にわたり酸化し酸化タンタル膜化する陽
極酸化法は１〜５％クエン酸水溶液中に上記電極
基板と対向電極板（タンタル板が好ましい）を対
向させ、上記電極基板を正極に、対向電極板を負
極に電圧を30V〜150V印加し、電流がほぼ流れ
ない（1μA以下）迄印加しつづけてタンタル膜を
酸化させる。以上の工程で第２図に示す電極基板
は形成できる。ストライプ電極巾は表示ドツト巾
に合せるが通常300μm〜800μm位であり、ストラ
イプ電極間の間〓は30μm〜100μmでよい。
ほぼ全層にわたり酸化し酸化タンタル膜化する陽
極酸化法は１〜５％クエン酸水溶液中に上記電極
基板と対向電極板（タンタル板が好ましい）を対
向させ、上記電極基板を正極に、対向電極板を負
極に電圧を30V〜150V印加し、電流がほぼ流れ
ない（1μA以下）迄印加しつづけてタンタル膜を
酸化させる。以上の工程で第２図に示す電極基板
は形成できる。ストライプ電極巾は表示ドツト巾
に合せるが通常300μm〜800μm位であり、ストラ
イプ電極間の間〓は30μm〜100μmでよい。
第３図は上記電極基板２枚を使用した液晶表示
体の断面図で、９，１０はガラス基板、１１は透
明電極膜、１２は酸化タンタル膜で、１３は液晶
層である。１４，１５はそれぞれ下偏光板及び上
偏光板、１６は反射板で、本実施例ではTN型の
液晶表示体を構成している。勿論ゲスト−ホスト
型、DSM型、ECB型いずれの液晶表示体でも同
様に本発明は適用できる。上述した電極１１及び
１２は上下互にＸ−Ｙマトリツクス電極を構成し
交点部のドツト表示型デイスプレイを形成してい
る。
体の断面図で、９，１０はガラス基板、１１は透
明電極膜、１２は酸化タンタル膜で、１３は液晶
層である。１４，１５はそれぞれ下偏光板及び上
偏光板、１６は反射板で、本実施例ではTN型の
液晶表示体を構成している。勿論ゲスト−ホスト
型、DSM型、ECB型いずれの液晶表示体でも同
様に本発明は適用できる。上述した電極１１及び
１２は上下互にＸ−Ｙマトリツクス電極を構成し
交点部のドツト表示型デイスプレイを形成してい
る。
第４図は上記液晶表示体の等価回路図で、１
７，１８はそれぞれ互に上下Ｘ−Ｙマストリツク
スを構成する透明電極線（第３図の１１に対応）、
１９は非線型特性を示す酸化タンタル層、２０は
液晶層部である。
７，１８はそれぞれ互に上下Ｘ−Ｙマストリツク
スを構成する透明電極線（第３図の１１に対応）、
１９は非線型特性を示す酸化タンタル層、２０は
液晶層部である。
第５図は上記酸化タンタル層間に電圧を印加し
た場合の電流特性カーブで、横軸は印加電圧、縦
軸は電流であり、図示する様な非線型特性を示
す。この特性は前述した陽極酸化電圧により主に
スレツシヨルド電圧をコントロールできる。又、
陽極酸化処理後窒素雰囲気中で300℃〜400℃でア
ニーリング処理をした場合は２１に示す様に正特
性、負特性がほぼ対称に近づき、極性差を減らす
事ができる。しかし、同じ様な酸化タンタル膜を
第３図に示す様に上下電極に使用する場合には、
互に極性差を打ち消すため、必ずしもアニール工
程は必要でない。
た場合の電流特性カーブで、横軸は印加電圧、縦
軸は電流であり、図示する様な非線型特性を示
す。この特性は前述した陽極酸化電圧により主に
スレツシヨルド電圧をコントロールできる。又、
陽極酸化処理後窒素雰囲気中で300℃〜400℃でア
ニーリング処理をした場合は２１に示す様に正特
性、負特性がほぼ対称に近づき、極性差を減らす
事ができる。しかし、同じ様な酸化タンタル膜を
第３図に示す様に上下電極に使用する場合には、
互に極性差を打ち消すため、必ずしもアニール工
程は必要でない。
上述した様に陽極酸化された酸化タンタル膜は
非線型特性をもつため、後述する様に液晶表示体
を高デユーテイ駆動する場合点灯部に印加される
実効電圧と非点灯部に印加される実効電圧の比が
大きくできる。第６図は上記液晶表示体をダイナ
ミツク駆動する場合の電圧波形で、１，２は点灯
ドツト電極間に印加する電圧波形、２は非点灯ド
ツト電極間に印加する電圧波形である。３，４は
実際に液晶層にかかる電圧波形で、３は点灯ドツ
トの液晶層、４は非点灯ドツトの液晶層にかかる
電圧波形である。図で明らかな様に酸化タンタル
の非線形素子が直列に挿入されるため図の様に低
電圧側にシフトし、しかも丸みを帯びた波形にな
る。種々実験の結果1/3バイアス法による駆動の
場合100分の１デユーテイで駆動した場合、回路
から供給される点灯／非点灯実効電圧比は1.039
であるが上記液晶表示の液晶層に加わる実効電圧
比は1.26〜1.31となり通常の液晶でも充分なコン
トラスト比が得られる。上述した実効電圧比のバ
ラツキは前記タンタル薄膜の厚み及び陽極酸化電
圧に依存し、膜厚の厚い程又、酸化電圧の高い程
実効電圧比は大きく取れるが、駆動電圧も高くな
るため、本発明に於てはタンタル薄膜の厚みが
1600〓、陽極酸化電圧120Vが最も好ましく、液
晶層に印加される実効電圧比は1.30が得られた。
第７図は、本発明の他の実施例で７セグメント数
字表示に応用した例である。２３は透明電極層、
２４は酸化タンタル薄膜層である。前述したＸ−
Ｙマトリツクスドツト表示以外にも７セグメント
表示のダイナミツク駆動にも本発明は適用できる
が、要は表示セグメント或いは表示ドツト部上の
みに酸化タンタル薄膜層があれば達成できる。
又、上述した非線形特性を示す薄膜には酸化タン
タルの他にも、酸化アルミニウム、酸化チタン、
酸化ニオブ、酸化ジルコニウム等があり、これら
もいづれも上述した特性が得られる。
非線型特性をもつため、後述する様に液晶表示体
を高デユーテイ駆動する場合点灯部に印加される
実効電圧と非点灯部に印加される実効電圧の比が
大きくできる。第６図は上記液晶表示体をダイナ
ミツク駆動する場合の電圧波形で、１，２は点灯
ドツト電極間に印加する電圧波形、２は非点灯ド
ツト電極間に印加する電圧波形である。３，４は
実際に液晶層にかかる電圧波形で、３は点灯ドツ
トの液晶層、４は非点灯ドツトの液晶層にかかる
電圧波形である。図で明らかな様に酸化タンタル
の非線形素子が直列に挿入されるため図の様に低
電圧側にシフトし、しかも丸みを帯びた波形にな
る。種々実験の結果1/3バイアス法による駆動の
場合100分の１デユーテイで駆動した場合、回路
から供給される点灯／非点灯実効電圧比は1.039
であるが上記液晶表示の液晶層に加わる実効電圧
比は1.26〜1.31となり通常の液晶でも充分なコン
トラスト比が得られる。上述した実効電圧比のバ
ラツキは前記タンタル薄膜の厚み及び陽極酸化電
圧に依存し、膜厚の厚い程又、酸化電圧の高い程
実効電圧比は大きく取れるが、駆動電圧も高くな
るため、本発明に於てはタンタル薄膜の厚みが
1600〓、陽極酸化電圧120Vが最も好ましく、液
晶層に印加される実効電圧比は1.30が得られた。
第７図は、本発明の他の実施例で７セグメント数
字表示に応用した例である。２３は透明電極層、
２４は酸化タンタル薄膜層である。前述したＸ−
Ｙマトリツクスドツト表示以外にも７セグメント
表示のダイナミツク駆動にも本発明は適用できる
が、要は表示セグメント或いは表示ドツト部上の
みに酸化タンタル薄膜層があれば達成できる。
又、上述した非線形特性を示す薄膜には酸化タン
タルの他にも、酸化アルミニウム、酸化チタン、
酸化ニオブ、酸化ジルコニウム等があり、これら
もいづれも上述した特性が得られる。
以上説明したように、本発明に於ては、ほぼ表
示透明電極パターンと同一にそして上層に非線型
特性を示す金属酸化物をコートするため、MIM
素子と同様の高デユーテイ、ダイナミツク特性が
得られ100分の１デユーテイ〜150分の１デユーテ
イの駆動で高コントラスト表示が得られる。更に
MIM素子の様なフアインパターンが必要なく歩
留まりの良い液晶表示体が可能になる。更に、製
造のためのフオトエツチング工程が一工程で済み
MIM素子の様な３回も必要なく工数、歩留まり
の面で更に有利になる。但し、MIM素子では200
分の１デユーテイから300分の１デユーテイが可
能であるが本実施例に於ては150分の１位が限界
であつた。これは本発明では表示部に対する酸化
タンタルの面積比が大きく、リーク電流値が増加
したためと思われる。しかし、TV表示に最低必
要な、150分の１デユーテイは確保でき、安価な
低電力TVもしくは大容量キヤラクター、グラフ
イツク表示体が可能になる。
示透明電極パターンと同一にそして上層に非線型
特性を示す金属酸化物をコートするため、MIM
素子と同様の高デユーテイ、ダイナミツク特性が
得られ100分の１デユーテイ〜150分の１デユーテ
イの駆動で高コントラスト表示が得られる。更に
MIM素子の様なフアインパターンが必要なく歩
留まりの良い液晶表示体が可能になる。更に、製
造のためのフオトエツチング工程が一工程で済み
MIM素子の様な３回も必要なく工数、歩留まり
の面で更に有利になる。但し、MIM素子では200
分の１デユーテイから300分の１デユーテイが可
能であるが本実施例に於ては150分の１位が限界
であつた。これは本発明では表示部に対する酸化
タンタルの面積比が大きく、リーク電流値が増加
したためと思われる。しかし、TV表示に最低必
要な、150分の１デユーテイは確保でき、安価な
低電力TVもしくは大容量キヤラクター、グラフ
イツク表示体が可能になる。
上記の構成によれば、特に金属酸化膜の膜厚を
500を越えて3000未満としたので、より良好な非
線型特性が得られる。さらに、透明電極、ガラス
基板との応力により剥離が生ずることなく安定し
ている。また、透明導電膜上に金属酸化膜が形成
された２層電極構造であるので、例えば３層構造
に比して１層少ない分だけ透過光の損失も少な
い、よつて明るい表示が得られると共に画質の向
上を図ることができる。
500を越えて3000未満としたので、より良好な非
線型特性が得られる。さらに、透明電極、ガラス
基板との応力により剥離が生ずることなく安定し
ている。また、透明導電膜上に金属酸化膜が形成
された２層電極構造であるので、例えば３層構造
に比して１層少ない分だけ透過光の損失も少な
い、よつて明るい表示が得られると共に画質の向
上を図ることができる。
第１図は従来のMIM素子を有する液晶表示体
電極基板。 １……ガラス基板、２……透明電極、３……タ
ンタル薄膜、４……上部電極。 第２図は本発明に基づく液晶表示体の電極基
板。 ５……ガラス基板、７……酸化タンタル層、８
……透明電極層。 第３図は本発明に基づく液晶表示体の断面図。 ９，１０……ガラス基板、１１……透明電極
層、１２……酸化タンタル層、１３……液晶層。 第４図は本発明に基づく液晶表示体の等価回路
図。 ２０……液晶層、１９……酸化タンタル部。 第５図は酸化タンタル層の電圧〜電流特性グラ
フ、第６図は本発明に基づく液晶表示体を駆動す
る電圧波形及び、液晶層に印加される電圧波形で
ある、第７図は本発明の他の実施例に使用した電
極基板。 ２２……ガラス基板、２３……透明電極膜、２
４……酸化タンタル膜。
電極基板。 １……ガラス基板、２……透明電極、３……タ
ンタル薄膜、４……上部電極。 第２図は本発明に基づく液晶表示体の電極基
板。 ５……ガラス基板、７……酸化タンタル層、８
……透明電極層。 第３図は本発明に基づく液晶表示体の断面図。 ９，１０……ガラス基板、１１……透明電極
層、１２……酸化タンタル層、１３……液晶層。 第４図は本発明に基づく液晶表示体の等価回路
図。 ２０……液晶層、１９……酸化タンタル部。 第５図は酸化タンタル層の電圧〜電流特性グラ
フ、第６図は本発明に基づく液晶表示体を駆動す
る電圧波形及び、液晶層に印加される電圧波形で
ある、第７図は本発明の他の実施例に使用した電
極基板。 ２２……ガラス基板、２３……透明電極膜、２
４……酸化タンタル膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 対向する内面上に透明導電膜を有する一対の
電極基板と、該一対の電極基板間に挟持された液
晶物質とを有し、前記透明導電膜により表示画素
を構成する液晶表示装置において、少なくとも前
記表示画素を構成する前記透明導電膜上に、非線
型電流−電圧特性を有し且つ膜厚が500〓を越え
て3000〓未満である酸化タンタルからなる金属酸
化膜が積層された２層電極構造を有することを特
徴とする液晶表示装置。 ２ 前記酸化タンタルは透明導電膜上に金属タン
タルもしくは窒化タンタル膜を形成した後、陽極
酸化法にて形成せしめたことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57116491A JPS597340A (ja) | 1982-07-05 | 1982-07-05 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57116491A JPS597340A (ja) | 1982-07-05 | 1982-07-05 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS597340A JPS597340A (ja) | 1984-01-14 |
| JPH0462050B2 true JPH0462050B2 (ja) | 1992-10-05 |
Family
ID=14688436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57116491A Granted JPS597340A (ja) | 1982-07-05 | 1982-07-05 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS597340A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010093041A1 (ja) | 2009-02-16 | 2010-08-19 | 三菱樹脂株式会社 | ガスバリア性積層フィルムの製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6262333A (ja) * | 1985-09-13 | 1987-03-19 | Nec Corp | 薄膜二端子素子型アクテイブマトリツクス液晶表示装置の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52149090A (en) * | 1976-06-04 | 1977-12-10 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal display device |
| JPS53122442A (en) * | 1977-03-31 | 1978-10-25 | Gen Corp | Method of tantalum pentoxide membrane |
-
1982
- 1982-07-05 JP JP57116491A patent/JPS597340A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52149090A (en) * | 1976-06-04 | 1977-12-10 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal display device |
| JPS53122442A (en) * | 1977-03-31 | 1978-10-25 | Gen Corp | Method of tantalum pentoxide membrane |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010093041A1 (ja) | 2009-02-16 | 2010-08-19 | 三菱樹脂株式会社 | ガスバリア性積層フィルムの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS597340A (ja) | 1984-01-14 |
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