JPH07104319A - Ｍｉｍ型非線形素子 - Google Patents
Ｍｉｍ型非線形素子Info
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- JPH07104319A JPH07104319A JP25192693A JP25192693A JPH07104319A JP H07104319 A JPH07104319 A JP H07104319A JP 25192693 A JP25192693 A JP 25192693A JP 25192693 A JP25192693 A JP 25192693A JP H07104319 A JPH07104319 A JP H07104319A
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- metal film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ＭＩＭ型非線形素子の電気特性を液晶駆動に適
するようにし、かつ第一の金属膜を基板に直接堆積して
光の透過率を向上しＭＩＭ型素子基板のコストを低減す
ることを目的とする。 【構成】第一の金属膜を、シリコン原子とタンタル原子
は必ず含む膜とすると、ＭＩＭ型非線形素子を構成する
酸化膜にシリコン原子とタンタル原子が含まれ電圧−電
流特性の急峻性が大きくなる。このとき第一の金属膜を
ガラス基板に直接堆積しても、３００〜６００℃の熱処
理で膜剥がれを起こすことはない。
するようにし、かつ第一の金属膜を基板に直接堆積して
光の透過率を向上しＭＩＭ型素子基板のコストを低減す
ることを目的とする。 【構成】第一の金属膜を、シリコン原子とタンタル原子
は必ず含む膜とすると、ＭＩＭ型非線形素子を構成する
酸化膜にシリコン原子とタンタル原子が含まれ電圧−電
流特性の急峻性が大きくなる。このとき第一の金属膜を
ガラス基板に直接堆積しても、３００〜６００℃の熱処
理で膜剥がれを起こすことはない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＭＩＭ型非線形素子に関
し、特に液晶を駆動することに適した電圧−電流特性を
得ながらＭＩＭ型非線形素子基板の透過率を高くし製造
コストを低減する事に関する。
し、特に液晶を駆動することに適した電圧−電流特性を
得ながらＭＩＭ型非線形素子基板の透過率を高くし製造
コストを低減する事に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、アクティブマトリクス方式の液
晶表示装置においては、画素領域ごとに非線形素子を設
けてマトリクスアレイを形成した一方側の基板と、カラ
ーフィルタが形成された他方側の基板との間に液晶を充
填しておき、各画素領域ごとの液晶の配向状態を制御し
て、所定の情報を表示する。非線形素子としては、薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ）などの３端子素子または金属−
絶縁体−金属（ＭＩＭ）型非線形素子などの２端子素子
を用いるが、液晶表示素子に対する画面の大型化および
低コスト化などの要求に対応するにはＭＩＭ型非線形素
子を用いた方式が製造工程が短いために有利である。し
かも、ＭＩＭ型非線形素子を用いた場合には、マトリク
スアレイを形成した一方側の基板に走査線を設け、他方
側の基板には信号線を設けることができるので、３端子
素子の不良の大きな原因となっている走査線と信号線の
クロスオーバー短絡が発生しないというメリットもあ
る。
晶表示装置においては、画素領域ごとに非線形素子を設
けてマトリクスアレイを形成した一方側の基板と、カラ
ーフィルタが形成された他方側の基板との間に液晶を充
填しておき、各画素領域ごとの液晶の配向状態を制御し
て、所定の情報を表示する。非線形素子としては、薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ）などの３端子素子または金属−
絶縁体−金属（ＭＩＭ）型非線形素子などの２端子素子
を用いるが、液晶表示素子に対する画面の大型化および
低コスト化などの要求に対応するにはＭＩＭ型非線形素
子を用いた方式が製造工程が短いために有利である。し
かも、ＭＩＭ型非線形素子を用いた場合には、マトリク
スアレイを形成した一方側の基板に走査線を設け、他方
側の基板には信号線を設けることができるので、３端子
素子の不良の大きな原因となっている走査線と信号線の
クロスオーバー短絡が発生しないというメリットもあ
る。
【０００３】このようなＭＩＭ型非線形素子を用いたア
クティブマトリクス方式の液晶表示パネルにおいては、
等価回路である図３に示すように、各画素領域３で各走
査線３１と各信号線３２との間にＭＩＭ型非線形素子１
（図中、バリスタの符号で示す。）と液晶表示素子２
（図中、コンデンサの符号で示す。）が直列接続された
構成として表され、走査線３１および信号線３２に印加
された信号に基づいて、液晶表示素子２を表示状態およ
び非表示状態あるいはその中間状態に切り換えて表示動
作を制御する。
クティブマトリクス方式の液晶表示パネルにおいては、
等価回路である図３に示すように、各画素領域３で各走
査線３１と各信号線３２との間にＭＩＭ型非線形素子１
（図中、バリスタの符号で示す。）と液晶表示素子２
（図中、コンデンサの符号で示す。）が直列接続された
構成として表され、走査線３１および信号線３２に印加
された信号に基づいて、液晶表示素子２を表示状態およ
び非表示状態あるいはその中間状態に切り換えて表示動
作を制御する。
【０００４】図４（ａ）の４１で示すように、ＭＩＭ型
非線形素子１において、印加電圧ＶNLと電流ＩNLとは非
線形性の関係を有している。ＭＩＭ型非線形素子１のし
きい値電圧をＶth、液晶表示素子２のしきい値電圧をＶ
b、表示状態となる電位を（Ｖb＋△Ｖ）とすると、図４
（ｂ）に示すように選択期間では、所定の画素領域３に
おける走査線３１と信号線３２との間の電位差Ｖ（単位
画素への印加電圧）を（Ｖb＋Ｖth）とすることによっ
て、液晶表示素子２を非表示状態とする事ができ、走査
線３１と信号線３２との間の電位差Ｖを（Ｖb＋Ｖth＋
△Ｖ）とすることによって、液晶表示素子２を表示状態
とする事ができる。一方、非選択期間では単位画素に印
加する電位Ｖを、液晶表示素子２に残留した電位に対し
て概ね近接する様に設定しその差がＶth以下であれば、
非選択期間内でＭＩＭ型非線形素子１は常に遮断状態と
なり、選択期間に定められた状態をそのまま維持する事
になる。
非線形素子１において、印加電圧ＶNLと電流ＩNLとは非
線形性の関係を有している。ＭＩＭ型非線形素子１のし
きい値電圧をＶth、液晶表示素子２のしきい値電圧をＶ
b、表示状態となる電位を（Ｖb＋△Ｖ）とすると、図４
（ｂ）に示すように選択期間では、所定の画素領域３に
おける走査線３１と信号線３２との間の電位差Ｖ（単位
画素への印加電圧）を（Ｖb＋Ｖth）とすることによっ
て、液晶表示素子２を非表示状態とする事ができ、走査
線３１と信号線３２との間の電位差Ｖを（Ｖb＋Ｖth＋
△Ｖ）とすることによって、液晶表示素子２を表示状態
とする事ができる。一方、非選択期間では単位画素に印
加する電位Ｖを、液晶表示素子２に残留した電位に対し
て概ね近接する様に設定しその差がＶth以下であれば、
非選択期間内でＭＩＭ型非線形素子１は常に遮断状態と
なり、選択期間に定められた状態をそのまま維持する事
になる。
【０００５】このようなＭＩＭ型非線形素子の一般的な
構造を、断面図である図２を用いて説明する。ＭＩＭ型
非線形素子１は、表面側にＴａＯX膜１１ａがあるガラ
ス基板１１上に形成され、走査線３１を介して走査回路
側に導電接続するＴａ原子を主成分とした第一の金属膜
１２と、その表面側の金属酸化膜１３と、その表面側に
形成されて画素電極１５に導電接続するＣｒからなる第
二の金属膜１４とから構成されている。ガラス基板と第
一の金属膜１２の間にＴａＯX膜を形成するのは、熱処
理工程で第一の金属膜がはがれるのを防止するためと、
基板からの不純物の拡散を防止するためである。金属酸
化膜１３は、Ｔａ膜の表面に膜厚が均一で、しかもピン
ホールがない状態で形成されるように、第一の金属膜１
２に対する陽極酸化によって形成される。
構造を、断面図である図２を用いて説明する。ＭＩＭ型
非線形素子１は、表面側にＴａＯX膜１１ａがあるガラ
ス基板１１上に形成され、走査線３１を介して走査回路
側に導電接続するＴａ原子を主成分とした第一の金属膜
１２と、その表面側の金属酸化膜１３と、その表面側に
形成されて画素電極１５に導電接続するＣｒからなる第
二の金属膜１４とから構成されている。ガラス基板と第
一の金属膜１２の間にＴａＯX膜を形成するのは、熱処
理工程で第一の金属膜がはがれるのを防止するためと、
基板からの不純物の拡散を防止するためである。金属酸
化膜１３は、Ｔａ膜の表面に膜厚が均一で、しかもピン
ホールがない状態で形成されるように、第一の金属膜１
２に対する陽極酸化によって形成される。
【０００６】この構造を実現する一般的なプロセス例は
以下のようになる。
以下のようになる。
【０００７】１．ガラス基板上に、Ｔａ膜をスパッタリ
ングで堆積し、熱酸化をすることで、約１０００ÅのＴ
ａ2Ｏ5膜を形成する工程と、 ２．次に、スパッタリング法や電子ビーム蒸着法で、Ｔ
ａ原子を主成分とした第一の金属膜を約５０００Å堆積
し、パターニングする工程と、 ３．次に、例えばクエン酸の希薄水溶液を化成液とし３
０Ｖで陽極酸化し、第一の金属膜の表面側に酸化膜を形
成する工程と、 ４．次に、基板を真空中で４００〜６００℃の温度で１
〜２時間熱処理する工程と、 ５．次に、第二の金属膜となるＣｒ膜を１５００Å程ス
パッタリング法で堆積し、パターニングする工程と、 ６．次に、画素電極となる透明導電膜の１つであるＩＴ
Ｏ膜をスパッタリング法で約２０００Å堆積し、パター
ニングする工程から従来はなっていた。
ングで堆積し、熱酸化をすることで、約１０００ÅのＴ
ａ2Ｏ5膜を形成する工程と、 ２．次に、スパッタリング法や電子ビーム蒸着法で、Ｔ
ａ原子を主成分とした第一の金属膜を約５０００Å堆積
し、パターニングする工程と、 ３．次に、例えばクエン酸の希薄水溶液を化成液とし３
０Ｖで陽極酸化し、第一の金属膜の表面側に酸化膜を形
成する工程と、 ４．次に、基板を真空中で４００〜６００℃の温度で１
〜２時間熱処理する工程と、 ５．次に、第二の金属膜となるＣｒ膜を１５００Å程ス
パッタリング法で堆積し、パターニングする工程と、 ６．次に、画素電極となる透明導電膜の１つであるＩＴ
Ｏ膜をスパッタリング法で約２０００Å堆積し、パター
ニングする工程から従来はなっていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＭＩＭ
型非線形素子１を用いた液晶表示パネルにおいては、電
圧−電流特性の急峻性が小さく、素子容量が大きいため
に階調表示をきれいに出せないという問題点があるが、
タンタル原子からなる第一の金属膜にシリコンを添加す
ると、ＭＩＭ型非線形素子をなす金属酸化膜がタンタル
原子とシリコン原子，酸素原子とから構成されるために
この問題は解決されることが特開平２−９３４３３に示
されている。ところが、このＭＩＭ型非線形素子では、
電圧−電流特性の急峻性を大きくし、電流の流れる方向
による特性の違いを解消するために陽極酸化後の熱処理
をすると第一の金属膜が剥がれることがあり、歩留まり
よくＭＩＭ型非線形素子を作製できない。
型非線形素子１を用いた液晶表示パネルにおいては、電
圧−電流特性の急峻性が小さく、素子容量が大きいため
に階調表示をきれいに出せないという問題点があるが、
タンタル原子からなる第一の金属膜にシリコンを添加す
ると、ＭＩＭ型非線形素子をなす金属酸化膜がタンタル
原子とシリコン原子，酸素原子とから構成されるために
この問題は解決されることが特開平２−９３４３３に示
されている。ところが、このＭＩＭ型非線形素子では、
電圧−電流特性の急峻性を大きくし、電流の流れる方向
による特性の違いを解消するために陽極酸化後の熱処理
をすると第一の金属膜が剥がれることがあり、歩留まり
よくＭＩＭ型非線形素子を作製できない。
【０００９】
【課題を解決するための手段】ガラス基板の表面に形成
したＭＩＭ型非線形素子において、基板の表面に直接タ
ンタル原子とシリコン原子を含んだ合金膜からなる第一
の金属膜を堆積したＭＩＭ型非線形素子を製造すること
で、第一の金属膜と基板との密着性を向上させ、熱処理
工程での第一の金属膜の剥がれを防止する。さらに、第
一の金属膜にタングステン原子を添加すると、電圧−電
流特性の経時変化を抑制できる。また、熱処理工程でＭ
ＩＭ型非線形素子に混入すると特性を変化させる元素を
含んだ基板の表面に形成したＭＩＭ型非線形素子におい
て、基板の表面にシリコン原子を含んだ透明絶縁膜を堆
積した後に、タンタル原子とシリコン原子を含んだ合金
膜からなる第一の金属膜を堆積する。こうすることで、
膜剥がれがなく液晶を駆動するに十分な特性を持ったＭ
ＩＭ型非線形素子を得る事ができる。
したＭＩＭ型非線形素子において、基板の表面に直接タ
ンタル原子とシリコン原子を含んだ合金膜からなる第一
の金属膜を堆積したＭＩＭ型非線形素子を製造すること
で、第一の金属膜と基板との密着性を向上させ、熱処理
工程での第一の金属膜の剥がれを防止する。さらに、第
一の金属膜にタングステン原子を添加すると、電圧−電
流特性の経時変化を抑制できる。また、熱処理工程でＭ
ＩＭ型非線形素子に混入すると特性を変化させる元素を
含んだ基板の表面に形成したＭＩＭ型非線形素子におい
て、基板の表面にシリコン原子を含んだ透明絶縁膜を堆
積した後に、タンタル原子とシリコン原子を含んだ合金
膜からなる第一の金属膜を堆積する。こうすることで、
膜剥がれがなく液晶を駆動するに十分な特性を持ったＭ
ＩＭ型非線形素子を得る事ができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明について、実施例に基づき詳細
に説明する。
に説明する。
【００１１】図１には、本発明の液晶表示素子を用いた
アクティブマトリクスの上面図であるａ図とＡＡ´線上
の断面図であるｂ図を示す。ＭＩＭ型非線形素子１は、
第一の金属膜からなる走査線１２と第二の金属膜１４と
の交点部分に作られており、画素電極は１５で示してあ
る。１１はガラスや石英などの基板であり、１２はタン
タル原子とシリコン原子を含んだ合金膜からなる第一の
金属膜でガラス基板上に直接堆積される。次に、第一の
金属膜１２を陽極酸化することによって、第一の金属膜
１２に含まれる元素を含んだ金属酸化膜１３が形成され
る。１４は第二の金属膜でその種類はどのようなプロセ
スを採用するかで決定される。１５は画素電極でありＩ
ＴＯ膜などの透明導電膜が使われている。図６に示すよ
うに、製造工程を短くするために、第二の金属膜を画素
電極である透明導電膜６１で兼用してもよい。
アクティブマトリクスの上面図であるａ図とＡＡ´線上
の断面図であるｂ図を示す。ＭＩＭ型非線形素子１は、
第一の金属膜からなる走査線１２と第二の金属膜１４と
の交点部分に作られており、画素電極は１５で示してあ
る。１１はガラスや石英などの基板であり、１２はタン
タル原子とシリコン原子を含んだ合金膜からなる第一の
金属膜でガラス基板上に直接堆積される。次に、第一の
金属膜１２を陽極酸化することによって、第一の金属膜
１２に含まれる元素を含んだ金属酸化膜１３が形成され
る。１４は第二の金属膜でその種類はどのようなプロセ
スを採用するかで決定される。１５は画素電極でありＩ
ＴＯ膜などの透明導電膜が使われている。図６に示すよ
うに、製造工程を短くするために、第二の金属膜を画素
電極である透明導電膜６１で兼用してもよい。
【００１２】熱酸化ＴａＯX膜を基板と第一の金属膜の
間に設けていた最大の理由は、第一の金属膜の密着性が
悪いという事であった。例えば、ＭＩＭ型非線形素子の
素子特性を決める陽極酸化後の３００℃以上の熱処理工
程の途中で第一の金属膜が剥がれてしまうということで
ある。ところが、ＭＩＭ型非線形素子の電圧−電流特性
の急峻性を向上させ素子容量を小さくするために、第一
の金属膜にシリコン原子を含せると、陽極酸化後の熱処
理工程で熱酸化ＴａＯX膜と第一の金属膜が基板から剥
がれてしまう。ここで、前記の熱処理工程を実施しない
と該絶縁膜の膜剥がれは発生しないが、電圧−電流特性
の急峻性が得られないばかりか極性差が大きくなってし
まい液晶を駆動することができない。そこで、シリコン
原子を含んだ第一の金属膜を基板に直接堆積すると、前
記熱処理工程で該膜が剥がれることはなくなる。さら
に、第一の金属膜をタンタル，シリコン及びタングステ
ン原子を含んだ合金膜とし該膜の陽極酸化で金属酸化膜
を堆積して作製したＭＩＭ型非線形素子は、電圧−電流
特性の電圧印加時における経時変化や電流を第一の金属
膜から第二の金属膜に流すかその逆かで電流値が異なる
極性差を抑えることができる。この結果、液晶表示パネ
ルでの残像現象を抑えることができる。
間に設けていた最大の理由は、第一の金属膜の密着性が
悪いという事であった。例えば、ＭＩＭ型非線形素子の
素子特性を決める陽極酸化後の３００℃以上の熱処理工
程の途中で第一の金属膜が剥がれてしまうということで
ある。ところが、ＭＩＭ型非線形素子の電圧−電流特性
の急峻性を向上させ素子容量を小さくするために、第一
の金属膜にシリコン原子を含せると、陽極酸化後の熱処
理工程で熱酸化ＴａＯX膜と第一の金属膜が基板から剥
がれてしまう。ここで、前記の熱処理工程を実施しない
と該絶縁膜の膜剥がれは発生しないが、電圧−電流特性
の急峻性が得られないばかりか極性差が大きくなってし
まい液晶を駆動することができない。そこで、シリコン
原子を含んだ第一の金属膜を基板に直接堆積すると、前
記熱処理工程で該膜が剥がれることはなくなる。さら
に、第一の金属膜をタンタル，シリコン及びタングステ
ン原子を含んだ合金膜とし該膜の陽極酸化で金属酸化膜
を堆積して作製したＭＩＭ型非線形素子は、電圧−電流
特性の電圧印加時における経時変化や電流を第一の金属
膜から第二の金属膜に流すかその逆かで電流値が異なる
極性差を抑えることができる。この結果、液晶表示パネ
ルでの残像現象を抑えることができる。
【００１３】基板に直接第一の金属膜が堆積できるの
は、熱処理工程で基板に含まれている不純物がＭＩＭ型
非線形素子内に拡散しても素子特性を損なわない場合に
限られる。例えば、基板がアルカリ金属を大量に含む安
価なガラスの場合、これらの不純物が電圧−電流特性を
劣化させる。このようなときは、シリコン原子を含んだ
透明絶縁膜を基板と第一の金属膜の間に設ければよい。
例えば、ナトリウム原子やカリウム原子の拡散防止膜と
しては、シリコン窒化膜が適当である。
は、熱処理工程で基板に含まれている不純物がＭＩＭ型
非線形素子内に拡散しても素子特性を損なわない場合に
限られる。例えば、基板がアルカリ金属を大量に含む安
価なガラスの場合、これらの不純物が電圧−電流特性を
劣化させる。このようなときは、シリコン原子を含んだ
透明絶縁膜を基板と第一の金属膜の間に設ければよい。
例えば、ナトリウム原子やカリウム原子の拡散防止膜と
しては、シリコン窒化膜が適当である。
【００１４】以上のように、第一の金属膜にシリコン原
子が含まれると基板と第一の金属膜の間に基板の透過率
を低下させる熱酸化ＴａＯX膜を設けなくてよいので、
ＭＩＭ型非線形素子基板の透過率を大きくできる。ま
た、基板にシリコン原子を含んだ第一の金属膜を直接堆
積すると、該第一の金属膜をテーパ形状をつけてエッチ
ングすることが可能となる。このときのエッチングは、
ＣＦ4とＯ2の混合ガスにドライエッチングかフッ酸と硝
酸を含んだエッチング溶液を用いて行うのがよい。図５
（ａ）に示すように基板１１の表面に熱酸化ＴａＯX膜
１１ａを堆積しシリコン原子を含んだタンタル膜からな
る第一の金属膜１２をエッチングすると、ＴａＯX膜と
第一の金属膜の密着が良くないために第一の金属膜１２
の側面はきれいなテーパ形状にならない。図５（ａ）の
ような形状であると、第一の金属膜の上を配線膜が横切
る場合該膜が断線を起こしやすくなる。そこで、第一の
金属膜をシリコン原子を含んだタンタルを主成分とした
合金膜にし熱酸化ＴａＯX膜１１ａをなくすと、基板と
の密着もよく図５（ｂ）のようなエッチング形状とな
る。第一の金属膜中にタングステン原子が含まれていて
も同様のエッチング形状となる。さらに、シリコン系の
拡散防止膜１１ｂを基板と該第一の金属膜１２の間に挟
んでも図５（ｃ）のように、第一の金属膜のエッチング
形状はテーパ形状となる。
子が含まれると基板と第一の金属膜の間に基板の透過率
を低下させる熱酸化ＴａＯX膜を設けなくてよいので、
ＭＩＭ型非線形素子基板の透過率を大きくできる。ま
た、基板にシリコン原子を含んだ第一の金属膜を直接堆
積すると、該第一の金属膜をテーパ形状をつけてエッチ
ングすることが可能となる。このときのエッチングは、
ＣＦ4とＯ2の混合ガスにドライエッチングかフッ酸と硝
酸を含んだエッチング溶液を用いて行うのがよい。図５
（ａ）に示すように基板１１の表面に熱酸化ＴａＯX膜
１１ａを堆積しシリコン原子を含んだタンタル膜からな
る第一の金属膜１２をエッチングすると、ＴａＯX膜と
第一の金属膜の密着が良くないために第一の金属膜１２
の側面はきれいなテーパ形状にならない。図５（ａ）の
ような形状であると、第一の金属膜の上を配線膜が横切
る場合該膜が断線を起こしやすくなる。そこで、第一の
金属膜をシリコン原子を含んだタンタルを主成分とした
合金膜にし熱酸化ＴａＯX膜１１ａをなくすと、基板と
の密着もよく図５（ｂ）のようなエッチング形状とな
る。第一の金属膜中にタングステン原子が含まれていて
も同様のエッチング形状となる。さらに、シリコン系の
拡散防止膜１１ｂを基板と該第一の金属膜１２の間に挟
んでも図５（ｃ）のように、第一の金属膜のエッチング
形状はテーパ形状となる。
【００１５】熱処理工程での第一の金属膜の膜剥がれを
防止する方法として、特開平０２−２２６１１９にある
ように、基板と第一の金属膜の間に１００Å以下の接着
層を設けることが提案されているが、液晶表示素子にし
た際に光の透過率が低下し画面が暗くなるのであまり効
果的でない。また、熱処理工程で接着層をなす元素とタ
ンタルまたは、シリコン原子と反応してＭＩＭ型非線形
素子基板に欠陥を生じやすくなる。
防止する方法として、特開平０２−２２６１１９にある
ように、基板と第一の金属膜の間に１００Å以下の接着
層を設けることが提案されているが、液晶表示素子にし
た際に光の透過率が低下し画面が暗くなるのであまり効
果的でない。また、熱処理工程で接着層をなす元素とタ
ンタルまたは、シリコン原子と反応してＭＩＭ型非線形
素子基板に欠陥を生じやすくなる。
【００１６】
【発明の効果】以上の通り、基板の表面に直接第一の金
属膜を堆積すると、光の透過率は最大にでき、またＴａ
ＯX膜を堆積する工程を省略することができるので、製
品歩留まりが向上し単価も安くできる。また、基板と第
一の金属膜の間にシリコンを含んだ絶縁膜を堆積して
も、該絶縁膜の透過率はガラスと相違ないので光の透過
率はＴａＯX膜を用いた場合よりも高くなる。
属膜を堆積すると、光の透過率は最大にでき、またＴａ
ＯX膜を堆積する工程を省略することができるので、製
品歩留まりが向上し単価も安くできる。また、基板と第
一の金属膜の間にシリコンを含んだ絶縁膜を堆積して
も、該絶縁膜の透過率はガラスと相違ないので光の透過
率はＴａＯX膜を用いた場合よりも高くなる。
【図１】（ａ） 本発明のＭＩＭ型非線形素子の上面
図。（ｂ） 本発面のＭＩＭ型非線形素子の断面図。
図。（ｂ） 本発面のＭＩＭ型非線形素子の断面図。
【図２】従来のＭＩＭ型非線形素子を示す断面図。
【図３】アクティブマトリクス方式の液晶表示装置の等
価回路図。
価回路図。
【図４】（ａ） 従来のＭＩＭ型非線形素子の印加電圧
と電流値の関係を示す図。（ｂ） 液晶表示素子の単位
画素への印加電圧と明るさの関係を示す図。
と電流値の関係を示す図。（ｂ） 液晶表示素子の単位
画素への印加電圧と明るさの関係を示す図。
【図５】第一の金属膜のエッチング形状を示す断面図。
【図６】（ａ） 本発明のＭＩＭ型非線形素子の上面
図。（ｂ） 本発面のＭＩＭ型非線形素子の断面図。
図。（ｂ） 本発面のＭＩＭ型非線形素子の断面図。
１ ＭＩＭ型非線形素子 ２ 液晶表示素子 ３ 画素領域 １１ 透明基板 １１ａ ＴａＯX膜 １１ｂ シリコン原子を含む透明絶縁膜 １２ 第一の金属膜 １３ 金属酸化膜 １４ 第二の金属膜 １５ 画素電極 ３１ 走査線 ３２ 信号線 ４１ 初期電圧−電流特性 ４２，４３ 一定時間電圧印加後の電圧−電流特性 ６１ 第二の金属膜と画素電極をなす透明導
電膜
電膜
Claims (4)
- 【請求項１】ガラス（石英を含む）基板の表面に形成し
た第一の金属膜−絶縁膜−第二の金属膜または導電膜か
らなるＭＩＭ型非線形素子において、 前記ガラス基板の表面に直接タンタル原子とシリコン原
子を含んだ合金膜からなる第一の金属膜を堆積すること
を特徴とするＭＩＭ型非線形素子。 - 【請求項２】請求項１記載の第一の金属膜をタンタル原
子，シリコン原子及びタングステン原子を含んだ合金膜
とすることを特徴とするＭＩＭ型非線形素子。 - 【請求項３】ガラス（石英を含む）基板の表面に形成し
た第一の金属膜−絶縁膜−第二の金属膜または導電膜か
らなるＭＩＭ型非線形素子において、 前記ガラス基板の表面にシリコン原子を含んだ透明膜を
堆積した後に、タンタル原子とシリコン原子を含んだ合
金膜からなる第一の金属膜を堆積することを特徴とする
ＭＩＭ型非線形素子。 - 【請求項４】請求項１，２，３記載のＭＩＭ型非線形素
子において、第二の金属膜または導電膜が透明導電膜で
あることを特徴とするＭＩＭ型非線形素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25192693A JPH07104319A (ja) | 1993-10-07 | 1993-10-07 | Ｍｉｍ型非線形素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25192693A JPH07104319A (ja) | 1993-10-07 | 1993-10-07 | Ｍｉｍ型非線形素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07104319A true JPH07104319A (ja) | 1995-04-21 |
Family
ID=17230032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25192693A Pending JPH07104319A (ja) | 1993-10-07 | 1993-10-07 | Ｍｉｍ型非線形素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07104319A (ja) |
-
1993
- 1993-10-07 JP JP25192693A patent/JPH07104319A/ja active Pending
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