JP3166317B2 - 電気装置の製造方法 - Google Patents
電気装置の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示パネルに用い
られる電気装置の製造方法に関し、特にそのＭＩＭ型非
線形素子のスイッチング特性の安定化技術に関する。
られる電気装置の製造方法に関し、特にそのＭＩＭ型非
線形素子のスイッチング特性の安定化技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、アクティブマトリクス方式の液
晶表示パネルにおいては、画素領域毎に非線形素子を設
けてマトリクスアレイを形成した一方側の基板と、カラ
ーフィルタが形成された他方側の基板との間に液晶を充
填しておき、各画素領域毎に液晶の配向状態を制御し
て、所定の情報を表示する。ここで、非線形素子とし
て、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏ
ｒ）などの３端子素子またはＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎ
ｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）型非線形素子などの２端
子素子を用いるが、液晶表示パネルに対する画面の大型
化、低コスト化などの要求に対応するには、ＭＩＭ型非
線形素子を用いた方式が有利である。また、ＭＩＭ型非
線形素子を用いた場合には、マトリクスアレイを形成し
た一方側の基板に走査線を設け、他方側の基板に信号線
を設けることができるので、走査線と信号線とのクロス
オーバー短絡が発生しないというメリットもある。
晶表示パネルにおいては、画素領域毎に非線形素子を設
けてマトリクスアレイを形成した一方側の基板と、カラ
ーフィルタが形成された他方側の基板との間に液晶を充
填しておき、各画素領域毎に液晶の配向状態を制御し
て、所定の情報を表示する。ここで、非線形素子とし
て、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏ
ｒ）などの３端子素子またはＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎ
ｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）型非線形素子などの２端
子素子を用いるが、液晶表示パネルに対する画面の大型
化、低コスト化などの要求に対応するには、ＭＩＭ型非
線形素子を用いた方式が有利である。また、ＭＩＭ型非
線形素子を用いた場合には、マトリクスアレイを形成し
た一方側の基板に走査線を設け、他方側の基板に信号線
を設けることができるので、走査線と信号線とのクロス
オーバー短絡が発生しないというメリットもある。
【０００３】このようなＭＩＭ型非線形素子を用いたア
クティブマトリクス方式の液晶表示パネルにおいては、
図１に示すように、各画素領域１０１毎に各走査線１０
２と各信号線１０４との間にバリスタの記号で示したＭ
ＩＭ型非線形素子１０３とコンデンサの記号で示した液
晶表示素子１０５が直列接続された構成としてあらわさ
れ、走査線１０２および信号線１０４に印加された信号
に基づいて、液晶表示素子１０５を選択状態（表示状
態）および非選択状態（非表示状態）に切り換えて表示
動作を制御する。
クティブマトリクス方式の液晶表示パネルにおいては、
図１に示すように、各画素領域１０１毎に各走査線１０
２と各信号線１０４との間にバリスタの記号で示したＭ
ＩＭ型非線形素子１０３とコンデンサの記号で示した液
晶表示素子１０５が直列接続された構成としてあらわさ
れ、走査線１０２および信号線１０４に印加された信号
に基づいて、液晶表示素子１０５を選択状態（表示状
態）および非選択状態（非表示状態）に切り換えて表示
動作を制御する。
【０００４】ここで、ＭＩＭ型非線形素子１０３は図２
に示すように、透明基板２０６の表面に形成され、走査
線１０２を介して走査回路（駆動回路）に導電接続する
金属Ｔａよりなる第１の金属電極層２０１と、その表面
のＴａ2Ｏ5よりなる陽極酸化膜２０２と、その表面に形
成されＩＴＯよりなる画素電極２０３に導電接続する金
属Ｃｒよりなる第２の金属電極層２０４から構成されて
いる。また、陽極酸化膜２０２は、金属Ｔａよりなる第
１の金属電極層２０１の表面に、膜厚が均一で、ピンホ
ールがない状態で形成されるように、金属Ｔａよりなる
第１の金属電極層２０１を陽極酸化することによって形
成される。なお、１０７は、信号供給回路である。
に示すように、透明基板２０６の表面に形成され、走査
線１０２を介して走査回路（駆動回路）に導電接続する
金属Ｔａよりなる第１の金属電極層２０１と、その表面
のＴａ2Ｏ5よりなる陽極酸化膜２０２と、その表面に形
成されＩＴＯよりなる画素電極２０３に導電接続する金
属Ｃｒよりなる第２の金属電極層２０４から構成されて
いる。また、陽極酸化膜２０２は、金属Ｔａよりなる第
１の金属電極層２０１の表面に、膜厚が均一で、ピンホ
ールがない状態で形成されるように、金属Ｔａよりなる
第１の金属電極層２０１を陽極酸化することによって形
成される。なお、１０７は、信号供給回路である。
【０００５】従来の陽極酸化の工程は図５に示すよう
に、定電流定電圧電源を用いて、まず電流値Ｉ１の定電
流条件下で陽極酸化（以下、定電流陽極酸化と称す）を
行い、そのまま所定の膜厚に対応した電圧値Ｖ１で、あ
る一定時間だけ定電圧条件下で陽極酸化（以下、定電圧
陽極酸化と称す）を行って、陽極酸化膜を形成してい
る。
に、定電流定電圧電源を用いて、まず電流値Ｉ１の定電
流条件下で陽極酸化（以下、定電流陽極酸化と称す）を
行い、そのまま所定の膜厚に対応した電圧値Ｖ１で、あ
る一定時間だけ定電圧条件下で陽極酸化（以下、定電圧
陽極酸化と称す）を行って、陽極酸化膜を形成してい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ＭＩＭ型非線形素子を
用いた液晶表示パネルにおいては、従来より、静止画像
などを表示したあとに残像が発生しやすく、表示性能が
低いという問題点があった。その原因は、ＭＩＭ型非線
形素子１０３を構成するＴａ2Ｏ5膜にあることが確認さ
れている。
用いた液晶表示パネルにおいては、従来より、静止画像
などを表示したあとに残像が発生しやすく、表示性能が
低いという問題点があった。その原因は、ＭＩＭ型非線
形素子１０３を構成するＴａ2Ｏ5膜にあることが確認さ
れている。
【０００７】その根本的な原因は、ＭＩＭ型非線形素子
１０３において、印加電圧と電流との関係が、初期状態
において図３に実線３０１で示す関係であったものが、
経時的に破線３０２で示すような状態にシフトしてしま
うために、表示状態から非表示状態に切り換える際、走
査線１０２と信号線１０４の間に生じる電位差を切り換
えても、ＭＩＭ型非線形素子１０３を導通状態から遮断
状態に切換、制御することができなくなり、残像などを
発生させてしまう。逆の表示動作、すなわち非表示状態
から表示状態に切り換える場合も同様である。
１０３において、印加電圧と電流との関係が、初期状態
において図３に実線３０１で示す関係であったものが、
経時的に破線３０２で示すような状態にシフトしてしま
うために、表示状態から非表示状態に切り換える際、走
査線１０２と信号線１０４の間に生じる電位差を切り換
えても、ＭＩＭ型非線形素子１０３を導通状態から遮断
状態に切換、制御することができなくなり、残像などを
発生させてしまう。逆の表示動作、すなわち非表示状態
から表示状態に切り換える場合も同様である。
【０００８】このような問題点を解決するために、本発
明は、Ｔａ2Ｏ5膜を形成する際に、内部に複数段階の組
成勾配をもつ層を、それぞれ別の定電圧値を用いて陽極
酸化することで形成し、Ｔａ2Ｏ5よりなる陽極酸化膜２
０２を印加電圧と電流の関係が経時的に安定するように
改質を図る構造を提供するものである。
明は、Ｔａ2Ｏ5膜を形成する際に、内部に複数段階の組
成勾配をもつ層を、それぞれ別の定電圧値を用いて陽極
酸化することで形成し、Ｔａ2Ｏ5よりなる陽極酸化膜２
０２を印加電圧と電流の関係が経時的に安定するように
改質を図る構造を提供するものである。
【０００９】本発明の目的は、陽極酸化膜の組成勾配の
対称性を向上させることにより、アクティブマトリクス
方式の液晶表示パネルにＭＩＭ型非線形素子を用いるこ
とによるコストメリットを確保しながら、印加電圧と電
流の関係を経時的に安定させて、液晶表示パネルの表示
性能を向上させることにある。
対称性を向上させることにより、アクティブマトリクス
方式の液晶表示パネルにＭＩＭ型非線形素子を用いるこ
とによるコストメリットを確保しながら、印加電圧と電
流の関係を経時的に安定させて、液晶表示パネルの表示
性能を向上させることにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の電気装置の製造
方法は、第１の金属電極層と、前記第１の金属電極層表
面に形成された陽極酸化膜と、前記陽極酸化膜の表面に
形成された第２の金属電極層とからなる非線系素子を備
えてなる電気装置の製造方法において、定電流値により
酸化を行う工程と、定電圧値により酸化を行う工程とを
２回以上繰り返すことを特徴とする。
方法は、第１の金属電極層と、前記第１の金属電極層表
面に形成された陽極酸化膜と、前記陽極酸化膜の表面に
形成された第２の金属電極層とからなる非線系素子を備
えてなる電気装置の製造方法において、定電流値により
酸化を行う工程と、定電圧値により酸化を行う工程とを
２回以上繰り返すことを特徴とする。
【００１１】ここで、第１の金属電極層はタンタル、ア
ルミニウムなど、容易に陽極酸化可能な金属材料が使用
できる。
ルミニウムなど、容易に陽極酸化可能な金属材料が使用
できる。
【００１２】
【作用】本発明において、ＭＩＭ型非線形素子の陽極酸
化膜を、異なる定電圧値を用いて陽極酸化する工程を施
した構造にすると、ＭＩＭ型非線形素子に対して電圧を
印加した状態に保持しても、図３に示すＭＩＭ型非線形
素子における印加電圧Ｖと電流Ｉの関係が実線３０１で
示す関係のまま保持され、従来のＭＩＭ型非線形素子の
ように破線３０２に示すような関係にシフトしてしまう
ことがない。この現象については、以下の通り推定して
いる。
化膜を、異なる定電圧値を用いて陽極酸化する工程を施
した構造にすると、ＭＩＭ型非線形素子に対して電圧を
印加した状態に保持しても、図３に示すＭＩＭ型非線形
素子における印加電圧Ｖと電流Ｉの関係が実線３０１で
示す関係のまま保持され、従来のＭＩＭ型非線形素子の
ように破線３０２に示すような関係にシフトしてしまう
ことがない。この現象については、以下の通り推定して
いる。
【００１３】異なる定電圧値で陽極酸化を施すことによ
り、陽極酸化された膜中に多数の界面が形成され、かつ
マクロ的には膜全体の対称性が増し、酸化膜の状態を安
定させている。かつその界面で膜中に含まれる可動イオ
ンがトラップされ、電気特性のシフト要因が減少する。
り、陽極酸化された膜中に多数の界面が形成され、かつ
マクロ的には膜全体の対称性が増し、酸化膜の状態を安
定させている。かつその界面で膜中に含まれる可動イオ
ンがトラップされ、電気特性のシフト要因が減少する。
【００１４】
【実施例】次に、本発明の実施例に係わる液晶表示パネ
ルおよびこれに用いる電気装置の製造方法について説明
する。
ルおよびこれに用いる電気装置の製造方法について説明
する。
【００１５】本例に係わるアクティブマトリクス方式の
液晶表示パネルにおいては、図１および図２に示すよう
に、マトリクスアレイの画素領域１０１毎に、走査線１
０２を介して走査回路１０６に導電接続する、金属Ｔａ
よりなる第１の金属電極層２０１、該第１の金属電極層
２０１の表面にＴａ2Ｏ5よりなる陽極酸化膜２０２、該
陽極酸化膜２０２の表面に形成された、ＩＴＯからなる
画素電極２０３に導電接続する金属Ｃｒよりなる第２の
金属電極層２０４とによってＭＩＭ型非線形素子１０３
が構成されている。
液晶表示パネルにおいては、図１および図２に示すよう
に、マトリクスアレイの画素領域１０１毎に、走査線１
０２を介して走査回路１０６に導電接続する、金属Ｔａ
よりなる第１の金属電極層２０１、該第１の金属電極層
２０１の表面にＴａ2Ｏ5よりなる陽極酸化膜２０２、該
陽極酸化膜２０２の表面に形成された、ＩＴＯからなる
画素電極２０３に導電接続する金属Ｃｒよりなる第２の
金属電極層２０４とによってＭＩＭ型非線形素子１０３
が構成されている。
【００１６】ここでＴａ2Ｏ5よりなる陽極酸化膜２０２
は、第１の定電圧値によって陽極酸化された領域２０２
ａと、第２の定電圧値によって陽極酸化された領域２０
２ｂより構成されている。このため本発明のＭＩＭ型非
線形素子においては、印加電圧Ｖと電流Ｉの関係が、初
期状態において図３に実線３０１で示す関係であったも
のが、静止画像を表示するために長時間電圧を印加した
後でも、図３に破線３０２で示すような関係にシフトす
るようなことがない。そのため、走査線１０２および信
号線１０４の間に生じる電位差によって、液晶表示素子
１０５を選択状態（表示状態）と非選択状態（非表示状
態）の間で確実に切り換えて表示動作を制御することが
できる。また、走査線１０２および信号線１０４からの
信号の変化に追従して、液晶の配向状態が確実に変化す
るので、液晶表示パネルに残像などの発生がなく、その
表示品質が高くなる。
は、第１の定電圧値によって陽極酸化された領域２０２
ａと、第２の定電圧値によって陽極酸化された領域２０
２ｂより構成されている。このため本発明のＭＩＭ型非
線形素子においては、印加電圧Ｖと電流Ｉの関係が、初
期状態において図３に実線３０１で示す関係であったも
のが、静止画像を表示するために長時間電圧を印加した
後でも、図３に破線３０２で示すような関係にシフトす
るようなことがない。そのため、走査線１０２および信
号線１０４の間に生じる電位差によって、液晶表示素子
１０５を選択状態（表示状態）と非選択状態（非表示状
態）の間で確実に切り換えて表示動作を制御することが
できる。また、走査線１０２および信号線１０４からの
信号の変化に追従して、液晶の配向状態が確実に変化す
るので、液晶表示パネルに残像などの発生がなく、その
表示品質が高くなる。
【００１７】このような構成の電気装置の製造方法を以
下に説明する。
下に説明する。
【００１８】まず、あらかじめＴａ熱酸化膜２０５を形
成した透明基板２０６の表面に金属Ｔａ層をスパッタリ
ング法により形成した後、金属Ｔａ層をパターニングし
て金属Ｔａによる第１の金属電極層２０１を形成する。
この第１の金属電極層２０１は、走査線１０２も形成
し、走査回路１０６まで延長されている。
成した透明基板２０６の表面に金属Ｔａ層をスパッタリ
ング法により形成した後、金属Ｔａ層をパターニングし
て金属Ｔａによる第１の金属電極層２０１を形成する。
この第１の金属電極層２０１は、走査線１０２も形成
し、走査回路１０６まで延長されている。
【００１９】つぎに、金属Ｔａよりなる第１の金属電極
層２０１に陽極酸化を施して、その表面層をＴａ2Ｏ5よ
りなる陽極酸化膜２０２とする。ここで陽極酸化用電解
液としては、クエン酸水溶液を用いる。そのクエン酸水
溶液に、金属Ｔａよりなる第１の金属電極層２０１を形
成した透明基板２０６を浸漬して陽極酸化を行い、陽極
酸化膜２０２を形成する。
層２０１に陽極酸化を施して、その表面層をＴａ2Ｏ5よ
りなる陽極酸化膜２０２とする。ここで陽極酸化用電解
液としては、クエン酸水溶液を用いる。そのクエン酸水
溶液に、金属Ｔａよりなる第１の金属電極層２０１を形
成した透明基板２０６を浸漬して陽極酸化を行い、陽極
酸化膜２０２を形成する。
【００２０】本発明による陽極酸化は図４に示すよう
に、定電流定電圧電源を用いて、まず電流値Ｉ１の定電
流条件下で定電流陽極酸化を行い、そのまま所定の膜厚
に対応する電圧値より低い電圧値Ｖ１で、ある一定時間
だけ定電圧条件下で定電圧陽極酸化を行って、第１の陽
極酸化膜２０２ａを形成する。さらに、電流値Ｉ１の定
電流条件下で定電流陽極酸化を行い、そのまま所定の膜
厚に対応する電圧値Ｖ２で、ある一定時間だけ定電圧条
件下で定電圧陽極酸化を行って、第２の陽極酸化膜２０
２ｂを形成する。
に、定電流定電圧電源を用いて、まず電流値Ｉ１の定電
流条件下で定電流陽極酸化を行い、そのまま所定の膜厚
に対応する電圧値より低い電圧値Ｖ１で、ある一定時間
だけ定電圧条件下で定電圧陽極酸化を行って、第１の陽
極酸化膜２０２ａを形成する。さらに、電流値Ｉ１の定
電流条件下で定電流陽極酸化を行い、そのまま所定の膜
厚に対応する電圧値Ｖ２で、ある一定時間だけ定電圧条
件下で定電圧陽極酸化を行って、第２の陽極酸化膜２０
２ｂを形成する。
【００２１】しかる後に、陽極酸化膜２０２の表面にＣ
ｒをスパッタリング法にて形成後、パターニングして金
属Ｃｒよりなる第２の金属電極層２０４を形成し、金属
Ｔａよりなる第１の金属電極層２０１、陽極酸化膜２０
２および金属Ｃｒよりなる第２の金属電極層２０４によ
って構成されたＭＩＭ型非線形素子１０３を形成する。
ｒをスパッタリング法にて形成後、パターニングして金
属Ｃｒよりなる第２の金属電極層２０４を形成し、金属
Ｔａよりなる第１の金属電極層２０１、陽極酸化膜２０
２および金属Ｃｒよりなる第２の金属電極層２０４によ
って構成されたＭＩＭ型非線形素子１０３を形成する。
【００２２】本実施例においては、陽極酸化時の電解液
としてはクエン酸水溶液を用いたが、他の溶液、例えば
ほう酸アンモニウム水溶液、オルソリン酸水溶液、非水
溶媒系のものを用いても同様な効果が得られることは明
かであり、それらも本発明の範疇に属する。また本実施
例では、２値の定電圧値で陽極酸化を行ったが、さらに
多数の電圧値を用いても同様な効果が得られることは明
らかであり、それらも本発明の範疇に属する。
としてはクエン酸水溶液を用いたが、他の溶液、例えば
ほう酸アンモニウム水溶液、オルソリン酸水溶液、非水
溶媒系のものを用いても同様な効果が得られることは明
かであり、それらも本発明の範疇に属する。また本実施
例では、２値の定電圧値で陽極酸化を行ったが、さらに
多数の電圧値を用いても同様な効果が得られることは明
らかであり、それらも本発明の範疇に属する。
【００２３】
【発明の効果】以上の説明の通り、本発明においては、
ＭＩＭ型非線形素子の陽極酸化膜を形成する工程におい
て、異なる電圧値で陽極酸化を行った陽極酸化膜を有す
る、多層構造の陽極酸化膜を形成することに特徴を有す
る。
ＭＩＭ型非線形素子の陽極酸化膜を形成する工程におい
て、異なる電圧値で陽極酸化を行った陽極酸化膜を有す
る、多層構造の陽極酸化膜を形成することに特徴を有す
る。
【００２４】このため本発明によれば、以下の効果を奏
する。
する。
【００２５】 ＭＩＭ型非線形素子の印加電圧と電流
の関係が、経時的に変化しにくくなるので、駆動信号の
変化に液晶の配向状態が確実に追従する。そのため、液
晶表示パネルに静止画像を長時間表示させた後において
も残像が生じないなど、表示品質を向上させることがで
きる。
の関係が、経時的に変化しにくくなるので、駆動信号の
変化に液晶の配向状態が確実に追従する。そのため、液
晶表示パネルに静止画像を長時間表示させた後において
も残像が生じないなど、表示品質を向上させることがで
きる。
【００２６】 ＭＩＭ型非線形素子において、印加電
圧に対して流れる電流が大きい。従って、同じ電流値を
得るのに必要な電圧が低くなるので、駆動電圧の低電圧
化を図ることが可能となる。
圧に対して流れる電流が大きい。従って、同じ電流値を
得るのに必要な電圧が低くなるので、駆動電圧の低電圧
化を図ることが可能となる。
【００２７】また、従来の製造方法により作製された陽
極酸化膜を用いたＭＩＭ素子では、印加電圧の極性によ
る電流・電圧特性の非対称性が大きかったのに対し、本
発明による製造方法で作製される陽極酸化膜は、陽極酸
化膜中の組成勾配の対称性が増すことにより、印加電圧
の極性による電流・電圧特性の対称性が向上するという
メリットもある。
極酸化膜を用いたＭＩＭ素子では、印加電圧の極性によ
る電流・電圧特性の非対称性が大きかったのに対し、本
発明による製造方法で作製される陽極酸化膜は、陽極酸
化膜中の組成勾配の対称性が増すことにより、印加電圧
の極性による電流・電圧特性の対称性が向上するという
メリットもある。
【図１】 ＭＩＭ型非線形素子を用いたアクティブマト
リクス方式の液晶表示パネルの等価回路図。
リクス方式の液晶表示パネルの等価回路図。
【図２】 本発明の実施例に係わる液晶表示パネルのマ
トリクスアレイを構成するＭＩＭ型非線形素子の構造を
示す断面図。
トリクスアレイを構成するＭＩＭ型非線形素子の構造を
示す断面図。
【図３】 液晶表示パネルのマトリクスアレイを構成す
るＭＩＭ型非線形素子の印加電圧と電流の関係を示すグ
ラフ。
るＭＩＭ型非線形素子の印加電圧と電流の関係を示すグ
ラフ。
【図４】 本発明の実施例に係わるＭＩＭ型非線形素子
の陽極酸化膜を作製する際の印加電圧と電流の関係を示
すグラフ。
の陽極酸化膜を作製する際の印加電圧と電流の関係を示
すグラフ。
【図５】 従来のＭＩＭ型非線形素子の陽極酸化膜を作
製する際の印加電圧と電流の関係を示すグラフ。
製する際の印加電圧と電流の関係を示すグラフ。
１０１ 画素領域 １０２ 走査線 １０３ ＭＩＭ型非線形素子 １０４ 信号線 １０５ 液晶表示素子 １０６ 走査回路 １０７ 信号供給回路 ２０１ 金属Ｔａよりなる第１の金属電極層 ２０２ Ｔａ2Ｏ5よりなる陽極酸化膜 ２０２ａ 第１の電圧値により陽極酸化されたＴａ2Ｏ5
よりなる陽極酸化膜 ２０２ｂ 第２の電圧値により陽極酸化されたＴａ2Ｏ5
よりなる陽極酸化膜 ２０３ ＩＴＯよりなる画素電極 ２０４ 金属Ｃｒよりなる第２の金属電極層 ２０５ 熱酸化により作製されたＴａ2Ｏ5薄膜 ２０６ 透明基板 ３０１ ＭＩＭ素子の印加電圧Ｖと電流Ｉの関係の初期
状態 ３０２ ＭＩＭ素子の印加電圧Ｖと電流Ｉの関係の経時
変化後の状態
よりなる陽極酸化膜 ２０２ｂ 第２の電圧値により陽極酸化されたＴａ2Ｏ5
よりなる陽極酸化膜 ２０３ ＩＴＯよりなる画素電極 ２０４ 金属Ｃｒよりなる第２の金属電極層 ２０５ 熱酸化により作製されたＴａ2Ｏ5薄膜 ２０６ 透明基板 ３０１ ＭＩＭ素子の印加電圧Ｖと電流Ｉの関係の初期
状態 ３０２ ＭＩＭ素子の印加電圧Ｖと電流Ｉの関係の経時
変化後の状態
Claims (1)
- 【請求項１】 第１の金属電極層と、前記第１の金属電
極層表面に形成された陽極酸化膜と、前記陽極酸化膜の
表面に形成された第２の金属電極層とからなる非線系素
子を備えてなる電気装置の製造方法において、 定電流値により酸化を行う工程と、定電圧値により酸化
を行う工程とを２回以上繰り返すことを特徴とする電気
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16601992A JP3166317B2 (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | 電気装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16601992A JP3166317B2 (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | 電気装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH063701A JPH063701A (ja) | 1994-01-14 |
| JP3166317B2 true JP3166317B2 (ja) | 2001-05-14 |
Family
ID=15823414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| JP3085628B2 (ja) * | 1994-07-12 | 2000-09-11 | シャープ株式会社 | スイッチング素子の製造方法 |
-
1992
- 1992-06-24 JP JP16601992A patent/JP3166317B2/ja not_active Expired - Fee Related
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