JP3881737B2 - ２端子型非線形素子の製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、２端子型非線形素子の製造方法に関する。
【０００２】
【背景技術】
アクティブマトリクス方式の液晶表示装置は、画素領域毎にスイッチング素子を設けてマトリクスアレイを形成したアクティブマトリクス基板と、たとえばカラーフィルタを設けた対向基板との間に液晶を充填しておき、各画素領域毎の液晶の配向状態を制御して、所定の画像情報を表示するものである。スイッチング素子としては、一般に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などの３端子素子または金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）型非線形素子（以下、「ＭＩＭ素子」ともいう。）などの２端子素子が用いられている。そして、２端子素子を用いたスイッチング素子は、３端子素子に比べ、クロスオーバ短絡の発生がなく、製造工程を簡略化できるという点で優れている。
【０００３】
ＭＩＭ素子を用いた液晶表示装置において、コントラストが高く、かつ、表示ムラ、残像および焼き付きなどの現象が認識できない高画質の液晶表示パネルを実現するためには、ＭＩＭ素子の特性として以下の条件を満足することが重要である。
【０００４】
（１）ＭＩＭ素子の容量が液晶表示パネルの容量に対して充分に小さいこと、
（２）ＭＩＭ素子の電流−電圧特性の経時変化が充分に小さいこと、
（３）ＭＩＭ素子の電流−電圧特性の対称性が良いこと、
（４）ＭＩＭ素子の電流−電圧特性の急峻性が充分に大きいこと、
（５）ＭＩＭ素子の素子抵抗が広い電圧範囲において充分に一様であること。
【０００５】
すなわち、コントラストを高くするためには、ＭＩＭ素子の容量が液晶表示パネルの容量に対して充分に小さく、かつ、ＭＩＭ素子の電流−電圧特性の急峻性が充分に大きいことが必要である。表示ムラが認識できないようにするには、ＭＩＭ素子の素子抵抗が広い電圧範囲において、充分に一様であることが必要である。残像が認識できないようにするには、ＭＩＭ素子の電流−電圧特性の経時変化が充分に小さいことが必要である。さらに、焼き付きが認識できないようにするには、ＭＩＭ素子の電流−電圧特性の経時変化が充分に小さく、かつ、ＭＩＭ素子の電流−電圧特性の対称性が良いこと、が必要である。
【０００６】
ここで、「残像」とは、ある画像を数分表示した後に異なる画像を表示したときに、以前に表示していた画像が認識される現象のことである。また、「焼き付き」とは、ある画像を数時間表示した後に異なる画像を表示したときに、以前に表示していた画像が認識される現象のことである。さらに、「電流−電圧特性の対称性がよいこと」とは、ある電圧において、第１の導電膜から第２の導電膜に電流を流すときと、第２の導電膜から第１の導電膜に電流を流すときと、の電流の絶対値の差が充分に小さくなることである。
【０００７】
ＭＩＭ素子の技術を開示した文献としては以下のものが例示される。
【０００８】
（ａ）たとえば、特開昭５２−１４９０９０号公報においては、タンタルからなる第１の導電膜と、この第１の導電膜が陽極酸化されて形成される金属酸化膜からなる絶縁膜と、この絶縁膜の表面に形成されたクロムからなる第２の導電膜とから構成されるＭＩＭ素子が開示されている。前記絶縁膜は、第１の導電膜の表面を陽極酸化して形成されることにより、ピンホールがなく均一の膜厚で形成されている。また、特開昭５７−１２２４７８号公報では、陽極酸化の化成液（電解液）として、クエン酸の希薄水溶液を用いることが開示されている。
【０００９】
これらの技術においては、前述したＭＩＭ素子の特性の内（２）〜（５）の各特性において必ずしも充分に良好でなかった。すなわち、電流−電圧特性の経時変化、対称性および急峻性の点で不充分であり、かつ、素子抵抗が広い電圧範囲において充分に一様でなかった。そのため、このＭＩＭ素子を用いた液晶表示パネルでは、広い温度範囲においてコントラストを高く保つことが困難で、表示ムラも発生しやすいという問題があった。
【００１０】
（ｂ）国際公開された国際出願ＰＣＴ／ＪＰ９４／００２０４（国際公開番号ＷＯ９４／１８６００）においては、ＭＩＭ素子の第１の導電膜として、タンタルにタングステンを添加した合金膜を用いた構造が開示されている。
【００１１】
この技術においては、ＭＩＭ素子の第１の導電膜を、タンタルに変えてタンタルとタングステンなどの特定の元素との合金膜にしたため、前述した特性（２）および（３）、すなわちＭＩＭ素子の電流−電圧特性の経時変化および対称性の点が、前述の文献（ａ）の技術に比べて改善されたことから、残像を認識できないようなレベルにでき、さらに、広い温度範囲でコントラストを高く保つことができるようになった。しかしながら、この技術でも高温時のコントラスト特性が要求されるような用途においては、マージンが不充分であるという問題があった。
【００１２】
（ｃ）Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ，３１，４５８２（１９９２）においては、ＭＩＭ素子の絶縁膜を形成するための陽極酸化の化成液としてリン酸やホウ酸アンモニウムの希薄水溶液を用いることが開示されている。
【００１３】
この技術においては、前述した特性の（２）および（３）、つまりＭＩＭ素子の電流−電圧特性の経時変化および対称性の点が、前述の文献（ａ）に比べて改良され、残像が認識できないようなレベルにでき、さらに広い温度範囲でコントラストを高く保つことができるようになった。しかしながら、この技術でも、素子の信頼性が低く破壊されやすく、表示ムラが発生しやすい、という問題があった。
【００１４】
（ｄ）さらに、特開平２−９３４３３号公報においては、ＭＩＭ素子の第１の導電膜としてタンタルとシリコンの合金膜を用いた構造が開示されている。
【００１５】
この技術においては、前述の文献（ａ）の技術に比較して、電流−電圧特性の急峻性を改善することができ、広い温度範囲において充分なマージンをもってコントラストを高く保つことができるようになった。しかしながら、この技術でも、素子の信頼性が低く破壊されやすく、表示ムラが発生しやすい、という問題点があった。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、前述したＭＩＭ素子に要求される特性（１）〜（５）に優れ、特に、素子容量が充分に小さく、電流−電圧特性の急峻性が充分に大きく、かつ電流−電圧特性の経時変化が小さく信頼性の高い２端子型非線形素子、およびこれを用いた、コントラストが高い高画質の液晶表示パネルを提供することにある。
【００１７】
さらに、本発明の他の目的は、上述した優れた特性を有する２端子型非線形素子の製造のための非水系化成液およびこの化成液を用いた製造方法を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかる２端子型非線形素子（以下、「ＭＩＭ型非線形素子」という）の製造のための非水系化成液は、有機溶媒、溶質および水を含み、前記溶質は少なくとも芳香族カルボン酸塩を含み、かつ、前記水は３〜１０重量％の割合で含まれることを特徴とする。なお、本発明においては、ＭＩＭ型非線形素子を構成する第２の導電膜は金属に限定されず、ＩＴＯなどの導電膜を含む。
【００１９】
この発明によれば、陽極酸化時に溶質または溶媒、あるいはその両者を構成する物質、特に炭素原子が酸化膜内に取り込まれることにより、酸化膜（絶縁膜）の比誘電率を低下させてその値を適正な範囲とすることができる。その結果、得られるＭＩＭ型非線形素子は、容量が充分に小さく、かつ、電流−電圧特性の急峻性が大きいものとなる。
【００２０】
前記芳香族カルボン酸塩は、サリチル酸塩およびフタル酸塩の少なくとも一方であることが望ましく、特にサリチル酸アンモニウム、安息香酸アンモニウム、γ−レゾルシン酸アンモニウム、フタル酸水素アンモニウムおよびフタル酸ジアンモニウムからなる群から選ばれる１種以上であることが望ましい。
【００２１】
前記非水系化成液は、そのｐＨは、好ましくは４〜１２、より好ましくは４．５〜１０、特に好ましくは５〜８である。
【００２２】
また、前記有機溶媒は、エチレングリコールであることが望ましい。
【００２３】
本発明のＭＩＭ型非線形素子は、（ａ）基板上に、タンタルあるいはタンタル合金からなる第１の導電膜を形成する工程、（ｂ）前記第１の導電膜を、本発明に係る非水系化成液中で陽極酸化して、該第１の導電膜の表面に絶縁膜を形成する工程、（ｃ）前記絶縁膜の表面に第２の導電膜を形成する工程、を含むプロセスによって製造することができる。
【００２４】
本発明の非水系化成液および製造方法を用いて得られた、本発明のＭＩＭ型非線形素子は、前述したように、容量が小さいこと、電流−電圧特性の急峻性が大きいこと、および絶縁膜の膜特性が安定で電流−電圧特性の経時変化が小さいこと、などの優れた特性を有する。
【００２５】
さらに、本発明の液晶表示パネルは、上述したＭＩＭ型非線形素子を備えたことを特徴とし、より具体的には、透明な基板、この基板上に所定のパターンで配設された一方の信号線、この信号線に所定のピッチで接続された本発明のＭＩＭ型非線形素子、およびこのＭＩＭ型非線形素子に接続された画素電極を備えた第１の基板と、前記画素電極に対向する位置に他方の信号線を備えた第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入された液晶層と、含むことを特徴とする。この液晶表示パネルによれば、コントラストが高く、残像などが発生しにくく、したがって高品質の画像表示が可能であり、幅広い用途に適用することができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００２７】
（ＭＩＭ型非線形素子および液晶表示パネル）
図１は、本発明のＭＩＭ型非線形素子を用いた液晶駆動電極の１単位を模式的に示す平面図であり、図２は、図１におけるＡ−Ａ線に沿った部分を模式的に示す断面図である。
【００２８】
ＭＩＭ型非線形素子２０は、絶縁性ならびに透明性を有する基板、たとえばガラス，プラスチックなどからなる基板（第１の基板）３０と、この基板３０の表面に形成された絶縁膜３１と、タンタルあるいはタンタル合金からなる第１の導電膜２２と、この第１の導電膜２２の表面に陽極酸化によって形成された絶縁膜２４と、この絶縁膜２４の表面に形成された第２の導電膜２６とから構成されている。そして、前記ＭＩＭ型非線形素子２０の第１の導電膜２２は信号線（走査線またはデータ線）１２に接続され、第２の導電膜２６は画素電極３４に接続されている。
【００２９】
前記絶縁膜３１は、たとえば酸化タンタルから構成されている。前記絶縁膜３１は、第２の導電膜２６の堆積後に行われる熱処理よって第１の導電膜２２の剥離が生じないこと、および基板３０からの第１の導電膜２２への不純物の拡散を防止することを目的として形成されているので、これらのことが問題にならない場合は必ずしも必要でない。
【００３０】
前記第１の導電膜２２は、タンタル単体、あるいはタンタルを主成分とし、これに周期律表で６，７および８族に属する元素を含ませた合金膜としてもよい。合金に添加される元素しては、たとえばタングステン，モリブデン，レニウム，イットリウム，ランタン，ディスプロリウムなどを好ましく例示することができる。特に、前記元素としてはタングステンが好ましく、その含有割合はたとえば０．２〜６原子％であることが好ましい。
【００３１】
前記絶縁膜２４は、後に詳述するように、特定の非水系化成液中で陽極酸化することによって形成される。そして、この絶縁膜２４は、前記第１の導電膜２２に含まれる添加元素を含むと共に、化成液中の溶媒および溶質の少なくとも一方を構成する物質、好ましくは炭素原子を含んで構成される。
【００３２】
前記第２の導電膜２６は特に限定されないが、通常クロムによって構成される。また、前記画素電極３４は、ＩＴＯ膜等の透明導電膜から構成される。
【００３３】
また、図３に示すように、第２の導電膜および画素電極は、同一の透明導電膜３６によって構成してもよい。このように第２の導電膜および画素電極を単一の膜で形成することにより、膜形成に要する製造工程を少なくすることができる。
【００３４】
次に、前記ＭＩＭ型非線形素子２０を用いた液晶表示パネルの一例について説明する。
【００３５】
図４は、前記ＭＩＭ型非線形素子２０を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示パネルの等価回路の一例を示す。この液晶表示パネル１０は、走査信号駆動回路１００およびデータ信号駆動回路１１０を含む。液晶表示パネル１０には、信号線、すなわち複数の走査線１２および複数のデータ線１４が設けられ、前記走査線１２は前記走査信号駆動回路１００により、前記データ線１４は前記データ信号駆動回路１１０により駆動される。そして、各画素領域１６において、走査線１２と信号線１４との間にＭＩＭ型非線形素子２０と液晶表示要素（液晶層）４０とが直列に接続されている。なお、図４では、ＭＩＭ型非線形素子２０が走査線１２側に接続され、液晶表示要素４０がデータ線１４側に接続されているが、これとは逆にＭＩＭ型非線形素子２０をデータ線１４側に、液晶表示要素４０を走査線１２側に設ける構成としてもよい。
【００３６】
図５は、本実施の形態に係る液晶表示パネルの構造の一例を模式的に示す斜視図である。この液晶表示パネル１０は、２枚の基板、すなわち第１の基板３０と第２の基板３２とが対向して設けられ、これらの基板３０，３２間に液晶が封入されている。前記第１の基板３０上には、前述したように、絶縁膜３１が形成されている。この絶縁膜３１の表面には、信号線（走査線）１２が複数設けられている。そして、第２の基板３２には、前記走査線１２に交差するようにデータ線１４が短冊状に複数形成されている。さらに、画素電極３４はＭＩＭ素子２０を介して走査線１２に接続されている。
【００３７】
そして、走査線１２と信号線１４とに印加された信号に基づいて、液晶表示要素４０を表示状態，非表示状態またはその中間状態に切り替えて表示動作を制御する。表示動作の制御方法については、一般的に用いられる方法を適用できる。
【００３８】
（化成液）
次に、本発明の化成液について詳細に説明する。
【００３９】
本発明の化成液は、有機溶媒、溶質および水を含んでなる非水系化成液である。
【００４０】
そして、前記溶質は少なくとも芳香族カルボン酸塩を含み、かつ、前記水は３〜１０重量％、好ましくは５〜７重量％の割合で含まれる。
【００４１】
前記芳香族カルボン酸塩は、サリチル酸塩およびフタル酸塩の少なくとも一方であることが望ましく、特にサリチル酸アンモニウム、安息香酸アンモニウム、γ−レゾルシン酸アンモニウム、フタル酸水素アンモニウムおよびフタル酸ジアンモニウムであることが望ましく、これらのうちの２種以上を併用してもよい。
【００４２】
前記非水系化成液は、ｐＨメータで測定したｐＨが、好ましくは４〜１２、より好ましくはｐＨが４．５〜１０、特に好ましくは５〜８である。非水系化成液のｐＨが１２より大きいと酸化膜が剥がれやすくなり、ｐＨが４より小さいと電解液の電気電導率が小さくなりすぎて均一な酸化膜の作成が困難になりやすい。
【００４３】
また、前記有機溶媒は、エチレングリコールであることが望ましい。この有機溶媒には、ヘキサン、トルエン、シリコ−ンオイル等の非極性溶媒を添加することもできる。
【００４４】
溶質の濃度は、化成液の電気電導率、陽極酸化膜中への溶質の添加量、ｐＨなどの点を考慮して規定される。たとえば、芳香族カルボン酸塩の濃度は、好ましくは１〜３０重量％であり、より好ましくは１〜１０重量％である。
【００４５】
この発明によれば、陽極酸化時に溶質または溶媒、あるいはその両者を構成する物質、特に炭素原子が酸化膜内に取り込まれることにより、酸化膜（絶縁膜）の比誘電率を低下させてその値を適正な範囲とすることができる。その結果、得られるＭＩＭ型非線形素子は、容量が充分に小さく、かつ、電流−電圧特性の急峻性が大きいものとなる。
【００４６】
（ＭＩＭ型非線形素子の製造プロセス）
次に、たとえば図２に示すＭＩＭ型非線形素子２０の製造方法について説明する。本発明の製造方法においては、第１の導電膜を特定の非水系化成液中おいて陽極酸化することを特徴としている。
【００４７】
ＭＩＭ型非線形素子２０は、たとえば以下のプロセスによって製造される。
【００４８】
（ａ）まず、基板３０上に酸化タンタルからなる絶縁膜３１が形成される。絶縁膜３１は、例えばスパッタリング法で堆積したタンタル膜を熱酸化する方法、あるいは酸化タンタルからなるターゲットを用いたスパッタリングやコスパッタリング法により形成することができる。この絶縁膜３１は、第１の導電膜２２の密着性を向上させ、さらに基板３０からの不純物の拡散を防止するために設けられるものであるので、たとえば５０〜２００ｎｍ程度の膜厚で形成される。
【００４９】
次いで、絶縁膜３１上に、タンタルあるいはタンタル合金からなる第１の導電膜２２が形成される。第１の導電膜の膜厚は、ＭＩＭ型非線形素子の用途によって好適な値が選択され、通常１５０〜５００ｎｍ程度とされる。第１の導電膜はスパッタリング法や電子ビーム蒸着法で形成することができる。タンタル合金からなる第１の導電膜を形成する方法としては、混合ターゲットを用いたスパッタリング法、コスパッタリング法あるいは電子ビーム蒸着法などを用いることができる。タンタル合金に含まれる元素としては、周期律表で６，７および８族の元素、好ましくはタングステン、モリブデン、レニウムなどの前述した元素を選択することができる。
【００５０】
前記第１の導電膜２２は、一般に用いられているフォトリソグラフィおよびエッチング技術によってパターニングされる。そして、第１の導電膜２２の形成工程と同じ工程で信号線（走査線またはデータ線）１２が形成される。
【００５１】
（ｂ）次いで、陽極酸化法を用いて前記第１の導電膜２２の表面を酸化させて、絶縁膜２４を形成する。このとき、信号線１２の表面も同時に酸化され絶縁膜が形成される。前記絶縁膜２４は、その用途によって好ましい膜厚が選択され、たとえば３０〜７０ｎｍ程度とされる。
【００５２】
陽極酸化は、化成液が安定に液体として存在する温度範囲で行われ、この温度範囲は一般的に−２０〜１５０℃であり、好ましくは室温〜１００℃である。また、陽極酸化時の電流および電圧の制御方法は特に限定されないが、通常、予め定められた化成電圧（Ｖｆ）まで定電流で電気分解を行い、化成電圧Ｖｆに達した後に、その電圧に一定時間保持される。この際の電流密度は、好ましくは０．００１〜１０ｍＡ／ｃｍ²、より好ましくは０．０１〜１ｍＡ／ｃｍ²である。また、化成電圧Ｖｆは液晶表示パネルを作製する際の駆動回路の設計にもよるが、通常、５〜１００Ｖであり、好ましくは１０〜４０Ｖである。
【００５３】
陽極酸化に用いられる化成液は、前述したように、特定の溶質および水を含む非水系化成液であって、この化成液によって基板面内で均質で経時変化の小さい絶縁膜を得ることができる。そして、陽極酸化時に、化成液中の溶質および溶媒の少なくとも一方が酸化膜の中に取り込まれ、溶質あるいは溶媒を構成する元素、好ましくは炭素が酸化膜内に取り込まれることにより、絶縁膜の比誘電率を好適な範囲に設定することができる。
【００５４】
（ｃ）次いで、クロム，アルミニウム，チタン，モリブデンなどの金属膜を例えばスパッタリング法によって堆積させることにより、第２の導電膜２６が形成される。第２の導電膜は、たとえば膜厚５０〜３００ｎｍで形成され、その後通常使用されているフォトリソグラフィおよびエッチング技術を用いてパターニングされる。次いで、ＩＴＯ膜をスパッタリング法などによって膜厚３０〜２００ｎｍで堆積させ、通常用いられるフォトリソグラフィおよびエッチング技術を用いて所定のパターンの画素電極３４が形成される。
【００５５】
なお、図３に示すＭＩＭ型非線形素子２０においては、第２の導電膜と画素電極とが同一のＩＴＯ膜等の透明導電膜３６によって形成される。この場合、第２の導電膜と画素電極とを同一工程において形成できるため、製造プロセスをより簡略化することができる。
【００５６】
【実施例】
以下に、本発明の具体的な実施例および比較例を挙げて、さらに詳細に説明する。
【００５７】
（実施例１）
ガラス基板上にスパッタリング法で膜厚２００ｎｍのタンタル膜を堆積し、第１の導電膜を形成した。次いで、１０重量％のサリチル酸アンモニウムおよび７重量％の水を含むエチレングリコール溶液を化成液として用い、電流密度０．１ｍＡ／ｃｍ²で電圧３０Ｖに至るまで定電流電解を行い、その後、約２時間にわたって電圧３０Ｖで定電圧電解を行い、前記タンタル膜の陽極酸化を行った。その結果、厚さ約５０ｎｍの酸化タンタル膜が形成された。
【００５８】
さらに、窒素雰囲気下において、４００℃で熱処理を行い、陽極酸化膜（絶縁膜）を安定化させた後、この絶縁膜上にスパッタリング法によりクロムを膜厚１５０ｎｍで堆積させて第２の導電膜を形成し、ＭＩＭ型非線形素子を作製した。
【００５９】
上記の方法で作成した４μｍ角のパターンを有するＭＩＭ型非線形素子の静電容量は４９．７ｆＦであった。なお、静電容量の測定は、前記４μｍ角のＭＩＭ型非線形素子を１０００個並列に接続して、周波数１０ＫＨｚの交流を印加して行ったものである。また、エリプソメータによって絶縁膜の膜厚を測定したところ４３．３ｎｍであった。そして、得られた静電容量および膜厚より絶縁膜の比誘電率を算出したところ２４．３であった。
【００６０】
また、このＭＩＭ型非線形素子の電流−電圧特性を測定し、その平均値をプロットした結果を図６に示した。この曲線の勾配から、急峻性を表す非線形係数（β値）を算出すると５．５であった。
【００６１】
さらに、得られたＭＩＭ型非線形素子での電流−電圧特性の経時変化を見るために、経時変化の指標であるシフト値を求めると１．４％であった。なお、このシフト値は、１秒毎に極性を変えた矩形波の電圧をＭＩＭ型非線形素子に印加したとき、下記式であらわされる値Ｉ_Sで定義されるものである。このとき、前記印加電圧は、電流が液晶表示パネルの１画素当たり１×１０^-7Ａ流れるように設定される。
【００６２】
Ｉ_S＝｛（Ｉ₁₀₀−Ｉ₀）／Ｉ₀｝×１００ （％）
この式において、Ｉ₀は初期（１秒）の電流値を示し、Ｉ₁₀₀は１００秒後の電流値を示す。
【００６３】
化成液の含水量、β値、絶縁膜の比誘電率、シフト値および化成液のｐＨを表１に示した。
【００６４】
さらに、上述の方法で作成されたＭＩＭ型非線形素子を用いて液晶表示パネルを作製したところ、０〜８０℃の温度範囲において１００以上のコントラストを得ることができ、かつ残像も認められなかった。
【００６５】
（実施例２〜４、比較例１〜３）
実施例１における化成液の変わりに、水の割合を以下に示す値とした化成液を用いた他は、実施例１と同様にしてＭＩＭ型非線形素子を作製した。すなわち、実施例２においては、水の割合を５重量％、実施例３においては、水の割合を３重量％、実施例４においては、水の割合を１０重量％、比較例１においては、水の割合を１重量％、および比較例２においては、水の割合を１００重量％、比較例３においては、水の割合を０．１重量％とした。
【００６６】
さらに、得られたＭＩＭ型非線形素子について、実施例１と同様に、β値、絶縁膜の比誘電率、シフト値を求めた。その結果ならびに化成液の含水率およびｐＨを表１に示した。
【００６７】
（実施例５）
実施例１における化成液の変わりに、１０重量％のフタル酸水素アンモニウムおよび５重量％の水を含むエチレングリコール溶液からなる化成液を用いた他は、実施例１と同様にしてＭＩＭ型非線形素子を作製した。
【００６８】
さらに、得られたＭＩＭ型非線形素子について、実施例１と同様に、β値、絶縁膜の比誘電率およびシフト値を求めた。その結果ならびに化成液の含水率およびｐＨを表１に示した。
【００６９】
【表１】

表１から明らかなように、本発明の実施例によれば、いずれも、絶縁膜の比誘電率は小さく、電流−電圧特性の急峻性を示すβ値が充分に大きく、さらに電流−電圧特性の経時変化を示すシフト値が充分に小さいことが確認された。これに対し、比較例１においては、化成液の含水量が少なすぎるため、比誘電率は小さくなるものの、シフト値が大きく電流−電圧特性の経時変化が大きくなることがわかる。比較例２においては、化成液の含水量が多すぎるため、シフト値は小さくなるものの、比誘電率が大きくなることがわかる。また、比較例３においては、含水量が少なすぎるため、β値は大きくなるものの、シフト値が測定できないほど大きくなることがわかる。
【００７０】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＭＩＭ型非線形素子を適用した液晶表示パネルの要部を示す平面図である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図３】本発明のＭＩＭ型非線形素子の他の構成例を示す断面図である。
【図４】本発明の液晶表示パネルの等価回路を示す図である。
【図５】本発明の液晶表示パネルを示す斜視図である。
【図６】本発明の実施例に係るＭＩＭ型非線形素子の印加電圧と電流値との関係を示す図である。
【符号の説明】
１０ 液晶表示パネル
１２ 走査線
１４ データ線
１６ 画素領域
２０ ＭＩＭ型非線形素子
２２ 第１の導電膜
２４ 絶縁膜
２６ 第２の導電膜
３０ 第１の基板
３２ 第２の基板
３４ 画素電極
４０ 液晶表示要素
１００ 走査信号駆動回路
１１０ データ信号駆動回路

Claims (5)

1. （ａ）基板上に、タンタルあるいはタンタル合金からなる第１の導電膜を形成する工程、
   （ｂ）前記第１の導電膜を、有機溶媒としてのエチレングリコール、溶質および水を含み、前記溶質は芳香族カルボン酸塩を含み、かつ、前記水は３〜１０重量％の割合で含まれる非水系化成液中で陽極酸化して、前記第１の導電膜の表面に絶縁膜を形成する工程、
   （ｃ）前記絶縁膜の表面に第２の導電膜を形成する工程、
   を含むことを特徴とする２端子型非線形素子の製造方法。
2. 請求項１において、
   前記芳香族カルボン酸塩は、サリチル酸塩およびフタル酸塩の少なくとも一方であることを特徴とする２端子型非線形素子の製造方法。
3. 請求項２において、
   前記芳香族カルボン酸塩は、サリチル酸アンモニウム、安息香酸アンモニウム、γ−レゾルシン酸アンモニウム、フタル酸水素アンモニウムおよびフタル酸ジアンモニウムからなる群から選ばれる１種以上であることを特徴とする２端子型非線形素子の製造方法。
4. 請求項２において、
   前記芳香族カルボン酸塩は、サリチル酸アンモニウムおよびフタル酸水素アンモニウムからなる群から選ばれる１種以上であることを特徴とする２端子型非線形素子の製造方法。
5. 請求項１ないし請求項４のいずれかにおいて、
   前記非水系化成液は、ｐＨが４〜１２であることを特徴とする２端子型非線形素子の製造方法。

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