JP3303345B2

JP3303345B2 - 液晶表示パネルの製造方法

Info

Publication number: JP3303345B2
Application number: JP21792992A
Authority: JP
Inventors: 孝井上; 隆志居波
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1992-08-17
Filing date: 1992-08-17
Publication date: 2002-07-22
Anticipated expiration: 2017-07-22
Also published as: JPH0667214A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は液晶表示パネルおよびそ
の製造方法に関し、特に、そのＭＩＭ型非線形素子のス
イッチング動作の安定化技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、アクティブマトリクス方式の液
晶表示パネルにおいては、画素領域ごとに非線形素子を
設けてマトリクスアレイを形成した一方側の基板と、カ
ラ−フィルタが形成された他方側の基板との間に液晶を
充填しておき、各画素領域ごとの液晶の配向状態を制御
して、所定の情報を表示する。ここで、非線形素子とし
て薄膜トランジスタなどの３端子素子または金属−絶縁
体−金属（ＭＩＭ）型非線形素子などの２端子素子を用
いるが、液晶表示素子に対する画面の大型化および低コ
スト化などの要求に対応するには、ＭＩＭ型非線形素子
を用いた方式が有利である。しかも、ＭＩＭ型非線形素
子を用いた場合には、マトリクスアレイを形成した一方
側の基板に走査線を設け、他方側の基板には信号線を設
けることができるので、３端子素子の不良の大きな原因
となっている走査線と信号線とのクロスオ−バ−短絡が
発生しないというメリットもある。

【０００３】このようなＭＩＭ型非線形素子を用いたア
クティブマトリクス方式の液晶表示パネルにおいては、
図４に示すように、各画素領域２で各走査線４０１と各
信号線４０２との間にＭＩＭ型非線形素子１（図中、バ
リスタの符号で示す。）と液晶表示素子３（図中、コン
デンサの符号で示す。）が直列接続された構成として表
され、走査線４０１および信号線４０２に印加された信
号に基づいて、液晶表示素子３を表示状態および非表示
状態あるいはその中間状態に切り換えて表示動作を制御
する。

【０００４】図５（ａ）の５０１で示すように、ＭＩＭ
型非線形素子１において、印加電圧Ｖ_NLと電流Ｉ_NLとは
非線形性の関係を有している。ＭＩＭ型非線形素子１の
しきい値電圧をＶ_th、液晶表示素子３のしきい値電圧を
Ｖ_b、表示状態となる電位を（Ｖ_b＋△Ｖ）とすると、図
５（ｂ）に示すように選択期間では、所定の画素領域２
における走査線４０１と信号線４０２との間の電位差Ｖ
（単位画素への印加電圧）を（Ｖ_b＋Ｖ_th）とすること
によって、液晶表示素子３を非表示状態とする事がで
き、走査線４０１と信号線４０２との間の電位差Ｖを
（Ｖ_b＋Ｖ_th＋△Ｖ）とすることによって、液晶表示素
子３を表示状態とする事ができる。一方、非選択期間で
は単位画素に印加する電位Ｖを、液晶表示素子３に残留
した電位に対して概ね近接する様に設定しその差がＶ_th
以下であれば、非選択期間ないでＭＩＭ型非線形素子１
は常に遮断状態となり、選択期間に定められた状態をそ
のまま維持する事になる。

【０００５】以上は、容量が十分小さく、電圧−電流特
性の非線形性が十分高い理想的なＭＩＭ型非線形素子１
を得る事ができた場合の最も基本的な動作例である。実
際には、ＭＩＭ型非線形表示素子１は、液晶表示素子３
に対して容量比が小さい事や電圧−電流特性の不十分な
非線形性などの問題が存在するために、非常に複雑な駆
動法（印加電圧波形）が考案され、使用されている。

【０００６】ＭＩＭ型非線形素子１は、図３に示すとお
り、透明基板１１の表面側に形成されて、走査線４０１
を介して走査回路側に導電接続するＴａ膜１２と、その
表面側のＴａＯ_X膜１３と、その表面側に形成されて画
素電極１４に導電接続するＣｒ膜１５とから構成されて
いる。また、ＴａＯ_X膜１３は、Ｔａ膜１２の表面に膜
厚が均一で、しかもピンホ−ルがない状態で形成される
ように、Ｔａ電極１２に対する陽極酸化によって形成さ
れる。

【０００７】この構造を実現する一般的なプロセス例は
以下のようになる。

【０００８】１．ガラス基板上に、Ｔａ膜をスパッタリ
ングで堆積し、熱酸化をすることで、約１０００ÅのＴ
ａ₂Ｏ₅膜を形成する工程と、２．次に、スパッタリング法でＴａ膜を約５０００Å堆
積し、パタ−ニングする工程と、３．次に、例えば、リン酸の希薄水溶液を化成液とし３
０Ｖで陽極酸化しＴａＯ_Xを形成する工程と、４．次に、真空中で４００〜６００℃の温度で１〜２時
間熱処理する工程と、５．次に、ＭＩＭ型非線形素子の上電極となるＣｒを１
５００Åスパッタリング法で堆積し、パタ−ニングする
工程と、６．次に、画素電極となるＩＴＯ膜をスパッタリング法
で２０００Å堆積し、パタ−ニングする工程からなる。

【０００９】従来は、このＴａ膜１２の表面状態とＭＩ
Ｍ型非線形素子の電圧電流特性の関係は把握されておら
ず、表面状態はまったく制御していなかった。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＭＩＭ
型非線形素子１を用いた液晶表示パネルにおいては、従
来より静止画像などを表示した後に残像が発生しやす
く、表示性能が低いという問題点があった。その原因と
して、本発明ではマトリクスアレイの各構成要素と表示
性能との関係を調査した結果、その原因がＭＩＭ型非線
形素子１を構成するＴａ膜１２の表面状態と関連がある
ことを確認した。

【００１１】すなわち、ＭＩＭ型非線形素子１におい
て、印加電圧Ｖ_NLと電流Ｉ_NLとの関係が、初期状態にお
いて図５（ａ）の５０１で示す関係であったものが、電
圧印加によって経時的に５０２または５０３で示すよう
にシフトしてしまうためである。ここで、印加電圧Ｖ_NL
と電流Ｉ_NLの関係が電圧印加によって経時的にシフトし
た場合には、例えば、表示状態から非表示状態に切り換
えるために、走査線４０１と信号線４０２との電位差Ｖ
を（Ｖ_a＋Ｖ_th＋△Ｖ）から（Ｖ_a＋Ｖ_th）に切り換えて
も、ＭＩＭ型非線形素子１を表示状態から非表示状態に
切換，制御することができなくなって、残像などを発生
させてしまう。また、逆の表示動作の場合も同様であ
る。

【００１２】上記の問題を解決するために、本発明は、
Ｔａ膜１２の表面状態を制御し、Ｔａ膜１２の表面の凹
凸の度合いを最適化し、ＴａＯ_X膜１３を堆積するさい
の陽極酸化電解液を定めることで、ＭＩＭ型非線形素子
１への印加電圧Ｖ_NLと電流Ｉ_NLとの関係を安定化するよ
うに改質をはかることを提案するものである。Ｔａ膜の
表面状態の制御は、Ｔａ膜をエッチングした後にスパッ
タリングに代表される物理的処理を施すことで達成でき
るので、ＭＩＭ型非線形素子１を用いたアクティブマト
リクス方式のコストメリットを確保しながら、表示性能
が向上可能な液晶表示パネルおよびその製造方法を実現
することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明に係わる液晶表示パネルの製造方法におい
て講じた手段は、基板の表面側に形成されたマトリクス
アレイの各画素領域には、その駆動回路側に導電接続す
る第一の金属電極層と、この金属電極層表面に形成され
た陽極酸化膜と、この陽極酸化膜の表面側に形成された
第二の金属電極層とによって構成された金属−絶縁膜−
金属（ＭＩＭ）型非線形素子により形成された液晶表示
パネルの製造方法において、前記陽極酸化膜を形成する
前の第一の金属層の表面の凹凸は、陽極酸化膜の膜厚の
１／３０〜１／３の厚さの範囲となるように、第一の金
属電極層を形成してなることを特徴とする。さらに、前
記陽極酸化膜を形成する前に、前記第一の金属層の表面
を、Ａｒ，Ｋｒ，Ｎｅなどの不活性ガス雰囲気中で高周
波スパッタリングを施すことにより前記第一の金属層の
表面の凹凸を形成し、しかる後に前記第一の金属層を陽
極酸化して絶縁膜を形成することを特徴とする。

【００１４】また、本発明の液晶表示パネルの製造方法
は、第一の金属電極層と、前記第一の金属電極層の表面
に形成された陽極酸化膜と、前記陽極酸化膜の表面側に
形成された第二の金属電極層とによって構成された金属
−絶縁膜−金属型非線形素子を備えた液晶表示パネルの
製造方法において、前記陽極酸化膜を形成する工程の前
に、前記第一の金属電極層に対して、Ａｒ，Ｋｒ，また
は、Ｎｅからなる不活性ガスの雰囲気中でスパッタリン
グを施す工程を含み、しかる後、前記陽極酸化膜を形成
してなることを特徴とする。

【００１５】

【実施例】以下、本発明について、実施例に基づき詳細
に説明する。ここで、マトリクスアレイの構造及び動作
を図１から５を用いて説明する。

【００１６】本例に係わるアクティブマトリクス方式の
液晶表示パネルにおいては、図３および図４に示すよう
に、マトリクスアレイの画素領域２ごとに、走査線２０
１を介して走査回路（駆動回路）側に導電接続するＴａ
膜１２（第一の金属電極層）と、このＴａ膜の表面に陽
極酸化により形成されたＴａＯ_X膜１３（陽極酸化膜）
と、この陽極酸化膜１３の表面側に形成されて、ＩＴＯ
（透明伝導膜）からなる画素電極１４に導電接続するＣ
ｒ膜１５（第二の金属電極層）とによってＭＩＭ型非線
形素子１が構成されている。

【００１７】ここで、Ｔａ膜１２の表面形状は、この凹
凸が陽極酸化膜厚（図２の中では”Ｌ”で表記してあ
る。）の１／３０から１／３の範囲内にあればよい。表
面の凹凸とは、図２に示すように頂上と底の面に垂直方
向の差の１つのＭＩＭ非線形素子内での最大値で定義し
ている。（図２の中では”ｔ”で表記してある。）陽極
酸化膜の１／３０の厚さは通常３０Å以下になるため、
測定には注意する必要がある。つまり、表面の凹凸は、
試料の垂直方向への分解能が０．１Å以下になるような
ＳＴＭ（走査型トンネル顕微鏡）またはＡＦＭ（原子間
力顕微鏡）等の測定装置で求めるべきである。

【００１８】また、図１のＡ領域に表されているような
Ｔａ膜１２のエッチングされた面にＭＩＭ素子を形成す
る場合、前記Ｔａ膜１２のエッチングされた表面は図２
（ｂ）に示すような凹凸の小さな面になって、この凹凸
は陽極酸化膜の厚さの１／３０に満たないことになり、
ＭＩＭ素子の安定性を損ねることがある。このようなと
きには、陽極酸化膜を形成する直前のＴａ膜の表面を、
物理的なエッチングを施すことで問題が解決できる。こ
のときのエッチングの方法は、２０インチ程度の基板で
も均一性が保てるやり方である、Ａｒ，Ｋｒなどの不活
性ガス中でのスパッタリングが最適である。

【００１９】このため、本例のＭＩＭ型非線形素子１に
おいては、詳しくは実験結果に基ずいて後述するが、印
加電圧Ｖ_NLと電流Ｉ_NLとの関係が、初期状態において図
５（ａ）の５０１で示す関係であったものが、たとえ
ば、静止画を表示するために長時間電圧が印加された後
でも、５０１の関係を保持し、図５（ａ）の５０２また
は５０３で示す関係にシフトすることがない。それ故、
走査線４０１および信号線４０２に対してそれぞれ印加
された信号に基ずいて発生する走査線４０１と信号線４
０２との間に生じた電位差によって、液晶表示素子３を
表示状態と非表示状態との間で確実に切り換えて表示動
作を制御することができる。

【００２０】すなわち、図５（ｂ）に示すように、走査
線４０１と信号線４０２との間の電位差Ｖを（Ｖ_b＋Ｖ
_th）とすることによって、液晶表示状態３を非表示状態
とする一方、走査線４０１と信号線４０２との間の電位
差Ｖを（Ｖ_b＋Ｖ_th＋△Ｖ）とすることによって、液晶
表示素子３を表示状態とするときに、ＭＩＭ型非線形素
子１の印加電圧Ｖ_NLと電流Ｉ_NLが使用履歴によってシフ
トすることがないので、走査線４０１および信号線４０
２からの信号の変化に追従して、液晶表示パネルの配向
状態が変化する。それ故、液晶表示パネルに残像などの
発生がなく、その表示品質は高くなる。

【００２１】このような構成の液晶表示パネルの製造方
法を以下に説明する。

【００２２】まず、予め透過率の高いＴａＯ_X膜１１ａ
などを形成した透明基板１１の表面側にＴａ膜１２をス
パッタリングで形成する。スパッタリング法で堆積され
たＴａ膜は表面の凹凸は２５Å前後であり、ＭＩＭ素子
の陽極酸化膜１３の厚さは３００〜６００Åになるの
で、このＴａ膜１２の表面の凹凸は陽極酸化膜の膜厚の
１／３０〜１／３の範囲に必ずはいっている。ここで、
堆積されたＴａ膜の表面の凹凸を２５Å前後にするため
のスパッタリング条件は、スパッタ圧を０．０５〜０．
２Ｐａ，スパッタ温度を１２０℃〜２５０℃，スパッタ
パワ−を１〜３ｋＷ，Ｔａ膜厚を０．２〜１μｍにすれ
ばよい。

【００２３】次に、Ｔａ膜１２をパタ−ニングする。こ
のＴａ膜１２は、走査回路まで延長されて走査線４０１
も構成している。更に、Ｔａ膜１２に陽極酸化を施し
て、その表面層を膜厚約３００〜６００ÅのＴａＯ_X膜
１３とする。ここで、陽極酸化用電解液としては、例え
ばリン酸水溶液を用いるとよい。また、膜厚は陽極酸化
の化成液やパネルの仕様によって変化させる。この後、
ＴａＯ_X膜１３の表面上にＣｒをスパッタリングで形
成、およびパタ−ニングしてＣｒ膜１５を形成し、Ｔａ
膜１２，ＴａＯ_X膜１３，Ｃｒ膜１５からなるＭＩＭ型
非線形素子１を構成する。ここで、画素電極１４につい
ては、図１に示すように、Ｃｒ膜１５の下層側に形成す
る場合は、Ｃｒ膜１５の形成工程の前に形成しておく
が、画素電極１４を形成する工程の順序は、各電極材料
と、それをエッチングするエッチャント種との関係など
によって任意に設定される。

【００２４】ところで、上記の方法でＭＩＭ型非線形素
子１を作製すると素子容量が大きくなり、液晶表示素子
３との容量比がとれなくなり液晶の保持機能が低下する
が、図１のＡ領域に示すように、横方向に素子を作製し
て素子面積を小さくし容量比が大きくなるように作られ
ることもある。この場合は図１のＡ領域に示すように、
ＭＩＭ型非線形素子となるＴａ膜１２の表面は、Ｔａ膜
を成膜後一部エッチングされた面となる。つまり、この
場合のＴａ膜１２の表面の凹凸は、陽極酸化膜１３の膜
厚の１／３０より小さくなることが多く、初期状態では
図５（ａ）の５０１のようになっている特性が、ＭＩＭ
型非線形素子１に長時間の電圧を印加した後では５０２
または５０３の様な特性になってしまう。このときに
は、図６に示すような工程で液晶表示パネルを作製すれ
ばよい。

【００２５】まず、上記に示したようなスパッタリング
の条件でＴａ膜６０１を堆積し、パタ−ニングを行う。
次に、図６（ａ）のように実際のＭＩＭ型非線形素子１
のＴａＯ_X膜の２倍以上の膜厚になるように、陽極酸化
法や熱酸化法を用いてＴａＯ_X膜６０２を形成する。次
に、図６（ｂ）のように、Ｔａ膜６０１をマスクにして
ポジレジスト６０３を裏露光し、次に、側面のＴａＯ_X
膜６０２とＴａ膜６０１の端部の一部をエッチングする
（図６ｃ）。Ｔａ膜６０１の一部がエッチングされるの
は、ＴａＯ_X膜６０２がＴａ膜６０１の側面に残らない
ようにすると、レジスト６０３の後退から必然的であ
る。ここで、ＴａＯ_X膜６０２が作製しようとするＭＩ
Ｍ型非線形素子１のＴａ膜６０１の表面にあると、図１
のＴａＯ_X膜１３の膜厚が制御できなくなり素子の不安
定性を引き起こすので、ＴａＯ_X膜６０２のエッチング
残りは避けなければならないことである。次に、図６
（ｃ）の状態でＡｒに代表される不活性ガスを用いて、
基板の素子側を高周波電源を使い基板が電気的にフロ−
ティングした状態でスパッタリングして基板のエッチン
グを行う。このエッチングはほかにも、イオンビ−ムエ
ッチング法など物理的エッチング法を用いてもよい。次
に、図６（ｄ）のように、Ｔａ膜６０１を陽極酸化し、
ＴａＯ_X膜６０４を形成する。このときの、陽極酸化の
化成液は例えば、リン酸水溶液にするとよい。このあと
は、前に記したようにＣｒなどの上電極と、画素電極と
なるＩＴＯ膜を堆積する。

【００２６】ここでは、Ｔａ膜１２の側面にＭＩＭ型非
線形素子１を形成する方法を述べたが、図３のように膜
の厚さ方向に素子を作製する場合でも、Ｔａ膜１２を分
子線成長法（ＭＢＥ）等で堆積すると、表面の凹凸が陽
極酸化膜の膜厚の１／３０よりも小さくなることがあ
る。このようなときも、Ｔａ膜１２の表面を不活性ガス
を用いたスパッタリング法で基板をエッチングしてから
陽極酸化してＴａＯ_X膜１３を形成すればよい。

【００２７】図６に示した製造方法で作製したＭＩＭ型
非線形素子１は、図１のＡ，Ｂに示すようにＴａＯ_X膜
１３の膜厚の異なった素子が２つ並列に形成されること
になる。ところで、一般的にはＭＩＭ型非線形素子１に
おける印加電圧と電流の関係は、

【００２８】

【数１】

【００２９】のように表される。つまり、ＭＩＭ型非線
形素子に流れる電流は、酸化膜の膜厚が増加すると小さ
くなり、しかも指数関数的に減少する。ＭＩＭ型非線形
素子１でＢ部分のＴａＯ_X膜１３の膜厚は、Ａ部分の２
倍以上（通常は５倍程度）になるためにＢ部分に流れる
電流密度は、Ａ部分よりも１桁以上小さくなる。また、
Ａ，Ｂ部分の面積は、Ｔａ膜１２のテ−パを十分につけ
て、現在得られる最小線幅４μｍのアライメントの技術
を利用すれば、Ａ部分の面積はＢ部分の面積よりも小さ
くすることは可能である。従って、Ａ部分に比してＢ部
分流れる電流は、１桁以上小さくなり、実質的にＭＩＭ
型非線形素子１はＡ部分からなっていると考えて差し支
えない。

【００３０】Ｔａ膜１２の表面の状態とＭＩＭ型非線形
素子１のＶ_thの安定性との関係を検討した結果を説明す
る。一般に、ＭＩＭ型非線形素子における印加電圧と電
流の関係は数１のように表される。従って、ｌｏｇ（Ｉ
／Ｖ）をＶ^1/2に対してプロットすると直線で表され
る。本例における検討では、前記のプロットで直線上に
あるように、Ｖ_thを１ｍＡ／ｃｍ²の電流値が流れると
きの印加電圧値と定め、ＭＩＭ型非線形素子１のＶ_th安
定性を評価した。すなわち、所定の電流値に対応する印
加電圧値Ｖ_thは、従来のＭＩＭ型非線形素子においては
電圧を印加した時間と、Ｖ_thがシフトする電圧△Ｖ_thと
の間には図７に示すような関係があり、表示の安定性を
低下させる原因となることが確認されているので、ここ
では、従来および本例のＭＩＭ型非線形素子に対して、
同一の電圧を印加し、所定時間が経過した後の△Ｖ_thを
比較した。従って、△Ｖ_thの値が小さな方が好ましい。

【００３１】Ｔａ膜１２表面の凹凸と△Ｖ_thとの関係
は、凹凸が陽極酸化膜したＴａＯ_X膜１３の１／３０〜
１／３の範囲内であれば、△Ｖ_thは約０．２Ｖで一定と
なり変化しなくなる。ところが、Ｔａ膜１２の凹凸がＴ
ａＯ_X膜１３の１／３０以下になれば、凹凸が小さくな
るに従って△Ｖ_thは増加していく。表面の凹凸が前記の
ように小さい場合は、基板の素子側を不活性ガス雰囲気
中でスパッタリングすると、△Ｖ_thは０．２Ｖ程度まで
小さくなる。このときのスパッタリングの条件は、高周
波電源の出力が３００Ｗ程度で５分程行えば良い。ま
た、Ｔａ膜１２の凹凸がＴａＯ_X膜１３の１／３以上に
なれば、第一の金属電極層と第二の金属電極層が、電界
集中によって短絡してしまい非線形素子となりえなくな
る。このときの陽極酸化の化成液はリン酸のときの例で
あり、クエン酸を用いると△Ｖ_thは大きくなる。この傾
向については、電圧を第一の金属層に対して第二の金属
層を正にかけようが負にかけようがかわりはない。

【００３２】このように、本例の液晶表示パネルにおい
ては、マトリクスアレイを構成するＭＩＭ型非線形素子
１のＴａ膜１２の表面状態を制御することでＭＩＭ型非
線形素子１のＶ_thの経時的なシフトを抑制して、そのス
イッチング動作の安定化を図っている。その結果、液晶
表示パネルにおいて、固定パタ−ンを長時間表示させて
も、残像，フリッカ−などの発生がなく品質の高い表示
が可能である。

【００３３】

【発明の効果】以上のとうり本発明において、ＭＩＭ型
非線形素子の第一の金属層をなすＴａ膜の表面の凹凸を
陽極酸化膜の膜厚の１／３０〜１／３にすることに特徴
を有しており以下の効果がある。また、Ｔａ膜の表面の
凹凸が陽極酸化膜の膜厚の１／３０以下であるならば、
基板の素子側を不活性ガス雰囲気でスパッタリングする
と以下の効果がある。

【００３４】ＭＩＭ型非線形素子の印加電圧と電流との
関係が、電圧印加時において経時的に変化しにくくなる
ので、駆動信号の変化に液晶の配向状態の変化が確実に
追従する。それ故、液晶表示パネルに固定パタ−ンを表
示させた後においても残像が生じないなど、表示品質を
向上させることができる。このときの陽極酸化膜の形成
工程における陽極酸化用化成液はリン酸化成液を用いる
のがよい。

【００３５】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の液晶表示パネルのマトリックスアレ
イを構成するＭＩＭ型非線形素子の構造を示す断面図。

【図２】第一金属電極層のＴａ膜の表面状態図。

【図３】従来の液晶表示パネルののマトリクスアレイ
を構成するＭＩＭ型非線形素子の構造を示す断面図。

【図４】アクティブマトリクス方式の液晶表示パネル
の等価回路図。

【図５】（ａ）は液晶表示パネルのマトリクスアレイ
を構成するＭＩＭ型非線形素子の印加電圧と電流との関
係図。（ｂ）は単位画素への印加電圧と表示の明るさと
の関係を示す関係図。

【図６】第一の金属電極層であるＴａ膜の側面にＭＩ
Ｍ型非線形素子を作るときの工程図。

【図７】ＭＩＭ型非線形素子に対して電圧を印加した
時間と、そのＶ_thがシフトした値との関係図。

【符号の説明】

１ＭＩＭ型非線形素子２画素領域３液晶表示素子１１透明基板１１ａＴａＯ_X膜１２、６０１Ｔａ膜（第一の金属電極層）１３、６０４ＴａＯ_X膜（陽極酸化膜）１４画素電極１５Ｃｒ膜（第二の金属電極層）４０１走査線４０２信号線６０２ＴａＯ_X膜６０３ポジレジスト

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】基板の表面側に形成されたマトリクスアレ
イの各画素領域には、その駆動回路側に導電接続する第
一の金属電極層と、この金属電極層表面に形成された陽
極酸化膜と、この陽極酸化膜の表面側に形成された第二
の金属電極層とによって構成された金属−絶縁膜−金属
（ＭＩＭ）型非線形素子により形成された液晶表示パネ
ルの製造方法において、前記陽極酸化膜を形成する前の
第一の金属層の表面の凹凸は、陽極酸化膜の膜厚の１／
３０〜１／３の厚さの範囲となるように、第一の金属電
極層を形成してなることを特徴とする液晶表示パネルの
製造方法。
【請求項２】前記陽極酸化膜を形成する前に、前記第一
の金属層の表面を、Ａｒ，Ｋｒ，Ｎｅなどの不活性ガス
雰囲気中で高周波スパッタリングを施すことにより前記
第一の金属層の表面の凹凸を形成し、しかる後に前記第
一の金属層を陽極酸化して絶縁膜を形成することを特徴
とする請求項１記載の液晶表示パネルの製造方法。