JP2734428B2 - 液晶装置及びその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、非線形素子を備え
た液晶装置及びその製造方法に関し、特に、その非線形
素子のスイッチング動作の安定化技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】アクティブマトリクス方式の液晶装置に
おいては、画素領域毎にアクティブ素子を設けてマトリ
ックスアレイを形成した一方側の基板と、カラーフィル
タが形成された他方側の基板との間に液晶を充填してお
き、各画素領域毎の液晶の配向状態を制御して、所定の
情報を表示する。ここで、アクティブ素子として、ＴＦ
Ｔなどの３端子素子、あるいは２端子素子を用いるが、
液晶装置に対する画面の大型化および低コスト化などの
要求に対応するには、２端子素子を用いた方式が有利で
ある。しかも、２端子素子を用いた場合には、マトリッ
クスアレイを形成した一方側の基板に走査線を設け、他
方側の基板にデータ線を設けることができるので、走査
線とデータ線とのクロスオーバー短絡が発生しないとい
うメリットもある。

【０００３】このような２端子素子を用いたアクティブ
マトリクス方式の液晶装置においては、図２に示すよう
に、各画素領域１ａで各走査線１１と各データ線１２と
の間に非線形素子２（図中、バリスタの符号で示す。）
と液晶表示素子３（図中、コンデンサの符号で示す。）
が直列接続された構成として表され、走査線１１および
データ線１２に印加された信号に基づいて、液晶表示素
子３を選択状態（表示状態）および非選択状態（非表示
状態）に切り換えて表示動作を制御する。すなわち、図
３（ａ）に実線３１で示すように、非線形素子２におい
て、印加電圧Ｖ_NLと電流Ｉ_NLとは非線形性の関係を有し
ているため、非線形素子２のスレッショルド電圧を
Ｖ_th、液晶表示素子３が非表示状態となる電位をＶ_a ，
表示状態となる電位を（Ｖ_a ＋ΔＶ）として、図３
（ｂ）に示すように、所定の画素領域１ａにおける走査
線１１とデータ線１２との間の電位差Ｖ（単位画素への
印加電圧）を（Ｖ_a ＋Ｖ_th）とすることによって、非線
形素子２を遮断状態として、液晶表示素子３を非選択状
態とする一方、走査線１１とデータ線１２との間の電位
差Ｖを（Ｖ_a ＋Ｖ_th＋ΔＶ）とすることによって、非線
形素子２を導通状態として、液晶表示素子３を選択状態
とする。

【０００４】この非線形素子２は、図５に示すように、
透明基板５１の表面側に形成されて、走査線１１を介し
て走査回路（駆動回路）側に導電接続するＴａ電極層５
２と、その表面側のＴａ₂ Ｏ₅ 膜５３と、その表面側に
形成されたＩＴＯからなる画素電極５４とから構成され
たダイーオード型の非線形素子５０である。ここで、Ｔ
ａ₂ Ｏ₅ 膜５３は、Ｔａ電極層５２の表面に膜厚さが均
一で、しかもピンホールがない状態で形成されるよう
に、Ｔａ電極層５２に対する陽極酸化によって形成さ
れ、その陽極酸化用の電解液としては、クエン酸の水溶
液が用いられている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、非線形
素子５０を用いた液晶装置においては、従来より、静止
画像などを表示した後に残像が発生しやすく、表示性能
が低いという問題点があった。その原因は、マトリック
スアレイの各構成要素と表示性能との関係を調査した結
果、非線形素子５０の電流−電圧特性が経時的に変化し
てしまうためであることが判った。

【０００６】すなわち、非線形素子５０において、印加
電圧Ｖ_NLと電流Ｉ_NLとの関係が、初期状態において図３
（ａ）に実線３１で示す関係であったものが、経時的
に、破線３２または一点鎖線３３で示すようにシフトし
てしまうためである。ここで、印加電圧Ｖ_NLと電流Ｉ_NL
との関係がシフトした場合には、たとえば、表示状態か
ら非表示状態に切り換えるため、走査線１１とデータ線
１２との電位差Ｖを（Ｖ_a ＋Ｖ_th＋ΔＶ）から（Ｖ_a ＋
Ｖ_th）に切り換えても、非線形素子５０を導通状態から
遮断状態に切換、制御することができなくなって、残像
などを発生させてしまう。また、逆の表示動作の場合も
同様である。

【０００７】このような問題点を解消するために、従来
の陽極酸化条件のうち、陽極酸化における電流密度や液
温度を変えて、さらには他の有機酸を用いてＴａ₂ Ｏ₅
膜を形成し、各非線形素子における電流−電圧特性の経
時的安定性を検討したが、いずれのＴａ₂ Ｏ₅ 膜におい
ても、その安定性を向上させるには至らなかった。

【０００８】そこで以上の問題点に鑑みて、本発明の課
題は、２端子非線形素子を用いたコストメリットを確保
しながら、その電流−電圧特性が経時的に安定な非線形
素子を備えた液晶装置及びその製造方法を提供すること
にある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、一対の基板間に液晶が挟持され、一方の
前記基板上には第１導電層−絶縁層−第２導電層型の非
線形素子が形成されてなる液晶装置において、前記絶縁
層は前記第１導電層の陽極酸化膜であり、前記陽極酸化
膜中には五族元素を組成に含むドーピング材が含まれて
なることを特徴とする。ここで、前記五族元素としては
リンを採用することができる。

【００１０】更に、本発明は、一対の基板間に液晶が挟
持され、一方の前記基板上には第１導電層−絶縁層−第
２導電層型の非線形素子が形成されてなる液晶装置の製
造方法であって、前記第１導電層を陽極酸化して前記絶
縁層を形成する工程において、五族元素を組成に含むア
ニオン種を配合した電解液を用いることを特徴とする。
ここで、前記五族元素はリンを用いることができ、特
に、電解液としては、オルトリン酸水溶液を用いると良
い。

【００１１】

【作用】本発明の上記構成によれば、図３に示す非線形
素子の電流−電圧特性が従来のように経時的にシフトし
てしまうことがなく、表示品質の持続を図ることができ
る。これは、非線形素子の陽極酸化工程においてドープ
するリンなどの五族元素を組成に含むリン酸アニオンな
どのドーピング材が、陽極酸化膜の粒界の安定化、結晶
性などに影響を及ぼしているためであると推定できる。

【００１２】また、本発明の製造方法では、陽極酸化膜
中へのドープが陽極酸化工程で同時並行処理されるの
で、新たな工程の追加が無く、２端子非線形素子を用い
たコストメリットを損なうことがない。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて説明する。

【００１４】図１は、本発明に係る液晶装置の非線形素
子の一例を示す断面図である。なお、この図に示された
非線形素子を用いた液晶装置の動作原理は、従来のもの
と同様であるため、その動作特性などについては図２お
よび図３を参照して説明する。

【００１５】図２に示すように、マトリックスアレイの
画素領域１ａ毎に、走査線１１を介した走査回路（駆動
回路）側に導電接続する非線形素子２が設けられてい
る。ここで、非線形素子２は、図１に示すように、Ｔａ
電極層２２（第１の導電層）と、このＴａ電極層２２の
表面に陽極酸化により形成されたＴａ₂ Ｏ₅ 膜２３（陽
極酸化膜）と、ＩＴＯからなる画素電極２４に導電接続
するＣｒ電極層２５（第２の導電層）とから構成されて
いる。ここで、Ｔａ₂ Ｏ₅ 膜２３の内部には、五族元素
を組成に含むドーピング材としてリン酸アニオンがドー
ピングされている。このため、本例の非線形素子２０に
おいては、詳しくは実験結果に基づいて後述するが、電
流−電圧特性が初期状態において図３（ａ）に実線３１
で示す関係であったものが、たとえば、静止画を表示す
るために長時間電圧が印加された後でも、実線３１の関
係を保持し、図３（ａ）に破線３２または一点鎖線３３
で示す関係にシフトすることがない。

【００１６】そして、その安定性は極めて高い。それ
故、走査線１１およびデータ線１２に対してそれぞれ印
加された信号に基づいて走査線１１とデータ線１２との
間に発生させた電位差によって、液晶表示素子３を選択
状態と非選択遮断状態との間で確実に切り換えて表示動
作を制御することができる。すなわち、図３（ｂ）に示
すように、走査線１１とデータ線１２との間の電位差Ｖ
を（Ｖ_b ＋Ｖ_th）とすることによって、非線形素子２０
を遮断状態として、液晶表示素子３を非表示状態（非選
択状態）とする一方、走査線１１とデータ線１２との間
の電位差Ｖを（Ｖ_b＋Ｖ_th＋ΔＶ）とすることによっ
て、非線形素子２０を導通状態として、液晶表示素子３
を表示状態（選択状態）とするときに、非線形素子２０
の電流−電圧特性が極めてシフトし難いので、走査線１
１およびデータ線１２からの信号の変化に追従して、液
晶装置の液晶の配向状態が変化する。それ故、液晶装置
に残像などの発生がなく、その表示品質が高い。

【００１７】このような構成の液晶装置の製造方法を、
以下に説明する。

【００１８】まず、予めＴａ酸化物層２１ａなどを形成
した透明基板２１の表面側にＴａ層をスパッタ形成した
後、Ｔａ層をパターニングしてＴａ電極層２２を形成す
る。

【００１９】このＴａ電極層２２は、走査回路まで延長
されて走査線１１も構成している。

【００２０】つぎに、Ｔａ電極層２２に陽極酸化を施し
て、その表面層をＴａ₂ Ｏ₅ 膜２３とする。ここで、陽
極酸化用電解液として、オルトリン酸の水溶液を用い
る。まず、陽極酸化用電解液の中に、Ｔａ電極層２２を
形成した透明基板２１を浸漬し、定電流定電圧電源の電
流値を、初期電流密度が０．１ｍＡ／ｃｍ² となるよう
に設定して、定電流条件下で陽極酸化を行う。このとき
の定電流定電圧電源の設定電圧は、所定の膜厚に対応し
た電圧値、通常は３０〜４０Ｖに設定してある。

【００２１】ここで、定電流条件下で約１５分間、陽極
酸化を行うと、Ｔａ₂ Ｏ₅ 膜の成長にともなって電源電
圧が上昇していき、電源電圧が設定電圧に達した後は、
定電圧陽極酸化過程となって、漏れ電流が減衰してい
く。この状態で、約２時間保持して、Ｔａ電極層２２の
表面上に厚さが５００ÅのＴａ₂ Ｏ₅ 膜２３を形成す
る。

【００２２】なお、陽極酸化用電解液の液温度は常温で
ある。

【００２３】しかる後に、Ｔａ₂ Ｏ₅ 膜２３の表面上に
Ｃｒをスパッタ形成、およびパターニングしてＣｒ電極
層２５を形成し、Ｔａ電極層２２，Ｔａ₂ Ｏ₅ 膜２３お
よびＣｒ電極層２５からなる非線形素子２０を構成す
る。ここで、画素電極２４については、図１に示すよう
に、Ｃｒ電極層２５の下層側に形成する場合は、Ｃｒ電
極層２５の形成工程の前に形成しておくが、画素電極２
４を形成する工程の工程順序は、各電極材料と、それを
エッチングするエッチャント種との関係などによって任
意に設定される。

【００２４】このような陽極酸化工程により形成された
非線形素子２０においては、陽極酸化用電解液中にオル
トリン酸がアニオン種として配合されているため、陽極
酸化過程において、Ｔａ₂ Ｏ₅ の成長と共に、オルトリ
ン酸アニオンがＴａ₂ Ｏ₅ 膜２３の内部に侵入してい
く。この侵入過程は、オルトリン酸アニオンのイオン半
径がクエン酸アニオンなどに比較して小さいことに因る
ものと想定できる。また、その侵入は、Ｔａ₂ Ｏ₅ 膜２
３の粒界の安定化、または結晶性などに影響を及ぼして
いるものと推定できる。このため、Ｔａ₂ Ｏ₅ 膜２３を
改質するために、イオン注入などのプロセスを用いなく
とも、Ｔａ₂ Ｏ₅ 膜２３の形成工程を援用して、リン酸
アニオンのドーピングを行なえる。従って、工程数が増
えることがないので、液晶装置のマトリックスアレイに
非線形素子２０を用いたコストメリットが犠牲になるこ
とがない。

【００２５】ここで、陽極酸化条件のうち、陽極酸化用
電解液の液組成（オルトリン酸濃度）を変化させて、非
線形素子の電流−電圧特性を検討した結果を説明する。

【００２６】非線形素子における印加電圧と電流との関
係は、一般に下式で表される。 Ｉ＝αＶｅｘｐ（β・Ｖ^1/2 ） 但し、式中、αは導電係数、βは非線形係数であり、下
式で表される。 α＝（ｎμｑ／ｄ）ｅｘｐ（−φ／ｋＴ） β＝（１／ｋＴ）（ｑ³ ／πε₁ ε₀ ｄ）^1/2 但し、式中、ｎ：キャリア密度，μ：キャリヤの移動
度，ｑ：電子の電荷量 ｄ：膜厚，φ：トラップ深さ，ｋ：ボルツマン定数，
Ｔ：周囲温度 ε₁ ，ε₀ ：誘電率 従って、ｌｏｇ（Ｉ／Ｖ）をＶ^1/2 に対してプロットす
ると、図４（ａ）に実線４１で示すように略直線で表さ
れる。本例における検討においては、ある所定の電流が
流れるときの印加電圧Ｖ_NLの経時的な変化を見ることに
より、電流−電圧特性の安定性を評価した。Ｖ_NLとし
て、１００ｍＡ／ｃｍ² の電流が流れるときの印加電圧
値Ｖ_NL1 、１０μＡ／ｃｍ² の電流が流れるときの印加
電圧値Ｖ_{NL 2} を採用した。前述したように、従来の非線
形素子においては、所定の電流値に対応する印加電圧値
Ｖ_NLが経時的に変化してしまい、表示品質を低下させる
原因となっていた。すなわち、従来の非線形素子におい
て、電位を印加した時間とＶ_NLの変化ΔＶ_NLとは、図４
（ｂ）に実線４２で示すような関係であった。表示品質
を向上させるためには、ΔＶ_NLの値が小さな方が好まし
い。

【００２７】以下に、Ｈ₃ ＰＯ₄ ・Ｈ₂ Ｏで表される８
５ｗｔ％のオルトリン酸に対して、所定量の水を添加し
て種々の陽極酸化用電解液を調製し、そのオルトリン酸
濃度を変えて、非線形素子２０の電流−電圧特性の安定
性を検討した結果を説明する。

【００２８】（陽極酸化用電解液組成と初期のＶ_NLとの
関係）まず、陽極用電解液の組成として〔Ｈ₃ ＰＯ₄ ・
Ｈ₂ Ｏ〕／〔Ｈ₃ ＰＯ₄ ・Ｈ₂ Ｏ＋Ｈ₂ Ｏ〕ｖｏｌ％の
値を変えて、非線形素子２０を形成し、陽極酸化用電解
液の組成と、各非線形素子２０の初期におけるＶ_NL1 ま
たはＶ_NL2 との関係を表１に示す。なお、表１には、Ｔ
ａ電極層２２をＣｒ電極層２５に対して正の電位とした
場合と、Ｔａ電極層２２をＴａ電極層２２に対して負の
電位とした場合のそれぞれについて、陽極酸化用電解液
の組成と、Ｖ_NL1 ，Ｖ_NL2 との関係を示す。

【００２９】

【表１】

【００３０】表１に示すように、陽極用電解液中のＨ₃
ＰＯ₄ 濃度を高めていくと、それにつれて、Ｖ_NL1 およ
びＶ_NL2 はいずれも低下していく傾向を示す。この傾向
は、電位をいずれの方向から印加しても同様である。従
って、本例の非線形素子２０においては、同じ電流を流
すのに低電圧で充分であることを利用して、以下のよう
に表示動作を向上させることもできる。たとえば、本例
のＴａ₂ Ｏ₅ 膜２３においては、その膜厚を従来のクエ
ン酸水溶液中で形成したＴａ₂ Ｏ₅ 膜の膜厚と同じにし
ても、Ｖ_NL1 およびＶ_NL2 の値が小さいので、駆動電圧
の低電圧化が図られることを示す。逆に、本例の非線形
素子２０のＶ_NL1 およびＶ_NL2 の値を、従来の非線形素
子のＶ_NL1 およびＶ_NL2 の値と同じにした場合には、Ｔ
ａ₂ Ｏ₅膜２３の膜厚を例えば１０００Å位まで厚くで
きる。従って、ミクロ的なピンホールの発生を防止でき
ると共に、このＴａ₂ Ｏ₅ 膜２３の容量成分を小さくす
ることができるので、表示の点欠陥やクロストークなど
を防止でき、初期的な表示の品質を向上させることがで
きる。

【００３１】（陽極酸化用電解液組成とＶ_NLがシフトし
た値との関係）つぎに、上記の検討に用いた非線形素子
２０について、Ｖ_NL2 の経時変化について調査した。こ
の検討においては、まず、初期のＶ_NL2 を計測した後、
６ＶＤＣを３００秒間印加し続けた後のＶ_NL2 を計測し
て、両者の差ΔＶ_NL2 を求め、その大小を比較した。こ
の検討において得られた陽極用電解液におけるＨ₃ ＰＯ
₄ 濃度としての〔Ｈ₃ ＰＯ₄ ・Ｈ₂ Ｏ〕／〔Ｈ₃ ＰＯ₄
・Ｈ₂ Ｏ＋Ｈ₂ Ｏ〕ｖｏｌ％と、ΔＶ_NL2 との関係を表
２に示す。なお、表２においても、Ｔａ電極層２２をＣ
ｒ電極層２５に対して正の電位とした場合、Ｔａ電極層
２２をＣｒ電極層２５に対して負の電位とした場合のそ
れぞれについて示す。

【００３２】

【表２】

【００３３】表２に示すように、陽極用電解液中のＨ₃
ＰＯ₄ 濃度を高めていくと、それにつれて、ΔＶ_NL2 は
低下していく。この傾向は、電位をいずれの方向から印
加しても同様である。

【００３４】このように、本例の液晶表示パネルにおい
ては、マトリックスアレイを構成する非線形素子２０の
Ｔａ₂ Ｏ₅ 膜２３の形成にあたって、その陽極酸化用電
解液にオルトリン酸の水溶液を用いることによって、Ｖ
_NLの経時的なシフトを抑制して、そのスイッチング動作
の安定化を図ることができる。従って、走査線１１とデ
ータ線１２との間に生じる電位差Ｖの変化に対し、液晶
装置に用いた液晶の配向状態の変化が追従する。その結
果、液晶装置において、固定パターンを長期間表示させ
ても、残像、フリッカーなどの発生がなく、品質の高い
表示が可能である。

【００３５】ここで、オルトリン酸アニオンがＴａ₂ Ｏ
₅ 膜２３の内部に侵入していくプロセスについては、ク
エン酸アニオンに比較して、オルトリン酸アニオンのイ
オン半径が小さいことに起因して、電位勾配に従って酸
化膜内部に侵入していくと想定できる。また、侵入した
リンまたはオルトリン酸アニオンの効果についても、繰
り返し行った実験の結果から導き出されたものであるた
め、そのメカニズムは解明されるに至っていないが、た
とえばＴａ₂ Ｏ₅ 膜２３の粒界の安定化との関係、また
はＴａ₂ Ｏ₅ 膜２３の結晶化との関係に影響しているも
のとも考えられる。従って、ドーピング材、すなわち陽
極酸化用電解液に配合して効果を得られるアニオンとし
ては、オルトリン酸アニオンに限らず、砒素酸アニオ
ン，アンチモン酸アニオンまたはビスマス酸アニオンな
どであってもよいと想定できる。また、これらのアニオ
ン種を単独で用いてもよいが、複数のアニオン種を同時
に用いてもよいし、アンモニアなど、他の成分と共に陽
極酸化用電解液に配合しておいてもよい。

【００３６】なお、本例において、リン酸系陽極酸化用
電解液の組成とＶ_NLの関係は、表２に示した関係に限ら
ず、そのときの電流密度や液温度などによって変化す
る。従って、表２では、〔Ｈ₃ ＰＯ₄ ・Ｈ₂ Ｏ〕／〔Ｈ
₃ ＰＯ₄ ・Ｈ₂ Ｏ＋Ｈ₂ Ｏ〕ｖｏｌ％が約０．２１５ｖ
ｏｌ％以上、とくに約１．０ｖｏｌ％以上で顕著な効果
が得られているが、陽極酸化時の電流密度を高めた場合
などにおいては、さらにその効果を発揮する領域が拡大
される傾向がある。従って、組成の濃度的な条件につい
ては、その電流密度や液温度などによって最適な条件に
設定される。

【００３７】また、本例において、第２の導電層にはク
ロム層を利用したが、これに限らず、チタン層やアルミ
ニウム層なども利用でき、限定のないものである。

【００３８】さらに、第１の導電層にはタンタル層を利
用したが、これに限らず、陽極酸化処理を利用して絶縁
層を形成でき、しかも、非線型素子を形成可能な導電体
であれば他の導電体であってもよい。

【００３９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の液晶装置
は、第１導電層−絶縁層−第２導電層型の非線形素子の
絶縁層が第１導電層の陽極酸化膜であり、この陽極酸化
膜中に五族元素を組成に含むドーピング材が含ませてな
ることにより、電流−電圧特性が経時的に安定であり、
表示性能が高いという効果を有するものである。また、
低電圧駆動が可能となるので、陽極酸化膜の膜厚の拡大
を図ることができ、ミクロ的なピンホールの発生の防止
や、容量成分の低減による表示の点欠陥，クロストーク
などの防止に寄与する。

【００４０】更に、本発明の液晶装置の製造方法によれ
ば、この第１導電層を陽極酸化して絶縁層を形成する工
程において、五族元素を組成に含むアニオン種を配合し
た電解液を用いることにより、陽極酸化膜中に五族元素
を組成に含むドーピング材を含ませることが可能とな
り、電流−電圧特性の経時的安定性が格段に向上して表
示性能が高い液晶装置を提供することができる。また、
陽極酸化膜中へのドーピングが陽極酸化工程で同時並行
処理されるので、新たな工程の追加が無く、２端子非線
形素子を用いたコストメリットを損なうことがない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る非線形素子の構造を示す断面図で
ある。

【図２】アクティブマトリックス方式の液晶装置の等価
回路図である。

【図３】（ａ）は液晶装置のマトリックスアレイを構成
する非線形素子の電流−電圧特性を示すグラフ図、
（ｂ）は単位画素への印加電圧と表示の明るさとの関係
を示すグラフ図である。

【図４】（ａ）は液晶装置のマトリックスアレイを構成
する非線形素子の電流−電圧特性として、Ｖ^1/2 に対し
てｌｏｇ（Ｉ／Ｖ）をプロットしたグラフ図、（ｂ）は
非線形素子に対して電位を印加した時間と、そのＶ_NLが
シフトした値ΔＶ_NLとの関係を示すグラフ図である。

【図５】従来のダイオード型の非線形素子の断面図であ
る。

【符号の説明】

１・・・液晶装置 １ａ・・・画素領域 ２・・・非線形素子 ３・・・液晶表示素子 １１・・・走査線 １２・・・データ線 ２０・・・非線形素子 ２１，５１・・・透明基板 ２２，５２・・・Ｔａ電極層（第１の導電層） ２３，５３・・・Ｔａ₂ Ｏ₅ 膜（陽極酸化膜） ２４，５４・・・画素電極 ２５・・・Ｃｒ電極層（第２の導電層） ５０・・・ダイオード型の非線形素子

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一対の基板間に液晶が挟持され、一方の
   前記基板上には第１導電層−絶縁層−第２導電層型の非
   線形素子が形成されてなる液晶装置において、 前記絶縁層は前記第１導電層の陽極酸化膜であり、前記
   陽極酸化膜中には五族元素を組成に含むドーピング材が
   含まれてなることを特徴とする液晶装置。
2. 【請求項２】 前記五族元素はリンであることを特徴と
   する請求項１記載の液晶装置。
3. 【請求項３】 一対の基板間に液晶が挟持され、一方の
   前記基板上には第１導電層−絶縁層−第２導電層型の非
   線形素子が形成されてなる液晶装置の製造方法であっ
   て、 前記第１導電層を陽極酸化して前記絶縁層を形成する工
   程において、五族元素を組成に含むアニオン種を配合し
   た電解液を用いることを特徴とする液晶装置の製造方
   法。
4. 【請求項４】 前記五族元素はリンであることを特徴と
   する請求項３記載の液晶装置の製造方法。
5. 【請求項５】 前記電解液は、オルトリン酸水溶液であ
   ることを特徴とする請求項３記載の液晶装置の製造方
   法。