JPH0342632A - アクティブマトリクス液晶表示パネルの製造方法 - Google Patents
アクティブマトリクス液晶表示パネルの製造方法Info
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- JPH0342632A JPH0342632A JP1177044A JP17704489A JPH0342632A JP H0342632 A JPH0342632 A JP H0342632A JP 1177044 A JP1177044 A JP 1177044A JP 17704489 A JP17704489 A JP 17704489A JP H0342632 A JPH0342632 A JP H0342632A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、下部電極−非線形抵抗膜−上部電極よりなる
構造、いわゆるＭＩＭ（金属−絶縁膜金属）素子構造よ
りなる非線形抵抗素子を基板上に形成したアクティブマ
トリクス液晶表示パネルの製造方法に関する。
構造、いわゆるＭＩＭ（金属−絶縁膜金属）素子構造よ
りなる非線形抵抗素子を基板上に形成したアクティブマ
トリクス液晶表示パネルの製造方法に関する。
近年液晶パネルを用いた表示装置は、大容量の一途をた
どっているが、単純マトリックス構成の表示装置にマル
チプレックス駆動を用いる方式は、高時分割化するに従
ってコントラストの低下を生じ、２００本程鹿の走査線
を有する場合では、十分なコントラストを得ることが難
しくなってくる。
どっているが、単純マトリックス構成の表示装置にマル
チプレックス駆動を用いる方式は、高時分割化するに従
ってコントラストの低下を生じ、２００本程鹿の走査線
を有する場合では、十分なコントラストを得ることが難
しくなってくる。
そこで、このような欠点を除去するために、個々の画素
にスイッチング素子をもうけたアクティブマトリクス液
晶表示パネルが採用されてきた。
にスイッチング素子をもうけたアクティブマトリクス液
晶表示パネルが採用されてきた。
このアクティブマトリクス液晶パネルの方式には大別す
ると薄膜トランジスタを用いる三端子系と非線形素子を
用いる二端子系とが有るが、構造、製造工程が簡単な点
で二端子系がすぐれている。
ると薄膜トランジスタを用いる三端子系と非線形素子を
用いる二端子系とが有るが、構造、製造工程が簡単な点
で二端子系がすぐれている。
また、二端子系にはダイオード型、バリスタ型、ＭＩＭ
型等が開発されているがＭＩＭ型は特に構造が簡単で製
造工程が短い特徴がある。
型等が開発されているがＭＩＭ型は特に構造が簡単で製
造工程が短い特徴がある。
第３図はＭＩＭ素子の構造の一例であり、第３図（ａ）
は、第３図（ｂ）の平面図におげろ入−Ａの線で切断し
た断面図である。このＭＩＭ素子について製造工程に従
って説明すると、まず、ガラス基板１上にＴａ膜をスパ
ッタリング法で形成し、フォトエツチング法によりＴａ
膜をパターンニングし、これにより、配線６とＭＩＭの
下部電極４とをＴａ膜で形成する。次に、Ｔａ膜を陽極
酸化法により化成し、酸化層からなる非線形抵抗膜５を
形成する。更に、ＭＩＭの上部電極７としてＣｒ等をス
パッタリング法で形成し、フォトエツチング法によりパ
ターンニングすることでＭＩＭ素子を形成し、最後にＩ
Ｔ Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）膜から
なる液晶駆動用電極８を形成する。ところで、この構造
のＭＩＭ素子の製造には、下部電極２としてのＴａ膜、
上部電極７としてのＣｒ膜、液晶駆動用電極８としての
ＩＴＯ膜の各工程に１枚ずつ合計３枚のマスクを必要と
する。こうした基本的な製造技術は例えば特開昭５５−
１６１２７３号公報に開示されている。
は、第３図（ｂ）の平面図におげろ入−Ａの線で切断し
た断面図である。このＭＩＭ素子について製造工程に従
って説明すると、まず、ガラス基板１上にＴａ膜をスパ
ッタリング法で形成し、フォトエツチング法によりＴａ
膜をパターンニングし、これにより、配線６とＭＩＭの
下部電極４とをＴａ膜で形成する。次に、Ｔａ膜を陽極
酸化法により化成し、酸化層からなる非線形抵抗膜５を
形成する。更に、ＭＩＭの上部電極７としてＣｒ等をス
パッタリング法で形成し、フォトエツチング法によりパ
ターンニングすることでＭＩＭ素子を形成し、最後にＩ
Ｔ Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）膜から
なる液晶駆動用電極８を形成する。ところで、この構造
のＭＩＭ素子の製造には、下部電極２としてのＴａ膜、
上部電極７としてのＣｒ膜、液晶駆動用電極８としての
ＩＴＯ膜の各工程に１枚ずつ合計３枚のマスクを必要と
する。こうした基本的な製造技術は例えば特開昭５５−
１６１２７３号公報に開示されている。
これに対して、第４図に示す構造のＭＩＭ素子は２枚の
マスクで作ることができる。第４図（ａｌは、第４図（
ｂ）の平面図におけるＢ−Ｂの線で切断した断面図であ
る。このＭＩＭ素子について製造工程に従って説明する
と、まず、ガラス基板１上にＴａ膜をスパッタリング法
で形成し、フォトエツチング法によりＴａ膜をパターン
ニングし、これにより、配線６とＭＩＭの下部電極４と
をＴａ膜で形成する。次に、Ｔａ膜を陽極酸化法により
化成し、酸化層からなる非線形抵抗膜５を形成する。
マスクで作ることができる。第４図（ａｌは、第４図（
ｂ）の平面図におけるＢ−Ｂの線で切断した断面図であ
る。このＭＩＭ素子について製造工程に従って説明する
と、まず、ガラス基板１上にＴａ膜をスパッタリング法
で形成し、フォトエツチング法によりＴａ膜をパターン
ニングし、これにより、配線６とＭＩＭの下部電極４と
をＴａ膜で形成する。次に、Ｔａ膜を陽極酸化法により
化成し、酸化層からなる非線形抵抗膜５を形成する。
更に、ＭＩＭの上部電極７と液晶駆動用電極８を兼ねる
ＩＴＯ膜をスパッタリング法で形成しフォトエツチング
法によりパターンニングする。すなわち、この構造のＭ
ＩＭ素子は、下部電極４としてのＴａ膜、および上部電
極７と液晶駆動用電極８を兼ねるＩＴＯ膜の各工程に１
枚ずつ合計２枚のマスクを必要とするのみで、また構造
も第３図に比べて簡単である。この構造に関する製造技
術は例えば特開昭５７−１２２４７６号公報に開示され
ている。
ＩＴＯ膜をスパッタリング法で形成しフォトエツチング
法によりパターンニングする。すなわち、この構造のＭ
ＩＭ素子は、下部電極４としてのＴａ膜、および上部電
極７と液晶駆動用電極８を兼ねるＩＴＯ膜の各工程に１
枚ずつ合計２枚のマスクを必要とするのみで、また構造
も第３図に比べて簡単である。この構造に関する製造技
術は例えば特開昭５７−１２２４７６号公報に開示され
ている。
第３図及び第４図のようなＭＩＭ素子は少ないマスクで
製造でき、構造も簡単であるという利点があるが、次に
記す課題を有する。この課題を第４図の構造の素子に付
いてのＭＩＭ素子の電圧電流特性を示す第２図を用いて
説明する。第２図のグラフに示すようにＭＩＭ素子の電
圧−電流特性はＩＴＯ膜形成温度に対し１００℃当り電
流値が約１０倍違うほど大きく依存する。そのため、Ｉ
ＴＯの形成時の基板温度分布は、ＭＩＭ素子の電気特性
に影響を与える。そこでＩＴＯ形成時に基板内の温度の
均一性として±１０℃程度を必要とする。しかしながら
ＩＴＯの形成温度が高く（３００℃〜４００°Ｃ）装置
上及びＭＩＭ基板のパターンに依存したＩＴＯの形成の
基板温度分布として］、 ＯＯ℃程度の分布を生じる。
製造でき、構造も簡単であるという利点があるが、次に
記す課題を有する。この課題を第４図の構造の素子に付
いてのＭＩＭ素子の電圧電流特性を示す第２図を用いて
説明する。第２図のグラフに示すようにＭＩＭ素子の電
圧−電流特性はＩＴＯ膜形成温度に対し１００℃当り電
流値が約１０倍違うほど大きく依存する。そのため、Ｉ
ＴＯの形成時の基板温度分布は、ＭＩＭ素子の電気特性
に影響を与える。そこでＩＴＯ形成時に基板内の温度の
均一性として±１０℃程度を必要とする。しかしながら
ＩＴＯの形成温度が高く（３００℃〜４００°Ｃ）装置
上及びＭＩＭ基板のパターンに依存したＩＴＯの形成の
基板温度分布として］、 ＯＯ℃程度の分布を生じる。
本発明の目的は、ＭＩＭ素子のＩＴＯ膜形成時の基板温
度の均一性を良好にし、良好な特性を持つＭＩＭ素子の
製造方法を提供することである。
度の均一性を良好にし、良好な特性を持つＭＩＭ素子の
製造方法を提供することである。
上記の目的を解決するために、該ＭＩＭ素子の前記ＩＴ
、Ｏ膜の形成時に基板裏面に金属を形成しておく事を特
徴としている。
、Ｏ膜の形成時に基板裏面に金属を形成しておく事を特
徴としている。
以下、本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明の実施例の工程を示す断
面図である。第４図をあわせ用いて製造工程に従って説
明する。ます、第１図（ａ）に示すように、ガラスから
なる基板１上にＴａ膜２をスパッタリング法により約２
５０ｍｍの厚さに形成する。次に第１図（ｂ）に示すよ
うに、フォトエツチングによりＴａ膜２をバターニング
しＭＩＭ素子の下部電極４と配線６とを形成する。次に
第１図（ｃｌに示すように、０１％のクエン酸浴をもち
いる陽極酸化法によりＴ’ａ膜２０表面に非線形抵抗膜
５としてＴａ２Ｏ，、を約５０ｍｍ形成する。さらに、
第１図（ｄｌに示すように基板１の裏面に金属膜６とし
てアルミニウムをスパッタリング法により約２００ｎｍ
形成する。次に第１図（ｅＪに示すように、スパッタリ
ング法によりＩＴＯ膜９を約２００ ｎｍ形成する。
面図である。第４図をあわせ用いて製造工程に従って説
明する。ます、第１図（ａ）に示すように、ガラスから
なる基板１上にＴａ膜２をスパッタリング法により約２
５０ｍｍの厚さに形成する。次に第１図（ｂ）に示すよ
うに、フォトエツチングによりＴａ膜２をバターニング
しＭＩＭ素子の下部電極４と配線６とを形成する。次に
第１図（ｃｌに示すように、０１％のクエン酸浴をもち
いる陽極酸化法によりＴ’ａ膜２０表面に非線形抵抗膜
５としてＴａ２Ｏ，、を約５０ｍｍ形成する。さらに、
第１図（ｄｌに示すように基板１の裏面に金属膜６とし
てアルミニウムをスパッタリング法により約２００ｎｍ
形成する。次に第１図（ｅＪに示すように、スパッタリ
ング法によりＩＴＯ膜９を約２００ ｎｍ形成する。
その後第１図（ｆｌに示すようにフォトエツチングによ
りＩＴＯ膜９をＦｅＣｌ３− ＨＣＩ系のエツチング液
でパターニングしＭＩＭ素子の上部電極７と液晶、駆動
用電極８とを同時に形成する。このエツチング液により
ＩＴＯ膜９と同時に裏面の人でもエツチングされ除去さ
れる。
りＩＴＯ膜９をＦｅＣｌ３− ＨＣＩ系のエツチング液
でパターニングしＭＩＭ素子の上部電極７と液晶、駆動
用電極８とを同時に形成する。このエツチング液により
ＩＴＯ膜９と同時に裏面の人でもエツチングされ除去さ
れる。
本実施例において、基板裏面に形成する金属膜６として
Ａ、 ｌをもちいたが、Ｍｏ、Ｃｒ等を用いてもかまわ
ない。基板裏面に金属膜を形成することにより、加熱時
の赤外線な吸収して、基板の温度分布の均一性がよくな
る。
Ａ、 ｌをもちいたが、Ｍｏ、Ｃｒ等を用いてもかまわ
ない。基板裏面に金属膜を形成することにより、加熱時
の赤外線な吸収して、基板の温度分布の均一性がよくな
る。
以上の説明で明らかなように、本発明によれば、基板裏
面に金属膜を形成することにより第４図に示すようなＭ
ＩＭ素子のＩＴＯの形成時の装置上及びＭＩＭ素子基板
のパターンに依存する基板温度分布を１／２〜１／１０
に低減することができる。したがって良好な電圧−電流
特性を有するＭＩＭ素子が得られる。また、このような
効果は、第３図に示すようなＭＩＭ素子の上部電極及び
液晶駆動用電極の成膜工程にも応用できる。
面に金属膜を形成することにより第４図に示すようなＭ
ＩＭ素子のＩＴＯの形成時の装置上及びＭＩＭ素子基板
のパターンに依存する基板温度分布を１／２〜１／１０
に低減することができる。したがって良好な電圧−電流
特性を有するＭＩＭ素子が得られる。また、このような
効果は、第３図に示すようなＭＩＭ素子の上部電極及び
液晶駆動用電極の成膜工程にも応用できる。
第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明におけるアクティブマト
リクス液晶表示パネルの製造方法を工程順にしめず断面
図、第２図〜第４図は従来技術の説明に係り、第２図は
ＭＩＭ素子の電気特性の形成温度依存性をしめずグラフ
、第３図（ａ）、（１））はアクティツマトリクス液晶
表示パネル□示し、第３図（ａ）は断面図、第３図（ｂ
）は平面図、第４図（ａ）、（ｂＪはアクティブマトリ
クス液晶表示パネルを示し、第４図（ａ）は断面図、第
４図（ｂ）は平面図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・Ｔａ膜、６
・・・・・・配線、４・・・・・・下部電極、５・・・
・・・非線形抵抗膜、６・・・・・金属膜、７・・・・
・・上部電極、８・・・・・・液晶駆動用電極、９・・
・・・・ＩＴＯ膜。 第２図
リクス液晶表示パネルの製造方法を工程順にしめず断面
図、第２図〜第４図は従来技術の説明に係り、第２図は
ＭＩＭ素子の電気特性の形成温度依存性をしめずグラフ
、第３図（ａ）、（１））はアクティツマトリクス液晶
表示パネル□示し、第３図（ａ）は断面図、第３図（ｂ
）は平面図、第４図（ａ）、（ｂＪはアクティブマトリ
クス液晶表示パネルを示し、第４図（ａ）は断面図、第
４図（ｂ）は平面図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・Ｔａ膜、６
・・・・・・配線、４・・・・・・下部電極、５・・・
・・・非線形抵抗膜、６・・・・・金属膜、７・・・・
・・上部電極、８・・・・・・液晶駆動用電極、９・・
・・・・ＩＴＯ膜。 第２図
Claims (1)
- 基板上に金属層からなる下部電極を形成し該下部電極上
に、非線形抵抗膜を形成し、該非線形抵抗膜上に透明導
電膜からなる上部電極を形成するＭＩＭ素子を有するア
クティブマトリクス液晶表示パネルの製造方法において
、前記基板の裏面に金属膜を形成し、前記上部電極を形
成することを特徴とするアクティブマトリクス液晶表示
パネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1177044A JPH0342632A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | アクティブマトリクス液晶表示パネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1177044A JPH0342632A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | アクティブマトリクス液晶表示パネルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0342632A true JPH0342632A (ja) | 1991-02-22 |
Family
ID=16024157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1177044A Pending JPH0342632A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | アクティブマトリクス液晶表示パネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0342632A (ja) |
-
1989
- 1989-07-11 JP JP1177044A patent/JPH0342632A/ja active Pending
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