JPH0342632A - アクティブマトリクス液晶表示パネルの製造方法 - Google Patents
アクティブマトリクス液晶表示パネルの製造方法Info
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- JPH0342632A JPH0342632A JP1177044A JP17704489A JPH0342632A JP H0342632 A JPH0342632 A JP H0342632A JP 1177044 A JP1177044 A JP 1177044A JP 17704489 A JP17704489 A JP 17704489A JP H0342632 A JPH0342632 A JP H0342632A
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 10
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 abstract description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 241000282994 Cervidae Species 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、下部電極−非線形抵抗膜−上部電極よりなる
構造、いわゆるMIM(金属−絶縁膜金属)素子構造よ
りなる非線形抵抗素子を基板上に形成したアクティブマ
トリクス液晶表示パネルの製造方法に関する。
構造、いわゆるMIM(金属−絶縁膜金属)素子構造よ
りなる非線形抵抗素子を基板上に形成したアクティブマ
トリクス液晶表示パネルの製造方法に関する。
近年液晶パネルを用いた表示装置は、大容量の一途をた
どっているが、単純マトリックス構成の表示装置にマル
チプレックス駆動を用いる方式は、高時分割化するに従
ってコントラストの低下を生じ、200本程鹿の走査線
を有する場合では、十分なコントラストを得ることが難
しくなってくる。
どっているが、単純マトリックス構成の表示装置にマル
チプレックス駆動を用いる方式は、高時分割化するに従
ってコントラストの低下を生じ、200本程鹿の走査線
を有する場合では、十分なコントラストを得ることが難
しくなってくる。
そこで、このような欠点を除去するために、個々の画素
にスイッチング素子をもうけたアクティブマトリクス液
晶表示パネルが採用されてきた。
にスイッチング素子をもうけたアクティブマトリクス液
晶表示パネルが採用されてきた。
このアクティブマトリクス液晶パネルの方式には大別す
ると薄膜トランジスタを用いる三端子系と非線形素子を
用いる二端子系とが有るが、構造、製造工程が簡単な点
で二端子系がすぐれている。
ると薄膜トランジスタを用いる三端子系と非線形素子を
用いる二端子系とが有るが、構造、製造工程が簡単な点
で二端子系がすぐれている。
また、二端子系にはダイオード型、バリスタ型、MIM
型等が開発されているがMIM型は特に構造が簡単で製
造工程が短い特徴がある。
型等が開発されているがMIM型は特に構造が簡単で製
造工程が短い特徴がある。
第3図はMIM素子の構造の一例であり、第3図(a)
は、第3図(b)の平面図におげろ入−Aの線で切断し
た断面図である。このMIM素子について製造工程に従
って説明すると、まず、ガラス基板1上にTa膜をスパ
ッタリング法で形成し、フォトエツチング法によりTa
膜をパターンニングし、これにより、配線6とMIMの
下部電極4とをTa膜で形成する。次に、Ta膜を陽極
酸化法により化成し、酸化層からなる非線形抵抗膜5を
形成する。更に、MIMの上部電極7としてCr等をス
パッタリング法で形成し、フォトエツチング法によりパ
ターンニングすることでMIM素子を形成し、最後にI
T O(Indium Tin 0xide)膜から
なる液晶駆動用電極8を形成する。ところで、この構造
のMIM素子の製造には、下部電極2としてのTa膜、
上部電極7としてのCr膜、液晶駆動用電極8としての
ITO膜の各工程に1枚ずつ合計3枚のマスクを必要と
する。こうした基本的な製造技術は例えば特開昭55−
161273号公報に開示されている。
は、第3図(b)の平面図におげろ入−Aの線で切断し
た断面図である。このMIM素子について製造工程に従
って説明すると、まず、ガラス基板1上にTa膜をスパ
ッタリング法で形成し、フォトエツチング法によりTa
膜をパターンニングし、これにより、配線6とMIMの
下部電極4とをTa膜で形成する。次に、Ta膜を陽極
酸化法により化成し、酸化層からなる非線形抵抗膜5を
形成する。更に、MIMの上部電極7としてCr等をス
パッタリング法で形成し、フォトエツチング法によりパ
ターンニングすることでMIM素子を形成し、最後にI
T O(Indium Tin 0xide)膜から
なる液晶駆動用電極8を形成する。ところで、この構造
のMIM素子の製造には、下部電極2としてのTa膜、
上部電極7としてのCr膜、液晶駆動用電極8としての
ITO膜の各工程に1枚ずつ合計3枚のマスクを必要と
する。こうした基本的な製造技術は例えば特開昭55−
161273号公報に開示されている。
これに対して、第4図に示す構造のMIM素子は2枚の
マスクで作ることができる。第4図(alは、第4図(
b)の平面図におけるB−Bの線で切断した断面図であ
る。このMIM素子について製造工程に従って説明する
と、まず、ガラス基板1上にTa膜をスパッタリング法
で形成し、フォトエツチング法によりTa膜をパターン
ニングし、これにより、配線6とMIMの下部電極4と
をTa膜で形成する。次に、Ta膜を陽極酸化法により
化成し、酸化層からなる非線形抵抗膜5を形成する。
マスクで作ることができる。第4図(alは、第4図(
b)の平面図におけるB−Bの線で切断した断面図であ
る。このMIM素子について製造工程に従って説明する
と、まず、ガラス基板1上にTa膜をスパッタリング法
で形成し、フォトエツチング法によりTa膜をパターン
ニングし、これにより、配線6とMIMの下部電極4と
をTa膜で形成する。次に、Ta膜を陽極酸化法により
化成し、酸化層からなる非線形抵抗膜5を形成する。
更に、MIMの上部電極7と液晶駆動用電極8を兼ねる
ITO膜をスパッタリング法で形成しフォトエツチング
法によりパターンニングする。すなわち、この構造のM
IM素子は、下部電極4としてのTa膜、および上部電
極7と液晶駆動用電極8を兼ねるITO膜の各工程に1
枚ずつ合計2枚のマスクを必要とするのみで、また構造
も第3図に比べて簡単である。この構造に関する製造技
術は例えば特開昭57−122476号公報に開示され
ている。
ITO膜をスパッタリング法で形成しフォトエツチング
法によりパターンニングする。すなわち、この構造のM
IM素子は、下部電極4としてのTa膜、および上部電
極7と液晶駆動用電極8を兼ねるITO膜の各工程に1
枚ずつ合計2枚のマスクを必要とするのみで、また構造
も第3図に比べて簡単である。この構造に関する製造技
術は例えば特開昭57−122476号公報に開示され
ている。
第3図及び第4図のようなMIM素子は少ないマスクで
製造でき、構造も簡単であるという利点があるが、次に
記す課題を有する。この課題を第4図の構造の素子に付
いてのMIM素子の電圧電流特性を示す第2図を用いて
説明する。第2図のグラフに示すようにMIM素子の電
圧−電流特性はITO膜形成温度に対し100℃当り電
流値が約10倍違うほど大きく依存する。そのため、I
TOの形成時の基板温度分布は、MIM素子の電気特性
に影響を与える。そこでITO形成時に基板内の温度の
均一性として±10℃程度を必要とする。しかしながら
ITOの形成温度が高く(300℃〜400°C)装置
上及びMIM基板のパターンに依存したITOの形成の
基板温度分布として]、 OO℃程度の分布を生じる。
製造でき、構造も簡単であるという利点があるが、次に
記す課題を有する。この課題を第4図の構造の素子に付
いてのMIM素子の電圧電流特性を示す第2図を用いて
説明する。第2図のグラフに示すようにMIM素子の電
圧−電流特性はITO膜形成温度に対し100℃当り電
流値が約10倍違うほど大きく依存する。そのため、I
TOの形成時の基板温度分布は、MIM素子の電気特性
に影響を与える。そこでITO形成時に基板内の温度の
均一性として±10℃程度を必要とする。しかしながら
ITOの形成温度が高く(300℃〜400°C)装置
上及びMIM基板のパターンに依存したITOの形成の
基板温度分布として]、 OO℃程度の分布を生じる。
本発明の目的は、MIM素子のITO膜形成時の基板温
度の均一性を良好にし、良好な特性を持つMIM素子の
製造方法を提供することである。
度の均一性を良好にし、良好な特性を持つMIM素子の
製造方法を提供することである。
上記の目的を解決するために、該MIM素子の前記IT
、O膜の形成時に基板裏面に金属を形成しておく事を特
徴としている。
、O膜の形成時に基板裏面に金属を形成しておく事を特
徴としている。
以下、本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第1図(a)〜(f)は本発明の実施例の工程を示す断
面図である。第4図をあわせ用いて製造工程に従って説
明する。ます、第1図(a)に示すように、ガラスから
なる基板1上にTa膜2をスパッタリング法により約2
50mmの厚さに形成する。次に第1図(b)に示すよ
うに、フォトエツチングによりTa膜2をバターニング
しMIM素子の下部電極4と配線6とを形成する。次に
第1図(clに示すように、01%のクエン酸浴をもち
いる陽極酸化法によりT’a膜20表面に非線形抵抗膜
5としてTa2O,、を約50mm形成する。さらに、
第1図(dlに示すように基板1の裏面に金属膜6とし
てアルミニウムをスパッタリング法により約200nm
形成する。次に第1図(eJに示すように、スパッタリ
ング法によりITO膜9を約200 nm形成する。
面図である。第4図をあわせ用いて製造工程に従って説
明する。ます、第1図(a)に示すように、ガラスから
なる基板1上にTa膜2をスパッタリング法により約2
50mmの厚さに形成する。次に第1図(b)に示すよ
うに、フォトエツチングによりTa膜2をバターニング
しMIM素子の下部電極4と配線6とを形成する。次に
第1図(clに示すように、01%のクエン酸浴をもち
いる陽極酸化法によりT’a膜20表面に非線形抵抗膜
5としてTa2O,、を約50mm形成する。さらに、
第1図(dlに示すように基板1の裏面に金属膜6とし
てアルミニウムをスパッタリング法により約200nm
形成する。次に第1図(eJに示すように、スパッタリ
ング法によりITO膜9を約200 nm形成する。
その後第1図(flに示すようにフォトエツチングによ
りITO膜9をFeCl3− HCI系のエツチング液
でパターニングしMIM素子の上部電極7と液晶、駆動
用電極8とを同時に形成する。このエツチング液により
ITO膜9と同時に裏面の人でもエツチングされ除去さ
れる。
りITO膜9をFeCl3− HCI系のエツチング液
でパターニングしMIM素子の上部電極7と液晶、駆動
用電極8とを同時に形成する。このエツチング液により
ITO膜9と同時に裏面の人でもエツチングされ除去さ
れる。
本実施例において、基板裏面に形成する金属膜6として
A、 lをもちいたが、Mo、Cr等を用いてもかまわ
ない。基板裏面に金属膜を形成することにより、加熱時
の赤外線な吸収して、基板の温度分布の均一性がよくな
る。
A、 lをもちいたが、Mo、Cr等を用いてもかまわ
ない。基板裏面に金属膜を形成することにより、加熱時
の赤外線な吸収して、基板の温度分布の均一性がよくな
る。
以上の説明で明らかなように、本発明によれば、基板裏
面に金属膜を形成することにより第4図に示すようなM
IM素子のITOの形成時の装置上及びMIM素子基板
のパターンに依存する基板温度分布を1/2〜1/10
に低減することができる。したがって良好な電圧−電流
特性を有するMIM素子が得られる。また、このような
効果は、第3図に示すようなMIM素子の上部電極及び
液晶駆動用電極の成膜工程にも応用できる。
面に金属膜を形成することにより第4図に示すようなM
IM素子のITOの形成時の装置上及びMIM素子基板
のパターンに依存する基板温度分布を1/2〜1/10
に低減することができる。したがって良好な電圧−電流
特性を有するMIM素子が得られる。また、このような
効果は、第3図に示すようなMIM素子の上部電極及び
液晶駆動用電極の成膜工程にも応用できる。
第1図(a)〜(f)は本発明におけるアクティブマト
リクス液晶表示パネルの製造方法を工程順にしめず断面
図、第2図〜第4図は従来技術の説明に係り、第2図は
MIM素子の電気特性の形成温度依存性をしめずグラフ
、第3図(a)、(1))はアクティツマトリクス液晶
表示パネル□示し、第3図(a)は断面図、第3図(b
)は平面図、第4図(a)、(bJはアクティブマトリ
クス液晶表示パネルを示し、第4図(a)は断面図、第
4図(b)は平面図である。 1・・・・・・ガラス基板、2・・・・・・Ta膜、6
・・・・・・配線、4・・・・・・下部電極、5・・・
・・・非線形抵抗膜、6・・・・・金属膜、7・・・・
・・上部電極、8・・・・・・液晶駆動用電極、9・・
・・・・ITO膜。 第2図
リクス液晶表示パネルの製造方法を工程順にしめず断面
図、第2図〜第4図は従来技術の説明に係り、第2図は
MIM素子の電気特性の形成温度依存性をしめずグラフ
、第3図(a)、(1))はアクティツマトリクス液晶
表示パネル□示し、第3図(a)は断面図、第3図(b
)は平面図、第4図(a)、(bJはアクティブマトリ
クス液晶表示パネルを示し、第4図(a)は断面図、第
4図(b)は平面図である。 1・・・・・・ガラス基板、2・・・・・・Ta膜、6
・・・・・・配線、4・・・・・・下部電極、5・・・
・・・非線形抵抗膜、6・・・・・金属膜、7・・・・
・・上部電極、8・・・・・・液晶駆動用電極、9・・
・・・・ITO膜。 第2図
Claims (1)
- 基板上に金属層からなる下部電極を形成し該下部電極上
に、非線形抵抗膜を形成し、該非線形抵抗膜上に透明導
電膜からなる上部電極を形成するMIM素子を有するア
クティブマトリクス液晶表示パネルの製造方法において
、前記基板の裏面に金属膜を形成し、前記上部電極を形
成することを特徴とするアクティブマトリクス液晶表示
パネルの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1177044A JPH0342632A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | アクティブマトリクス液晶表示パネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1177044A JPH0342632A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | アクティブマトリクス液晶表示パネルの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0342632A true JPH0342632A (ja) | 1991-02-22 |
Family
ID=16024157
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1177044A Pending JPH0342632A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | アクティブマトリクス液晶表示パネルの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0342632A (ja) |
-
1989
- 1989-07-11 JP JP1177044A patent/JPH0342632A/ja active Pending
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