JPH0345932A - アクティブマトリクス液晶表示パネルの製造方法 - Google Patents
アクティブマトリクス液晶表示パネルの製造方法Info
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- JPH0345932A JPH0345932A JP1181225A JP18122589A JPH0345932A JP H0345932 A JPH0345932 A JP H0345932A JP 1181225 A JP1181225 A JP 1181225A JP 18122589 A JP18122589 A JP 18122589A JP H0345932 A JPH0345932 A JP H0345932A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、Ｍ Ｉ Ｍ （Ｍｅｔａｌ −Ｉｎ５ｕｌａ
ｔｏｒ −Ｍｅｔａｌ ）素子構造よりｋる非線形抵抗
素子を基板上に形成したアクティブマトリクス液晶表示
パネルの製造方法に関する。
ｔｏｒ −Ｍｅｔａｌ ）素子構造よりｋる非線形抵抗
素子を基板上に形成したアクティブマトリクス液晶表示
パネルの製造方法に関する。
近年液晶パネルを用いた表示装置は、大容量の一途をた
どっているが、単純マトリックス構成の表示装置にマル
チプレックス駆動を用いる方式は、高時分割化するに従
ってコントラストの低下を生じ、２００本程鹿の走査線
を有する場合では、十分なコントラストを得ることが難
しくなってくる。
どっているが、単純マトリックス構成の表示装置にマル
チプレックス駆動を用いる方式は、高時分割化するに従
ってコントラストの低下を生じ、２００本程鹿の走査線
を有する場合では、十分なコントラストを得ることが難
しくなってくる。
そこで、このような欠点を除去するために、何個の画素
にスイッチング素子をもうけたアクティブマトリクス液
晶表示パネルが採用されてきた。
にスイッチング素子をもうけたアクティブマトリクス液
晶表示パネルが採用されてきた。
このアクティブマトリクス液晶表示パネルの方式には大
別すると薄膜トランジスタを用いる三端子系と非線形素
子を用いる二端子系とが有るが、構造、製造工程が簡単
な点で二端子系がすぐれている。又、二端子系にはダイ
オード型、バリスタ型、ＭＩＭ型等が開発されているが
ＭＩＭ型は構造が簡単で製造工程が短い等の特徴がある
。
別すると薄膜トランジスタを用いる三端子系と非線形素
子を用いる二端子系とが有るが、構造、製造工程が簡単
な点で二端子系がすぐれている。又、二端子系にはダイ
オード型、バリスタ型、ＭＩＭ型等が開発されているが
ＭＩＭ型は構造が簡単で製造工程が短い等の特徴がある
。
第４図はＭＩＭ素子の構造の一例であり、第４図（ａｌ
は一画素の平面図（ｂ）のＡＡ’の線で切断した断面図
である。
は一画素の平面図（ｂ）のＡＡ’の線で切断した断面図
である。
このＭＩＭ素子について製造工程に従って説明すると、
まず、ガラス基板１上にＴａ膜２をスパッタリング法で
形成し、フォトリソ法によりパターニングし、これによ
り、配線とＭＩＭの下部電極とが形成され、次に、Ｔａ
膜２を陽極酸化法により化成し、非線形抵抗膜である酸
化層３を形成し、更に、ＭＩＭの上部電極４としてＣｒ
等をスパッタリング法で形成し、フォトリソ法によりパ
ターニングすることでＭＩＭ素子を形威し、最後にＩ
Ｔ Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）からなる
液晶駆動用電極５を形成する。ところで、この構造のＭ
ＩＭ素子の製造には、Ｔａ膜２、Ｃｒ膜４、ＩＴＯ５の
各工程に１枚ずつ、合計３枚のマスクを必要とする。
まず、ガラス基板１上にＴａ膜２をスパッタリング法で
形成し、フォトリソ法によりパターニングし、これによ
り、配線とＭＩＭの下部電極とが形成され、次に、Ｔａ
膜２を陽極酸化法により化成し、非線形抵抗膜である酸
化層３を形成し、更に、ＭＩＭの上部電極４としてＣｒ
等をスパッタリング法で形成し、フォトリソ法によりパ
ターニングすることでＭＩＭ素子を形威し、最後にＩ
Ｔ Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）からなる
液晶駆動用電極５を形成する。ところで、この構造のＭ
ＩＭ素子の製造には、Ｔａ膜２、Ｃｒ膜４、ＩＴＯ５の
各工程に１枚ずつ、合計３枚のマスクを必要とする。
これに対して第５図に示す構造のＭＩＭ素子は２枚のマ
スクでつくることができる。第５図（ａ）は図（ｂ）の
ＡＡ’の線で切断した断面図である。このＭＩＭ素子に
ついて製造工程に従って説明すると、まず、ガラス基板
１上にＴａ膜２をスパッタリング法で形成し、フォトリ
ソ法によりパターニングし、これにより、配線とＭＩＭ
の下部電極とが形成され、次に、Ｔａ膜２を陽極酸化法
により化成し、酸化層６を形成し、更に、ＭＩＭの上部
電極４とこれと一体化している液晶駆動用電極５を同時
にスパッタリング法でＩＴＯ膜を形成しフォトリソ法に
よりパターニングする。すなわち、この構造のＭＩＭ素
子は、Ｔａ膜２、ＩＴＯ４および５の各工程に１枚ずつ
合計２枚のマスクを必要とするのみで、又、構造も第４
図に比べて簡単である。
スクでつくることができる。第５図（ａ）は図（ｂ）の
ＡＡ’の線で切断した断面図である。このＭＩＭ素子に
ついて製造工程に従って説明すると、まず、ガラス基板
１上にＴａ膜２をスパッタリング法で形成し、フォトリ
ソ法によりパターニングし、これにより、配線とＭＩＭ
の下部電極とが形成され、次に、Ｔａ膜２を陽極酸化法
により化成し、酸化層６を形成し、更に、ＭＩＭの上部
電極４とこれと一体化している液晶駆動用電極５を同時
にスパッタリング法でＩＴＯ膜を形成しフォトリソ法に
よりパターニングする。すなわち、この構造のＭＩＭ素
子は、Ｔａ膜２、ＩＴＯ４および５の各工程に１枚ずつ
合計２枚のマスクを必要とするのみで、又、構造も第４
図に比べて簡単である。
第５図のようなＭＩＭ素子は少ないマスクで製造でき、
構造も簡単であるという利点があるが、均一で良好な素
子特性及び良好なＩＴＯのエツチング性を得るためには
ＩＴＯ成膜条件において高い基盤温度（３００〜４５０
℃）と均一な基板加熱を必要とする。このため、膜付装
置の加熱部分の構造が複雑になり材質も変更しなげれば
ならず、均一な温度分布も得難くなる。更には装置のス
ループット上の問題も生じてくる。
構造も簡単であるという利点があるが、均一で良好な素
子特性及び良好なＩＴＯのエツチング性を得るためには
ＩＴＯ成膜条件において高い基盤温度（３００〜４５０
℃）と均一な基板加熱を必要とする。このため、膜付装
置の加熱部分の構造が複雑になり材質も変更しなげれば
ならず、均一な温度分布も得難くなる。更には装置のス
ループット上の問題も生じてくる。
本発明の目的は、このような問題点を解決して、基板を
均一に加熱する大がかりな加熱装置を用いることなく、
又スループット上の問題も起こすことなく均一な特性の
ＭＩＭ素子及びエツチング性の良いＩＴＯ膜を得る製造
方法を提供することである。
均一に加熱する大がかりな加熱装置を用いることなく、
又スループット上の問題も起こすことなく均一な特性の
ＭＩＭ素子及びエツチング性の良いＩＴＯ膜を得る製造
方法を提供することである。
上記目的を達成するために、ＭＩＭ素子の上部電極とな
るＩＴＯを３００℃より低い温度で膜付けし、成膜後３
００ ’Ｃから４５０℃の大気もしくは不活性雰囲気中
で加熱処理を施すことによって製造することを特徴とし
ている。
るＩＴＯを３００℃より低い温度で膜付けし、成膜後３
００ ’Ｃから４５０℃の大気もしくは不活性雰囲気中
で加熱処理を施すことによって製造することを特徴とし
ている。
本発明の製造方法では、ＩＴＯ成膜後大気もしくは不活
性雰囲気中で加熱処理（３００〜４５０°Ｃ）を施すた
めＩＴＯ膜付時に基板加熱する方法よりも均一な温度分
布が得られるので従来の方法に比べて均一性のよい素子
特性が得られる。
性雰囲気中で加熱処理（３００〜４５０°Ｃ）を施すた
めＩＴＯ膜付時に基板加熱する方法よりも均一な温度分
布が得られるので従来の方法に比べて均一性のよい素子
特性が得られる。
〔実施例１〕
以下、本発明の実施例について説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の工程図である。
第５図のＭＩＭの構造図をあわせ用いて製造工程を説明
する。工程ａでガラス基板１上にＴａをスパッタリング
法により形成し、工程すでフォトエツチングによりＭＩ
Ｍ素子の下部電極２を形成する。次に工程Ｃでは陽極酸
化法によりＴａ表面に非線形抵抗膜である絶縁層３とし
てＴａ２Ｏ。
する。工程ａでガラス基板１上にＴａをスパッタリング
法により形成し、工程すでフォトエツチングによりＭＩ
Ｍ素子の下部電極２を形成する。次に工程Ｃでは陽極酸
化法によりＴａ表面に非線形抵抗膜である絶縁層３とし
てＴａ２Ｏ。
を形成する。次に工程ｄでスパッタリング法によりＩＴ
Ｏを基盤温度２００”Ｃで形成し、成膜後工程ｅで大気
中での加熱処理４ｏｏ℃２時間を施した後工程ｆでフォ
トエツチングによりパターニングしＭＩＭ素子の上部電
極４とこれと一体化している液晶駆動用画素電極５を同
時に形成する。
Ｏを基盤温度２００”Ｃで形成し、成膜後工程ｅで大気
中での加熱処理４ｏｏ℃２時間を施した後工程ｆでフォ
トエツチングによりパターニングしＭＩＭ素子の上部電
極４とこれと一体化している液晶駆動用画素電極５を同
時に形成する。
このような工程で作成したＭＩＭ素子のＶ−Ｉ特性（端
子間電圧に対する素子の流れる電流の特性）の基板上の
バラツキを調べた結果、従来の方法に比べてはるかに小
さい良い結果が得られた。
子間電圧に対する素子の流れる電流の特性）の基板上の
バラツキを調べた結果、従来の方法に比べてはるかに小
さい良い結果が得られた。
〔実施例２〕
第２図は本発明の第２の実施例の工程図である。
第５図のＭＩＭの構造図をあわせ用いて製造工程を説明
する。工程ａから工程ｄまでは第１の実施例と同じ処理
を行う。
する。工程ａから工程ｄまでは第１の実施例と同じ処理
を行う。
ＩＴＯの膜付後工程ｅでフォトエツチングによりバター
ニングしＭＩＭ素子の上部電極４と液晶駆動用画素電極
５を同時に形成した後工程ｆです気中での加熱処理４０
０°Ｃ２時間を施す。この工程による製造法においても
基板上で素子特性のバラツキの小さいＭＩＭ素子を作成
することができた。
ニングしＭＩＭ素子の上部電極４と液晶駆動用画素電極
５を同時に形成した後工程ｆです気中での加熱処理４０
０°Ｃ２時間を施す。この工程による製造法においても
基板上で素子特性のバラツキの小さいＭＩＭ素子を作成
することができた。
以上の説明で明らかなように、本発明の方法によればＩ
ＴＯの膜付は時の基板温度を低温にしても、後の熱処理
に、より均一な素子特性を得ると同時にエツチング性の
良いＩＴＯ膜を得ることができる。
ＴＯの膜付は時の基板温度を低温にしても、後の熱処理
に、より均一な素子特性を得ると同時にエツチング性の
良いＩＴＯ膜を得ることができる。
第１図は、本発明の第１の実施例を示す工程図第２図は
本発明の第２の実施例を示す工程図、第３図は従来の製
造方法の工程図、第４図はＭＩＭ素子の構造の一例を示
し、（ａ）は要部断面図、（ｂ）は平面図、第５図は本
発明に用いたＭＩＭ素子の構造図を示し、（ａ）は要部
断面図、（ｂ）は平面図である。 １・・・・・・ガラス基板、 ２・・・・・・下部電極、 ３・・・・・・絶縁層（Ｔａ２０５ ）、４・・・・・
・上部電極、 ５・・・・・・液晶駆動用画素電極（ＩＴＯ）。 第１図 ノＶネルヒヘ 第２図 バキルイヒへ 第３図 バネルイ己へ 〜ｒ
本発明の第２の実施例を示す工程図、第３図は従来の製
造方法の工程図、第４図はＭＩＭ素子の構造の一例を示
し、（ａ）は要部断面図、（ｂ）は平面図、第５図は本
発明に用いたＭＩＭ素子の構造図を示し、（ａ）は要部
断面図、（ｂ）は平面図である。 １・・・・・・ガラス基板、 ２・・・・・・下部電極、 ３・・・・・・絶縁層（Ｔａ２０５ ）、４・・・・・
・上部電極、 ５・・・・・・液晶駆動用画素電極（ＩＴＯ）。 第１図 ノＶネルヒヘ 第２図 バキルイヒへ 第３図 バネルイ己へ 〜ｒ
Claims (1)
- 基板上に金属層からなる下部電極、非線形抵抗膜、ＩＴ
Ｏからなる上部電極により形成されたＭＩＭ素子を有す
るアクティブマトリクス液晶表示パネルの製造方法にお
いて、前記ＩＴＯを３００℃より低い基板温度で膜付け
し、成膜後３００℃から４００℃の大気もしくは不活性
雰囲気中で加熱処理する事を特徴とするアクティブマト
リクス液晶表示パネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1181225A JPH0345932A (ja) | 1989-07-13 | 1989-07-13 | アクティブマトリクス液晶表示パネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1181225A JPH0345932A (ja) | 1989-07-13 | 1989-07-13 | アクティブマトリクス液晶表示パネルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0345932A true JPH0345932A (ja) | 1991-02-27 |
Family
ID=16097002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1181225A Pending JPH0345932A (ja) | 1989-07-13 | 1989-07-13 | アクティブマトリクス液晶表示パネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0345932A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994015370A1 (en) * | 1992-12-28 | 1994-07-07 | Orion Electric Company Ltd. | Structure of mim diode and method for its manufacture |
| US5861672A (en) * | 1993-02-10 | 1999-01-19 | Seiko Epson Corporation | Nonlinear resistance element, manufacturing fabrication method thereof, and liquid crystal display device |
-
1989
- 1989-07-13 JP JP1181225A patent/JPH0345932A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994015370A1 (en) * | 1992-12-28 | 1994-07-07 | Orion Electric Company Ltd. | Structure of mim diode and method for its manufacture |
| US5861672A (en) * | 1993-02-10 | 1999-01-19 | Seiko Epson Corporation | Nonlinear resistance element, manufacturing fabrication method thereof, and liquid crystal display device |
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