JPH0716033B2 - 非線形抵抗素子の製造方法 - Google Patents
非線形抵抗素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH0716033B2 JPH0716033B2 JP60291206A JP29120685A JPH0716033B2 JP H0716033 B2 JPH0716033 B2 JP H0716033B2 JP 60291206 A JP60291206 A JP 60291206A JP 29120685 A JP29120685 A JP 29120685A JP H0716033 B2 JPH0716033 B2 JP H0716033B2
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- resistance element
- film
- linear resistance
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、第１導電層−絶縁層−第２導電層構造（以
下、MIM構造という。）を有する非線形素子（以下、MIM
素子という。）の製造方法に関するものであり、更に詳
しくは製造プロセス中のアニール工程に関するものであ
る。
下、MIM構造という。）を有する非線形素子（以下、MIM
素子という。）の製造方法に関するものであり、更に詳
しくは製造プロセス中のアニール工程に関するものであ
る。
［発明の概要］ 本発明は非線形抵抗素子の製造プロセス中のアニール工
程において、アニール炉の中心部の温度450℃、中心部
から出口までの温度勾配を４〜６℃/cmとし、出口付近
の温度を250℃以下に設定することにより、極性差の小
さい非線形抵抗素子を提供するものである。
程において、アニール炉の中心部の温度450℃、中心部
から出口までの温度勾配を４〜６℃/cmとし、出口付近
の温度を250℃以下に設定することにより、極性差の小
さい非線形抵抗素子を提供するものである。
［従来技術］ 従来のMIM構造を有する非線形抵抗素子としては、ベル
ノーザン研究所（Bell-Northern Research）の文献A68L
ine Multiplexed Liqid Crystal Display Using Metal-
Insulator-Metal（MIM）Desiece 707,1980,IEEEが知ら
れており、その製造工程は例えば、第２図のフローチャ
ートに示されるように、 f.洗浄したガラス基板上に下地処理としてTa2O5膜を形
成する。
ノーザン研究所（Bell-Northern Research）の文献A68L
ine Multiplexed Liqid Crystal Display Using Metal-
Insulator-Metal（MIM）Desiece 707,1980,IEEEが知ら
れており、その製造工程は例えば、第２図のフローチャ
ートに示されるように、 f.洗浄したガラス基板上に下地処理としてTa2O5膜を形
成する。
g.下地処理を行ったガラス基板上に、MIM素子の第１導
電層としてTa膜をスパッタし、所望の形状にパターニン
グした後、クエン酸中で陽極酸化し、Ta2O5膜をMIM素子
の絶縁層としてTa膜の表面に形成する。
電層としてTa膜をスパッタし、所望の形状にパターニン
グした後、クエン酸中で陽極酸化し、Ta2O5膜をMIM素子
の絶縁層としてTa膜の表面に形成する。
h.Ta2O5膜上にMIM素子の第２導電層としてCr膜を形成
し、所定の形状にパターニングする。
し、所定の形状にパターニングする。
i.透明画素電極を形成し、MIM素子とコンタクトをと
る。
る。
というものであった。
［発明が解決しようとする問題点］ しかし、前述の従来技術では、後に述べる電流−電圧特
性の極性差が大きいという問題点があった。この極性差
は、MIM構造のTa膜とCr膜との間の仕事関数の差に起因
するものであった。
性の極性差が大きいという問題点があった。この極性差
は、MIM構造のTa膜とCr膜との間の仕事関数の差に起因
するものであった。
そこで本発明は、このような問題点を解決するもので、
その目的とするところは、極性差の小さい非線形素子を
提供することにある。
その目的とするところは、極性差の小さい非線形素子を
提供することにある。
［問題点を解決するための手段］ 本発明は、絶縁基板上に第１の導電層を形成し、前記第
１の導電層の表面を陽極酸化して絶縁層を形成し、更に
前記絶縁層上に第２の導電層を配置してなる非線形抵抗
素子の製造方法において、前記絶縁層形成後、中心部の
温度450℃、中心部から出口までの温度勾配を４〜６℃/
cmとし、出口付近の温度を250℃以下に設定したアニー
ル炉内でアニール処理を施すことを特徴とする。
１の導電層の表面を陽極酸化して絶縁層を形成し、更に
前記絶縁層上に第２の導電層を配置してなる非線形抵抗
素子の製造方法において、前記絶縁層形成後、中心部の
温度450℃、中心部から出口までの温度勾配を４〜６℃/
cmとし、出口付近の温度を250℃以下に設定したアニー
ル炉内でアニール処理を施すことを特徴とする。
［作用］ 本発明の上記の構成によれば、MIM素子の絶縁層の表面
をアニール処理で改質し、MIM構造の第１導電層と第２
導電層との間の仕事関数の差をなくし、それによって電
流−電圧特性の極性差をなくすことができる。
をアニール処理で改質し、MIM構造の第１導電層と第２
導電層との間の仕事関数の差をなくし、それによって電
流−電圧特性の極性差をなくすことができる。
［実施例］ 本発明で用いたアニール工程を採用する場合のプロセス
は、第１図に示されるように、 a.ガラス基板の洗浄処理を行う。
は、第１図に示されるように、 a.ガラス基板の洗浄処理を行う。
b.ガラス基板上にMIM素子の第１導電層としてTa膜をス
パッタし、所望の形状にパターニングした後、クエン酸
中で陽極酸化し、Ta2O5膜をMIM素子の絶縁層としてTa膜
の表面に形成する。
パッタし、所望の形状にパターニングした後、クエン酸
中で陽極酸化し、Ta2O5膜をMIM素子の絶縁層としてTa膜
の表面に形成する。
c.N2流量4l/minでアニール炉の中心部の設定温度を450
℃とし、30分アニール処理する。
℃とし、30分アニール処理する。
d.Ta2O5膜上にMIM素子の第２導電層としてCr膜を形成
し、所望の形状にパターニングする。
し、所望の形状にパターニングする。
e.透明画素電極を形成し、MIM素子とコンタクトをと
る。
る。
というものである。
第３図は、上記のｃの工程におけるアニール炉内の温度
特性を示した図である。中心付近の温度は約450℃であ
り、中心から離れるにしたがって、約４〜６℃の温度勾
配で温度が低下している。
特性を示した図である。中心付近の温度は約450℃であ
り、中心から離れるにしたがって、約４〜６℃の温度勾
配で温度が低下している。
また、上記のアニール処理を行った場合のMIM素子の電
流−電圧特性（以下、Ｉ−Ｖ特性という。）を第４図に
示す。第４図より、Ta膜側が正、すなわちTa膜側に正電
圧をかけた場合と、Ta膜側が負の場合、すなわちTa膜側
に負電圧をかけた場合の特性がほぼ一致している。した
がって、本発明の製造方法を用いたMIM素子は、Ｉ−Ｖ
特性の極性差が小さく、非常に良好な対称性を有してい
ることが分かる。
流−電圧特性（以下、Ｉ−Ｖ特性という。）を第４図に
示す。第４図より、Ta膜側が正、すなわちTa膜側に正電
圧をかけた場合と、Ta膜側が負の場合、すなわちTa膜側
に負電圧をかけた場合の特性がほぼ一致している。した
がって、本発明の製造方法を用いたMIM素子は、Ｉ−Ｖ
特性の極性差が小さく、非常に良好な対称性を有してい
ることが分かる。
［発明の効果］ 以上説明した通り、本発明の非線形抵抗素子の製造方法
によれば、縁基板上に第１の導電層を形成し、前記第１
の導電層の表面を陽極酸化して絶縁層を形成し、更に前
記絶縁層上に第２の導電層を配置してなる非線形抵抗素
子の製造方法において、前記絶縁層形成後、中心部の温
度450℃、中心部から出口までの温度勾配を４〜６℃/cm
とし、出口付近の温度を250℃以下に設定したアニール
炉内でアニール処理を施すことにより、非線形抵抗素子
の絶縁層の膜質が改質される。したがって、Ｉ−Ｖ特性
の極性差が小さい非線形抵抗素子を提供することができ
るという効果を有するものである。
によれば、縁基板上に第１の導電層を形成し、前記第１
の導電層の表面を陽極酸化して絶縁層を形成し、更に前
記絶縁層上に第２の導電層を配置してなる非線形抵抗素
子の製造方法において、前記絶縁層形成後、中心部の温
度450℃、中心部から出口までの温度勾配を４〜６℃/cm
とし、出口付近の温度を250℃以下に設定したアニール
炉内でアニール処理を施すことにより、非線形抵抗素子
の絶縁層の膜質が改質される。したがって、Ｉ−Ｖ特性
の極性差が小さい非線形抵抗素子を提供することができ
るという効果を有するものである。
第１図は本発明によるプロセスのフローチャート図。 第２図は従来のプロセスのフローチャート図。 第３図はアニール炉の温度特性のグラフ。 第４図はアニール処理を行ったMIM素子のＩ−Ｖ特性の
グラフ。
グラフ。
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁基板上に第１の導電層を形成し、前記
第１の導電層の表面を陽極酸化して絶縁層を形成し、更
に前記絶縁層上に第２の導電層を配置してなる非線形抵
抗素子の製造方法において、前記絶縁層形成後、中心部
の温度を450℃、中心部から出口までの温度勾配を４〜
６℃/cmとし、出口付近の温度を250℃以下に設定したア
ニール炉内でアニール処理を施すことを特徴とする非線
形素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60291206A JPH0716033B2 (ja) | 1985-12-24 | 1985-12-24 | 非線形抵抗素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60291206A JPH0716033B2 (ja) | 1985-12-24 | 1985-12-24 | 非線形抵抗素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62150787A JPS62150787A (ja) | 1987-07-04 |
| JPH0716033B2 true JPH0716033B2 (ja) | 1995-02-22 |
Family
ID=17765830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60291206A Expired - Lifetime JPH0716033B2 (ja) | 1985-12-24 | 1985-12-24 | 非線形抵抗素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0716033B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996030953A1 (fr) * | 1995-03-31 | 1996-10-03 | Seiko Epson Corporation | Dispositif mim non lineaire, son procede de production et afficheur a cristaux liquides |
| US5994748A (en) * | 1995-03-31 | 1999-11-30 | Seiko Epson Corporation | Two-terminal nonlinear device, method for manufacturing the same, and liquid-crystal display panel |
| JPH10247754A (ja) * | 1997-01-06 | 1998-09-14 | Seiko Epson Corp | ２端子型非線形素子およびその製造方法、ならびに液晶表示パネル |
-
1985
- 1985-12-24 JP JP60291206A patent/JPH0716033B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62150787A (ja) | 1987-07-04 |
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