JPS597340A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPS597340A JPS597340A JP57116491A JP11649182A JPS597340A JP S597340 A JPS597340 A JP S597340A JP 57116491 A JP57116491 A JP 57116491A JP 11649182 A JP11649182 A JP 11649182A JP S597340 A JPS597340 A JP S597340A
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- crystal display
- film
- tantalum
- thin film
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1365—Active matrix addressed cells in which the switching element is a two-electrode device
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高デユティ−駆動で表示コントラストの優れ
た液晶表示装置に関するものである。
た液晶表示装置に関するものである。
高デユーテイ駆動でコントラストの優れた液晶表示装置
としては従来、薄膜スイノヂング素子を用いたＴＦＴ方
式、薄膜非線型素子を用いたＭＩＭ方式等があった。
としては従来、薄膜スイノヂング素子を用いたＴＦＴ方
式、薄膜非線型素子を用いたＭＩＭ方式等があった。
第１図は従来のＭＩＭ方式による液晶表示パネルの一方
のＷＬ電極基板図である。１はガラス基板、２は透明導
電膜、６はタンタル金属薄膜で表面が五酸化タンタルの
酸化膜３′で被われている。４はクロム、金、タンタル
等の上部薄膜電極である。
のＷＬ電極基板図である。１はガラス基板、２は透明導
電膜、６はタンタル金属薄膜で表面が五酸化タンタルの
酸化膜３′で被われている。４はクロム、金、タンタル
等の上部薄膜電極である。
金属薄膜４〜酸化タンタル膜３′〜金属タンタル薄膜３
間でＭＩＭ構成が形成され、これにより非線型特性が得
られ、デユーティ比１００分の１〜３００分の１位の比
でも鮮明でコントラストの良い液晶表示装置が得られる
。しかるに、従来のＭＩＭ方式による液晶表示装置に於
ては、（１） タンタル金属薄膜３及びクロム、金、
タンタル等の金属薄膜４の電極巾は５μ？７１〜１０／
１ｍと集積回路なみのファインパターンが要求される。
間でＭＩＭ構成が形成され、これにより非線型特性が得
られ、デユーティ比１００分の１〜３００分の１位の比
でも鮮明でコントラストの良い液晶表示装置が得られる
。しかるに、従来のＭＩＭ方式による液晶表示装置に於
ては、（１） タンタル金属薄膜３及びクロム、金、
タンタル等の金属薄膜４の電極巾は５μ？７１〜１０／
１ｍと集積回路なみのファインパターンが要求される。
又、タンタル金属薄膜３と透明電導膜２との間隙も５
ＩＩ ｍ〜１０μｍと狭いため、電極の切断、隣り合う
電極間のショート等による製造歩留まりの低下があった
。
ＩＩ ｍ〜１０μｍと狭いため、電極の切断、隣り合う
電極間のショート等による製造歩留まりの低下があった
。
（２） 製造工程が、透明電極スパッターフォトエツ
チング→Ｔａスパッターフォトエツチング→Ｔα表面酸
化−上部薄膜電極４のスパッタ又は真空蒸着＝７オトエ
ソチングと液晶表示体の一方の′ＷＬ＃ｉｉ基板の製造
だけでもフォトエツチング工程が６回もあり、製造工程
が長く、更にフォトエツチングが精度５μｍ〜１０μ渭
が要求されるため製造歩留まりも悪く結果的に多大のコ
ストがかかり、商品性という面で問題があった。
チング→Ｔａスパッターフォトエツチング→Ｔα表面酸
化−上部薄膜電極４のスパッタ又は真空蒸着＝７オトエ
ソチングと液晶表示体の一方の′ＷＬ＃ｉｉ基板の製造
だけでもフォトエツチング工程が６回もあり、製造工程
が長く、更にフォトエツチングが精度５μｍ〜１０μ渭
が要求されるため製造歩留まりも悪く結果的に多大のコ
ストがかかり、商品性という面で問題があった。
本発明はこれらの欠点を除去したもので、その目的は、
製造工程の簡略化、エツチング精度の容易化を図る事に
あり、究極的には、安価な、比較的大容量の液晶表示装
置を提供する事にある。
製造工程の簡略化、エツチング精度の容易化を図る事に
あり、究極的には、安価な、比較的大容量の液晶表示装
置を提供する事にある。
第２図は本発明の一実施例に使用する液晶表示パネルの
一方の電極基板で、５はガラス基板でソーダライム系、
ホウケイ酸系、溶融石英系いづれでも良い。６はドツト
マトリックス電極を形成するストライブ状電極部で７，
８の２層構造がら成り立っている。８は透明電極で主成
分は酸化スズもしくは酸化インジウノ＼もしくはそれら
の混合物である。７は金属タンタル薄膜を陽極酸化法に
より酸化した酸化タンタル薄膜である。電極基板の製造
方法としては、ガラス基板５上に酸化スズもしくは酸化
インジウムを真空蒸着、もしくはスパッタリング、もし
くはｃＶＤ （ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒ Ｄｅｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ ）法により約２００Ｘ〜１２ｏｏＸの
透明電極の薄膜層８を形成する。
一方の電極基板で、５はガラス基板でソーダライム系、
ホウケイ酸系、溶融石英系いづれでも良い。６はドツト
マトリックス電極を形成するストライブ状電極部で７，
８の２層構造がら成り立っている。８は透明電極で主成
分は酸化スズもしくは酸化インジウノ＼もしくはそれら
の混合物である。７は金属タンタル薄膜を陽極酸化法に
より酸化した酸化タンタル薄膜である。電極基板の製造
方法としては、ガラス基板５上に酸化スズもしくは酸化
インジウムを真空蒸着、もしくはスパッタリング、もし
くはｃＶＤ （ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒ Ｄｅｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ ）法により約２００Ｘ〜１２ｏｏＸの
透明電極の薄膜層８を形成する。
この場合、２００Ｘ以下では比抵抗が１にΩ／口（スフ
ウェア）以上となりクロストーク、表示コントラスト不
足等をもたらす。１２ｏｏＸ以上では透明電極の透過率
が悪くなり表示外観上好ましくない。次に、タンタル金
属を上記透明電極上にやはり全面スパッタ法により形成
する。この時の厚みは約５ｏｏＸ以下の時には液晶表示
体を高デユーテイ駆動する時に必要な非線型効果が充分
に出す、３０００ｏＡ以上では非線型特性を示す電流〜
電圧特性カーブのスレッショルド電圧が、３０■以上に
なり液晶表示体の駆動電圧が上昇し駆動ＬＳＩの耐圧対
策上好ましくない。又、透明電極、ガラス基板との応力
により剥離が生ずる場合がある。
ウェア）以上となりクロストーク、表示コントラスト不
足等をもたらす。１２ｏｏＸ以上では透明電極の透過率
が悪くなり表示外観上好ましくない。次に、タンタル金
属を上記透明電極上にやはり全面スパッタ法により形成
する。この時の厚みは約５ｏｏＸ以下の時には液晶表示
体を高デユーテイ駆動する時に必要な非線型効果が充分
に出す、３０００ｏＡ以上では非線型特性を示す電流〜
電圧特性カーブのスレッショルド電圧が、３０■以上に
なり液晶表示体の駆動電圧が上昇し駆動ＬＳＩの耐圧対
策上好ましくない。又、透明電極、ガラス基板との応力
により剥離が生ずる場合がある。
次の工程はフォトエツチング工程（フォトレジストコー
ティング→乾燥→マスク側光→現像→ドライエツチング
→レジスト剥離）でまずタンタル薄膜を第２図に示す様
なストライプ電極６上にバターニングする。更に透明電
極膜を上記タンタル薄膜をマスクとしてエツチング（エ
ツチング液１５％塩酸もしくは亜鉛粉末と１５％塩酸）
して不要部分を除去する。
ティング→乾燥→マスク側光→現像→ドライエツチング
→レジスト剥離）でまずタンタル薄膜を第２図に示す様
なストライプ電極６上にバターニングする。更に透明電
極膜を上記タンタル薄膜をマスクとしてエツチング（エ
ツチング液１５％塩酸もしくは亜鉛粉末と１５％塩酸）
して不要部分を除去する。
次に上記金属タンタル薄膜を陽極酸化法によりほぼ全層
にわたり酸化し酸化タンタル膜化する陽極酸化法は１〜
５％クエン酸水溶液中に上記電極基板と対向電極板（タ
ンタル板が好ましい）を対峙させ、上記電極基板を正極
に、対向電極板を負極に電圧を３０Ｖ〜１５０■印加し
、電流がほぼ流れない（１μ八以下）迄印加しつづけて
タンタル膜を酸化させる。以上の工程で第２図に示す電
極基板は形成できる。ストライブ電極ｒｌＪは表示ドツ
ト巾に合せるが通常３００μｍ〜１３００ ／ｊ ｍ位
であり、ストライプ電極間の間隙は３０ ／ｌ ｍ〜１
００μｍでよい。
にわたり酸化し酸化タンタル膜化する陽極酸化法は１〜
５％クエン酸水溶液中に上記電極基板と対向電極板（タ
ンタル板が好ましい）を対峙させ、上記電極基板を正極
に、対向電極板を負極に電圧を３０Ｖ〜１５０■印加し
、電流がほぼ流れない（１μ八以下）迄印加しつづけて
タンタル膜を酸化させる。以上の工程で第２図に示す電
極基板は形成できる。ストライブ電極ｒｌＪは表示ドツ
ト巾に合せるが通常３００μｍ〜１３００ ／ｊ ｍ位
であり、ストライプ電極間の間隙は３０ ／ｌ ｍ〜１
００μｍでよい。
第３図は上記電極基板２枚を使用した液晶表示体の断面
図で、９，１０はガラス基板、１１は透明電極膜、１２
は酸化タンタル膜で、１６は液晶層である。１４．１５
はそれぞれ下偏光板及び上偏光板、１６は反射板で、本
実施例ではＴＮ型の液晶表示体を構成している。勿論ゲ
スト−ポスト型、ＤＳＭ型、ＥＯＢ型いずれの液晶表示
体でも同様に本発明は適用できる。上述した電極１１及
び１２は上下互にＸ−Ｙマ） ＩＪソックス極を構成し
交点部のドツト表示型ディスプレイを形成している。
図で、９，１０はガラス基板、１１は透明電極膜、１２
は酸化タンタル膜で、１６は液晶層である。１４．１５
はそれぞれ下偏光板及び上偏光板、１６は反射板で、本
実施例ではＴＮ型の液晶表示体を構成している。勿論ゲ
スト−ポスト型、ＤＳＭ型、ＥＯＢ型いずれの液晶表示
体でも同様に本発明は適用できる。上述した電極１１及
び１２は上下互にＸ−Ｙマ） ＩＪソックス極を構成し
交点部のドツト表示型ディスプレイを形成している。
第４図は上記液晶表示体の等価回路図で、１７．１８は
それぞれ互に上下Ｘ−Ｙマ） ＩＪソクスを構成する透
明電極線（第３図の１１に対応）、１９は非線型特性を
示す酸化タンタル層、２０は液晶層部である。
それぞれ互に上下Ｘ−Ｙマ） ＩＪソクスを構成する透
明電極線（第３図の１１に対応）、１９は非線型特性を
示す酸化タンタル層、２０は液晶層部である。
第５図は上記酸化タンタル層間に電圧を印加した場合の
電流特性カーブで、椿軸は印加電圧、縦軸は電流であり
、図示する様な非線型特性を示す。
電流特性カーブで、椿軸は印加電圧、縦軸は電流であり
、図示する様な非線型特性を示す。
この特性は前述した陽極酸化電圧により主にスレッショ
ルド電圧をコントロールできる。又、陽極酸化処理後窒
素雰囲気中で３００°Ｃ〜４００℃でアニーリング処理
をした場合は２１に示す様に正特性、負特性がほぼ対称
に近づき、極性差を減らす事ができる。しかし、同じ様
な酸化タンタル膜を第３図に示す様に上下電極に使用す
る場合には、互に極性差を打ぢ消ずため、必ずしもアニ
ール工程は必要でない。
ルド電圧をコントロールできる。又、陽極酸化処理後窒
素雰囲気中で３００°Ｃ〜４００℃でアニーリング処理
をした場合は２１に示す様に正特性、負特性がほぼ対称
に近づき、極性差を減らす事ができる。しかし、同じ様
な酸化タンタル膜を第３図に示す様に上下電極に使用す
る場合には、互に極性差を打ぢ消ずため、必ずしもアニ
ール工程は必要でない。
上述した様に陽極重化された酸化タンタル膜は非線型特
性をもつため、後述する様に液晶表示体を高デユーテイ
駆動する場合点灯部に印加される実効電圧と非点灯部に
印加される実効電圧の比が大きくできる。第６図は上記
液晶表示体をダイナミック駆動する場合の電圧波形で、
（１） 、 （２＋は点灯ドツト電極間に印加する電圧
波形、（２）は非点灯ドツト電極間に印加する電圧波形
である。（３） 、 （４）は実際に液晶層にかかる電
圧波形で、（３）は点灯ドツトの液晶層、（４）は非点
灯ドツトの液晶層にかかる電圧波形である。図で明らか
な様に酸化タンタルの非線型素子が直列に挿入されるた
め図の様に低電圧側にシフトし、しかも丸みを帯びた波
形になる。種々実験の結果１／６バイアス法による駆動
の場合１００分の１デユーテイで駆動した場合、回路か
ら供給される点灯／非点灯実効電圧比は１０３９である
が上記液晶表示体の液晶層に加わる実効電圧比は１２６
〜１６１となり通常の液晶でも充分なコントラスト比が
得られる。上述した実効電圧比のバラツキは前記タンタ
ル薄膜の厚み及び陽極酸化電圧に依存し、膜厚の厚い程
又、酸化電圧の高い程実効電圧比は大きく取れるが、駆
動電圧も高くなるため、本発明に於てはタンタル薄膜の
厚みが１６ｏｏＸ、陽極酸化電圧１２０ｖが最も好まし
く、液晶層に印加される実効電圧比は１．３０が得られ
た。第７図は、本発明の他の実施例で７セグメント数字
表示に応用した例である。２３は透明電極層、２４は酸
化タンタル薄膜層である。
性をもつため、後述する様に液晶表示体を高デユーテイ
駆動する場合点灯部に印加される実効電圧と非点灯部に
印加される実効電圧の比が大きくできる。第６図は上記
液晶表示体をダイナミック駆動する場合の電圧波形で、
（１） 、 （２＋は点灯ドツト電極間に印加する電圧
波形、（２）は非点灯ドツト電極間に印加する電圧波形
である。（３） 、 （４）は実際に液晶層にかかる電
圧波形で、（３）は点灯ドツトの液晶層、（４）は非点
灯ドツトの液晶層にかかる電圧波形である。図で明らか
な様に酸化タンタルの非線型素子が直列に挿入されるた
め図の様に低電圧側にシフトし、しかも丸みを帯びた波
形になる。種々実験の結果１／６バイアス法による駆動
の場合１００分の１デユーテイで駆動した場合、回路か
ら供給される点灯／非点灯実効電圧比は１０３９である
が上記液晶表示体の液晶層に加わる実効電圧比は１２６
〜１６１となり通常の液晶でも充分なコントラスト比が
得られる。上述した実効電圧比のバラツキは前記タンタ
ル薄膜の厚み及び陽極酸化電圧に依存し、膜厚の厚い程
又、酸化電圧の高い程実効電圧比は大きく取れるが、駆
動電圧も高くなるため、本発明に於てはタンタル薄膜の
厚みが１６ｏｏＸ、陽極酸化電圧１２０ｖが最も好まし
く、液晶層に印加される実効電圧比は１．３０が得られ
た。第７図は、本発明の他の実施例で７セグメント数字
表示に応用した例である。２３は透明電極層、２４は酸
化タンタル薄膜層である。
ｎｔｌ述したＸ−Ｙ７トリノクスドノト表示以外にも７
セグメント表示のダイナミック駆動にも本発明は適用で
きるが、要は表示セグメント或いは表示ドツト部上のみ
に酸化タンタル薄膜層があれば達成できる。又、上述し
た非線型特性を示す薄膜には酸化タンタルの他にも、酸
化アルミニウム、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化ジルコ
ニウム等力あり、これらもいづれも上述した特性が得ら
れる。
セグメント表示のダイナミック駆動にも本発明は適用で
きるが、要は表示セグメント或いは表示ドツト部上のみ
に酸化タンタル薄膜層があれば達成できる。又、上述し
た非線型特性を示す薄膜には酸化タンタルの他にも、酸
化アルミニウム、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化ジルコ
ニウム等力あり、これらもいづれも上述した特性が得ら
れる。
以上説明したように、本発明に於ては、はぼ表示透明電
極パターンと同一にそして上層に非線型特性を示す金属
酸化物をコートするため、Ｍ１Ｍ素子と同様の高デユー
テイ、グイナミノク特性が得られ１００分の１デユ一テ
イ〜１５０分の１デコーテイの駆動で高コントラスト表
示が得られる。
極パターンと同一にそして上層に非線型特性を示す金属
酸化物をコートするため、Ｍ１Ｍ素子と同様の高デユー
テイ、グイナミノク特性が得られ１００分の１デユ一テ
イ〜１５０分の１デコーテイの駆動で高コントラスト表
示が得られる。
更にＭＩＭ素子の様なファインパターンが必要なく歩留
まりの良い液晶表示体が可能になる。更に、製造のため
の７オトエノヂングエ程が一工稈で済みＭ工Ｍ素子の様
な５回も必要なく工数、歩留まりの面で更に有利になる
。世し、Ｍ工Ｍ素子では２００分の１デユーテイがら３
００分の１デユーデイが可能であるが本発明に於ては’
１５０分の１位が限界であった。これは本発明では表示
部に対する酸化タンタルの面積比が大きく、リーク電流
値が増加したためと思われる。しかし、ＴＶ表示に最低
必要な、１５０分の１デユーアーイは碓保でき、安価な
低電力ＴＶもしくは大容量ギヤラフター、グラフィック
表示体が可能になる。
まりの良い液晶表示体が可能になる。更に、製造のため
の７オトエノヂングエ程が一工稈で済みＭ工Ｍ素子の様
な５回も必要なく工数、歩留まりの面で更に有利になる
。世し、Ｍ工Ｍ素子では２００分の１デユーテイがら３
００分の１デユーデイが可能であるが本発明に於ては’
１５０分の１位が限界であった。これは本発明では表示
部に対する酸化タンタルの面積比が大きく、リーク電流
値が増加したためと思われる。しかし、ＴＶ表示に最低
必要な、１５０分の１デユーアーイは碓保でき、安価な
低電力ＴＶもしくは大容量ギヤラフター、グラフィック
表示体が可能になる。
第１図は従来のＭ工Ｍ素子を有する液晶表示体電極基板
。 トガラス基板 ２・・透明電極 ６・タンタル薄膜 ４・・・］二部電極第２図は本発
明に基づく液晶表示体の電極基板。 ５・・・ガラス基板 ７・・・酸化タンタル層８・
・・透明電極層 第３図は本発明に基づく液晶表示体の断面図。 ９．１０・・・ガラス基板 １１・透明電極層 １２・・酸化タンタル層 １６・・・液晶層第４図は
本発明に基づく液晶表示体の等価回路図。 ２０・・・液晶層 １９・・酸化タンタル部第５
図は酸化タンタル層の電圧〜電流特性グラフ。 第６ＵＡは本発明に基づく液晶表示体を駆動する電圧波
形及び、液晶層に印加される電圧波形である。 第７図は本発明の他の実施例に使用した電極基板。 ２２・・ガラス基板 ２３・・透明電極膜２４・・・
酸化タンタル膜 以 上 出願人 信州精器株式会社 代理人 弁理士 最上 務 第１図 第２図 第４図 第６図 第７図
。 トガラス基板 ２・・透明電極 ６・タンタル薄膜 ４・・・］二部電極第２図は本発
明に基づく液晶表示体の電極基板。 ５・・・ガラス基板 ７・・・酸化タンタル層８・
・・透明電極層 第３図は本発明に基づく液晶表示体の断面図。 ９．１０・・・ガラス基板 １１・透明電極層 １２・・酸化タンタル層 １６・・・液晶層第４図は
本発明に基づく液晶表示体の等価回路図。 ２０・・・液晶層 １９・・酸化タンタル部第５
図は酸化タンタル層の電圧〜電流特性グラフ。 第６ＵＡは本発明に基づく液晶表示体を駆動する電圧波
形及び、液晶層に印加される電圧波形である。 第７図は本発明の他の実施例に使用した電極基板。 ２２・・ガラス基板 ２３・・透明電極膜２４・・・
酸化タンタル膜 以 上 出願人 信州精器株式会社 代理人 弁理士 最上 務 第１図 第２図 第４図 第６図 第７図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）各々互に対向する面」二に透明導電膜を有する２枚
の電極基板及び上記２枚の電極基板間に挾持された液晶
物質とから構成される液晶表示装置に於て、前記透明導
電膜上の少なくとも表示電極上に非線型電流−電圧特性
を有する金属酸化膜を施した事を特徴とする液晶表示装
置。 ２）上記金属酸化膜として酸化タンタルを用いた事を特
徴とする特￥ｒ請求の範囲第１項記載の液晶表示装置。 ３）上記酸化タンタルは透明導電膜上に金属タンタルも
しくは窒化タンタル膜を形成した後、陽極酸化法にて形
成せしめた事を特徴とする特許請求の範囲第２項記載の
液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57116491A JPS597340A (ja) | 1982-07-05 | 1982-07-05 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57116491A JPS597340A (ja) | 1982-07-05 | 1982-07-05 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS597340A true JPS597340A (ja) | 1984-01-14 |
| JPH0462050B2 JPH0462050B2 (ja) | 1992-10-05 |
Family
ID=14688436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57116491A Granted JPS597340A (ja) | 1982-07-05 | 1982-07-05 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS597340A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6262333A (ja) * | 1985-09-13 | 1987-03-19 | Nec Corp | 薄膜二端子素子型アクテイブマトリツクス液晶表示装置の製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20110120290A (ko) | 2009-02-16 | 2011-11-03 | 미쓰비시 쥬시 가부시끼가이샤 | 가스 배리어성 적층 필름의 제조 방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52149090A (en) * | 1976-06-04 | 1977-12-10 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal display device |
| JPS53122442A (en) * | 1977-03-31 | 1978-10-25 | Gen Corp | Method of tantalum pentoxide membrane |
-
1982
- 1982-07-05 JP JP57116491A patent/JPS597340A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52149090A (en) * | 1976-06-04 | 1977-12-10 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal display device |
| JPS53122442A (en) * | 1977-03-31 | 1978-10-25 | Gen Corp | Method of tantalum pentoxide membrane |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6262333A (ja) * | 1985-09-13 | 1987-03-19 | Nec Corp | 薄膜二端子素子型アクテイブマトリツクス液晶表示装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0462050B2 (ja) | 1992-10-05 |
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