JPH0346632A - 反射型ｍｉｍアクティブマトリクス基板の製造方法 - Google Patents
反射型ｍｉｍアクティブマトリクス基板の製造方法Info
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- JPH0346632A JPH0346632A JP1182201A JP18220189A JPH0346632A JP H0346632 A JPH0346632 A JP H0346632A JP 1182201 A JP1182201 A JP 1182201A JP 18220189 A JP18220189 A JP 18220189A JP H0346632 A JPH0346632 A JP H0346632A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
液晶表示素子は低消費電力のフラットパネルデイスプレ
ィとして広く応用されている。中でも、スイッチング素
子を各画素に作り込んで駆動するアクティツマトリクス
方式は大容量高品質の表示素子としてテレビ、情報端末
等に用いられつつある。スイッチング素子としては３端
子型のＴＰＴ（薄膜トランジスタ）と２端子型のダイオ
ードやＭＩＭ（金属−絶縁膜−金属）素子等の非線形抵
抗素子が使われる。商品化に３端子型のＴＰＴが先行し
たが、２端子型は製造が３端子型に対して簡単であり、
今後が期待されている。
ィとして広く応用されている。中でも、スイッチング素
子を各画素に作り込んで駆動するアクティツマトリクス
方式は大容量高品質の表示素子としてテレビ、情報端末
等に用いられつつある。スイッチング素子としては３端
子型のＴＰＴ（薄膜トランジスタ）と２端子型のダイオ
ードやＭＩＭ（金属−絶縁膜−金属）素子等の非線形抵
抗素子が使われる。商品化に３端子型のＴＰＴが先行し
たが、２端子型は製造が３端子型に対して簡単であり、
今後が期待されている。
液晶表示素子としては透過型と反射型があり、透過型の
方が良く用いられるが、用途によっては反射型が有利で
ある。
方が良く用いられるが、用途によっては反射型が有利で
ある。
本発明は反射型のＭＩＭ素子に関する。
第４図に従来の透過型のＭＩＭ素子の製造方法を示す。
まず第４図（ａ）に示すように、ガラス等の基板６上に
Ｔａ等の金属を配線電極１として形威し、ホトエツチン
グによりパタン化する。続いて第４図（１））に示すよ
うに、配線電極１を利用して電流供給する事により、配
線電極１を実体陽極酸化する事により配線電極１上に絶
縁膜６を形成する。
Ｔａ等の金属を配線電極１として形威し、ホトエツチン
グによりパタン化する。続いて第４図（１））に示すよ
うに、配線電極１を利用して電流供給する事により、配
線電極１を実体陽極酸化する事により配線電極１上に絶
縁膜６を形成する。
次に第４図（Ｃ）に示すように、ＩＴＯ（酸化インジウ
ムスズ）等の透明導電膜が上部電極４０及び画素電極４
１を兼ねて形成しパタン化されろ。この場合には２枚の
マスクでパタン化が可能である。
ムスズ）等の透明導電膜が上部電極４０及び画素電極４
１を兼ねて形成しパタン化されろ。この場合には２枚の
マスクでパタン化が可能である。
反射型とするには更に反射性の電極を付加ずろ必要があ
る。これを第５図を用いて説明する。まず第５図（ａ）
に示すように、基板６上ＶＣＴａ等の金属を配線電極１
として形成しパタン化する。続いて配線電極１を利用１
〜て電流供給する事により、配線電極１を実体陽極酸化
する事により配線電極１上に絶縁膜６を形成する。その
後第５図（ｂ）に示すように、反射性画素電極５１を形
成しパタン化する。その後第５図（Ｃ）に示すように、
上部電極５０を形成しパタン化される。反射性画素電極
５１は別工程で形成して第５図の構造とする。
る。これを第５図を用いて説明する。まず第５図（ａ）
に示すように、基板６上ＶＣＴａ等の金属を配線電極１
として形成しパタン化する。続いて配線電極１を利用１
〜て電流供給する事により、配線電極１を実体陽極酸化
する事により配線電極１上に絶縁膜６を形成する。その
後第５図（ｂ）に示すように、反射性画素電極５１を形
成しパタン化する。その後第５図（Ｃ）に示すように、
上部電極５０を形成しパタン化される。反射性画素電極
５１は別工程で形成して第５図の構造とする。
従来例の課題は製造工程がやや複雑である点にある。第
５図の従来例では３枚のフォトマスクを必要としている
。
５図の従来例では３枚のフォトマスクを必要としている
。
本発明の目的は従来例の製造方法を簡略化する方法を提
供することにある。
供することにある。
本発明は反射型ＭＩＭアクティブマトリクス基板の製造
方法に於て、基板」二に反射性の金属膜を形成する工程
と、この反射性の金属膜を配線電極と反射性画素電極の
形状にパタン化する工程と、配線電極上に絶縁膜を形成
する工程と、この絶縁膜及び反射性画素電極上に」二部
電極を形成する工程を少なくとも有する事を特徴とし、
２枚マスク工程で反射型Ｍ Ｉ Ｍアクティブマトリク
ス基板の製造を可能とする。
方法に於て、基板」二に反射性の金属膜を形成する工程
と、この反射性の金属膜を配線電極と反射性画素電極の
形状にパタン化する工程と、配線電極上に絶縁膜を形成
する工程と、この絶縁膜及び反射性画素電極上に」二部
電極を形成する工程を少なくとも有する事を特徴とし、
２枚マスク工程で反射型Ｍ Ｉ Ｍアクティブマトリク
ス基板の製造を可能とする。
以下図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第】図（ａ）〜（Ｃ）に本発明の反射型Ｍ Ｉ Ｍアク
ティブマトリクス基板の製造方法の実施例を示す。
ティブマトリクス基板の製造方法の実施例を示す。
まず第１図（ａ）に示すように、基板６上の全面に反射
性の金属膜を形成し、この反射性の金属膜を配線電極１
と反射性画素電極２の形状にホトエツチングによりパタ
ン化する。次に第１図（ｂ）に示すように、配線電極１
上に絶縁膜６を形成する。次に第１図（Ｃ）に示すよう
に、絶縁膜６及び反射性画素電極２上に上部電極４を形
成ずろ。配線電極１と絶縁膜６と上部電極４との積層さ
れた領域がＭＩＭ素子５となる。
性の金属膜を形成し、この反射性の金属膜を配線電極１
と反射性画素電極２の形状にホトエツチングによりパタ
ン化する。次に第１図（ｂ）に示すように、配線電極１
上に絶縁膜６を形成する。次に第１図（Ｃ）に示すよう
に、絶縁膜６及び反射性画素電極２上に上部電極４を形
成ずろ。配線電極１と絶縁膜６と上部電極４との積層さ
れた領域がＭＩＭ素子５となる。
基板６としてはガラス、反射性の金属膜としてはＴａ、
Ａ４等を用いる。絶縁膜６の形成方法としては、配線電
極１を利用して配線電極１自体を陽極酸化する方法を用
いる。
Ａ４等を用いる。絶縁膜６の形成方法としては、配線電
極１を利用して配線電極１自体を陽極酸化する方法を用
いる。
この方法では反射性画素電極２自体は電流が供給されず
陽極酸化されない。そのため、反射性画素電極２の反射
率が保持される。また反射性画素電極２の金属面が露出
したままなので、第１図（Ｃ）に示す工程で上部電極４
と反射性画素電極２とをそのまま接続し電気的接続を取
る事が出来る。このように配線電極１を用いた陽極酸化
法によれば自動的に、必要な所のみ絶縁膜６を形成する
事が可能である。上部電極４としては金属（Ｔ ａ、Ａ
ｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎ ｉ、Ｔ ｉ等）や透明導電膜
（ＩＴＯ等）、及び半絶縁性膜（Ｓ ｉ Ｎ ｘ等）を
用いる事が可能で、本実施例ではＩＴＯを用いた。
陽極酸化されない。そのため、反射性画素電極２の反射
率が保持される。また反射性画素電極２の金属面が露出
したままなので、第１図（Ｃ）に示す工程で上部電極４
と反射性画素電極２とをそのまま接続し電気的接続を取
る事が出来る。このように配線電極１を用いた陽極酸化
法によれば自動的に、必要な所のみ絶縁膜６を形成する
事が可能である。上部電極４としては金属（Ｔ ａ、Ａ
ｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎ ｉ、Ｔ ｉ等）や透明導電膜
（ＩＴＯ等）、及び半絶縁性膜（Ｓ ｉ Ｎ ｘ等）を
用いる事が可能で、本実施例ではＩＴＯを用いた。
第２図は第１図を用いて説明したＭＩＭ素子の平面図で
あり、配線電極１の上のみ陽極酸化による絶縁膜３が形
成され、反射性画素電極２上には絶縁膜が形成されてい
ない。上部電極４と配線電極１の重なり部はＭＩＭ素子
５となり、上部電極４と反射性画素電極４０重なり部で
は上部電極４と反射性画素電極２との電気的接続を取っ
ている。
あり、配線電極１の上のみ陽極酸化による絶縁膜３が形
成され、反射性画素電極２上には絶縁膜が形成されてい
ない。上部電極４と配線電極１の重なり部はＭＩＭ素子
５となり、上部電極４と反射性画素電極４０重なり部で
は上部電極４と反射性画素電極２との電気的接続を取っ
ている。
第３図は本発明の反射型Ｍ Ｉ Ｍアクティブマトリク
ス基板を用いた反射型アクティブマトリクス液晶表示装
置の断面図である。一方の基板６上には配線電極１、絶
縁膜６、反射性画素電極２、ＭＩＭ素子５、配向膜８お
よび上部電極４が形成され、他方の基板７上には透明電
極１１、配向膜９が形成され、２つの基板６．７０間に
は液晶層１Ｄが挾持されている。入射光１２はこの液晶
層１０によって光学的に変調され反射光１６として出射
される。
ス基板を用いた反射型アクティブマトリクス液晶表示装
置の断面図である。一方の基板６上には配線電極１、絶
縁膜６、反射性画素電極２、ＭＩＭ素子５、配向膜８お
よび上部電極４が形成され、他方の基板７上には透明電
極１１、配向膜９が形成され、２つの基板６．７０間に
は液晶層１Ｄが挾持されている。入射光１２はこの液晶
層１０によって光学的に変調され反射光１６として出射
される。
第６図に本発明の反射型ＭＩＭアクティブマトリクス基
板の製造方法の第２の実施例を示す。
板の製造方法の第２の実施例を示す。
基板６上に反射性の金属膜（例えばＣｒ 、 Ａ ＩＪ
の２層膜）を形成し、この反射性の金属膜を配線電極１
と反射性画素電極２の形状にパタン化する工程と、配線
電極１」二及び反射性画素電極２上に絶縁膜３を形成す
る工程と、この絶縁膜３（例えばプラズマＣＶＤによる
非線形電流電圧特性を有するＳ ｉＮｘ又はＳ ｉ Ｎ
ｘ Ｏｙ等）及び（絶縁膜ろを介して）反射性画素電
極２−Ｌに」二部電極４を形成する工程からなる。配線
電極１或は反射性画素電極２と、絶縁膜ろと、上部電極
４との積層された領域がＭＩＭ素子５となる。このＭＩ
Ｍ素子は狭義にＭＳＮ（メタル・セミ・インシュレイタ
）素子と言われる事もある。非線形電流電圧特性を有す
る３ ｉ Ｎ Ｘ又はＳ １Ｎｘｏｙ等の絶縁膜は僅か
ながら吸収を示し反射性画素電極２０反射特性を低下さ
せる。そこで本実施例では、上部電極４のエツチング工
程で絶縁膜ろも同時に除去する事でこの問題を解決して
いる。
の２層膜）を形成し、この反射性の金属膜を配線電極１
と反射性画素電極２の形状にパタン化する工程と、配線
電極１」二及び反射性画素電極２上に絶縁膜３を形成す
る工程と、この絶縁膜３（例えばプラズマＣＶＤによる
非線形電流電圧特性を有するＳ ｉＮｘ又はＳ ｉ Ｎ
ｘ Ｏｙ等）及び（絶縁膜ろを介して）反射性画素電
極２−Ｌに」二部電極４を形成する工程からなる。配線
電極１或は反射性画素電極２と、絶縁膜ろと、上部電極
４との積層された領域がＭＩＭ素子５となる。このＭＩ
Ｍ素子は狭義にＭＳＮ（メタル・セミ・インシュレイタ
）素子と言われる事もある。非線形電流電圧特性を有す
る３ ｉ Ｎ Ｘ又はＳ １Ｎｘｏｙ等の絶縁膜は僅か
ながら吸収を示し反射性画素電極２０反射特性を低下さ
せる。そこで本実施例では、上部電極４のエツチング工
程で絶縁膜ろも同時に除去する事でこの問題を解決して
いる。
第７図に本発明の反射型ＭＩＭアクティブマトリクス基
板の製造方法の第３の実施例を示す。
板の製造方法の第３の実施例を示す。
基板６上に反射性の金属膜を形成し、この反射性の金属
膜を配線電極１と反射性画素電極２の形状にパタン化す
る工程と、配線電極１上及び反射性画素電極２」二に絶
縁膜６を形成する工程と、この絶縁膜６及び（絶縁膜３
を介して）反射性画素電極２上に上部電極４を形成する
工程からなる。
膜を配線電極１と反射性画素電極２の形状にパタン化す
る工程と、配線電極１上及び反射性画素電極２」二に絶
縁膜６を形成する工程と、この絶縁膜６及び（絶縁膜３
を介して）反射性画素電極２上に上部電極４を形成する
工程からなる。
配線電極１或は反射性画素電極２と、絶縁膜６と、上部
電極４との積層された領域がＭＩＭ素子５となる。本実
施例では反射性画素電極２上に絶縁膜６が残るため、透
明性の良い絶縁膜（例えばＴａ２０５等）をでき得る限
り無反射コート条件に近い条件で形成する必要がある。
電極４との積層された領域がＭＩＭ素子５となる。本実
施例では反射性画素電極２上に絶縁膜６が残るため、透
明性の良い絶縁膜（例えばＴａ２０５等）をでき得る限
り無反射コート条件に近い条件で形成する必要がある。
第６図、第７図の実施例ではＭＩＭ素子５が配線電極１
と反射性画素電極２の間に２個バックトウバックで入る
ために駆動能力（ＶＴＲ）を大きくとれ、正負対称特性
となると言う長所がある。
と反射性画素電極２の間に２個バックトウバックで入る
ために駆動能力（ＶＴＲ）を大きくとれ、正負対称特性
となると言う長所がある。
以上の実施例で明らかな如く、本発明では２枚マスク工
程という極めて簡単な工程で、反射型Ｍ Ｉ Ｍアクテ
ィブマトリクス基板を製造可能とする。この時、配線電
極上に形成される絶縁膜を、配線電極を利用して電流を
供給して陽極酸化して形成すると反射性画素電極上には
絶縁膜を形成せずに配線電極上にのみ選択的に形成でき
る。また、」二部電極をマスクに絶縁膜をエツチングす
れば、マスク数を増やす事なく不用な絶縁膜を除く事が
可能である。
程という極めて簡単な工程で、反射型Ｍ Ｉ Ｍアクテ
ィブマトリクス基板を製造可能とする。この時、配線電
極上に形成される絶縁膜を、配線電極を利用して電流を
供給して陽極酸化して形成すると反射性画素電極上には
絶縁膜を形成せずに配線電極上にのみ選択的に形成でき
る。また、」二部電極をマスクに絶縁膜をエツチングす
れば、マスク数を増やす事なく不用な絶縁膜を除く事が
可能である。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の実施例における反射型
ＭＩＭアクティブマトリクス基板の製造方法を工程順に
示す断面図、第２図は本発明の実施例における反射型Ｍ
ＩＭアクティブマトリクス基板を示す平面図、第３図は
本発明の反射型ＭＩＭアクティブマトリクス基板を用い
た反射型液晶表示素子の実施例を示す断面図、第４図（
ａ）〜（Ｃ１および第５図（ａ）〜（Ｃ）はいずれも従
来例の透過型及び反射型のＭＩＭアクティブマトリクス
基板の製造方法を工程順に示す断面図、第６図および第
７図はいずれも本発明の反射型ＭＩＭアクティブマトリ
クス基板の製造方法の他の実施例を示す断面図である。 １・・・・・・配線電極、 ２・・・・・・反射
性画素電極、６・・・・・・絶縁膜、 ４・・・
・・・上部電極、５・・・・・・ＭＩＭ素子、 ６
・・・・・・基板。 第２図
ＭＩＭアクティブマトリクス基板の製造方法を工程順に
示す断面図、第２図は本発明の実施例における反射型Ｍ
ＩＭアクティブマトリクス基板を示す平面図、第３図は
本発明の反射型ＭＩＭアクティブマトリクス基板を用い
た反射型液晶表示素子の実施例を示す断面図、第４図（
ａ）〜（Ｃ１および第５図（ａ）〜（Ｃ）はいずれも従
来例の透過型及び反射型のＭＩＭアクティブマトリクス
基板の製造方法を工程順に示す断面図、第６図および第
７図はいずれも本発明の反射型ＭＩＭアクティブマトリ
クス基板の製造方法の他の実施例を示す断面図である。 １・・・・・・配線電極、 ２・・・・・・反射
性画素電極、６・・・・・・絶縁膜、 ４・・・
・・・上部電極、５・・・・・・ＭＩＭ素子、 ６
・・・・・・基板。 第２図
Claims (3)
- （１）基板上に設けられた配線電極と該配線電極上に設
けられた絶縁膜と該絶縁膜上に設けられた上部電極とか
らなるＭＩＭ（金属−絶縁膜−金属）素子と反射性画素
電極を有する反射型ＭＩＭアクティブマトリクス基板の
製造方法に於て、 前記基板上に反射性の金属膜を形成する工程と、該反射
性の金属を前記配線電極と反射性画素電極の形状にパタ
ン化する工程と、前記配線電極上に前記絶縁膜を形成す
る工程と、前記絶縁膜及び反射性画素電極上に前記上部
電極を形成する工程とを少なくとも有する事を特徴とす
る反射型ＭＩＭアクティブマトリクス基板の製造方法。 - （２）請求項１記載の反射型ＭＩＭアクティブマトリク
ス基板の製造方法において、配線電極上に形成する絶縁
膜は、前記配線電極を利用して電流を供給する事により
、前記配線電極を陽極酸化して形成する事を特徴とする
反射型ＭＩＭアクティブマトリクス基板の製造方法。 - （３）請求項１記載の反射型ＭＩＭアクティブマトリク
ス基板の製造方法において、上部電極は絶縁膜を介して
反射性画素電極上に形成する事を特徴とする反射型ＭＩ
Ｍアクティブマトリクス基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18220189A JP2812720B2 (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | 反射型ｍｉｍアクティブマトリクス基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18220189A JP2812720B2 (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | 反射型ｍｉｍアクティブマトリクス基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0346632A true JPH0346632A (ja) | 1991-02-27 |
| JP2812720B2 JP2812720B2 (ja) | 1998-10-22 |
Family
ID=16114124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18220189A Expired - Fee Related JP2812720B2 (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | 反射型ｍｉｍアクティブマトリクス基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2812720B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6876407B2 (en) | 2002-03-29 | 2005-04-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus |
| JP2005148756A (ja) * | 2003-11-18 | 2005-06-09 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜ダイオード表示板及びこれを含む液晶表示装置 |
-
1989
- 1989-07-14 JP JP18220189A patent/JP2812720B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6876407B2 (en) | 2002-03-29 | 2005-04-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus |
| JP2005148756A (ja) * | 2003-11-18 | 2005-06-09 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜ダイオード表示板及びこれを含む液晶表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2812720B2 (ja) | 1998-10-22 |
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