JP3334554B2 - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置及びそ
の製造方法に係り、特に、絶縁膜を備えたアクティブ素
子を有し、当該絶縁膜と同材質の下地層を形成した基板
から構成される液晶表示装置に好適な技術に関する。
の製造方法に係り、特に、絶縁膜を備えたアクティブ素
子を有し、当該絶縁膜と同材質の下地層を形成した基板
から構成される液晶表示装置に好適な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶表示装置の概略構造として
は、表面上に配線や画素電極等からなる表面構造を形成
してなる２枚の透光性基板を相互に所定間隔で貼り合わ
せ、その基板間に液晶を封入したものがほとんどであ
る。その透光性基板の構造としては、基板の表面上に画
素領域に対応する表面構造をマトリクス状に配列させた
ものや、各画素領域に対応する表面構造毎にＴＦＴ（薄
膜トランジスタ）やＴＦＤ（薄膜ダイオード）等のアク
ティブ素子を設け、配線層をアクティブ素子を介して画
素電極に接続したもの等がある。
は、表面上に配線や画素電極等からなる表面構造を形成
してなる２枚の透光性基板を相互に所定間隔で貼り合わ
せ、その基板間に液晶を封入したものがほとんどであ
る。その透光性基板の構造としては、基板の表面上に画
素領域に対応する表面構造をマトリクス状に配列させた
ものや、各画素領域に対応する表面構造毎にＴＦＴ（薄
膜トランジスタ）やＴＦＤ（薄膜ダイオード）等のアク
ティブ素子を設け、配線層をアクティブ素子を介して画
素電極に接続したもの等がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述のアクティブ素子
を画素毎に備えた従来の液晶表示装置において共通の問
題点は、アクティブ素子の形成のために各画素領域にお
いて液晶表示に利用できる光透過領域の面積割合（以
下、単に「開口率」という。）が低下し、液晶表示にお
いて充分な明るさやコントラストを得ることができない
というものである。この開口率を向上させるために、従
来からアクティブ素子の構造に種々の工夫を凝らしたも
のが提案されているが、近年、液晶表示の高精細化によ
って画素面積が低下してきていることもあり、アクティ
ブ素子の小型化による開口率の向上には限界がある。
を画素毎に備えた従来の液晶表示装置において共通の問
題点は、アクティブ素子の形成のために各画素領域にお
いて液晶表示に利用できる光透過領域の面積割合（以
下、単に「開口率」という。）が低下し、液晶表示にお
いて充分な明るさやコントラストを得ることができない
というものである。この開口率を向上させるために、従
来からアクティブ素子の構造に種々の工夫を凝らしたも
のが提案されているが、近年、液晶表示の高精細化によ
って画素面積が低下してきていることもあり、アクティ
ブ素子の小型化による開口率の向上には限界がある。
【０００４】そこで本発明は上記問題点を解決するもの
であり、その課題は、開口率を向上させる方法以外の方
法により、液晶表示装置の表示の明るさやコントラスト
を向上させるための新規の液晶表示装置の構造及びその
製造方法を提供することにある。
であり、その課題は、開口率を向上させる方法以外の方
法により、液晶表示装置の表示の明るさやコントラスト
を向上させるための新規の液晶表示装置の構造及びその
製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明が講じた手段は、液晶層を挟持する一対の透光
性基板を有し、前記一対の透光性基板のうち少なくとも
一方の透光性基板に下地層が形成されてなる液晶表示装
置において、前記一方の透光性基板には透光性電極が形
成されてなり、前記下地層は前記透光性電極と平面的に
重なる領域においては、少なくともその一部が選択的に
除去若しくは薄肉化されていることを特徴とする液晶表
示装置である。
に本発明が講じた手段は、液晶層を挟持する一対の透光
性基板を有し、前記一対の透光性基板のうち少なくとも
一方の透光性基板に下地層が形成されてなる液晶表示装
置において、前記一方の透光性基板には透光性電極が形
成されてなり、前記下地層は前記透光性電極と平面的に
重なる領域においては、少なくともその一部が選択的に
除去若しくは薄肉化されていることを特徴とする液晶表
示装置である。
【０００６】この手段によれば、透光性電極の下に存在
していた下地層を選択的に除去若しくは薄肉化したこと
により、液晶表示装置の画素領域における光透過率を高
めることができることから、開口率を変えなくても表示
の明るさ及びコントラストを向上させることができる。
していた下地層を選択的に除去若しくは薄肉化したこと
により、液晶表示装置の画素領域における光透過率を高
めることができることから、開口率を変えなくても表示
の明るさ及びコントラストを向上させることができる。
【０００７】ここで、前記透光性電極にアクティブ素子
が接続されてなることが好ましい。
が接続されてなることが好ましい。
【０００８】この手段によれば、アクティブ素子を設け
ることによる開口率の低下を補うことができる。
ることによる開口率の低下を補うことができる。
【０００９】この場合にはまた、前記アクティブ素子
は、前記下地層と同じ主要成分を含む絶縁膜を備えてい
ることが望ましい。
は、前記下地層と同じ主要成分を含む絶縁膜を備えてい
ることが望ましい。
【００１０】この手段によれば、アクティブ素子が下地
層と同じ主要成分からなる絶縁膜を備えていることによ
り、アクティブ素子の絶縁膜のパターニング工程におい
て下地層の除去若しくは薄肉化を同時に行っても、パタ
ーニングと下地層の除去若しくは薄肉化とを制御性良く
行うことができるため、工程管理が容易になる。
層と同じ主要成分からなる絶縁膜を備えていることによ
り、アクティブ素子の絶縁膜のパターニング工程におい
て下地層の除去若しくは薄肉化を同時に行っても、パタ
ーニングと下地層の除去若しくは薄肉化とを制御性良く
行うことができるため、工程管理が容易になる。
【００１１】次に、液晶表示装置の製造方法において、
透光性基板上に下地層を形成する工程、前記下地層を
部分的に除去若しくは薄肉化する工程、及び 前記下地
層を除去若しくは薄肉化した領域に透光性電極を形成す
る工程を具備するものである。
透光性基板上に下地層を形成する工程、前記下地層を
部分的に除去若しくは薄肉化する工程、及び 前記下地
層を除去若しくは薄肉化した領域に透光性電極を形成す
る工程を具備するものである。
【００１２】ここで、前記下地層の除去若しくは薄肉化
は、前記アクティブ素子のパターニング時に同時に行う
ことが好ましい。
は、前記アクティブ素子のパターニング時に同時に行う
ことが好ましい。
【００１３】この手段によれば、下地層の除去若しくは
薄肉化をアクティブ素子のパターニング時に同時に行う
ことによって、工程数を増加させずに製造することがで
き、製造コストを低減することができる。
薄肉化をアクティブ素子のパターニング時に同時に行う
ことによって、工程数を増加させずに製造することがで
き、製造コストを低減することができる。
【００１４】この場合にはまた、前記アクティブ素子に
は、前記下地層の主要成分と同じ主要成分を有する絶縁
膜が含まれており、前記下地層の除去若しくは薄肉化を
行う工程は、前記絶縁膜を備えた部分のパターニング工
程であることが望ましい。
は、前記下地層の主要成分と同じ主要成分を有する絶縁
膜が含まれており、前記下地層の除去若しくは薄肉化を
行う工程は、前記絶縁膜を備えた部分のパターニング工
程であることが望ましい。
【００１５】
【発明の実施の形態】次に、添付図面を参照して本発明
に係る実施形態について説明する。図１及び図２は、本
実施形態における液晶表示装置の素子側基板の表面構造
の平面図及び断面図を示すものである。透明なガラス基
板１０の表面上に酸化Ｔａからなる厚さ８００〜１００
０Å程度の下地層１１が形成され、その表面上にＴａか
らなる厚さ２０００Å程度の導通層とＣｒ等からなる厚
さ１５００Å程度の被覆層の２層構造からなる配線層１
２が形成されている。また、下地層１１の表面にはＴａ
からなる接続層１３も形成されている。
に係る実施形態について説明する。図１及び図２は、本
実施形態における液晶表示装置の素子側基板の表面構造
の平面図及び断面図を示すものである。透明なガラス基
板１０の表面上に酸化Ｔａからなる厚さ８００〜１００
０Å程度の下地層１１が形成され、その表面上にＴａか
らなる厚さ２０００Å程度の導通層とＣｒ等からなる厚
さ１５００Å程度の被覆層の２層構造からなる配線層１
２が形成されている。また、下地層１１の表面にはＴａ
からなる接続層１３も形成されている。
【００１６】接続層１３の表面上には後述する陽極酸化
法によって厚さ２００〜６００Å程度の薄い絶縁膜が形
成されており、接続層１３の一端側の絶縁膜の表面上に
は、上記被覆層が延長されて形成された第１電極部１２
ａが被覆し、相互に導電接触している。また、接続層１
３の他端側の絶縁膜の表面上には、Ｃｒ等からなる電極
層１５に延長形成された第２電極部１５ａが被覆し、導
電接触している。
法によって厚さ２００〜６００Å程度の薄い絶縁膜が形
成されており、接続層１３の一端側の絶縁膜の表面上に
は、上記被覆層が延長されて形成された第１電極部１２
ａが被覆し、相互に導電接触している。また、接続層１
３の他端側の絶縁膜の表面上には、Ｃｒ等からなる電極
層１５に延長形成された第２電極部１５ａが被覆し、導
電接触している。
【００１７】上記構造においては、第１電極部１４ａと
接続層１３とが絶縁膜を介して接合していることによ
り、ＭＩＭ（金属−絶縁体−金属）素子が構成されてい
る。また、接続層１３と第２電極部１５ａとが絶縁膜を
介して接合していることにより、同様のＭＩＭ素子が構
成されている。これらの構造は、ＭＩＭ素子の有する電
流−電圧特性における非線形性の極性に基づく非対称性
を解消し、素子不良の発生確率を低減するためのもので
ある。
接続層１３とが絶縁膜を介して接合していることによ
り、ＭＩＭ（金属−絶縁体−金属）素子が構成されてい
る。また、接続層１３と第２電極部１５ａとが絶縁膜を
介して接合していることにより、同様のＭＩＭ素子が構
成されている。これらの構造は、ＭＩＭ素子の有する電
流−電圧特性における非線形性の極性に基づく非対称性
を解消し、素子不良の発生確率を低減するためのもので
ある。
【００１８】電極層１５は、画素領域にほぼ対応した平
面形状を備えたＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等から
なる透明電極１６に導電接続されている。この結果、上
記配線層１２と透明電極１６との間に、２つのＭＩＭ素
子が直列に接続されていることとなる。
面形状を備えたＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等から
なる透明電極１６に導電接続されている。この結果、上
記配線層１２と透明電極１６との間に、２つのＭＩＭ素
子が直列に接続されていることとなる。
【００１９】透明電極１６は、上記の下地層１１を除去
若しくは薄肉化することによって形成された開口部１１
ａの上に形成されている。開口部１１ａの開口縁部は、
図１に示すように透明電極１１よりもやや内側に位置す
るようになっている。
若しくは薄肉化することによって形成された開口部１１
ａの上に形成されている。開口部１１ａの開口縁部は、
図１に示すように透明電極１１よりもやや内側に位置す
るようになっている。
【００２０】次に、図３乃至図７を参照して、本実施形
態における上記基板の製造方法について説明する。
態における上記基板の製造方法について説明する。
【００２１】まず、図３（ａ）に示すように、ガラス基
板１０の表面上にＴａをスパッタリング法等によって堆
積させ、熱酸化によって下地層１１を形成する。この下
地層１１は、酸化Ｔａを直接スパッタリングすることに
よっても形成できる。この下地層１１は、上層に形成さ
れる配線層、ＭＩＭ素子、透明電極等の密着性を高める
ために形成されるものであり、また、ガラス基板１０に
含まれているＮａ等の汚染を防止するために設ける場合
もある。さらに、上層構造を形成する際に用いるエッチ
ング液からガラス基板１０を保護するために設ける場合
もある。
板１０の表面上にＴａをスパッタリング法等によって堆
積させ、熱酸化によって下地層１１を形成する。この下
地層１１は、酸化Ｔａを直接スパッタリングすることに
よっても形成できる。この下地層１１は、上層に形成さ
れる配線層、ＭＩＭ素子、透明電極等の密着性を高める
ために形成されるものであり、また、ガラス基板１０に
含まれているＮａ等の汚染を防止するために設ける場合
もある。さらに、上層構造を形成する際に用いるエッチ
ング液からガラス基板１０を保護するために設ける場合
もある。
【００２２】次に、下地層１１の表面上にＴａをスパッ
タリング法等によって全面的に堆積し、所定のパターニ
ングを施すことによって、導電パターン１２Ａを形成す
る。この導電パターン１２Ａは図５に示すような平面パ
ターンであり、複数平行に並列するように形成され、配
線層１２の下層を構成する導通層となる配線パターン部
１２Ａ−１と、配線パターン部１２Ａ−１の延長方向に
複数形成され、配線パターン部の途中から突出して直角
に屈曲した形状に設けられた電極パターン部１２Ａ−２
と、複数の配線パターン部１２Ａ−１の端部に接続され
た連結パターン部１２Ａ−３とから構成されている。導
電パターン１２Ａの各配線パターン部１２Ａ−１及び電
極パターン部１２Ａ−２は、連結パターン１２Ａ−３に
よって相互に導通されている。
タリング法等によって全面的に堆積し、所定のパターニ
ングを施すことによって、導電パターン１２Ａを形成す
る。この導電パターン１２Ａは図５に示すような平面パ
ターンであり、複数平行に並列するように形成され、配
線層１２の下層を構成する導通層となる配線パターン部
１２Ａ−１と、配線パターン部１２Ａ−１の延長方向に
複数形成され、配線パターン部の途中から突出して直角
に屈曲した形状に設けられた電極パターン部１２Ａ−２
と、複数の配線パターン部１２Ａ−１の端部に接続され
た連結パターン部１２Ａ−３とから構成されている。導
電パターン１２Ａの各配線パターン部１２Ａ−１及び電
極パターン部１２Ａ−２は、連結パターン１２Ａ−３に
よって相互に導通されている。
【００２３】次に、上記の基板を所定の電解液中に浸漬
し、導電パターン１２Ａと電解液との間に所定の電圧を
印加して、導電パターン１２Ａの電極パターン部１２Ａ
−２の表面に陽極酸化を施す。この陽極酸化によって、
図３（ｂ）に示すように酸化Ｔａからなる薄い絶縁膜１
４が形成される。この絶縁膜１４は、形成後に熱処理を
施され、所定条件で冷却されることにより、ピンホール
の除去や膜質の安定化が図られる。
し、導電パターン１２Ａと電解液との間に所定の電圧を
印加して、導電パターン１２Ａの電極パターン部１２Ａ
−２の表面に陽極酸化を施す。この陽極酸化によって、
図３（ｂ）に示すように酸化Ｔａからなる薄い絶縁膜１
４が形成される。この絶縁膜１４は、形成後に熱処理を
施され、所定条件で冷却されることにより、ピンホール
の除去や膜質の安定化が図られる。
【００２４】次に、図３（ｃ）に示すように、上記構造
の上にＣｒをスパッタリング法等によって堆積し、導電
パターン１２Ａの配線パターン部１２Ａ−１上に配線パ
ターン部１２Ｂを形成するとともに、電極パターン１２
Ａ−２の端部にかかる電極層１５を形成する。配線パタ
ーン部１２Ｂは、図６に示すように、配線パターン部１
２Ａ−１を被覆するとともに、配線パターン部１２Ａ−
１から張り出して電極パターン部１２Ａ−２に一部かか
るように形成された第１電極部１２ａを備えている。
の上にＣｒをスパッタリング法等によって堆積し、導電
パターン１２Ａの配線パターン部１２Ａ−１上に配線パ
ターン部１２Ｂを形成するとともに、電極パターン１２
Ａ−２の端部にかかる電極層１５を形成する。配線パタ
ーン部１２Ｂは、図６に示すように、配線パターン部１
２Ａ−１を被覆するとともに、配線パターン部１２Ａ−
１から張り出して電極パターン部１２Ａ−２に一部かか
るように形成された第１電極部１２ａを備えている。
【００２５】次に、図４（ａ）に示すように、電極パタ
ーン部１２Ａ−２の基部をエッチングによって除去し、
配線パターン部１２Ａ−１から離れた接続層１３を形成
する。このエッチング工程においては、同時に、連結パ
ターン部１２Ａ−３をも除去する。また、画素領域の中
央部の下地層１１を選択的に除去若しくは薄肉化するこ
とによって、開口部１１ａも同時に形成される。この工
程後における平面パターンは図７に示されている。
ーン部１２Ａ−２の基部をエッチングによって除去し、
配線パターン部１２Ａ−１から離れた接続層１３を形成
する。このエッチング工程においては、同時に、連結パ
ターン部１２Ａ−３をも除去する。また、画素領域の中
央部の下地層１１を選択的に除去若しくは薄肉化するこ
とによって、開口部１１ａも同時に形成される。この工
程後における平面パターンは図７に示されている。
【００２６】最後に、図４（ｂ）に示すように、電極層
１５に一部がかかり、かつ、開口部１１ａ上を被覆する
ように、透明電極１６をスパッタリング法等によって形
成する。
１５に一部がかかり、かつ、開口部１１ａ上を被覆する
ように、透明電極１６をスパッタリング法等によって形
成する。
【００２７】この実施形態においては、図１に示すよう
に、下地層１１に開口部１１ａが設けられているため、
画素領域の中央部に下地層のない部分が広く形成され、
画素領域の中央部における光透過率を高めることができ
るため、開口率を高めることなく、液晶表示の明るさを
高め、コントラストを向上させることができる。
に、下地層１１に開口部１１ａが設けられているため、
画素領域の中央部に下地層のない部分が広く形成され、
画素領域の中央部における光透過率を高めることができ
るため、開口率を高めることなく、液晶表示の明るさを
高め、コントラストを向上させることができる。
【００２８】ここで、本実施形態においては、開口部１
１ａを、ＭＩＭ素子をパターニングする工程にて同時に
形成しているため、特に新たな工程を必要としない。
１ａを、ＭＩＭ素子をパターニングする工程にて同時に
形成しているため、特に新たな工程を必要としない。
【００２９】上記実施形態では、開口部１１ａをＭＩＭ
素子のパターニング工程にて形成しているが、他の新た
に設けた工程にて形成してもよく、或いはまた、透明電
極１６同士或いは配線層１２と透明電極１６との間のパ
ターニング不良による短絡を防止するための、図１に示
す領域Ａ，Ｂ，Ｃに対するエッチング工程にて形成して
もよい。
素子のパターニング工程にて形成しているが、他の新た
に設けた工程にて形成してもよく、或いはまた、透明電
極１６同士或いは配線層１２と透明電極１６との間のパ
ターニング不良による短絡を防止するための、図１に示
す領域Ａ，Ｂ，Ｃに対するエッチング工程にて形成して
もよい。
【００３０】本実施形態では、図４（ａ）に示すＭＩＭ
素子のパターニング工程で酸化Ｔａ及びＴａのエッチン
グ除去を行うため、この工程において同時に、同材質の
酸化Ｔａからなる下地層１１の除去若しくは薄肉化を行
っている。この方法は、同材質若しくは主要成分の等し
い材質をエッチングすることとなることから、エッチン
グ量を容易に制御できる点で都合がよい。
素子のパターニング工程で酸化Ｔａ及びＴａのエッチン
グ除去を行うため、この工程において同時に、同材質の
酸化Ｔａからなる下地層１１の除去若しくは薄肉化を行
っている。この方法は、同材質若しくは主要成分の等し
い材質をエッチングすることとなることから、エッチン
グ量を容易に制御できる点で都合がよい。
【００３１】本実施形態の開口部１１ａは、透明電極１
６の外縁よりもやや内側に開口縁部がくるように形成さ
れている。このため、ガラス基板１０上に対する密着性
を大きく阻害することなく透明電極１６を形成すること
ができる。
６の外縁よりもやや内側に開口縁部がくるように形成さ
れている。このため、ガラス基板１０上に対する密着性
を大きく阻害することなく透明電極１６を形成すること
ができる。
【００３２】なお、この場合に透明電極１６の外縁部の
光透過率が低下するように思われるが、実際には、対向
基板に形成されるカラーフィルタには、画素領域間にブ
ラックストライプが形成されており、このブラックスト
ライプによって隠れる部分が透明電極１６の外縁の下地
層１１が存在している部分に対応するため、光透過率へ
の影響はほとんどない。
光透過率が低下するように思われるが、実際には、対向
基板に形成されるカラーフィルタには、画素領域間にブ
ラックストライプが形成されており、このブラックスト
ライプによって隠れる部分が透明電極１６の外縁の下地
層１１が存在している部分に対応するため、光透過率へ
の影響はほとんどない。
【００３３】ただし、上述の密着性が問題とならなけれ
ば、透明電極１６の外縁と開口部１１ａの開口縁部とを
一致させても、或いは、透明電極１６の外縁を開口部１
１の開口縁部よりも内側に設定してもよい。
ば、透明電極１６の外縁と開口部１１ａの開口縁部とを
一致させても、或いは、透明電極１６の外縁を開口部１
１の開口縁部よりも内側に設定してもよい。
【００３４】開口部１１ａは、必ずしも下地層１１を完
全に除去することにより形成されていなくてもよい。下
地層１１を周囲よりも薄肉化してあれば、光透過率を向
上させることができるからである。下地層１１を完全に
は除去せず、下地層１１の薄肉化によって開口部１１ａ
を形成することは、例えば、他の部分のエッチング工程
と同時に開口部１１を形成する場合に、他の部分のエッ
チングが完了しても下地層１１がなお除去できないよう
な条件下においてなされる。この場合、下地層１１を完
全に除去しないことによって、光透過率の向上は抑制さ
れるが、ガラス基板１０が露出しないことによって、ガ
ラス基板１０による汚染を防止することができるという
利点がある。
全に除去することにより形成されていなくてもよい。下
地層１１を周囲よりも薄肉化してあれば、光透過率を向
上させることができるからである。下地層１１を完全に
は除去せず、下地層１１の薄肉化によって開口部１１ａ
を形成することは、例えば、他の部分のエッチング工程
と同時に開口部１１を形成する場合に、他の部分のエッ
チングが完了しても下地層１１がなお除去できないよう
な条件下においてなされる。この場合、下地層１１を完
全に除去しないことによって、光透過率の向上は抑制さ
れるが、ガラス基板１０が露出しないことによって、ガ
ラス基板１０による汚染を防止することができるという
利点がある。
【００３５】上記下地層は酸化Ｔａによって形成されて
いるが、下地層としては、窒化シリコン、酸化アルミニ
ウム等で形成することもできる。
いるが、下地層としては、窒化シリコン、酸化アルミニ
ウム等で形成することもできる。
【００３６】上記実施形態によって液晶表示装置を形成
し、その光学特性及び表示特性について検査を行った。
その結果、本実施形態による液晶表示装置においては、
光透過率が従来構造のものを基準として１０％程度向上
した。例えば５．６インチ型の液晶表示装置の場合、全
体の光透過率（非点灯透過率）が従来の４．４％から
５．０％に向上した。また、液晶表示領域の色づきが低
減され、全体としても品位の高い表示が可能となった。
し、その光学特性及び表示特性について検査を行った。
その結果、本実施形態による液晶表示装置においては、
光透過率が従来構造のものを基準として１０％程度向上
した。例えば５．６インチ型の液晶表示装置の場合、全
体の光透過率（非点灯透過率）が従来の４．４％から
５．０％に向上した。また、液晶表示領域の色づきが低
減され、全体としても品位の高い表示が可能となった。
【００３７】なお、上記のエッチング工程は、公知のマ
スク形成によって適宜行うことができ、例えば、フォト
リソグラフィ法によるレジストパターンの形状を適宜変
えることによって容易に行うことができる。
スク形成によって適宜行うことができ、例えば、フォト
リソグラフィ法によるレジストパターンの形状を適宜変
えることによって容易に行うことができる。
【００３８】本実施形態においては、２つのＭＩＭ素子
を直列に接続した構造を挙げて説明したが、通常の金属
−絶縁体−金属構造のＭＩＭ素子としてもよく、また、
金属−絶縁体−ＩＴＯ構造の２端子素子、ＴＦＴ等の３
端子素子としても、表示の明るさやコントラストを向上
させることができるものである。
を直列に接続した構造を挙げて説明したが、通常の金属
−絶縁体−金属構造のＭＩＭ素子としてもよく、また、
金属−絶縁体−ＩＴＯ構造の２端子素子、ＴＦＴ等の３
端子素子としても、表示の明るさやコントラストを向上
させることができるものである。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば以下
の効果を奏する。
の効果を奏する。
【００４０】請求項１によれば、透光性電極の下に存在
していた下地層を選択的に除去若しくは薄肉化したこと
により、液晶表示装置の画素領域における光透過率を高
めることができることから、開口率を変えなくても表示
の明るさ及びコントラストを向上させることができる。
していた下地層を選択的に除去若しくは薄肉化したこと
により、液晶表示装置の画素領域における光透過率を高
めることができることから、開口率を変えなくても表示
の明るさ及びコントラストを向上させることができる。
【００４１】請求項２又は請求項４によれば、アクティ
ブ素子を設けることによる開口率の低下を補うことがで
きる。
ブ素子を設けることによる開口率の低下を補うことがで
きる。
【００４２】請求項３又は請求項６によれば、アクティ
ブ素子が下地層と同じ主要成分からなる絶縁膜を備えて
いることにより、アクティブ素子の絶縁膜のパターニン
グ工程において下地層の除去若しくは薄肉化を同時に行
っても、パターニングと下地層の除去若しくは薄肉化と
を制御性良く行うことができるため、工程管理が容易に
なる。
ブ素子が下地層と同じ主要成分からなる絶縁膜を備えて
いることにより、アクティブ素子の絶縁膜のパターニン
グ工程において下地層の除去若しくは薄肉化を同時に行
っても、パターニングと下地層の除去若しくは薄肉化と
を制御性良く行うことができるため、工程管理が容易に
なる。
【００４３】請求項５によれば、下地層の除去若しくは
薄肉化をアクティブ素子のパターニング時に同時に行う
ことによって、工程数を増加させずに製造することがで
き、製造コストを低減することができる。
薄肉化をアクティブ素子のパターニング時に同時に行う
ことによって、工程数を増加させずに製造することがで
き、製造コストを低減することができる。
【図１】本発明に係る液晶表示装置の実施形態を示すた
めの素子側の基板の表面構造を示す平面図である。
めの素子側の基板の表面構造を示す平面図である。
【図２】図１のII−II線に沿って切断した状態を示す断
面図である。
面図である。
【図３】本発明に係る液晶表示装置の製造方法の実施形
態を示す工程断面図（ａ）〜（ｃ）である。
態を示す工程断面図（ａ）〜（ｃ）である。
【図４】同実施形態を示す工程断面図（ａ）及び（ｂ）
である。
である。
【図５】同実施形態を示す工程平面図である。
【図６】同実施形態を示す工程平面図である。
【図７】同実施形態を示す工程平面図である。
１０ ガラス基板 １１ 下地層 １１ａ 開口部 １２ 配線層 １２Ａ 導電パターン １２Ａ−１ 配線パターン部 １２Ａ−２ 電極パターン部 １２Ａ−３ 連結パターン部 １３ 接続層 １４ 絶縁膜 １５ 電極層 １６ 透明電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1333 505 G02F 1/1333 500 G02F 1/1343 G02F 1/1362
Claims (9)
- 【請求項１】 液晶層を挟持する一対の透光性基板を有
し、前記一対の透光性基板のうち少なくとも一方の透光
性基板に下地層が形成されてなる液晶表示装置におい
て、 前記一方の透光性基板には透光性電極が形成されてな
り、 前記下地層は、前記透光性電極と平面的に重なる領域に
おいては少なくともその一部が選択的に除去若しくは薄
肉化されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 請求項１において、前記透光性電極にア
クティブ素子が接続されてなることを特徴とする液晶表
示装置。 - 【請求項３】 請求項２において、前記アクティブ素子
は、前記下地層と同様の主要成分を含む絶縁膜を備えて
いることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項４】 液晶表示装置の製造方法において、 透光性基板上に下地層を形成する工程、 前記下地層を部分的に除去若しくは薄肉化する工程、及
び前記下地層を除去若しくは薄肉化した領域に透光性電
極を形成する工程を具備することを特徴とする液晶表示
装置の製造方法。 - 【請求項５】 請求項４において、前記下地層の除去若
しくは薄肉化は、前記アクティブ素子のパターニング時
に同時に行うことを特徴とする液晶表示装置の製造方
法。 - 【請求項６】 請求項５において、前記アクティブ素子
には、前記下地層の主要成分と同じ主要成分を有する絶
縁膜が含まれており、前記下地層の除去若しくは薄肉化
を行う工程は、前記絶縁膜を備えた部分のパターニング
工程であることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項７】 透光性基板に透光性電極が形成されてな
る液晶表示装置において、 前記透光性基板上には下地層が形成されてなり、 前記透光性電極と平面的に重なる領域の少なくとも一部
においては、 前記下地層の厚みが他領域より薄いこと
を特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項８】 透光性基板に透光性電極が形成されてな
る液晶表示装置において、 前記透光性基板上には開口部を有する下地層が形成され
てなり、 前記透光性電極は前記開口部上に設けられてなることを
特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項９】 請求項７又は請求項８に記載の液晶表示
装置において、 前記下地層は酸化Ｔａを含むことを特徴とする液晶表示
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9119797A JP3334554B2 (ja) | 1997-04-09 | 1997-04-09 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9119797A JP3334554B2 (ja) | 1997-04-09 | 1997-04-09 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10282530A JPH10282530A (ja) | 1998-10-23 |
| JP3334554B2 true JP3334554B2 (ja) | 2002-10-15 |
Family
ID=14019726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9119797A Expired - Lifetime JP3334554B2 (ja) | 1997-04-09 | 1997-04-09 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3334554B2 (ja) |
-
1997
- 1997-04-09 JP JP9119797A patent/JP3334554B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10282530A (ja) | 1998-10-23 |
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