JPS61232689A - ＭｉＭダイオ−ド基板 - Google Patents
ＭｉＭダイオ−ド基板Info
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- JPS61232689A JPS61232689A JP60074877A JP7487785A JPS61232689A JP S61232689 A JPS61232689 A JP S61232689A JP 60074877 A JP60074877 A JP 60074877A JP 7487785 A JP7487785 A JP 7487785A JP S61232689 A JPS61232689 A JP S61232689A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1365—Active matrix addressed cells in which the switching element is a two-electrode device
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、金属−絶縁膜−金属を積層して形成した液晶
表示装置等に用いるＭ ｉ Ｍダイオード基板に関する
。
表示装置等に用いるＭ ｉ Ｍダイオード基板に関する
。
マトリクス型液晶表示パネル用の基板として、Ｍ ｉ
Ｍダイオードをアレー状に形成した基板が提案されてい
る。ダイオードの製造工程が簡単であるので、大面積、
高表示品質、低価格の液晶表示パネル用の基板として有
望である。
Ｍダイオードをアレー状に形成した基板が提案されてい
る。ダイオードの製造工程が簡単であるので、大面積、
高表示品質、低価格の液晶表示パネル用の基板として有
望である。
まず第２図に示す従来のへ４ ｉ Ｍダイオード基板の
製造方法を述べる。基板１０表面に、基板からの不純物
析出と、後述のエンチング工程時の基板表面保護を目的
としてＳｉｎ、、、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２０５等の保護膜
２を形成する。つぎにＴａ等の第１の金属を約３００ｎ
ｍの膜厚で形成し、プラズマエツチングやウェットエン
チングにてエツチングを行ない第１のパターン６を形成
する。つぎに第１のパターンの表面を陽極酸化法にて酸
化し、約３゜ｎｍのＴａ２Ｏ３を形成する。最後に第２
の導体膜としてＩｎ２Ｏ３等の透明電極を約１ｏｏｏ久
の膜厚で形成しエツチングして第２のパターン５を形成
する。第１のパターン３と第２のパターン５の交差部（
Ｆ Ｔ ａ−Ｔａ、、 Ｏ，−Ｉｎ２Ｏ３が積層され、
ＭｉＭダイオードが形成される。
製造方法を述べる。基板１０表面に、基板からの不純物
析出と、後述のエンチング工程時の基板表面保護を目的
としてＳｉｎ、、、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２０５等の保護膜
２を形成する。つぎにＴａ等の第１の金属を約３００ｎ
ｍの膜厚で形成し、プラズマエツチングやウェットエン
チングにてエツチングを行ない第１のパターン６を形成
する。つぎに第１のパターンの表面を陽極酸化法にて酸
化し、約３゜ｎｍのＴａ２Ｏ３を形成する。最後に第２
の導体膜としてＩｎ２Ｏ３等の透明電極を約１ｏｏｏ久
の膜厚で形成しエツチングして第２のパターン５を形成
する。第１のパターン３と第２のパターン５の交差部（
Ｆ Ｔ ａ−Ｔａ、、 Ｏ，−Ｉｎ２Ｏ３が積層され、
ＭｉＭダイオードが形成される。
前記従来のＭ ｉ Ｍダイオード基板では、Ｍ ｉ Ｍ
ダイオードを構成１゛ろＴ”ａと■Ｉ］２０．膜の仕事
関数がそれぞれ４．、 ］、 ｅ Ｖと５ ｅ Ｖと大
幅に相違」−イ）ので、ショットキー効果に起因して、
ＭｉＭダイオードを流れる′電流値が方向に依存し、等
しい印加電圧□に対して１桁の差が生じる。Ｍ ｉ Ｍ
ダイオード基板を用いて、液晶表示素子を駆動する場合
には、前記電流の方向性に起因して液晶層に印加される
電圧が正負で相違して、印加電圧の交流性が確保困難で
ある。この結果液晶の寿命が短かくなる問題点があった
。
ダイオードを構成１゛ろＴ”ａと■Ｉ］２０．膜の仕事
関数がそれぞれ４．、 ］、 ｅ Ｖと５ ｅ Ｖと大
幅に相違」−イ）ので、ショットキー効果に起因して、
ＭｉＭダイオードを流れる′電流値が方向に依存し、等
しい印加電圧□に対して１桁の差が生じる。Ｍ ｉ Ｍ
ダイオード基板を用いて、液晶表示素子を駆動する場合
には、前記電流の方向性に起因して液晶層に印加される
電圧が正負で相違して、印加電圧の交流性が確保困難で
ある。この結果液晶の寿命が短かくなる問題点があった
。
本発明の目的は、前記問題点を除去した、電流−電圧特
性の対称性の良いダイオード特性を有するＭ ｉ Ｍダ
イオ−ドで構１攻されろ１Ｖｆｉへ４ダイオード基板を
提供することである。
性の対称性の良いダイオード特性を有するＭ ｉ Ｍダ
イオ−ドで構１攻されろ１Ｖｆｉへ４ダイオード基板を
提供することである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、第２図に示す従来のＭ ｉ Ｍダイオードの
第２の導体膜４の下に該第２の導体膜と接して、第２の
導体膜とほぼ等しい平面形状を持つ、零でない有限の光
透過率を有する第３の金属膜を配設することにより、前
記問題点を解決する。
第２の導体膜４の下に該第２の導体膜と接して、第２の
導体膜とほぼ等しい平面形状を持つ、零でない有限の光
透過率を有する第３の金属膜を配設することにより、前
記問題点を解決する。
以下本発明の実施例を図面に基づいて詳述する。
第１図に本発明のＭ ｉ ｈ４ダイオ−ドを示す。基板
１上ｃＴａ膜を約６０ ｎ ｍ厚に形成し、５００℃で
熱酸化してＴａ２Ｏ，の保護膜２とする。該保護膜上に
第１の金属ｊ漠であるＴ ａ膜をスパッタリング法で約
２４０ｎｍの膜厚で形成し、エツチングして第１のパタ
ーン３を得る。該第１０）金属膜であろＴａ膜３の表面
を陽極酸化（０１％クエン酸溶液中で３０Ｖを５分間印
加）１〜で約５０ｎｍ膜厚θ）ダイオード用Ｔａ２Ｏ□
膜４を形成する。
１上ｃＴａ膜を約６０ ｎ ｍ厚に形成し、５００℃で
熱酸化してＴａ２Ｏ，の保護膜２とする。該保護膜上に
第１の金属ｊ漠であるＴ ａ膜をスパッタリング法で約
２４０ｎｍの膜厚で形成し、エツチングして第１のパタ
ーン３を得る。該第１０）金属膜であろＴａ膜３の表面
を陽極酸化（０１％クエン酸溶液中で３０Ｖを５分間印
加）１〜で約５０ｎｍ膜厚θ）ダイオード用Ｔａ２Ｏ□
膜４を形成する。
つぎに、Ｃｒ （仕事関数＝−＝ ４．５ ｅ Ｖ ）
、Ｍ。
、Ｍ。
（仕事関数＝４．３ｃＶ）、Ｔａ（仕事関数＝４．］ｅ
Ｖ）等の金属膜６を、仕事関数を確立するに充分な厚さ
く約５ｎｍ）形成づ−る。さらにＩｎ、、０３等の透明
導電膜５を約１． ＯＯｎ ｍ積層する。第２のパター
ン７の形状にパターン化されたレジスト膜を用いて前記
透明導電膜５および金属膜６をエツチングして、金属の
層６と透明導電膜の層５の積層されブこ、第２のパター
ン７を得る。
Ｖ）等の金属膜６を、仕事関数を確立するに充分な厚さ
く約５ｎｍ）形成づ−る。さらにＩｎ、、０３等の透明
導電膜５を約１． ＯＯｎ ｍ積層する。第２のパター
ン７の形状にパターン化されたレジスト膜を用いて前記
透明導電膜５および金属膜６をエツチングして、金属の
層６と透明導電膜の層５の積層されブこ、第２のパター
ン７を得る。
以上の工程でＴａ−Ｔａ２０５−金属膜６−■ｎ２０゜
を積層したへ４１へ４ダイオードと、金属膜６どＴａ２
０５を積層した表示用電極を基板１上に形成しブこ。
を積層したへ４１へ４ダイオードと、金属膜６どＴａ２
０５を積層した表示用電極を基板１上に形成しブこ。
以上の説明で明らかな」＝つに、本発明によればＭｌへ
４ダイオードのＴａ２Ｏ、膜をはさむ膜の仕事関数の差
が小さいので、 Ｍ ｉ Ｍダイオードの電流−電圧特
性の対称性が良好となった。従って、ダイオードを介し
て電圧が印加される液晶の印加電圧の交流性を確保でき
るので液晶の寿命がのびた。
４ダイオードのＴａ２Ｏ、膜をはさむ膜の仕事関数の差
が小さいので、 Ｍ ｉ Ｍダイオードの電流−電圧特
性の対称性が良好となった。従って、ダイオードを介し
て電圧が印加される液晶の印加電圧の交流性を確保でき
るので液晶の寿命がのびた。
第１図は、本発明の一実施例によるＭｌへ４ダイオード
基板の斜視図、第２図は従来例を示す斜視図である。 １・・・・・・基板、６・・・・・・第１の金属膜、４
・・・・・・絶縁膜、５・・・・・第２の導体膜、６・
・・・・・第３の金属膜、７・・・・・・第２のパター
ン。 第１図 第２図 り
基板の斜視図、第２図は従来例を示す斜視図である。 １・・・・・・基板、６・・・・・・第１の金属膜、４
・・・・・・絶縁膜、５・・・・・第２の導体膜、６・
・・・・・第３の金属膜、７・・・・・・第２のパター
ン。 第１図 第２図 り
Claims (1)
- 金属膜、該金属膜を酸化して得られる絶縁膜、前記金属
膜と絶縁膜上に一部が重なるように形成した表示用透明
電極とにより形成されるＭｉＭダイオード領域を有する
ＭｉＭダイオード基板に於いて、前記表示用透明電極は
下側に光を透過でき、かつ、仕事関数を確立できる厚さ
の金属層を前記ＭｉＭダイオード領域を含めて形成した
ことを特徴とするＭｉＭダイオード基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60074877A JPS61232689A (ja) | 1985-04-09 | 1985-04-09 | ＭｉＭダイオ−ド基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60074877A JPS61232689A (ja) | 1985-04-09 | 1985-04-09 | ＭｉＭダイオ−ド基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61232689A true JPS61232689A (ja) | 1986-10-16 |
Family
ID=13560011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60074877A Pending JPS61232689A (ja) | 1985-04-09 | 1985-04-09 | ＭｉＭダイオ−ド基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61232689A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02173728A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-07-05 | Seiko Epson Corp | アクティブデバイス |
| EP0440144A2 (en) * | 1990-01-29 | 1991-08-07 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Substrate for liquid crystal display device |
-
1985
- 1985-04-09 JP JP60074877A patent/JPS61232689A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02173728A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-07-05 | Seiko Epson Corp | アクティブデバイス |
| EP0440144A2 (en) * | 1990-01-29 | 1991-08-07 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Substrate for liquid crystal display device |
| US5164850A (en) * | 1990-01-29 | 1992-11-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Liquid crystal device including tantalum nitride with specific nitriding ratio |
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