JPS62272228A - 液晶セル - Google Patents
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- JPS62272228A JPS62272228A JP61116513A JP11651386A JPS62272228A JP S62272228 A JPS62272228 A JP S62272228A JP 61116513 A JP61116513 A JP 61116513A JP 11651386 A JP11651386 A JP 11651386A JP S62272228 A JPS62272228 A JP S62272228A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
産業上の利用分野
本発明は、映像やアルファニューメリックな表示を行な
う液晶セルに関する中で、特に表示容量が大きくコント
ラストの高い液晶セルを提供するものである。
う液晶セルに関する中で、特に表示容量が大きくコント
ラストの高い液晶セルを提供するものである。
従来の技術
現在、液晶パネルは、時計・電卓等の比較的表示容量の
小さいものから、ポータプル・コンピューターやワード
プロセッサなどのOA@H端末あるいはカラーテレビな
どの表示容量の大きいものへと発展している。ところが
、液晶パネルを時分割駆動した場合、走査線数の増加に
ともない、オン画素とオフ画素の印加電圧実効値の比が
1に近づくため、縦横の帯状電極を用いたいわゆる単純
マトリクス方式では、走査線数が200本程度になると
十分なコントラストが得られなくなる。(たとえば、日
経エレクトロニクス 1984年9月10日号(魚35
1)や1984年11月19日号(lk 356) )
近年、前述の問題点を解決し、より大規模なマトリクス
駆動を可能にするため、各画素に薄膜トランジスタ、P
NあるいはPINダイオード、MIM素子(Metal
−Insulator−Metal素子)などの非直線
抵抗素子を具備したいわゆる7クテイプマトリクス液晶
パネルの開発がさかんである。このうち、ダイオードや
MIM素子などの非直線抵抗素子を用いたものは、製造
工程において、マスク数が少なく比較的簡単であるため
、製造歩留りが高(、製品が比較的安価にできるという
利点を有している。なお、非直線抵抗素子とは、電流−
電圧特性が非直線性を示す二端子素子のことである。
小さいものから、ポータプル・コンピューターやワード
プロセッサなどのOA@H端末あるいはカラーテレビな
どの表示容量の大きいものへと発展している。ところが
、液晶パネルを時分割駆動した場合、走査線数の増加に
ともない、オン画素とオフ画素の印加電圧実効値の比が
1に近づくため、縦横の帯状電極を用いたいわゆる単純
マトリクス方式では、走査線数が200本程度になると
十分なコントラストが得られなくなる。(たとえば、日
経エレクトロニクス 1984年9月10日号(魚35
1)や1984年11月19日号(lk 356) )
近年、前述の問題点を解決し、より大規模なマトリクス
駆動を可能にするため、各画素に薄膜トランジスタ、P
NあるいはPINダイオード、MIM素子(Metal
−Insulator−Metal素子)などの非直線
抵抗素子を具備したいわゆる7クテイプマトリクス液晶
パネルの開発がさかんである。このうち、ダイオードや
MIM素子などの非直線抵抗素子を用いたものは、製造
工程において、マスク数が少なく比較的簡単であるため
、製造歩留りが高(、製品が比較的安価にできるという
利点を有している。なお、非直線抵抗素子とは、電流−
電圧特性が非直線性を示す二端子素子のことである。
この非直線抵抗素子を用いた液晶セルの従来例について
以下に図面を参照しながら説明する。第6図は、この液
晶セルの片側の基板の画素付近の構造の一例を示した斜
視図である。第6図において、ポリイミド層66は十分
厚(、はとんど電流は流れないので、透明電極により形
成された画素電極層63とタンタル層64との間を流れ
る電流は、りPム層67、陽極酸化タンタル層65を経
由する、部ち画素に非直線抵抗素子(MIM素子)が直
列接続されていることになる。第7図に第6図とは別の
構造をとる従来例を示す。第7図(a)は画素付近の平
面図、第7図(blはA−A′線における断面図である
。タンタル層72は陽極酸化タンタル層73で覆われて
おり、画素電極層75とタンタル層72との間を流れる
電流は、クロム層74、陽極酸化タンタル層73を経由
する。即ち画素に非直線抵抗素子(M I M素子)が
直列接続されていることになる。
以下に図面を参照しながら説明する。第6図は、この液
晶セルの片側の基板の画素付近の構造の一例を示した斜
視図である。第6図において、ポリイミド層66は十分
厚(、はとんど電流は流れないので、透明電極により形
成された画素電極層63とタンタル層64との間を流れ
る電流は、りPム層67、陽極酸化タンタル層65を経
由する、部ち画素に非直線抵抗素子(MIM素子)が直
列接続されていることになる。第7図に第6図とは別の
構造をとる従来例を示す。第7図(a)は画素付近の平
面図、第7図(blはA−A′線における断面図である
。タンタル層72は陽極酸化タンタル層73で覆われて
おり、画素電極層75とタンタル層72との間を流れる
電流は、クロム層74、陽極酸化タンタル層73を経由
する。即ち画素に非直線抵抗素子(M I M素子)が
直列接続されていることになる。
即ち、第6図はタンタル層の側面に、第7図はタンタル
層の上面に非直線抵抗素子を作製した例である。このよ
うな液晶セルは簡単な構造をしており、製造時に必要な
マスクは3枚であり、歩留り ゛が高い。これらの非
直線抵抗素子の電流−電圧特性は、第8図に示すように
非直線性を示す。この特性を利用して、上記の非直線抵
抗素子を一種のスイッチング素子として動作させること
で、コントラストを向上させ、高時分割駆動を可能とし
ている。(例えば、テレビジョン学会誌 Vol、38
゜1th 4 、 (1984) 354〜356ペー
ジや、情報表示学会(S r D ; 5ociety
For Information Display
)の1984年国際シンポジウム技術論文集(S I
D ;Informational Symposiu
m Digest Of TechnicalPape
rs) 304〜305ページ)発明が解決しようと
する問題点 第6図や第7図に示す基板を作製するには少なくとも3
枚のマスクが必要であるが、さらに少なくすることが可
能であると考えられる。
層の上面に非直線抵抗素子を作製した例である。このよ
うな液晶セルは簡単な構造をしており、製造時に必要な
マスクは3枚であり、歩留り ゛が高い。これらの非
直線抵抗素子の電流−電圧特性は、第8図に示すように
非直線性を示す。この特性を利用して、上記の非直線抵
抗素子を一種のスイッチング素子として動作させること
で、コントラストを向上させ、高時分割駆動を可能とし
ている。(例えば、テレビジョン学会誌 Vol、38
゜1th 4 、 (1984) 354〜356ペー
ジや、情報表示学会(S r D ; 5ociety
For Information Display
)の1984年国際シンポジウム技術論文集(S I
D ;Informational Symposiu
m Digest Of TechnicalPape
rs) 304〜305ページ)発明が解決しようと
する問題点 第6図や第7図に示す基板を作製するには少なくとも3
枚のマスクが必要であるが、さらに少なくすることが可
能であると考えられる。
一方、走査線の本数が多くなり、駆動信号周波数が高く
なると、信号が非直線抵抗素子の容量を通じて液晶層の
容量に伝達されて非直線抵抗素子が正常に機能しなくな
るが、この容量結合を避けて走査線の本数を増すには非
直線抵抗素子の容量を小さいものにしなければならない
。第6図では、容量を小さくする手段としてタンタル層
64の側面を利用した非直線抵抗素子の面積の縮小が用
いられるが、このためにはタシタルをテーバ状にエツチ
ングしなければならない。第7図の構成では、フォトリ
ソグラフィー法の最小線幅により、上記容量には下限が
あり、また非直線特性層として酸化タンタルより誘電率
の低いものを用いて容量を小さくする場合には、少なく
とも4枚のマスクが必要となる。
なると、信号が非直線抵抗素子の容量を通じて液晶層の
容量に伝達されて非直線抵抗素子が正常に機能しなくな
るが、この容量結合を避けて走査線の本数を増すには非
直線抵抗素子の容量を小さいものにしなければならない
。第6図では、容量を小さくする手段としてタンタル層
64の側面を利用した非直線抵抗素子の面積の縮小が用
いられるが、このためにはタシタルをテーバ状にエツチ
ングしなければならない。第7図の構成では、フォトリ
ソグラフィー法の最小線幅により、上記容量には下限が
あり、また非直線特性層として酸化タンタルより誘電率
の低いものを用いて容量を小さくする場合には、少なく
とも4枚のマスクが必要となる。
問題点を解決するための手段
本発明は、上記問題点を解決するために、液晶層を挟持
する基板のうち少なくとも一方において、絶縁性基板の
表面に、バス・バー電極層と画素電極層が所望の間隙部
を隔てて対向するように設けられており、かつ前記バス
・バー電極層と前記画素電極層の上に、所定の形状の少
なくとも1層の導体層Iが積層されており、かつ前記導
体層Iと前記間隙部を覆った珪素層と、少なくとも1層
の導体層IIがこの順に積層されており、かつ前記導体
NIと前記導体層に少なくとも一方に、前記珪素層と接
する層がパラジウムからなる層を有する構成となってい
るものである。
する基板のうち少なくとも一方において、絶縁性基板の
表面に、バス・バー電極層と画素電極層が所望の間隙部
を隔てて対向するように設けられており、かつ前記バス
・バー電極層と前記画素電極層の上に、所定の形状の少
なくとも1層の導体層Iが積層されており、かつ前記導
体層Iと前記間隙部を覆った珪素層と、少なくとも1層
の導体層IIがこの順に積層されており、かつ前記導体
NIと前記導体層に少なくとも一方に、前記珪素層と接
する層がパラジウムからなる層を有する構成となってい
るものである。
作用
本発明は、次のようにして上記問題点を解決するもので
ある。まず、本発明になる液晶セルの基板においては、
一画素につき2個の非直線抵抗素子が対向して縦続接続
されている。即ち、画素電掻層−導体層I−く〉珪素層
−導体層IIが1個の非直線抵抗素子であり、導体層■
−〈〉珪素層−バス・バー電極層がもう1個の非直線抵
抗素子であり、これら2個の非直線抵抗素子は導体層■
により、縦続接続されている。この構造のため、画素に
接続される容量は、直列に接続された2個の非直線抵抗
素子の容量を合成したものとなり、同一の非直線抵抗素
子が1個接続さたときの半分の容量となる。従って従来
例のような微細加工の必要性がないため、製造の工程は
至って簡単になる。
ある。まず、本発明になる液晶セルの基板においては、
一画素につき2個の非直線抵抗素子が対向して縦続接続
されている。即ち、画素電掻層−導体層I−く〉珪素層
−導体層IIが1個の非直線抵抗素子であり、導体層■
−〈〉珪素層−バス・バー電極層がもう1個の非直線抵
抗素子であり、これら2個の非直線抵抗素子は導体層■
により、縦続接続されている。この構造のため、画素に
接続される容量は、直列に接続された2個の非直線抵抗
素子の容量を合成したものとなり、同一の非直線抵抗素
子が1個接続さたときの半分の容量となる。従って従来
例のような微細加工の必要性がないため、製造の工程は
至って簡単になる。
さらに、これら2個の非直線抵抗素子は、全く同じ形状
、同じ材質で対向しているため、画素電極層とバス・バ
ー電極層の間の電流−電圧特性は、全く正負対称となる
。
、同じ材質で対向しているため、画素電極層とバス・バ
ー電極層の間の電流−電圧特性は、全く正負対称となる
。
次に本発明に係る液晶セルにおいて、液晶層を挟持する
基板のうち、少なくとも一方の基板の構造の一例を第1
図(a)、(b)に示す。第1図(alは画素付近の平
面図、第1図(b)はA−A ’線における断面図であ
り、■は絶縁性基板、2は透明電極により形成された画
素電極層、3は透明電極により形成されたバス・バー電
極層、4はパラジウム層、5はく〉珪素層、6はチタン
層である。画素電極層、バス・バー電極層の上に、1つ
ずつの非直線抵抗素子が形成され、この2個の素子が、
6のチタン層によって接続されているわけである。この
構成は従来例に比べて非常に簡単であり、マスクは2枚
を必要とするのみであり、2のバス・バー電極層に透明
導電物質より導電性の高い金属を用いる場合でもマスク
は3枚を必要とするのみである。また、2個の非直線抵
抗素子を縦続接続して素子の容量を小さくし得るため、
1つの素子の面積はやや大きくてもよく、微細加工の最
小加工寸法がやや大きくてもよい。このため、微細加工
時には、簡便な湿式エツチングが用いられるという利点
もある。
基板のうち、少なくとも一方の基板の構造の一例を第1
図(a)、(b)に示す。第1図(alは画素付近の平
面図、第1図(b)はA−A ’線における断面図であ
り、■は絶縁性基板、2は透明電極により形成された画
素電極層、3は透明電極により形成されたバス・バー電
極層、4はパラジウム層、5はく〉珪素層、6はチタン
層である。画素電極層、バス・バー電極層の上に、1つ
ずつの非直線抵抗素子が形成され、この2個の素子が、
6のチタン層によって接続されているわけである。この
構成は従来例に比べて非常に簡単であり、マスクは2枚
を必要とするのみであり、2のバス・バー電極層に透明
導電物質より導電性の高い金属を用いる場合でもマスク
は3枚を必要とするのみである。また、2個の非直線抵
抗素子を縦続接続して素子の容量を小さくし得るため、
1つの素子の面積はやや大きくてもよく、微細加工の最
小加工寸法がやや大きくてもよい。このため、微細加工
時には、簡便な湿式エツチングが用いられるという利点
もある。
実施例
以下に本発明の液晶セルの一実施例について図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
(実施例1)
第2図の工程図を用いて本発明になる液晶セルに係る一
実施例を説明する。
実施例を説明する。
まず、ガラスを用いた絶縁性基板7を約220℃に加熱
し、20%の酸素ガスを含んだアルゴンガスのもとで、
高周波マグネトロンスパッター装置により、酸化スズ(
Sio2)を約5%含む酸化インジウム透明電極層(い
わゆる!T○層)8を約1500人形成した。このIT
O9の上に電子ビーム蒸着法を用いてパラジウム層9を
約1000人形成した。尚、パラジウム層形成の前に、
ITO層上に電子ビーム蒸着法を用いてクロム層を約1
000人形成したところ、170層からパラジウム層に
至る付着力が強固になり、剥離のないより良好な膜が形
成された。
し、20%の酸素ガスを含んだアルゴンガスのもとで、
高周波マグネトロンスパッター装置により、酸化スズ(
Sio2)を約5%含む酸化インジウム透明電極層(い
わゆる!T○層)8を約1500人形成した。このIT
O9の上に電子ビーム蒸着法を用いてパラジウム層9を
約1000人形成した。尚、パラジウム層形成の前に、
ITO層上に電子ビーム蒸着法を用いてクロム層を約1
000人形成したところ、170層からパラジウム層に
至る付着力が強固になり、剥離のないより良好な膜が形
成された。
このパラジウム層の上から、フォトリソグラフィー法を
用いて所望のレジスト・パターンを形成しく第2図(a
l)、パラジウム層を塩酸、硝酸、酢酸の混合比が、1
:10:10(容1lL)である希釈水溶液を用いてエ
ツチングを行なった。このレジスト・パターンを形成す
る際に第1のマスクを用いた。次に170層を塩化第二
鉄の内水塩と濃塩酸の混合比が5:3(重量比)である
希釈水溶液を用いて、40℃のもとてエツチングを行な
った。
用いて所望のレジスト・パターンを形成しく第2図(a
l)、パラジウム層を塩酸、硝酸、酢酸の混合比が、1
:10:10(容1lL)である希釈水溶液を用いてエ
ツチングを行なった。このレジスト・パターンを形成す
る際に第1のマスクを用いた。次に170層を塩化第二
鉄の内水塩と濃塩酸の混合比が5:3(重量比)である
希釈水溶液を用いて、40℃のもとてエツチングを行な
った。
尚、クロムを積層したものについては、硝酸セリウムア
ンモニウムと過塩素酸の混合溶液によりクロム層のエツ
チングを行なった。゛この後、不要なレジストを除去す
るために、基板を70℃に加熱したナガセ化成工業株式
会社製レジスト除去液(J−100)に3分間浸し、メ
タノールによって洗浄し、十分に乾燥させた後発煙硝酸
に3分間浸し、よく水洗を行い、乾燥させた。これによ
り不要なレジストはすべて除去された。(第2図(b)
)次に、このパラジウムの積層された基板を約100℃
に加熱し、4.43%の水素ガスを含んだアルゴンガス
のもとで、高周波マグネトロンスパソタ−装置により、
く〉珪素層10を約9000人形成した。
ンモニウムと過塩素酸の混合溶液によりクロム層のエツ
チングを行なった。゛この後、不要なレジストを除去す
るために、基板を70℃に加熱したナガセ化成工業株式
会社製レジスト除去液(J−100)に3分間浸し、メ
タノールによって洗浄し、十分に乾燥させた後発煙硝酸
に3分間浸し、よく水洗を行い、乾燥させた。これによ
り不要なレジストはすべて除去された。(第2図(b)
)次に、このパラジウムの積層された基板を約100℃
に加熱し、4.43%の水素ガスを含んだアルゴンガス
のもとで、高周波マグネトロンスパソタ−装置により、
く〉珪素層10を約9000人形成した。
このく〉珪素層の上に電子ビーム蒸着法により、チタン
層11を約2300人形成した。次にこのチタン層の上
から、フォトリソグラフィー法を用いて所望のレジスト
・パターンを形成し、(第2図(C))、チタン層を1
%フッ化水素酸を用いて、エツチングを行なった。この
レジスト・パターンを形成する際に第2のマスクを用い
た。次にく〉珪素層を、5規定水素化ナトリウムを用い
てエツチングを行なった。さらに、パラジウム層を前記
エツチング液によりエツチングを行なった。次に不要な
レジストを前記の工程で除去して、片側の基板を作製し
た(第2図(d))。ITOの帯状電極が表面に形成さ
れたガラス基板を、他方の基板として用い、液晶セルを
作製した。配向膜にはポリイミドを用い、ラビング法に
よる配向を行なって、通常のねじれネマティック液晶を
得た。
層11を約2300人形成した。次にこのチタン層の上
から、フォトリソグラフィー法を用いて所望のレジスト
・パターンを形成し、(第2図(C))、チタン層を1
%フッ化水素酸を用いて、エツチングを行なった。この
レジスト・パターンを形成する際に第2のマスクを用い
た。次にく〉珪素層を、5規定水素化ナトリウムを用い
てエツチングを行なった。さらに、パラジウム層を前記
エツチング液によりエツチングを行なった。次に不要な
レジストを前記の工程で除去して、片側の基板を作製し
た(第2図(d))。ITOの帯状電極が表面に形成さ
れたガラス基板を、他方の基板として用い、液晶セルを
作製した。配向膜にはポリイミドを用い、ラビング法に
よる配向を行なって、通常のねじれネマティック液晶を
得た。
本実施例においては、通常のねじれネマティ7り型液晶
セルでは、はとんどコントラストを得ることのできない
デユーティ比11500という高時分割駆動時において
も十分なコントラストを得ることができ、良好な表示が
できた。なお、駆動は選択時の選択画素の電圧波高値が
非選択時の電圧波高値の3倍ないしは5倍となる電圧平
均化法のうちから最適なものが用いられた。本実施例に
おいては、良好なコントラスト特性が2枚という少ない
マスク数で達成されている。また、非直線抵抗素子の電
流−電圧特性は、全く正負対称であり、第3図に示すよ
うな急峻な非直線性を示し、特に11Vから16Vの範
囲では電流が電圧の6乗に比例する特性をもち、高時分
割駆動に用いるのに十分であった。なお、チタン−珪素
間の界面はオーム性接触であるので、この非直線性は珪
素層の電流−電圧特性および、パラジウム−珪素間の界
面での電流−電圧特性によるものと思われる。
セルでは、はとんどコントラストを得ることのできない
デユーティ比11500という高時分割駆動時において
も十分なコントラストを得ることができ、良好な表示が
できた。なお、駆動は選択時の選択画素の電圧波高値が
非選択時の電圧波高値の3倍ないしは5倍となる電圧平
均化法のうちから最適なものが用いられた。本実施例に
おいては、良好なコントラスト特性が2枚という少ない
マスク数で達成されている。また、非直線抵抗素子の電
流−電圧特性は、全く正負対称であり、第3図に示すよ
うな急峻な非直線性を示し、特に11Vから16Vの範
囲では電流が電圧の6乗に比例する特性をもち、高時分
割駆動に用いるのに十分であった。なお、チタン−珪素
間の界面はオーム性接触であるので、この非直線性は珪
素層の電流−電圧特性および、パラジウム−珪素間の界
面での電流−電圧特性によるものと思われる。
(実施例2)
第4図を用いて本発明になる液晶セルに関する他の実施
例を説明する。
例を説明する。
実施例1と同様にして、絶縁性基板12の上にチタン層
15と珪素層16およびパラジウムl1i17を作製し
た。チタン層の作製時には第1のマスクが用いられ、珪
素層およびパラジウム層の作製時には第2のマスクが用
いられている。又、各層のエツチング時には実施例1で
用いられた各金属のエツチング液を用いた。
15と珪素層16およびパラジウムl1i17を作製し
た。チタン層の作製時には第1のマスクが用いられ、珪
素層およびパラジウム層の作製時には第2のマスクが用
いられている。又、各層のエツチング時には実施例1で
用いられた各金属のエツチング液を用いた。
本実施例においては、バス・バー電極層と画素電極層間
に形成された非直線抵抗素子の電流−電圧特性は第5図
(alのようにあまり急峻な非直線性は示さず、0.5
■から2.5vの範囲で電流が電圧の2乗に比例するの
みで、高時分割駆動に用いるには不十分であった。そこ
で、この非直線抵抗素子が形成された絶縁性基板を、約
350℃で25分熱処理したところ、非直線抵抗素子の
電流−電圧特性は第5図(blに示すような急峻な非直
線性を示し、特にIOVから22Vの範囲で電流が電圧
の7乗に比例し、かつ全く正負対称であり、高時分割駆
動に適した特性となった。このような特性の向上は、珪
素−パラジウム間の界面において、熱処理の結果、珪素
、パラジウム双方の相互拡散が起こったために、界面状
態に化合物形成等の変化が生じたことで、非直線性が向
上したものと思われる。この非直線抵抗素子の熱処理さ
れた基板と、ITOの畳上電極が表面に形成されたガラ
ス基板とを対向させ、液晶セルを作製した。配向膜には
ポリイミドを用い、ラビング法による配向を行なって通
常のねじれネマティ7り液晶を得た。
に形成された非直線抵抗素子の電流−電圧特性は第5図
(alのようにあまり急峻な非直線性は示さず、0.5
■から2.5vの範囲で電流が電圧の2乗に比例するの
みで、高時分割駆動に用いるには不十分であった。そこ
で、この非直線抵抗素子が形成された絶縁性基板を、約
350℃で25分熱処理したところ、非直線抵抗素子の
電流−電圧特性は第5図(blに示すような急峻な非直
線性を示し、特にIOVから22Vの範囲で電流が電圧
の7乗に比例し、かつ全く正負対称であり、高時分割駆
動に適した特性となった。このような特性の向上は、珪
素−パラジウム間の界面において、熱処理の結果、珪素
、パラジウム双方の相互拡散が起こったために、界面状
態に化合物形成等の変化が生じたことで、非直線性が向
上したものと思われる。この非直線抵抗素子の熱処理さ
れた基板と、ITOの畳上電極が表面に形成されたガラ
ス基板とを対向させ、液晶セルを作製した。配向膜には
ポリイミドを用い、ラビング法による配向を行なって通
常のねじれネマティ7り液晶を得た。
本実施例においてもデユーティ比1 / 500に対し
て十分なコントラストを得ることができ、良好な表示が
できた。尚、駆動は選択時の選択画素の電圧波高値が非
選択時の電圧波高値の3倍ないしは5倍となる電圧平均
法のうちから最適なものが用いられた。
て十分なコントラストを得ることができ、良好な表示が
できた。尚、駆動は選択時の選択画素の電圧波高値が非
選択時の電圧波高値の3倍ないしは5倍となる電圧平均
法のうちから最適なものが用いられた。
なお、上記の2つの実施例においては、長方形の画素電
極層上に直接非直線抵抗素子を積層すると、マスク合わ
せの時点におけるズレが生じた場合に、バス・バー電極
層側の非直線抵抗素子と画素電極層側の非直線抵抗素子
との面積に差が生じ、素子の特性が一致しなくなる恐れ
がある。そこで、画素電極層から技分かれしたバス・バ
ー電極層と幅の等しい透明電極層を設け、この透明電極
層と、バス・バー電極層の上に、第1図(alの長さ!
よりやや幅の広いマスクを用いて、非直線抵抗素子を作
製することにより、マスクのズレによる、2つの非直線
抵抗素子の特性の不一致を回避させることができ、全(
正負対称な電流−電圧特性を得た。
極層上に直接非直線抵抗素子を積層すると、マスク合わ
せの時点におけるズレが生じた場合に、バス・バー電極
層側の非直線抵抗素子と画素電極層側の非直線抵抗素子
との面積に差が生じ、素子の特性が一致しなくなる恐れ
がある。そこで、画素電極層から技分かれしたバス・バ
ー電極層と幅の等しい透明電極層を設け、この透明電極
層と、バス・バー電極層の上に、第1図(alの長さ!
よりやや幅の広いマスクを用いて、非直線抵抗素子を作
製することにより、マスクのズレによる、2つの非直線
抵抗素子の特性の不一致を回避させることができ、全(
正負対称な電流−電圧特性を得た。
発明の効果
以上に示した結果かられかるように、本発明の液晶セル
は容量が小さくかつ十分な非直線線を持った非直線抵抗
素子を具備して、高時分割時にも良好な表示が得られる
液晶モルを、非常に簡単な構成で形成している。
は容量が小さくかつ十分な非直線線を持った非直線抵抗
素子を具備して、高時分割時にも良好な表示が得られる
液晶モルを、非常に簡単な構成で形成している。
第1図(al、(blは本発明の実施例1における液晶
セルの一方の基板の一部分を示す構成平面図と断面図、
第2図(al〜(d)は本発明の実施例1における作製
工程を示す断面図、第3図は本発明の実施例における非
直線抵抗素子の電流−電圧特性を示す特性図、第4図T
a)、(b)は本発明の実施例2における液晶セルの一
方の基板の一部分を示す構成平皿図と断面図、第5図(
alは本発明の実施例2における非直線抵抗素子の熱処
理前の電流−電圧特性を示す特性図、第5図fblはそ
の熱処理後の電流−電圧特性を示す特性図、第6図は従
来例を示す構成斜視図、第7図Ta)、(b)は別の従
来例を示す平面図と、断面図、第8図は非直線抵抗素子
の電流−電圧特性の一例を示す特性図である。 1、 7.12.61.71・・・・・・絶縁性基板、
2.13,63゜75・・・・・・画素電極層、3,1
4・・・・・・バス・バー電極層、4.9.17・・・
・・・パラジウム層、5.10.16・・・・・・珪素
層、6.11.15・・・・・・チタン層、8・・・・
・・ITO層、62・・・・・・熱酸化タンタル層、6
4.72・・・・・・タンタル層、65、73・・・・
・・陽極酸化タンタル層、66・・・・・・ポリイミド
層、67、74・・・・・・クロム層。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか1名第1図 第2図 第3図 O20 電 ノE (1/) 第4図 第5図 電工(V)2′ 第6図 第7図 第8図 宅氏(V)
セルの一方の基板の一部分を示す構成平面図と断面図、
第2図(al〜(d)は本発明の実施例1における作製
工程を示す断面図、第3図は本発明の実施例における非
直線抵抗素子の電流−電圧特性を示す特性図、第4図T
a)、(b)は本発明の実施例2における液晶セルの一
方の基板の一部分を示す構成平皿図と断面図、第5図(
alは本発明の実施例2における非直線抵抗素子の熱処
理前の電流−電圧特性を示す特性図、第5図fblはそ
の熱処理後の電流−電圧特性を示す特性図、第6図は従
来例を示す構成斜視図、第7図Ta)、(b)は別の従
来例を示す平面図と、断面図、第8図は非直線抵抗素子
の電流−電圧特性の一例を示す特性図である。 1、 7.12.61.71・・・・・・絶縁性基板、
2.13,63゜75・・・・・・画素電極層、3,1
4・・・・・・バス・バー電極層、4.9.17・・・
・・・パラジウム層、5.10.16・・・・・・珪素
層、6.11.15・・・・・・チタン層、8・・・・
・・ITO層、62・・・・・・熱酸化タンタル層、6
4.72・・・・・・タンタル層、65、73・・・・
・・陽極酸化タンタル層、66・・・・・・ポリイミド
層、67、74・・・・・・クロム層。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか1名第1図 第2図 第3図 O20 電 ノE (1/) 第4図 第5図 電工(V)2′ 第6図 第7図 第8図 宅氏(V)
Claims (4)
- (1)液晶層を挟持する基板のうち、少なくとも一方に
おいて、絶縁性基板の表面に、バス・バー電極層と画素
電極層が所望の間隙部を隔てて対向するように設けられ
ており、かつ前記バス・バー電極層と前記画素電極層の
上に所定の形状の少なくとも1層の導体層 I が積層さ
れており、かつ前記導体層 I と前記間隙部を覆った珪
素層が積層されており、かつ前記珪素層の上に少なくと
も1層の導体層IIが積層されており、かつ前記導体層
I と前記導体層IIの少なくとも一方に、前記珪素層と接
する層がパラジウムからなる層を有する構成となってい
ることを特徴とする液晶セル。 - (2)珪素層が非晶質からなり、かつ水素を添加してい
ることを特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載の液
晶セル。 - (3)導体層 I の珪素層と接する層がパラジウムから
なり、かつ導体層IIがチタンからなることを特徴とする
特許請求の範囲第(1)項記載の液晶セル。 - (4)導体層 I がチタンからなり、かつ導体層IIの珪
素層と接する層がパラジウムからなり、かつ所望の温度
で熱処理が施されていることを特徴とする特許請求の範
囲第(1)項記載の液晶セル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61116513A JPS62272228A (ja) | 1986-05-21 | 1986-05-21 | 液晶セル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61116513A JPS62272228A (ja) | 1986-05-21 | 1986-05-21 | 液晶セル |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62272228A true JPS62272228A (ja) | 1987-11-26 |
Family
ID=14689003
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61116513A Pending JPS62272228A (ja) | 1986-05-21 | 1986-05-21 | 液晶セル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62272228A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0398683A2 (en) * | 1989-05-18 | 1990-11-22 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal display unit |
US6195140B1 (en) * | 1997-07-28 | 2001-02-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display in which at least one pixel includes both a transmissive region and a reflective region |
-
1986
- 1986-05-21 JP JP61116513A patent/JPS62272228A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0398683A2 (en) * | 1989-05-18 | 1990-11-22 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal display unit |
SG87754A1 (en) * | 1989-05-18 | 2002-04-16 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal display unit |
US6195140B1 (en) * | 1997-07-28 | 2001-02-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display in which at least one pixel includes both a transmissive region and a reflective region |
US6452654B2 (en) | 1997-07-28 | 2002-09-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display in which at least one pixel includes both a transmissive region and a reflective region |
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