JPS626221A

JPS626221A - 液晶セル

Info

Publication number: JPS626221A
Application number: JP60145558A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Yamazoe; 山添　博司; Katsuhiko Kumakawa; 克彦熊川; Hisahide Wakita; 尚英脇田; Isao Oota; 勲夫太田
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1985-07-02
Filing date: 1985-07-02
Publication date: 1987-01-13

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は映像や、アルファ・二二一メリツタな表示に用
いることの出来る液晶セルに関する。特に本発明は向上
したコントラストを有する液晶セルを提供するものであ
る。

従来の技術現在、液晶セルは時計・電卓の簡単な駆動タイプのもの
から、ポータプル・コンピューターやワード・プロセッ
サー等の大容量情報表示のだめのマトリックス駆動タイ
プのものに発展しつつある。

ところが、液晶自身はマトリックス駆動に本質的に不向
きな点がある。実際、コントラストの点では、２０ｏ本
程度の走査線を有するマトリックス駆動においては不満
足である。さらに走査線が５００本以上程度の大規模な
マトリックス駆動を行う場合にはコントラストの劣化が
致命的である。

近年、前述の点を解決し、よシ大規模なマトリックス駆
動を行う液晶セルの開発が盛んである。

一つの開発の方向として各絵素に薄膜トランジスターを
用いた液晶セルを目ざす方向がある、この場合、半導体
としては、単結晶硅素、多結晶硅素、非晶質硅素、セレ
ン化カドミウムＣＣｄＳｅ　：１等を用いている。〔例
えば、日経エレクトロニクス１９８４年９月１０日号（
屋３５１）や１９８４年１１月１９日号（扁３６６）〕
０しかし、この種の液晶セルの製造には、微細加工の際、
マスクが少なくとも４層必要なこと、工程がかなり複雑
であること等の問題点があり、従って、製造歩留りも悪
くなる傾向にある。すなわち、これらのことから製品の
値段が高くなり、また、大規模マトリックス駆動による
液晶セルの製造においては歩留りの著るしい低下をきた
す。

もう一つの開発の方向としては、各絵素に非直線素子を
用いた液晶セルを目ざす方向がある。本発明はこの方向
に沿ったものである。この種の液晶セルの製造には、薄
膜トランジスターの場合に比べて、マスクの層数が小さ
いこと、工程が簡単であること、従って製造歩留りが向
上し、製品値段を比較的低くし得ること等の利点がある
。

非直線素子としては非直線抵抗やＰＮあるいはＰＩＮ・
ダイオード、シヲットキー・ダイオードが使われる。こ
の種の、非直線素子を用いた液晶セルは知られている。

〔例えば、テレビジョン学会誌、ＶＯＩ　３Ｂ　、　Ａ
４　（１９８４）　］。この液晶セルの片側の基板の構
造を第４図に示す。第４図は構成斜視図である。第４図
において、３１は絶縁性基体、３２は熱酸化タンタル、
３３は絵素電極層で通常は錫を添加した酸化インジウム
（以後これをＩＴＯと称する）で形成され、３４はタン
タル層、３５は陽極酸化タンタル層、３ｅはポリ・イミ
ド層、３７はクロム層である。

このような液晶セルは構造が簡単で、微細加工の際、マ
スクは３層必要とするのみであわ、従って、薄膜トラン
ジスターの場合に比べ、製造工程が簡単となり、歩留り
も向上する。

また、製造工程はや＼複雑であるが、各絵素に複数個の
非直線素子を縦続接続したような液晶セル用基板の例は
、日経エレクトロニクス、１９８４年１１月１９日号（
扁３６６）にある。

発明が解決しようとする問題点しかしながら、第２図のような構造をもつ基板において
非直線素子の両端の電流−電圧特性の閾値電圧（電流の
立ち上り電圧）、あるいは液晶用として知られている他
の種の非直線素子（ＰＩＮダイオード等含む）のそれは
Ｏｖ〜３ｖの範囲にあるが、液晶セルの駆動の都合上、
前記閾値電圧がより高い方が望ましい場合がある。

また、前記非直線素子の電流−電圧特性の非直線性をよ
り著るしくする方が通常望ましい。かくすることにより
、液晶セルの表示品質を向上させることが出来る。

さらに、前記非直線素子の電気容量が比較的小さい方が
液晶セルの駆動の点で望ましいことが多い。

前述の三点の実現のためには、前記非直線素子を縦続接
続すればよいが、だソ単に、非直線素子を複数個並べる
ことは、素子の占有面積の観点から、あるいは製造の工
程の複雑さの観点から望ましいことではない。

本発明は、前述の問題点に鑑み、これを解決した液晶セ
ルを提供するものである。

問題点を解決するだめの手段本発明は前記問題点を解決するために、液晶層を挾持す
る少なくとも一方の基板において、絶縁性基体の主表面
上に、バス・バー電極層と絵素電極層とが所望の間隙部
を隔てて対向するように設けられ、かつ前記間隙部上お
よび前記パス・パー電極層と前記絵素電極層のうち少な
くとも前記間隙部の近傍の上に非直線特性層と導体層が
この順に積層されてなり、かつ前記非直線特性層が複数
の半導体層を積層してなることを特徴とする液晶セルを
提供するものである。ここに言う、非直線特性層とは、
この層が２個の導体層で挾持されたとき、この内導体層
間の電流−電圧特性が非直線性を示すようなものである
ことを意味している。

とりわけ、前記半導体層が硅素、炭化硅素、窒化ガリウ
ム、酸化ニッケル、酸化ビスマス、酸化亜鉛、酸化錫、
硫化カドミウム、硫化亜鉛から形成されることが望まし
い。

さらに本発明は、前言ごバス・バー電極層と、前記絵素
電極層とが同種の透明導電物質からなることを特徴とす
る液晶セルを提供するものである。

この液晶セルの製造においては、マスクは２層要するの
みで、製造工程は非常に簡単になる。

作用本発明の前記問題点の解決原理は以下の通りである。ま
ず、非直線素子が２個縦続接続されているのは、つぎの
如く考えれば自明である。すなわち、絵素電極層−非直
線特性層−導体層が１個の非直線素子であり、導体層−
非直線特性層−バスパー電極層がもう１個の非直線素子
であり、またこの２個の非直線素子は導体層により縦続
に接続されている。

また、前記２個の非直線素子は、同一の、たとえば島状
の非直線特性層を共用しており、従って、占有面積は小
さくなっており、製造の工程も簡単である。このことは
、すなわち、本発明に関係する非直線素子の構造が如何
に簡単かは、日経エレクトロニクス、１９８４年１１月
１９日号（＆３５６）の場合と比べれば自明である。

つぎに、バス・バー電極層と、絵素電極層とが同種の透
明導電物質から形成した場合、本発明に係る基板の製造
においては、マスクは２層必要とするのみで、工程は簡
単となる。

半導体島の積層が電流−電圧特性において、非直線特性
を招来することは、半導体層−半導体層界面での接合の
障壁、半導体層中の粒界の障壁、半導体層中のプール・
フレンケル電導、キャリアの注入、導体層との界面での
ショットキー障壁等から理解される。

実施例（実施例１）第１図を用いて本発明に関する実施例を説明する。第１
図は構成斜視図である。第１図において、１は絶縁性基
体、２は絵素電極層、３はバス・バー電極層、４は第１
半導体層、５は第２半導体層、６は導体層、７は間隙部
である。第１図において、絵素電極層２−第１及び第２
半導体層４と６−導体層６の積層、および導体層６−第
２及び第１半導体層５と４−バス・バー電極層３の積層
がそれぞれ、単一の非直線素子であり、同図から明瞭な
如く、これらの非直線素子は縦続接続されている。

低アルカリ硼硅酸ガラス（コーニング社製＃７０５９　
）を絶縁性基体１とし、前記基体を約２００°Ｃに加熱
し、酸化カドミウム粉末と酸化錫粉末から成形したター
ゲットを用いて、純アルゴン雰囲気中で、高周波マグネ
トロン・スパッター装置でスパッターして、前記基体上
に透明導電体膜を得た。つぎに通常のフォト・リングラ
フイー法及びアルゴン・イオンを使用したイオン・ビー
ム・エッチ法で前記透明導電体膜を微細加工して、絵素
電極層２およびバス・バー電極層３を得た。

つぎに、厚さ約３０００人の硅素膜をアルゴン雰囲気中
でスパッターすることにより形成する。

つぎに、この上に厚さ約４０００人の酸化亜鉛膜を、酸
素を２５％含むアルゴン雰囲気中でスパッター法で形成
するか（サンプルＡ）、厚さ約３０００人の酸化ニッケ
ル膜を、酸素を３０％含むアルゴン雰囲気中でスパッタ
ー法で形成した（サンプルＢ）。つぎに、この上にクロ
ム膜を、スパッター法で形成した。これらのスパッター
法は高周波マグネトロン・スパッター装置によった。

さらに、フォト・リソグラフィー法でもって、所望のレ
ジスト・パターンを形成する。つぎに、硫酸セリウム（
ＣｅＳＯ４’１１の飽和水溶液と塩酸の混液で前記クロ
ム膜を加工して、導体層６を得る。さらに、約６０’Ｃ
の燐酸水溶液で前記酸化亜鉛膜または前記酸化ニッケル
膜を加工して、第２半導体層５を得る。つぎに、ＣＨＦ
３を含むガスを使用したプラズマ・エッチにより前記硅
素層を加工して、第１半導体層４を得る。かくて、第１
図のような基板を得た。

つぎに、通常の如く、ポリ・イミド等の配向膜を形成し
、前記配向膜をラビングする。つぎに対向する基板との
間に、所望の液晶を注入・封止して液晶セルを得た。さ
らに、偏光板をとりつけ、ツイスト・ネマティック型の
液晶パネルを得た。

本実施例では、走査線３２本、信号線３２本のマトリク
ス表示において、透過型でコントラストを測定した。駆
動法は電圧平均化法を採用した。

コントランドは、各絵素に非直線素子を有しない農賃の
液晶パネルの場合に比べて、サンプルＡ。

サンプルＢとも３０％以上向上した。

本実施例では、以上の説明から明らかな如く、マスクは
２層要するのみである。また、第１図において、バス・
バー電極層３と、絵素電極層２の間で測定された電流−
電圧特性は著るしい非直線性を示すことは別の実験で確
認された。また、前記電流−電圧特性は、全く、電圧の
正負に関して対称であった。

また、本実施例においては、前記電流−電圧特性の閾値
は約４ｖ以上となり、これは、液晶パネルの駆動を考え
る場合、はソ望ましい値である。

さらに、非直線素子に付随する電気容量、すなわち、第
１図において、バス・バー電極層３と、絵素電極層２の
間に存在する電気容量は、扱いうる電流値をはｙ同等と
した場合、第４図における非直線素子の容量とはｙ同し
か、それ以下であった。

第１図から、本発明に係る非直線特性を由来する部分の
占有面積がいかに小さくし得るか、よく理解される。こ
れは、日経エレクトロニクス、１９８４年１１月１９日
号（扁３５６）の場合と比較すれば、明瞭である。

（実施例２）本発明に関する第１図に類似した構造の液晶セルに係る
実施例を説明する。

市販の錫を含む酸化イジウム膜（ＩＴＯ膜）を全面に有
するソーダガラスを購入した。この場合、絶縁性基体１
はソーダガラスである。つぎに、この上に、下地加熱を
行い、電子ビーム加熱蒸着法で約４０００人のクロム膜
を形成する。さらに、通常のフォト・リソグラフィー法
及び、実施例１と同様の方法で前記クロム膜を加工し、
塩化第２鉄水溶液と塩酸の混液で前記ＩＴＯ膜を加工し
て、第１図のバス・バー電極層３と絵素電極層２を得る
。但し、前記バス・バー電極層と絵素電極層は、この段
階では、ＩＴＯ膜とクロム膜の二層構造となっている。

つぎに、サンプルＣでは、前述の下地の上に酸化ビスマ
ス粉末をターゲットとして、酸素を２０％含むアルゴン
雰囲気でスパッターすることにより、厚さ約３０ｏｏ人
の酸化ビスマス膜を得た。

さらに、この上に、前述と同様の雰囲気で酸化錫粉末を
ターゲットとして、厚さ約３０００人の酸化錫膜を得た
。サンプルＤでは、厚さ約３０００人の酸化ニッケル膜
を、酸素を３０％含むアルゴン雰囲気中で、酸化ニッケ
ル粉末をターゲットとして、スパッター法で形成した。

その上に、厚さ約３０００人の窒化ガリウム膜を、窒素
を６０％含むアルゴン雰囲気中で、金属ガリウムをター
ゲットとして形成した。これらのスパッター法は、高周
波マグネトロン・スパッター装置によった。

さらに、この上に、サンプルＣ，サンプルＤともに、電
子ビーム加熱蒸着法で厚さ約１μｍ　のアルミニウム膜
を形成する８さらに、フォト・リソグラフィー法でもっ
て、所望のレジスト・パターンを形成し、そのあと、約
６０’Ｃの燐酸−硝酸−酢酸混液によシ、前記アルミニ
ウム膜を加工して、第１図の導体層６を得る。さらに、
酸素を若干含むアルゴンのイオン・シャワーを照射して
、サンプルＣの場合には酸化錫膜と酸化ビスマス膜を、
サンプルＤの場合には窒化ガリウム膜と酸化ニッケル膜
を加工して、それぞれ、第２半導体層５および第１半導
体層４を得る。つぎに前記クロム膜のうち、露出した部
分を、実施例１と同様の方法で除去して、第１図と類似
の基板を得た。

つぎに、実施例１と同様にして液晶パネル製作した。実
施例１と同様に表示のコントラストの測定をしたところ
、各絵素に非直線素子を有しない通常の液晶パネルの場
合に比べて、サンプルＣ、サンプルＤとも、コントラス
トの値は約４０％以上向上した。

本実施例では、以上の説明から明らかな如く、マスクは
２層要するのみである。また、バス・バー電極層と、絵
素電極層の間で測定された電流−電圧特性は著るしい非
直線性を示すことは別の実験で確認された。また、前記
電流−電圧特性は、電圧の正負に関して全く対称であっ
た。　　−また、本実施例においては、前記電流−電圧
特性の閾値は約４ｖ以上となり、これは、液晶パネルの
駆動を考える場合、はソ望ましい値である。

さらに、非直線素子に付随する電気容量、すなわち、第
１図において、バス・バー電極層３と、絵素電極層２の
間に存在する電気容量は、扱いうる電流値をはソ同等と
１−た場合、第４図における非直線素子の容量とはソ同
しか、それ以下であった。

第１図から、本発明に係る非直線特性を由来する部分の
占有面積がいかに小さくし得るか、よく理解される。こ
れは、日経エレクトロニクス、１９８４年１１月１９日
号（墓３５６）の場合と比較すれば、明瞭である。

（実施例３）第２図を用いて本発明に関する実施例を説明する。第２
図は構成斜視図である。第２図において１１は絶縁性基
体、１２は絵素電極層、１３はバス・バー電極層、１４
は第１半導体層、１５は第２半導体層、１６は導体層、
１７は間隙部である。

第２図において、絵素電極層１２−第１及び第２牛導体
層１４と１５−導体層１６の積層、および導体層１６−
第２及び第１半導体層１５と１４−バス・バー電極層１
３の積層がそれぞれ、単一の非直線素子であり、同図か
ら明瞭な如く、これらの非直線素子は縦続接続されてい
る。

低アルカリ硼硅酸ガラス（コーニング社製＃７０５９）
を絶縁性基体１１とし、前記基体を約１５０℃に加熱し
、高周波マグネトロン・スパッター装置で、錫を含む酸
化インジウム透明導電体層（いわゆるＩＴＯ膜を形成し
、通常のフォト・リソグラフィー法及び塩化第２鉄水溶
液と塩酸との混液による蝕刻法でもって、前記ｒＴｏ膜
を微細加工して、絵素電極層１２およびバス・バー電極
層１３を得だ。

つぎに、サンプルＥでは、実施例２と同様にして、厚さ
約３０００人の酸化ビスマス膜を得た。

サンプルＦでは、実施例２と同様にして厚さ約３０００
人の酸化錫膜を得た、つぎに、サンプルＥ、サンプルＦともに、水素を５％含
むアルゴン雰囲気中で、高周波マグネトロン・スパッタ
ー装置によるスパッターによって、厚さ約３００ｏ人の
硅素膜を得た。さらに、この上に、電子ビーム加熱蒸着
法によシフロム膜を得た。

さらに、実施例２と同様にして、前記クロム膜を微細加
工して導体層１６を得た。つぎに、ＣＨＦ３を含むガス
を使用したプラズマ・エッチにより前記硅素層を加工し
て、第２半導体層１５を得る。

かくて、第２図のような基板を得た。

コントラストは、各絵素に非直線素子を有しない通常の
液晶パネルの場合に比べて、サンプルＥ、サンプルＦと
も３０％以上向上した。

本実施例では、以上の説明から明らかな如く、マスクは
２層要するのみである。また、第２図において、バス・
バー電極層１３と、絵素電極層１２の間で測定された電
流−電圧特性は著るしい非直線性を示すことは別の実験
で確認された。また、前記電流−電圧特性は、全く電圧
の正負に関して対称であった、また、本実施例（（おいては、前記電流−電圧特性の閾
値は約４ｖ以上となり、これは、液晶パネルの駆動を考
える場合、はｙ望ましい値である。

さらに、非直線素子に付随する電気容量、すなわち、第
２図において、バス・バー電極層１３と絵素電極層１２
の間に存在する電気容量は、扱いうる電流値とはソ同等
とした場合、第４図における非直線素子の容量とはｙ同
しか、それ以下であった。

第２図から、本発明に係る非直線特性を由来する部分の
占有面積がいかに小さくし得るか、よく理解される。こ
れは、日経エレクトロニクス、１９８４年１１月１９日
号（Ａ３５６）の場合と比較すれば、明瞭である。

（実施例４）第３図を用いて本発明に関する実施例を説明する。第３
図は構成斜視図である。第３図において、２１は絶縁性
基体、２２は絵素電極層、２３はバス・バー電極層、２
４は第１半導体層、２５は第２半導体層、２６は第３半
導体層、２７は導体層、２８は間隙部である。第３図に
おいて、絵素電極層２２−第１．第２および第３半導体
層、２４゜２５と２６−導体層２７の積層、および導体
層２７−第３．第２および第１半導体層、２６．２５と
２４−バス・バー電極層２３の積層がそれぞれ、単一の
非直線素子であり、同図から明瞭な如く、これらの非直
線素子は縦続接続されている。

市販の錫を含む酸化インジウム膜（ＩＴＯ膜）を全面に
有する低アルカリ什硅酸ガラス（コーニング社製５ｙｏ
ｓ９）を購入した。この場合、絶、縁性基体２１は低ア
ルカリ硼硅酸ガラスである。

つぎに実施例３と同様にして、前記ＩＴＯ膜を加工して
、第３図のバス・バー電極層２３と絵素電極層２２を得
る。

前述の基体を、プラズマ・ｃｖｎ　（化学蒸着）装置の
反応室内に設置し、前記基体の温度を３２０℃に保つ。

まず、反応室内にジ・ボラン（Ｂ２Ｈ６）を４０００ｐ
ｐｍ含むヘリウム稀釈シラン（ＳＩＨ４）ガスを導入し
、同時にロータリーポンプで排気しつつ、０．６Ｔｏｒ
ｒ程度の真空度に保つように調整する。つぎに、この雰
囲気に１３．５６　Ｍｔｌｚの高周波電力を加え、プラ
ズマを生起させる、このとき、硼素を含む非晶質硅素が
、前記基体の上に沈積する。生成されだ非晶質硅素膜の
厚みが約４００゜人になるようにする。つぎに、反応室
を窒素ガス流で洗って後、前述と同様にして、すなわち
、ヘリウムで稀釈した純シラン（８ｉＨ４）　　ガスを
導入し、この雰囲気でプラズマを生起させ、不純物を全
ど含まない。厚さ約３０００人の非晶質硅素膜を形成す
る。さらに、反応室を窒素ガス流で洗って後、前述と同
様にして、すなわち、ホスフィン（Ｐ）ｆ、）を３ｏ○
Ｏｐｐｍ　含むヘリウム稀釈シラン（５ｉＨ４）ガスを
導入し、この雰囲気でプラズマを生起させ、燐を含む、
厚さ約４０００人の非晶質硅素膜を得た。

つぎに、電子ビーム加熱蒸着法により、この上に、厚さ
約６０００人のクロム膜を形成した。

さらに、実施例１と同様にして前記クロム膜を加工して
導体層２７を得た。つぎに、ＣＨＦ３を含むガスを使用
したプラズマ・エッチにより前述の三層の非晶質硅素膜
を加工して、第１．第２．第３半導体層を得る。かくて
、第３図のような基板を得た。

つぎに、通常の如く、ポリ・イミド等の配向膜を形成し
、前記配向膜をラビングする。つぎに対向する基板との
間に、所望の液晶を注入、封止して液晶セルを得だ。さ
らに、偏光板をとりつけ、ツイスト・ネマティック型の
液晶パネルを得だ。

コントラストは、各絵素に非直線素子を有しない通常の
液晶パネルの場合に比べて、３０％以上向上した。

本実施例では、以上の説明から明らかな如く、マスクは
２層要するのみである。まだ、第３図において、バス・
バー電極層２３と、絵素電極層２２の間で測定された電
流−電圧特性は著るしい非直線性を示すことは別の実験
で確認された。また、前記電流−電圧特性は、全く、電
圧の正負に関して対称であった。

さらに、非直線素子に付随する電気容量、すなわち、第
３図において、バス・バー電極層３と、絵素電極層２の
間に存在する電気容量は、扱いうる電流値をはソ同等と
した場合、第４図における非直線素子の容量とはソ同し
か、それ以下であった。

第３図から、本発明に係る非直線特性を由来する部分の
占有面積がいかに小さくし得るか、よく理解される。こ
れは、日経エレクトロニクス、１９８４年１１月１９日
号（扁３５６）の場合と比較すれば、明瞭である。

発明の効果以上要するに、本発明はマトリックス表示において、向
上した表示特性と、製造が簡単で、しかも、駆動回路が
簡単な液晶セルを開示するものであり、情報端末等の分
野において、産業上、資すること犬である。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図、第３図は本発明の詳細な説明するだめ
の、基板の絵素付近の斜視図、第４図は従来の液晶セル
の基板の絵素近傍の斜視図である。１・・・・・・絶縁性基体、２・・・・・絵素電極層、
３・・・・・・バス・バー電極層、４・・・・・・第１
半導体層、５・・・・・・第２半導体層、６・・・・・
・導体層、７・・・・・・間隙部、１１・・・・・・絶
縁性基体、１２・・・・・・絵素電極層、１３・・・・
・・バス・バー電極層、１４・・・・・・第１半導体層
、１５・　第２半導体層、１６・・・・・・導体層、１
７・・・・・・間隙部、２１・・・・絶縁性基体、２２
・・・・・絵素電極層、２３・・・・・・バス・バー電
極層、２４・・・・・・第１半導体層、２５・・・・・
・第２半導体層、２６・・・・・・第３半導体層、２了
・・・・・・導体層、２８・・・・・・間隙部、３１・
・・・・・絶縁性基体、３２・・・・・・熱酸化タンタ
ル、３３・・・・・・絵素電極層、３４・・・・・・タ
ンタル層、３５・・・・・・陽極酸化タンタル層、３６
・・・・・・ポリ・イミド層、３７・・・・・・クロム
層、代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名３−
一−バスバ一覧棒漫７−　間預部１７−　　間７ｖ帥第３図　　　　　　　２３−　　バス、バー電極層ｚ８
−　間′Ｐ￥、部第４図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）液晶層を挾持する少なくとも一方の基板において
、絶縁性基体の主表面上に、バス・バー電極層と絵素電
極層とが所望の間隙部を隔てて対向するように設けられ
、かつ前記間隙部上および前記バス・バー電極層と前記
絵素電極層のうち少なくとも前記間隙部の近傍の上に、
非直線特性層と導体層が順次積層されてなり、かつ前記
非直線特性層が複数の半導体層を積層してなることを特
徴とする液晶セル。
（２）各半導体層が、硅素、炭化硅素、窒化ガリウム、
酸化ニッケル、酸化ビスマス、酸化亜鉛、酸化錫、硫化
カドミウム、硫化亜鉛からなることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の液晶セル。
（３）バス・バー電極層と、絵素電極層とが同種の透明
導電物質からなることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の液晶セル。