JPS61188522A - 液晶セルとその製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は映像や、アルファ・ニューメリツタな表示に用
いることの出来る液晶セルとその製法に関する。特に本
発明は向上したコントラストを有する液晶セルを提供す
るものである。

従来の技術 現在、液晶セルは時計・電卓の簡単な駆動タイプのもの
から、ポータプル・コンピューターやワ−ド・プロセッ
サー等の大容量情報表示のためのマトリックス駆動タイ
プに発展しつつある。ところが液晶自身はンマトリック
ス駆動に本質晶に不向さな点があり、従って、コントラ
ストの点では、２００本程鹿の走査線を有するマトリッ
クス駆動においても不満足である。さらに走査線が５０
０本以上程度の大規模なマトリックス駆動を行う場合に
はコントラストの劣化が致命的である。

近年、前述の点を解決し、より大規模なマ）　ＩＪフッ
クス動を行う液晶セルの開発が盛んである。

−ツの開発の方向として薄膜トランジスターを用いた液
晶セルを目ざす方向がある。この場合、　　□半導体と
しては、単結晶硅素、多結晶硅素、非晶、。

質硅素、セレン化カドミウム（ＣｄＳ・）等を用いてい
る、（例えば、日経エレクトロニクス　１９８４年９月
１０日号（Ｎ１３５１）や１９８４年１１月１９日号（
陽５ｓａ）　）。

しかし、この種の液晶セルの製造には、微細加工の際、
マスクが少なくとも４層必要なこと、工程がかなり複雑
であること、従って、製品歩留シも悪くなる。これらの
ことから製品値段が高くなり。

また、大規模マトリックス駆動による液晶セルの製造に
おいては歩留りが厳しくなる。

もう一つの開発の方向としては、非直線素子を用いた液
晶セルを目ざす方向である。本発明はこの方向に沿った
ものである。この種の液晶セルの製造には、薄膜トラン
ジスターの場合に比べて、マスクが少ないこと、工程が
簡単であること、従って製品歩留シが向上し、また製品
値段を比較的低くし得ること等の利点がある。

非直線素子としては非直線抵抗やＰＮあるいはＰＩＮ・
ダイオードが使われる。これらの場合。

液晶層と直列に入る非直線素子の容量が大きくなシがち
であり、従ってパ〃ス５駆動の場合、電圧が液晶層に全
ど印加され、非直線素子の非直線抵抗が効果を発揮しな
いことが起こる。これを避けるため、非直線素子の断面
積を小さくする工夫が行われており、結果として製造歩
留りが低下すると想定される。

前述のような点を考慮された、非直線素子を用いた液蟲
セルは知られている。（例えば、テレビジｍ７学会誌、
ｖｏｊｌ、３８．Ｎ１４　（１９８４）　）　０この液
晶セルの片側の基板の構造を第６図に示す。第６図は構
成断面図である。第６図において、６１は絶縁性基板、
６２は熱酸化タンタル層、５３は絵素電極層で通常は錫
（Ｓｎ）を添加した酸化インジウム電極層（以後、これ
をＩＴＯ電極層と称する）−６４はタンタル（Ｔａ）層
−６５は陽極酸化タンタル層゛、６６はポリイミド層、
６７はクロム（Ｏｒ）層である。　　　　　　　。

このような液晶セルは、構造が簡単で、微細加工の際、
マスクは３層で必要とするのみであり、従うて、薄膜ト
ランジスターの場合に比べ、工程が簡単となり、歩留り
も向上する。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら、第６図において、クロム（Ｃｒ）５７と
タンタル（Ｔａ）の陽極酸化膜６６との電気的接続を再
現性よく確実にするためには、メンタル（’ｒａ）５４
のテーパー・エッチが制御性よく行われねばならないが
、これは至難のことである。

常々、クロム（Ｃｒ　）　５７とタンタル（Ｔａ）の陽
極酸化膜６６との接触不良が起シがちである。

本発明は、前述のような問題点を解決しようとするもの
である。

問題点を解決するだめの手段 本発明は前記問題点を解決するために、液晶層を挾持す
る少なくとも一方の基板において、絶縁性基板上にＪ第
１の金属層と、非直線抵抗層と、第２の金属層とがこの
順に接続されてなる構造物、、　。

及びこの構造物と直列に接続された絵素電極層を具備し
、かつ、第１の金属層は段丘状の側端部を有し、前記段
丘状の側端部に順次、非直線抵抗層と第２の金属層が積
層されていることを特徴とする液晶セルを提供するもの
である。

第１図に本発明に係る基板の典型的な構造を示す。第１
図は構造斜視図である。第１図において、１は絶縁性基
板、２は絵素電極層、３は第１の金属層、４は絶縁のた
めの絶縁体層、６は非直線抵抗層、６は第２の金属層で
ある。第１の金属層の側端部は段丘状である。

絶縁性基板１としてはガラス、サファイア等が使われる
。絵素電極層２としては、錫（Ｓｎ）を添加した酸化イ
ンジウム（以後ＩＴＯと称する）等から形成される。第
１の金属層は、クロム（Ｃｒ）、ニクロム、チタン（Ｔ
ｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニラＡ（ＡＩｔ）、
タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ　）、タングステン（
Ｗ）等から形成される。絶縁体層４としては、ポリイミ
ド、有機フォト・レジスト、金属の酸化物、二酸化硅素
や窒化硅素等が使用される。非直線抵抗層５は、酸化ニ
ッケル、酸化ビスマス、酸化鉛、酸化モリブデン、酸化
タンタル等の金属酸化物、電子ビーム加熱蒸着した硅素
。

スパッター法で形成した炭化硅素や窒化ガリウム。

蒸着法によるセレン（Ｓｅ）やセレン化カドミウム等の
無機半導体、ポリイミド等の高抵抗有機高分子、銅７り
ｑシアニン等の有機半導体等が使われる。第２の金属層
６はクロム（Ｃｒ）、ニクロム、アルミニウム（Ａｎ、
金（Ａｕ）等から形成されるＯ前記段丘状の側端部は、
複数回の通常のフォト・リングラフイー及びエツチング
技術の適用で可能である。等価回路的Ｋ、非直線抵抗層
を考えるとき、非直線抵抗と電気容量が並列に入ってい
る形となる。前記電気容量を小さくするためＫは前記段
丘状の側端部の大きさを１μｍ程度にする方が望ましい
。この場合には１通常の７オトーリソグラフイー法及び
エツチング技術の適用は歩留り的にも限界がある。以上
の点や、微細加工の精緻さの故Ｋ、本発明は、前記段丘
状の側端部を、イオン・ビーム・エッチ装置で形成され
ることを特徴とする前述の液晶セルの製法を提供するも
のである０ イオン・ビームφエッチ装置の一典型としては、たとえ
ば２．４５　ＧＨｚの電子サイクロトロン共鳴イオン源
（ＥＣＲ源）で生ずる励起寿命の長いイオンのシャワー
を引き出し、電界で加速して、エッチさるべきサンプル
に衝突させるようなものである。このような装置はイオ
ン・シャワー・エッチ装置とも称される。９ さらに１本発明は、第１の金属層をタンタル（Ｔａ）あ
るいはアルミニウム（Ａｎ）で形成し、かつ非直線抵抗
層を形成後、負電位極を浸漬した電解液中で第１の金属
層に正電位を与えて、陽極酸化処理することによシ、ピ
ンホール部のタンタル（Ｔａ）表面あるｈはアルミニウ
ム（Ａｎ）表面を酸化してピンホールを閉塞させること
を特徴とする前述の液晶セルの製法を提供するものであ
る。

さらに、本発明は、第１の金属層をタンタル（Ｔａ）で
形成後、前記金属層の表層を陽極酸化するか、酸素プラ
ズマに晒して酸化して非直線抵抗層となすことを特徴と
する前述の液晶セルの製法を提供するものである。

作　　用 発明者らは、研究の結果、本発明の如く、すなわち第１
図の如く第１の金属層の側端部を段丘状となし、この上
に、順に、非直線抵抗層と第２の金属層とを積層した方
が、従来の第５図の構造を有する場合に比べて、同一電
圧を第１の金属層と第２の金属層（第６図の場合、タン
タル層（Ｔａ）とクロム層（Ｃｒ））の間に印加した場
合、電流が流れやすくなること、また電圧−電流特性に
分布が著しく小さいこと、さらに液晶セルの特性では。

液晶の応答がより小電圧で起ること、液晶の電圧に対応
、する応答Ｋ、より分布が小さいことが判った、辷れは
、前記側端部が段丘状である故ｋ、第１の金属層−非直
線抵抗層２の金属層の電気的接続がより良好になってけ
ると理解される。本発明に係る液晶セルの片側の基板の
構造を、より明瞭にするために、再度、第１図を引用す
る。第１図において、１は絶縁性基板、２は絵素電極層
、ａは第１の金属層、４は第１の金属層と第２の金属層
の電気的結合を第１の金属層の側端部に限定するための
Ｉ！！緑層、５は非直線抵抗層、６は第２の金属層であ
る。第１の金属層の側端部は段丘状である。

前述の如く、段丘状の側端部の形成には複数回の７オト
ψリングラフイー法及びエツチング技術の適用は、微細
加工の精緻さや、工数が大なる点で望ましくない。望ま
しいのは、イオン・ビーム・エッチ装置による加工であ
る。この方法は、加工の精緻さや手軽さで著しく優れて
いる。まず、第２図で、・イオン・ビーム・エッチ装置
による段丘状の側端部の加工について説明する。第２図
は構成断面図である。第２図において、１１は絶縁性基
板、１２は第１の金属層、１３は絶縁層、１４は有機レ
ジスト層又はアルミニウム（八り等の無機レジスト層、
１５は絶縁性基板１１の主面に垂直に入射するイオン流
、１６は絶縁性基板１１の主面に斜めに入射するイオン
流を表わす。まず、絶縁性基板１１上に順次、第１の金
属層１２、絶縁層１３．及び、バターニングされた有機
レジスト層又は無機レジスト層１４を形成する〔第２図
（４）〕。つぎに、絶縁性基板１１の主面に垂直に、す
なわち方向１６から、イオン・ビーム・エッチ装置から
のイオンを入射させる。かくて、絶縁層１３及び第１の
金属層１２を、層に垂直に、研削する。このさい、イオ
／の入射している時間等を制御して、第］の金属層１２
をかなり残した状態で止める〔第２図（ｂ）　］　、ｍ
さらに、絶縁性基板１１の主面に斜めから、すなわち、
方向１６から、イオン・ビーム・エツチング装置からの
イオンを入射させる。かくて、第１の金属層１２を研削
して、第２図（Ｃ）を得る。さらに、レジスト層１４を
適当な方法で除去して第２図（ｄ）を得る。

第２図（ｂ）　、　（Ｃ）　、　（ｄ）のような状況は
走査型電子顕微鏡で確認された。第２図（ｂ）　、　（
Ｃ）の段階で、レジスト層１４は若干なりとも、層の厚
みは減少する。

第１の金属層１２を形成する金属の種類により、研削に
効果的なイオン種は異なる。例えば、前記金属カフロム
（Ｃｒ）、ニクロム、アルミニウム（Ａ１）等の場合、
四塩化炭素（ＣＣｌ２）から発生したイオン〔この場合
、レジストは二酸化硅素（Ｓ　１０２　）が望ましい〕
やアルゴン（Ａｒ）から発生したイオン〔この場合、レ
ジストは有機レジストが望ましい〕が適当である。前記
金属がタンタル（Ｔａ）、モリプデｙ（Ｍｏ）、チタン
（Ｔｉ　）、ニオブ（Ｎ’ｂ）、タングステン（Ｗ）等
の場合、７レオン（ＣＦ４）やＣＨＦ　　と酸素（ｏ２
）との混合ガスから発生したイオン〔この場合、レジス
トはアルミニウム（八β）や有機レジストが望ましい〕
が適当である。また、この場合でも、レジストの材質を
適当に選択して、四塩化炭素（ＣＣ４！４）と酸素との
混合ガスから発生したイオンを使用するのが望ましいこ
ともある。

つぎに、本発明に係る液晶セルの基板の製造において、
絶縁性基板上に第１の金属層をタンタル（Ｔａ）あるい
はアルミニウム（Ａｊりで形成し、かつ、この上に非直
線抵抗層を形成後、負電位極を浸漬した電解液中で第１
の金属層に正電位を与えて、陽極酸化処理することによ
り、結果の液晶セルの製造歩留りが著しく向上するのを
見出した。

これは、非直線抵抗層にピンホールが存在する場合、そ
のピンホール部の直下のタンタル（’ｒ’ａ　）表面、
あるいはアルミニウム（八２）表面が酸化され、結果と
してピンホール部が閉塞されることを意味していると考
えられる。このことは、前期陽極酸化前後の非直線抵抗
層の電気的測定の結果からも類推される。第３図はこの
工程め説明図である。

第３図は構成断面図である。同図において、２１は絶縁
性基板、２２は絵素電極層、２３は第１の金属層で、タ
ンタル（Ｔａ）またアルミニウム（ＡＩ！、）が形成さ
れており、２４は絶縁のための絶縁層、２５は非直線抵
抗層、２６は第２の金属層である、まず、第３図（−）
のように、第１の金属層２３を、タンタル（Ｔａ　）ま
だはアルミニウム（Ａ２）で形成し、前記の第１の金属
層に絶縁層２４を冠状に設け、しかも、前記の第１の金
属層の側端部が段丘状になっているようにする。つぎに
、適当な手段でもって、非直線抵抗層２５を設ける。さ
らに、電解溶液中で陽極酸化処理を行って第３図中）を
得る。この際、溶液としては、燐酸や蓚酸等の水溶液が
使われ、負電位極としてはタンタル（Ｔａ）が使用され
る。印加電圧は、はソ５０〜１６ｏｖ程度でよい。さら
に第２の金属層２６を形成して基板を得る。

第１の金属層をタンタル（Ｔａ）で形成し、非直線抵抗
層を前記の第１の金属層の表層を酸化することにより形
成した基板による液晶セルは、従来の、すなわち、第１
図に示す基板を有する液晶セルよりも、製造において歩
留シが著しく向上することを見出した。これは、第１の
金属層の段丘状の側端部に帰せられると思われる。すな
わち、前起倒端部が、電気的接続を向上させていると考
えられる。第４図はこの工程の説明図である。第４図は
構成断面図である。第４図において、３１は絶縁性基板
、３２は絵素電極層、３３は第１の金属層でタンタル（
Ｔａ）から形成され、３４は絶縁のための絶縁層、３５
は酸化タンタル層、３６は第２の金属層である。第４図
（ａ）の如く、第１の金属層３３をタンタル（Ｔａ）で
形成し、前記の第１の金属層３３に絶縁層３４を冠状に
設け、しかも、前記の第１の金属層３３の側端部が段丘
状になっているようにする。つぎに、第１の金属層の表
層を酸化して、非直線抵抗層３６を形成する（第４図ｂ
）ｏ前記の酸化の方法としては、前述のような陽極酸化
法か、酸素（Ｏ２）プラズマ中に晒してなされる。つぎ
に、第２の金属層を形成して、第４図（Ｃ）を得る。

実施例 以下実施例を示す。

（実施例１） まず、基板を作製する０ 市販の二酸化硅素（Ｓ　ｔ　０２　）で被覆されたソー
ダ・ガラスを購入した。第２図の如く、以下のように進
む。電子ビーム加熱蒸着法でもって、厚さ約０２μｍの
クロムＣｒ層１２を形成する。つぎに、厚さ約０．４ｐ
ｍの二酸化硅素（Ｓ　ｚ　０２　）層１３をスパッター
法で形成した。つぎに、東京応化製ポジ型レジス）ＯＦ
ＰＲ−８００の層を形成し、フォト−リソグラフィー法
でもって、この層をバターニングした〔第２図（ａ）〕
。

つぎに、前記のレジストの層１４をマスクとして、ＣＨ
Ｆ３と酸素との混合ガスを用いて、日電アネルバ製イオ
ン・シャワー・エッチ装置ＲＩＢ−３１０を使って、前
記二酸化硅素（Ｓ　１０２　）層１３をエッチした。イ
オン流は基板１１面に垂直に入射するようにする。この
とき、レジストの層１４も若干、エッチされた。さらに
、アルゴン（Ａｒ）を用いて、前記イオン・シャワー・
エッチ装置を用いて、約０．１μｍ＃１ど、前記クロム
（００層１２をエッチした。イオン流は基板１１面に垂
直に入射するようにする。このときも、レジストの層１
４も若干、エッチされた〔第２図中）〕。

さらに、アルゴン（Ａｒ）を用いて、前記イオン・・シ
ャワー・エッチ装置を使って、イオン流の入射方向が、
基板１１面の法線に対して、角度が４５゜になるように
、斜め上方から、イオン流が入射するようにして、前記
クロム層１２を完全にエツチングした〔第２図（Ｃ）〕
。このときも、レジストの層１４は若干、エッチされる
。このときの基板の断面は、第２図（Ｃ）の如くなって
いることは、すなわち段丘状の側端部を走基型電子顕微
鏡で確認したり さらに、レジストの層１４は、加熱したレジスト剥離液
１−１ｏＯでもって除去して、第２図（ｄ）を得た。

つぎに、酸化インジウム（Ｉｎ２ｏ３）と約１０重量％
の酸化錫（Ｓ　ｎ　Ｏ２）の混合物をソースとして、前
述の基板を１５０℃に加熱し、電子ビーム加熱蒸着装置
で前記基板上に錫（Ｓｎ）を含む酸化インジウム層を形
成する。つぎに、通常のフォト・リソグラフィー法でも
って、塩酸エッチ液を用いて。

絵素電極層の形に前記酸化インジウム層を加工する。つ
ぎに、酸素（Ｏ２）を使ったイオン比活性法セもって、
ナなセも、酸素（０２）プラズマに基板を晒して絵素電
極層（第１図２）を得る。但し、このイオン化活性法を
施すとき、基板は１５０’Ｃに保たれた。

つぎに、非直線抵抗層（第１図６）を形成した。

前記非直線抵抗層の材質、形成法、厚み等については、
表に示す。非直線抵抗層の微細加工は、前記イオン・シ
ャワー・エッチ装置を用い、アルゴン（Ａｒ）を使い、
マスク材としては通常の有機レジストを使用して行った
。

さらに、厚み約０．７μｍＱアルミニウム（Ａ２）を使
って、第２の金属ＩＷｉ（第１図６）を形成した。

アルミニウム（Ａ２）層の形成は、電子ビーム加熱蒸着
法を用いて行い、微細加工は、ネガ型フォト・レジスト
及びアルカリ系エッチ液〔Ｋ２Ｂτ４０７′トＫＯＨと
Ｋ　Ｆ　ｅ　（ＣＮ　）　、ｅの水溶液〕によった。か
くて、第１図の如き基板を得た。

つぎに、通常の如く、配向膜を形成するか、あるいはさ
らに前記配向膜をラビングするか、あるいは、液晶配向
膜として斜め蒸着膜を形成すること等をする。つぎに対
向する基板との間に、所望の液晶を注入封止した。さら
Ｋ、必要とあれば、有機偏光板を貼りつけた。本実施例
では透過光でコントラストは測られた。

本実施例では、走査線３２本、信号線３２本のマトリッ
クス表示について、液晶セル及び表示装置を製造した。

駆動法は電圧平均化法に類した方法によった。

表示装置のコントラストは、非直線抵抗層がない場合に
比較して、格段に改善された。表に、基板における断線
に起因すると思われる表示特性を示す絵素について、す
なわちこの種の欠陥絵素の全体の絵素に対する比率を掲
げた。比較例は、第６図の液晶セルの場合に対応する。

断線は、第１図、第６図の非直線抵抗層６や酸化タンタ
ル層６５の部分で起こる頻度が高いことは、解析の結果
、判っておシ、また、その他の部分で断線が起こる場合
は、第１図、第６図に対応するそれぞれの液晶セル忙お
いて、はソ同等の頻度で起こることは判っている。

なお、表において、サンプル番号１ｏのものは、第６図
の如き基板構造を有する比較例である。

＊比較例 本発明に係る液晶セルは、従来のそれ釦比べて、製造の
歩留シにおいて、優れていることが判る。

これは、第６図の、すなわち、従来のテーパー状側端と
、本発明が係る段丘状の側端との差異に帰せられると考
える。

また、第１図のような段、丘状の側端を、複数回のフォ
ト・リソグラフィー法を適用して形成することを試みた
。この方は従来より行われている方法である。この方法
を試みた場合、工程が繁雑となり、製造歩留りが本発明
の方法に比べて著しく低下した。また、側端の段丘の巾
（第１図２）が、現実的配慮をして技術上の制約から少
なくとも３μｍ以上とならざるを得す、従って、電気回
路的に、非直線抵抗層（第１図６）に並列に大きな容量
が入シ、これ故に、液晶セルを用いた表示装置のコント
ラストは著しぐ本発明のそれに比べて低下すると想定さ
れる。現実にも、この想定は妥当であった。　　　　　
　。

（実施例２） まず、基板を作製する。

市販のＩＴＯ層で被覆された、硼硅酸ガラス（コーニン
グ社＃７０５９に相当）を購入した。

電子ビーム加熱蒸着法で、まず、厚さ０．０２μｍのク
ロム（Ｃｒ　）膜をつけ、次に、厚さ０．６μｍのアル
ミニウム（八２）膜を積層する。東京応化製ポジ型レジ
スト０ＦＰＲ−８００で、フォト・リングラフイー法で
もって絵素電極層に対応するノくターンを形成し、その
あと、アルミニウム（Ａ２）をリン酸系エッチ液（リン
酸、酢酸、硝酸、水の混液）でエッチし、クロム（Ｃｒ
）を塩酸系エッチ液〔塩酸と硫酸セリウム（Ｃｅ　Ｓ　
Ｏ４）の水溶液〕でエッチした。つぎのレジスト層を除
去後、アルゴン（Ａτ）を使用したイオン・シャワー・
エッチ装置（日電アネルパ製ＲＩＢ−ａ１ｏ）を使用し
て、ＩＴＯ層を微細加工して、絵素電極層を得た。

つぎに、第２図に示された工種を行う。まず、基板全面
にタンタル（Ｔａ）層を、厚さが約Ｑ　４１℃ｍになる
ように形成する。つぎに燐酸水溶液を電解液とし、負電
位極にタンタル（Ｔａ）を用い、電解液の温度を５０℃
として、基板をこの電解液に浸漬し、前記タンタル（Ｔ
ａ）層に１２５ｖの正電位を与えて陽極酸化する。走査
型電子顕微鏡による観察の結果、陽極酸化処理による酸
化タンタル（第２図１３）の厚さは約０．２μｍであっ
た。さらに、この上に、前述の如く、クロム（Ｃｒ　）
とアルミニウム（Ａ４）を全面に蒸着し、レジストを用
いて、形成されたアルミニウム（Ａ４）層とクロム（Ｃ
ｒ）層を湿式エッチ法でもって微細加工をし、さらにレ
ジスト層を除去した。第２図１４は、この場合、クロム
（Ｃｒ）とアルミニウムの複合層と考え乞べきである。

かくて、第２図（−）の状態が得られた。

つぎに、前記複合層をマスクとして、実施例１ト同様に
　イオン・シャワー・エッチ装置でもって、段丘状の側
端部をもつ構造、第２図（Ｃ）が得られる。この際、イ
オン拳シャワー・エッチ装置に使用するガスとしては、
数チ酸素（０２）を含むフレオン（ＣＦ４）が用いられ
た。

なお、前述のイオン嗜シャワー・エッチの場合、フレオ
ン（ＣＦ４）１００％のガスを用いると、マスク１４と
してのアルミニウム（八２）層が著しく・エッチされる
ことが判った。また、このイオン・シャワー・エッチの
際、事前に基板を、酸素（０２）１００％のイオン拳シ
ャワーに晒しておくと、マスク１４としてのアルミニウ
ム（Ａｎ　）層のエッチ速度は著しく減少し得ることも
判った。本実施例では、この方法も採用した。また、こ
のイオン・シャワー・エッチの際、絵素電極層たるＩＴ
Ｏは、アルミニウム（八２）層で保護されている。

つぎＫ、絵素電極層と酸化タンタル１３の上の、クロム
（Ｃｒ　）層とアルミニウム（Ａ２）層は、化学的に除
去される。まず、アルミニウム（Ａ２）層は、アルカリ
系エッチャント〔Ｋ２Ｂｒ４０７とＫＯＨとＫ　Ｆ　ｅ
　（ＣＮ　）　ｅの水溶液でエッチし、りｏム（Ｃｒ）
層は塩酸系エッチ液〔塩酸と硝酸セリウム（ＣｅＳＯ４
）の水溶液〕エッチした。かくて第２図（ｄ）を得た。

以后、第３図に従って説明する。酸化鉛（Ｐｂ０２）層
を全面にスパッター法で厚さ０．２　ｐ　ｍになるよう
に形成する。この酸化鉛（Ｐｂｏ２）層を実施例１と同
様に微細加工して、第３図２５を得る。つぎに、前述の
如く、但し、タンタル（Ｔａ）層２３に与える正電位を
７ｏ■として陽極酸化処理をした〔第３図Φ）〕。比較
のため、前記陽極酸化処理を省略したサンプルも作製し
た。

つぎに、第２の金属層２６を、厚さ０．２μｍのクロム
（Ｏｒ）層を形成し、フォト・リソグラフィー法及び湿
式エッチ法で加工して得た。以後、実施例１と同様に液
晶セルを組立て、表示装置に組み込み、特性を測定した
。

本実施例における表示装置は、非直線抵抗層かない場合
に比較して、コントラストは格段に改善された。第６図
に相当する液晶表示装置に比べて、欠陥絵素の数は、か
なりの程度少なくなった。また、前述の比較例の陽極酸
化処理を省略したサンプルよりも、本実施例による液晶
表示装置の欠陥絵素は著しく少なくなった。

（実施例３） 実施例２と同様にして、第４図（＆）の如き基板を得る
。つぎに、実施例２と同様にして、但しタンタル（Ｔａ
）層３３に与える正電位を３０Ｖとして、陽極酸化処理
をした。出来た酸化タンタルの干渉の色から見て、は’
ｙｏ、ｏｓμｍ　と判断された。かくて、第４図（ｂ）
を得た。つぎに、実施例２と同様に、第２の電極層を形
成して、第４図（Ｃ）を得た。

以後、実施例１と同様に液晶セルを組立て、表示装置を
製作し、特性を測定した。

本実施例における表示装置は、非直線抵抗層がない場合
に比較して、コントラストは格段に改善された。第６図
に相当する液晶表示装置に比べて、欠陥絵素の数は大巾
に減少した。

発明の効果 以上要するに、本発明は、液晶セルの各絵素毎に付随す
る非直線抵抗層の並行容量を許容し得る程小さい、すな
わち、実効的な非直線抵抗層の断面積を小さくし、なお
かつ、この非直線抵抗層及び対向する電極の電気的接続
の確実性をより向上するだめの液晶セルの基板構造及び
基板の製法を開示するものである。かくすることにより
、従来より、比較的低電圧で動く、均一な表示性能を有
する液晶セルを、同時に本発明は提供することになるは
ずであり、産業上の価値は大なるものがある０

【図面の簡単な説明】

第１図に本発明に係る基板の典型的な構造を示す構成斜
視図、第２図は本発明に係る段丘状の側端部の加工を説
明する構成断面図、第３図は本発明に係る基板の製法を
示す構成断面図、第４図も本発明に係る基板の製法を示
す構成断面図、第５図は従来の液晶セル用基板の構造を
示す構成斜視図である。 １・・・・・・絶縁性基板、２・・・・・・絵素電極層
、３・・・・・・第１の金属層、４・・・・・・絶縁層
、６・・・・・・非直線抵抗層、６・・・・・・第２の
金属層、１１・・・・・・絶縁性基板、１２・・・・・
・第１の金属層、１３・・・・・・絶縁層、１４・・・
・・・レジスト層、１６・・・・・・イオン流、１６・
・・・・・イオン流、２１・・・・・・絶縁性基板、２
２・・・・・・絵素電極層、２３・・・・・・第１の金
属層、２４・・・・・・絶縁層、２６・・・・・・非直
線抵抗層、２６・・・・・・第２の金属層、３１・・・
・・・絶縁性基板、３２・・・・・・絵素電極層、３３
・・・・・・第１の金属層、３４・・・・・・絶縁層、
３５・・・・・・酸化タンタル層、３６・・・・・・第
２の金属層、５１・・・・・争絶縁性基板、６２・・・
・・・熱酸化タンタル、５３・・・・・・絵素電極層、
６４・・・・・・タンタル（Ｔａ）層、５６・・・・・
・陽極酸化タンタル層、５６・・・・・・ポリイミド層
、５７・・・・・・クロム（Ｃｒ）層。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名１　
絶泳竹基坂 ４・・・！ｆＡ球ｔｔｐ、／Ｉり絶縁層５・・非直線４
６試層 ｚ−８２の否薦層 第２図 （迂ン 第３図 （ｂ） 第４図 （？Ｊ） （ｂ） （Ｃ） 第５図

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）液晶層を挾持する少なくとも一方の基板において
   、絶縁性基板上に、第１の金属層と、非直線抵抗層と、
   第２の金属層とがこの順に接続されてなる構造物、及び
   この構造物と直列に接続された絵素電極層を具備し、か
   つ、前記第１の金属層は段丘状の側端部を有し、前記段
   丘状の側端部に順次、非直線抵抗層と第２の金属層が積
   層されていることを特徴とする液晶セル。
2. （２）液晶層を挾持する少なくとも一方の基板において
   、絶縁性基板上に、第１の金属層と、非直線抵抗層と、
   第２の金属層とがこの順に接続されてなる構造物、及び
   この構造物と直列に接続された絵素電極層を具備し、か
   つ、前記第１の金属層は段丘状の側端部を有し、前記段
   丘状の側端部に順次、非直線抵抗層と第２の金属層が積
   層されている液晶セルの製法において、前記段丘状の側
   端部をイオン・ビーム・エッチング法で形成することを
   特徴とする液晶セルの製法。
3. （３）第１の金属層をタンタルあるいはアルミニウムで
   形成し、かつ非直線抵抗層を形成後、負電位極を浸漬し
   た電解液中で前記第１の金属層に正電位を与えて、陽極
   酸化処理することを特徴とする特許請求の範囲第２項記
   載の液晶セルの製法。
4. （４）第１の金属層をタンタルで形成後、前記金属層の
   表層を陽極酸化するか、酸素プラズマに晒して酸化して
   非直線抵抗層となすことを特徴とする特許請求の範囲第
   ２項記載の液晶セルの製法。