JPS6280629A - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
液晶表示素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS6280629A JPS6280629A JP60222346A JP22234685A JPS6280629A JP S6280629 A JPS6280629 A JP S6280629A JP 60222346 A JP60222346 A JP 60222346A JP 22234685 A JP22234685 A JP 22234685A JP S6280629 A JPS6280629 A JP S6280629A
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- Japan
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- metal
- substrate
- liquid crystal
- insulating film
- crystal display
- Prior art date
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- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、金属・酸化絶縁膜・金属の構造を有′する非
線形抵抗素子（以下、ＭＩＭ素子と略す）を組み込んだ
液晶表示素子の製造方法に関する。
線形抵抗素子（以下、ＭＩＭ素子と略す）を組み込んだ
液晶表示素子の製造方法に関する。
〈発明の概要〉
本発明は、ＭＩＭ素子を形成した基板上に、上側金属以
外の金属部に絶縁膜を形成し、その上面に透明画素電極
が前記上側金属を覆うように形成したことにより、高良
品率、コストダウンを可能とするものである。
外の金属部に絶縁膜を形成し、その上面に透明画素電極
が前記上側金属を覆うように形成したことにより、高良
品率、コストダウンを可能とするものである。
〈従来の技術〉
第２図に従来より用いられているＭＩＭ素子を組み込ん
だ液晶表示素子の片側基板の斜視図を示す。この基板に
液晶を配向させる処理をした後、透明電極を有する対向
基板（図示せず）を貼り合せ、液晶を注入、封止するこ
とによりＭＩＭ素子を組み込んだ液晶表示素子が実現さ
れる。前記液晶表示素子は、現在多く用いられているＴ
Ｎ型液晶表示素子のコントラスＩｆ大きく改善するもの
として期待を集めている。
だ液晶表示素子の片側基板の斜視図を示す。この基板に
液晶を配向させる処理をした後、透明電極を有する対向
基板（図示せず）を貼り合せ、液晶を注入、封止するこ
とによりＭＩＭ素子を組み込んだ液晶表示素子が実現さ
れる。前記液晶表示素子は、現在多く用いられているＴ
Ｎ型液晶表示素子のコントラスＩｆ大きく改善するもの
として期待を集めている。
第２図において、ガラス基板ＩＩ上ＫＴａなどの配線用
の下側金属＋２．及びＭｒＭ素子の面積を規制する絶縁
体としての絶縁膜１３を形成し、下側金属Ｉ２の側面に
酸化絶縁膜１４を形成する。
の下側金属＋２．及びＭｒＭ素子の面積を規制する絶縁
体としての絶縁膜１３を形成し、下側金属Ｉ２の側面に
酸化絶縁膜１４を形成する。
そして、上側金属１５を形成して、下側金属！２−酸化
絶縁膜１４−上側金属■５によるＭＩＭ素子を完成させ
る。さらにこの後、上側金属１５の一部と接続されるよ
うな形で透明画素電極１６を形成し、液晶表示素子の一
方の電極基板とする。
絶縁膜１４−上側金属■５によるＭＩＭ素子を完成させ
る。さらにこの後、上側金属１５の一部と接続されるよ
うな形で透明画素電極１６を形成し、液晶表示素子の一
方の電極基板とする。
〈発明が解決しようとする問題点〉
ところが、上記のようにして製造すると、下側金属■２
は、透明画素電極」６の間に配置されねばならず、その
線幅は数十ミクロンとなシ、断線が多発する。さらに、
上側金属１５、透明画素電極１６を形成する際のマスク
合せ精度は数ミクロンになり、良品率の向上は非常に困
難である。また、配線用の下側電極１２が透明画素電極
＋６の間に配されることから開口率が悪化する。
は、透明画素電極」６の間に配置されねばならず、その
線幅は数十ミクロンとなシ、断線が多発する。さらに、
上側金属１５、透明画素電極１６を形成する際のマスク
合せ精度は数ミクロンになり、良品率の向上は非常に困
難である。また、配線用の下側電極１２が透明画素電極
＋６の間に配されることから開口率が悪化する。
本発明は、上記の欠点を解消する為に成されたものであ
る。
る。
〈問題点を解決するための手段〉
本発明は、ＭＩＭ素子を形成した基板上に感光性の絶縁
体を塗布する。そして、基板裏面から露光することによ
り、上側金属以外の金属部に絶縁膜を形成し、その上面
に透明画素電極が前記上側金属を覆うように形成したこ
とを特徴とする。
体を塗布する。そして、基板裏面から露光することによ
り、上側金属以外の金属部に絶縁膜を形成し、その上面
に透明画素電極が前記上側金属を覆うように形成したこ
とを特徴とする。
く作 用〉
上記の方法で製造したことにより、配線の下側金属が透
明画素電極の下に配し得、マスク合わせ精度が数百ミク
ロンで良くなり、又、透明画素電極の間隔を充分小さく
して開口率を向、Ｅできる。
明画素電極の下に配し得、マスク合わせ精度が数百ミク
ロンで良くなり、又、透明画素電極の間隔を充分小さく
して開口率を向、Ｅできる。
〈実施例〉
第１図（、）〜（ｆ）は本発明の一実施例の製造工程を
順次図式的に示した斜視図である。
順次図式的に示した斜視図である。
（ａ）パイレックスガラスなどのガラス基板ｉ上にＴａ
を約４０００Ｘの厚さでスパッタリングにより形成し、
この上にポリイミドを約４ｏｏｏＸ、７６布し、ドライ
エツチング法を用いて２層同時にパターニングすること
により、ガラス基板１上に下側金属２と絶縁膜３を形成
する。
を約４０００Ｘの厚さでスパッタリングにより形成し、
この上にポリイミドを約４ｏｏｏＸ、７６布し、ドライ
エツチング法を用いて２層同時にパターニングすること
により、ガラス基板１上に下側金属２と絶縁膜３を形成
する。
（ｂ） 次に前記ガラス基板１を０．０１重量％水溶
液中で陽極酸化を行ない、下側金属２の側面部に酸化絶
縁膜４を約５００Ｘの厚さで形成する。
液中で陽極酸化を行ない、下側金属２の側面部に酸化絶
縁膜４を約５００Ｘの厚さで形成する。
（Ｃ） さらに、Ｃｒを約２０００Ｘ形成し、パター
ニングして上側金属５を形成する。
ニングして上側金属５を形成する。
（ｄ） 次に、感光性ポリイミド等の絶縁体６を約４
０００Ｘ塗布し、裏面よ如露光する。
０００Ｘ塗布し、裏面よ如露光する。
（ｅ） このとき、下側金属２上および上側金属５上
は感光せず、感光性の絶縁体６は残らない。すなわち下
側金属２上の絶縁膜３と上側金属５が露出した形となり
、他の部分は全て感光性の絶縁体６にて覆われている０ （ｆ） この基板上に上側金属５を覆うようにしてＩ
ＴＯなどの透明電極を形成し、パターニングして透明画
素電極７とする。
は感光せず、感光性の絶縁体６は残らない。すなわち下
側金属２上の絶縁膜３と上側金属５が露出した形となり
、他の部分は全て感光性の絶縁体６にて覆われている０ （ｆ） この基板上に上側金属５を覆うようにしてＩ
ＴＯなどの透明電極を形成し、パターニングして透明画
素電極７とする。
以降の工程は従来の液晶表示素子と同様にして製造され
る。
る。
〈発明の効果〉
以上のように本発明を用いれば、透明画素電極間に金属
配線を配する必要がないため、配線幅を充分にとれる。
配線を配する必要がないため、配線幅を充分にとれる。
配線と画素電極のマスク合せ精度が数百ミクロンでよい
。画素電極の間隔を充分小さくできる。など多くの利点
があり、ひいては高Ａ品率、コストダウンが可能となる
。
。画素電極の間隔を充分小さくできる。など多くの利点
があり、ひいては高Ａ品率、コストダウンが可能となる
。
第１図（、）（ｂ）（ｃ）（ｄ）（ｅ）（ｆ）は本発明
の一実施例の製造工程を示す斜視図、第２図は従来例を
示す斜視図である。 ！・・・ガラス基板、２・・・下側金属、３・・・絶縁
膜、４・・・酸化絶縁膜、５・・・上側金属、６・・・
感光性の絶縁体、７・・・透明画素電極。
の一実施例の製造工程を示す斜視図、第２図は従来例を
示す斜視図である。 ！・・・ガラス基板、２・・・下側金属、３・・・絶縁
膜、４・・・酸化絶縁膜、５・・・上側金属、６・・・
感光性の絶縁体、７・・・透明画素電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、金属・酸化絶縁膜・金属の構造を有する非線形抵抗
素子を組み込んだ液晶表示素子において、上記非線形抵
抗素子を形成した基板上に感光性の絶縁体を塗布する工
程、 上記基板裏面からの露光により上記感光性の絶縁体を感
光し除去する工程、 及び、上記除去により感光性の絶縁体から露出した、上
記非線形抵抗素子の上側金属を覆って透明画素電極を形
成する工程、とを有することを特徴とする液晶表示素子
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60222346A JPS6280629A (ja) | 1985-10-03 | 1985-10-03 | 液晶表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60222346A JPS6280629A (ja) | 1985-10-03 | 1985-10-03 | 液晶表示素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6280629A true JPS6280629A (ja) | 1987-04-14 |
| JPH0543096B2 JPH0543096B2 (ja) | 1993-06-30 |
Family
ID=16780899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60222346A Granted JPS6280629A (ja) | 1985-10-03 | 1985-10-03 | 液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6280629A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63265286A (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-01 | セイコーエプソン株式会社 | アクテイブマトリクス液晶パネル |
| US5459092A (en) * | 1989-01-27 | 1995-10-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating an active matrix addressed liquid crystal image device |
-
1985
- 1985-10-03 JP JP60222346A patent/JPS6280629A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63265286A (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-01 | セイコーエプソン株式会社 | アクテイブマトリクス液晶パネル |
| US5459092A (en) * | 1989-01-27 | 1995-10-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating an active matrix addressed liquid crystal image device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0543096B2 (ja) | 1993-06-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |