JPS628125A - 液晶表示用基板の製造方法 - Google Patents
液晶表示用基板の製造方法Info
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- JPS628125A JPS628125A JP60147702A JP14770285A JPS628125A JP S628125 A JPS628125 A JP S628125A JP 60147702 A JP60147702 A JP 60147702A JP 14770285 A JP14770285 A JP 14770285A JP S628125 A JPS628125 A JP S628125A
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- conductive film
- transparent conductive
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
この発明は、各画素ごとに非線型素子を設けた液晶表示
装置と、その基板の容易な製造方法に関する。
装置と、その基板の容易な製造方法に関する。
この発明は、非線型抵抗膜を用いた液晶表示装置とその
製造方法において、液晶駆動電極と信号線電極の重なり
部分を、信号線電極の端部に設け、透明基板の裏面から
の露光を行うことにより。
製造方法において、液晶駆動電極と信号線電極の重なり
部分を、信号線電極の端部に設け、透明基板の裏面から
の露光を行うことにより。
表示性能が優れ、製造が容易であるようにしたものであ
る。
る。
小型、軽量、低消費電力の表示装置として液晶表示装置
が実用化されてきた。近年この種の表示装置−の表示情
報量増大を計る目的で、ダイオードや金属−絶縁膜−金
属構造からなるＭＩＭ型非線型素子による液晶表示装置
が研究されてきた。第４図は従来の非線型素子を用いた
マトリクス液晶表示装置の回路図である。第４図の１１
は行電極群、１２は列電極群で１通常各々１００本から
１０００本の電極からなる。行電極と列電極の交叉点に
は、液晶１３と非線型素子１４が直列に形成される。こ
の両端に電圧を加えて液晶１３を駆動すると、非線型素
子１４の急激な抵抗変化により、液晶１３の立ち上がり
特性が、液晶単独で駆動した場合と比べ大巾に急峻にな
る。
が実用化されてきた。近年この種の表示装置−の表示情
報量増大を計る目的で、ダイオードや金属−絶縁膜−金
属構造からなるＭＩＭ型非線型素子による液晶表示装置
が研究されてきた。第４図は従来の非線型素子を用いた
マトリクス液晶表示装置の回路図である。第４図の１１
は行電極群、１２は列電極群で１通常各々１００本から
１０００本の電極からなる。行電極と列電極の交叉点に
は、液晶１３と非線型素子１４が直列に形成される。こ
の両端に電圧を加えて液晶１３を駆動すると、非線型素
子１４の急激な抵抗変化により、液晶１３の立ち上がり
特性が、液晶単独で駆動した場合と比べ大巾に急峻にな
る。
第５薗に、従来の非線型素子を用いたマトリクス液晶表
示装置単位画素の等価回路を更に詳細に示す。第５図で
Ｒｉ、Ｃｉは非線型素子の等価抵抗と等価容量、ＲＩＣ
，Ｃ１ｃは液晶の等価抵抗と等価容量である。このよう
な非線型素子を用いたアクティブマトリクス液晶表示装
置では、Ｃ１がＣ１ｃよりも充分小さい（数分の１以下
）ことが単位画素に加えられた電圧パルスが非線型素子
に加わり、Ｒｌｃの大巾な抵抗低下を起こし。
示装置単位画素の等価回路を更に詳細に示す。第５図で
Ｒｉ、Ｃｉは非線型素子の等価抵抗と等価容量、ＲＩＣ
，Ｃ１ｃは液晶の等価抵抗と等価容量である。このよう
な非線型素子を用いたアクティブマトリクス液晶表示装
置では、Ｃ１がＣ１ｃよりも充分小さい（数分の１以下
）ことが単位画素に加えられた電圧パルスが非線型素子
に加わり、Ｒｌｃの大巾な抵抗低下を起こし。
Ｃ１ｃに液晶駆動電圧として書き込まれるのに必要であ
る。従来のＭＩＭでは絶縁膜として厚さ１００〜５００
オングストロームの酸化タンタルなどを用いているので
２通常の画素（１００〜５００μｍ口）の大きさの場合
、非線型素子の面積は数μｍ平方以下である必要があり
、素子形成の際の位置合わせ精度は数μｍ以内でなけれ
ばならない。従ってアライナ−などの精密な位置合わせ
装置が必要で、製造コスト、歩留りなどの点で実用化困
難であった。更に、従来のＭＩＭを用いた液晶表示装置
では、製造工程はフォトマスク工程が２回以上あって複
雑である。絶縁膜の厚さが薄い為信頼性が不充分である
などの理由で実用には至っていない。
る。従来のＭＩＭでは絶縁膜として厚さ１００〜５００
オングストロームの酸化タンタルなどを用いているので
２通常の画素（１００〜５００μｍ口）の大きさの場合
、非線型素子の面積は数μｍ平方以下である必要があり
、素子形成の際の位置合わせ精度は数μｍ以内でなけれ
ばならない。従ってアライナ−などの精密な位置合わせ
装置が必要で、製造コスト、歩留りなどの点で実用化困
難であった。更に、従来のＭＩＭを用いた液晶表示装置
では、製造工程はフォトマスク工程が２回以上あって複
雑である。絶縁膜の厚さが薄い為信頼性が不充分である
などの理由で実用には至っていない。
そこで、この発明は、従来のこのような欠点を解決する
ためになされたもので、第１の目的は。
ためになされたもので、第１の目的は。
信頼性と表示品質に優れた非線型抵抗素子を用いた液晶
表示装置の構造を提供し、第２の目的は。
表示装置の構造を提供し、第２の目的は。
製造工程数が大巾に減少できる非線型抵抗素子を用いた
液晶表示装置の製造方法を提供することである。
液晶表示装置の製造方法を提供することである。
上記問題点を解決するために、この発明は、裏面からの
入射光で信号線電極をマスクとして自己整合的なマスク
合わせを行い、マスク端での回りこみ光で露光される領
域を非線型抵抗素子の能動領域として、液晶駆動電極で
ある透明導電膜を選択除去する。
入射光で信号線電極をマスクとして自己整合的なマスク
合わせを行い、マスク端での回りこみ光で露光される領
域を非線型抵抗素子の能動領域として、液晶駆動電極で
ある透明導電膜を選択除去する。
上記のように信号線電極をマスクとして裏面からの入射
光で自己整合的なマスク合わせを行うと、精密な位置合
わせをせずに液晶表示装置の基板を形成でき、液晶駆動
電極と信号電極の重なりをμｍ程度として非線型抵抗素
子の能動領域の面積を小°さく出来るので、液晶と直列
に接続された非線型抵抗素子に外部から有効に電圧を加
えて、動作させることができる。
光で自己整合的なマスク合わせを行うと、精密な位置合
わせをせずに液晶表示装置の基板を形成でき、液晶駆動
電極と信号電極の重なりをμｍ程度として非線型抵抗素
子の能動領域の面積を小°さく出来るので、液晶と直列
に接続された非線型抵抗素子に外部から有効に電圧を加
えて、動作させることができる。
〔実施例〕
第１図に９本発明によるマトリクス液晶表示装置の断面
構造例をしめす。該基板は、ガラス等の透明絶縁基板１
の上にクロム、アルミニ、ラム等の金属からなる信号線
電極２．その上の非線型抵抗膜３．非線型抵抗膜３の上
に選択的に形成された、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化
物）などの透明導電膜である液晶駆動電極４からなる。
構造例をしめす。該基板は、ガラス等の透明絶縁基板１
の上にクロム、アルミニ、ラム等の金属からなる信号線
電極２．その上の非線型抵抗膜３．非線型抵抗膜３の上
に選択的に形成された、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化
物）などの透明導電膜である液晶駆動電極４からなる。
液晶５は透明導電膜からなる液晶駆動電極６を形成した
透明絶縁基板２と透明絶縁基板１の間に挟持されている
。液晶５がＴＮ型の電界効果液晶の場合、透明絶縁基板
１と透明絶縁基板２の裏面には互いに直交した偏光板７
．８を設けられている。非線型抵抗膜３の組成は珪素、
酸素、窒素などからなる絶縁膜よりも多くの珪素を含ん
でいる。信号線電極２と液晶駆動電極４の重なり部分は
、信号線電極２の端から３μｍ以内の両端に沿って設け
られている。非線型抵抗膜３は 珪素、酸素、窒素など
からなる絶縁膜と同様はぼ透明に形成できるので、透明
導電膜である液晶駆動電極４の下面を含め、全面に形成
されていても表示には全く支障ない。
透明絶縁基板２と透明絶縁基板１の間に挟持されている
。液晶５がＴＮ型の電界効果液晶の場合、透明絶縁基板
１と透明絶縁基板２の裏面には互いに直交した偏光板７
．８を設けられている。非線型抵抗膜３の組成は珪素、
酸素、窒素などからなる絶縁膜よりも多くの珪素を含ん
でいる。信号線電極２と液晶駆動電極４の重なり部分は
、信号線電極２の端から３μｍ以内の両端に沿って設け
られている。非線型抵抗膜３は 珪素、酸素、窒素など
からなる絶縁膜と同様はぼ透明に形成できるので、透明
導電膜である液晶駆動電極４の下面を含め、全面に形成
されていても表示には全く支障ない。
第２図（ａ）〜（ｄ）は１本発明によるマトリクス液晶
表示装置の基板の製造工程順を示す断面図で、透明絶縁
基板１の上にクロム、アルミニウム等の金属からなる信
号線電極２を選択的に形成する工程（第２図（ａ ）
） 、非線型抵抗膜３と透明導電膜１５を連続的に堆積
した後フォトレジスト９を塗布し透明絶縁基板１の裏面
から露光現像する工程（第２図（ｂ））、フォトレジス
ト９をマスクとして透明導電膜１５を選択除去し、更に
フォトレジスト１０を塗布し選択的に露光現像する工程
（第２図（Ｃ））、再度フォトレジスト１０をマスクと
して透明導電膜１５を選択除去し透明導電膜を画素ごと
に分離する工程（第２図（ｄ））からなる。透明絶縁基
板１の裏面から露光現像する工程では、露光量を一般的
に用いられるよりも多めに設定し、フォトレジスト９が
信号線電極２のパターンの内側まで露光するようにする
。通常可能なオーバー露光の長さは、０．５〜３μｍで
ある第３図（’ａ ）〜（ｃ）は９本発明によるマトリ
クス液晶表示装置の基板の製造工程順を示す平面図であ
る。第３図（ａ）は、透明絶縁基板ｌの上に信号線電極
２を選択的に形成し、その上に非線型抵抗膜３と透明導
電膜１５を連続的に堆積した後、フォトレジストを塗布
し透明絶縁基板の裏面から露光現像し、フォトレジスト
（第１図の９）をマスクとして透明導電膜を選択除去し
た状態を示す。第４図（ｂ）は、更にフォトレジスト１
０を塗布し選択的に露光現像した状態を示す。この際。
表示装置の基板の製造工程順を示す断面図で、透明絶縁
基板１の上にクロム、アルミニウム等の金属からなる信
号線電極２を選択的に形成する工程（第２図（ａ ）
） 、非線型抵抗膜３と透明導電膜１５を連続的に堆積
した後フォトレジスト９を塗布し透明絶縁基板１の裏面
から露光現像する工程（第２図（ｂ））、フォトレジス
ト９をマスクとして透明導電膜１５を選択除去し、更に
フォトレジスト１０を塗布し選択的に露光現像する工程
（第２図（Ｃ））、再度フォトレジスト１０をマスクと
して透明導電膜１５を選択除去し透明導電膜を画素ごと
に分離する工程（第２図（ｄ））からなる。透明絶縁基
板１の裏面から露光現像する工程では、露光量を一般的
に用いられるよりも多めに設定し、フォトレジスト９が
信号線電極２のパターンの内側まで露光するようにする
。通常可能なオーバー露光の長さは、０．５〜３μｍで
ある第３図（’ａ ）〜（ｃ）は９本発明によるマトリ
クス液晶表示装置の基板の製造工程順を示す平面図であ
る。第３図（ａ）は、透明絶縁基板ｌの上に信号線電極
２を選択的に形成し、その上に非線型抵抗膜３と透明導
電膜１５を連続的に堆積した後、フォトレジストを塗布
し透明絶縁基板の裏面から露光現像し、フォトレジスト
（第１図の９）をマスクとして透明導電膜を選択除去し
た状態を示す。第４図（ｂ）は、更にフォトレジスト１
０を塗布し選択的に露光現像した状態を示す。この際。
フォトレジストのパターンの位置合わせ精度は。
上下方向には殆ど制限が無く、数画素に相当する位置ず
れが有ってもよい。横方向にも、信号線電極２と液晶駆
動電極４は単位画素内で重なりさえすればよいので、
１００Ｉ！ｎ程度の位置ずれは問題無い。第４図（ｃ
）は、再度フォトレジスト１゜をマスクとして透明導電
膜工５を選択除去し、透明導電ｌ！！４を画素ごとに分
離して本発明によるマトリクス液晶表示装置の基板が完
成した状態を示す〔発明の効果〕 以上述べたように１本発明は、精密な位置合わせを必要
とするマスク合わせ工程が全く無く、大面積に多数の画
素を設けることができ、また、フォトレジストを用いた
パターン形成の工程も３回のみなので製造コストが低く
、更に、非線型抵抗膜の透明であることを生かした。裏
面からのオーバー露光を用いて、信号線電極２と液晶駆
動電極４の重なり面積を小さくできるので、駆動電圧が
１５Ｖ程度でも、数百ラインの画素をスタティックに近
いコントラストの大きなアクティブマトリクス液晶表示
装置を実現できる優れた効果を有する。
れが有ってもよい。横方向にも、信号線電極２と液晶駆
動電極４は単位画素内で重なりさえすればよいので、
１００Ｉ！ｎ程度の位置ずれは問題無い。第４図（ｃ
）は、再度フォトレジスト１゜をマスクとして透明導電
膜工５を選択除去し、透明導電ｌ！！４を画素ごとに分
離して本発明によるマトリクス液晶表示装置の基板が完
成した状態を示す〔発明の効果〕 以上述べたように１本発明は、精密な位置合わせを必要
とするマスク合わせ工程が全く無く、大面積に多数の画
素を設けることができ、また、フォトレジストを用いた
パターン形成の工程も３回のみなので製造コストが低く
、更に、非線型抵抗膜の透明であることを生かした。裏
面からのオーバー露光を用いて、信号線電極２と液晶駆
動電極４の重なり面積を小さくできるので、駆動電圧が
１５Ｖ程度でも、数百ラインの画素をスタティックに近
いコントラストの大きなアクティブマトリクス液晶表示
装置を実現できる優れた効果を有する。
第１図は本発明のマトリクス液晶表示装置の断面図、第
２図（ａ）〜（ｄ）は本発明のマトリクス液晶表示装置
の製造工程順を示す断面図、第３図（ａ）〜（ｃ）は本
発明のマトリクス液晶表示装置の製造工程順を示す平面
図、である。 第４図は、非線型素子を用いた従来のアクティブマトリ
クス液晶表示装置の等価回路図、第５図は従来の一画素
の等価回路図である。 ２−信号線電極 ３−・−非線型抵抗膜 ４一液晶駆動電極 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 本宛朔０７トシ７ス液晶表小牧置の軒面図第１図 第４図 従来の一１素のざ世回路図 第５図
２図（ａ）〜（ｄ）は本発明のマトリクス液晶表示装置
の製造工程順を示す断面図、第３図（ａ）〜（ｃ）は本
発明のマトリクス液晶表示装置の製造工程順を示す平面
図、である。 第４図は、非線型素子を用いた従来のアクティブマトリ
クス液晶表示装置の等価回路図、第５図は従来の一画素
の等価回路図である。 ２−信号線電極 ３−・−非線型抵抗膜 ４一液晶駆動電極 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 本宛朔０７トシ７ス液晶表小牧置の軒面図第１図 第４図 従来の一１素のざ世回路図 第５図
Claims (4)
- （１）２枚の対向する基板、該基板間に挟持された液晶
層と、該２枚の対向する基板のそれぞれに設けられた液
晶駆動用電極と、少なくとも一方の基板の各画素毎の該
液晶駆動用電極と信号線電極とで挟まれた非線型抵抗膜
などからなり、該非線型抵抗膜を構成する原子は珪素、
酸素、窒素などであり、各原子の組成は珪素、酸素、窒
素などからなる絶縁膜よりも多くの珪素を含み、該液晶
駆動電極と信号線電極の平面的に重なる部分は信号線電
極のの端から３μｍ以内の部分に沿って設けられている
ことを特徴とする液晶表示装置。 - （２）前記液晶駆動電極と信号線電極の平面的に重なる
部分該信号線電極パターンの両側の端部に設けられてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の液晶表
示装置。 - （３）ａ）透明絶縁基板上に、第一導電膜からなる信号
線電極を選択的に形成する第１工程ｂ）非線型抵抗膜を
堆積する第２工程 ｃ）透明導電膜を堆積する第３工程 ｄ）フォトレジストを塗布後、透明絶縁基板の裏面から
露光、現像をして形成したフォトレジストの平面形状を
マスクとして、該透明導電膜を選択除去する第４工程 ｅ）該透明導電膜を画素ごとに分離する第５工程 とからなる液晶表示装置の基板の製造方法。 - （４）ａ）透明絶縁基板上に、第一導電膜からなる信号
線電極を選択的に形成する第１工程ｂ）非線型抵抗膜を
堆積する第２工程 ｃ）透明導電膜を堆積する第３工程 ｄ）該透明導電膜を画素ごとに分離する第４工程 ｅ）フォトレジストを塗布後、透明絶縁基板の裏面から
露光、現像をして形成したフォトレジストの平面形状を
マスクとして、該透明導電膜を選択除去する第５工程 とからなる液晶表示装置の基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60147702A JPH0731329B2 (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 液晶表示用基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60147702A JPH0731329B2 (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 液晶表示用基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS628125A true JPS628125A (ja) | 1987-01-16 |
| JPH0731329B2 JPH0731329B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=15436315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60147702A Expired - Lifetime JPH0731329B2 (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 液晶表示用基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0731329B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6650043B1 (en) | 1999-07-20 | 2003-11-18 | Micron Technology, Inc. | Multilayer conductor structure for use in field emission display |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57197592A (en) * | 1981-05-29 | 1982-12-03 | Suwa Seikosha Kk | Liquid crystal display unit |
| JPS599635A (ja) * | 1982-07-07 | 1984-01-19 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置 |
| JPH0513288A (ja) * | 1991-07-08 | 1993-01-22 | Nichicon Corp | 電解コンデンサ |
| JPH0617957A (ja) * | 1991-11-26 | 1994-01-25 | Ouken Seiko Kk | 電磁弁 |
-
1985
- 1985-07-05 JP JP60147702A patent/JPH0731329B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57197592A (en) * | 1981-05-29 | 1982-12-03 | Suwa Seikosha Kk | Liquid crystal display unit |
| JPS599635A (ja) * | 1982-07-07 | 1984-01-19 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置 |
| JPH0513288A (ja) * | 1991-07-08 | 1993-01-22 | Nichicon Corp | 電解コンデンサ |
| JPH0617957A (ja) * | 1991-11-26 | 1994-01-25 | Ouken Seiko Kk | 電磁弁 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6650043B1 (en) | 1999-07-20 | 2003-11-18 | Micron Technology, Inc. | Multilayer conductor structure for use in field emission display |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0731329B2 (ja) | 1995-04-10 |
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