JPH04116528A - 電気光学表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、計測器の表示パネル、コンピュータ画像表示
装置、テレビ等に使用される多数の画素を有するアクテ
ィブ表示装置の製造方法に関する。

〔発明の概要〕

本発明は、各画素に２本のコモン電極と非線形抵抗素子
を用いたマトリックス構造表示装置の製造方法において
、基板の裏面より露光し、リフトオフ法を用いることに
より、精密なマスクアライメント技術を用いることなく
、容易にアクティブ表示装置を製造できるようにしたも
のである。

〔従来の技術〕

第３図ｆａ）〜ｔｃ＋に従来の非線形抵抗素子を用いた
液晶表示装置の製造法の工程順説明図を示す（特開昭６
４−３３５３２）。この方式では、データ入力は信号電
極より印加し、非線形抵抗素子が電荷の注入と保持を行
う駆動方法を用いる。基板１１上に、透明導電膜１２を
第１のフォトマスクプロセスによりパターニングした後
（第３図ｆａｌ、第４図ｆａｎ）　１．非線形抵抗膜１
５、金属膜１６を連続して堆積した後（第３図（ｂｌ）
、第２のフォトマスクプロセスによりパターニングする
（第３図ｆｃｌ、第４図（ｂ））。ここでは１画素当り
２本のコモン電極を用いているが、非線形抵抗素子の電
圧非対称性を大きくしたり、駆動方法を工夫することに
より、隣合う画素のコモン・電極を共有化することがで
きる。

この方式を用いたアクティブ表示装置は、簡単な製造方
法によりＴＰＴ　（ＴＨＩＮ　　ＦＩＬＭ　　ＴＲＡＮ
Ｓ　Ｉ　５ＴＯＲ）と同等の階調表示を得ることができ
る利点がある。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしこの製造法では、第３図（Ｃ）の、第２のフォト
マスクプロセス時に、精密なマスク合わせが必要となる
。特にパターン寸法が微細になると、通常のマスクアラ
ナーでは対応できなくなり、半導体プロセスで用いられ
るステッパー等の高価な装置を用いなければならない。

そこで本発明は、基板の裏面より露光することにより、
微細パターンでも精密なマスク合わせを必要としない電
気光学表示装置の製造方法を提供するものである。

〔課題を解決するための手段〕

上記問題点を解決するために本発明は、透明導電膜上に
不透明膜を形成し、第１のフォトマスクプロセス時に、
透明導電膜と不透明膜を同時にパターニングすることに
より、裏面露光によるパタニングを可能とした。またコ
モン電極は、一般に金属膜が用いられ不透明であるため
、ポジレジストをコートし、裏面露光によるレジストパ
ターニングをした後、非線形抵抗膜および金属膜を堆積
し、レジストとともにリフトオフするようにした。

このように、裏面露光とリフトオフ法を組み合わせるこ
とにより、微細パターンでも精密なマスク合わせを必要
としない電気光学表示装置の製造方法を提供するもので
ある。

〔作　用〕

上記のように構成された電気光学表示装置の製造方法は
、ステッパー等の高価な装置を用いる必要がなくなった
為、製造コストを下げることが可能となった。また、精
密なマスク合わせは、時間がかかり生産量を低下させる
原因となっていたが、この工程がなくなったためスルー
プットを大きくすることができるようになった。

〔実施例〕

以下に本発明の゛実施例を図面に基づいて説明する。

第１図（ａｌ〜（ｅ）は、本発明による電気光学表示装
置の製造方法の実施例のアクティブ基板の工程順縦断面
図を示していて、第２図（ａｌ〜（Ｃ１はその工程順平
面図を示している。

１は基板で透明ガラスであり、下基板１上に透明導電膜
２であるインジウムスズ酸化膜（ＩＴＯ）等をマグネト
ロンスパッター法等によって約３０ナノメータ（ｎｍ）
堆積し、その後不透明膜である３を連続して堆積し、第
１のフォトマスクを用い通常のフォトエツチング工程に
よってパターンを形成した（第１図（ａ））。

その後、ポジレジスト４をコートし基板の裏面より露光
すると、不透明導電膜のない部分のレジストのみ露光さ
れ、現像により不透明導電膜上のレジストが残る。この
時、露光時間を長くするとレジズトパターンは、不透明
導電膜より約２ミクロン程度小さくなる（第１図（ト）
））。

その後、非線形抵抗ｗＡ５、および金属膜６を連続して
堆積する（第１図（Ｃ））。非線形抵抗膜５は、シリコ
ン窒化膜、あるいはアモルファスシリコン膜で、ｐ−Ｃ
ＶＤ法（プラズマ、ケミカル、ペーパーデポジシラン）
、あるいはマグネトロンスパッター法等によって堆積し
た。膜質、膜厚は任意に設定され、違った膜質の膜を接
合することによリＰＩＮダイオードを形成することもあ
る。

金属膜６はコモン電極を形成し、クロムあるいはアルミ
ニウム等をマグネトロンスパッター法によって約２００
ｎｍ形成した。

次にリフトオフ法によって、ポジレジストとポジレジス
ト上の金属膜６および非線形抵抗膜５をアセトン、ある
いは濃硝酸等のレジスト除去剤の液中で超音波をかける
ことにより除去した（第１図（ｄｌ、第２図（ａ））。

その後、第２のフォトマスク（第２１Ｄ（ｂｌ）を用い
、画素電極の形状に不透明膜３、透明導電膜２をパター
ニングした（第２図（Ｃ））。そして最後に不透明膜２
を除去することによりアクティブ基板が完成する（第１
図（ｅ））。この時、図面第゛２図（１））でわかるよ
うに、・第１のマスクパターンと第２のマスクパターン
が多少ずれても表示品質には全く影響を及ぼさない。

また、第２のフォトマスクに、第５回に示すパターンマ
スクを用いて、不透明膜、透明導電膜。

金属膜、非線形抵抗膜を連続してエツチングすると、コ
モン電極を共有化せずに、各画素ごとに２本のコモン電
極を用いた場合のアクティブ基板を作ることができる。

〔発明の効果〕

以上述べてきたように本発明は、裏面露光とリフトオフ
を組み合わせることにより、微細パターンでも精密なマ
スク合わせを必要としない為・ステツパー等の高価な装
置を用いる必要がなくなり製造コストを下げることが可
能となった。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜ｔｅｌは、本発明による電気光学表示装
置の第１の実施例の工程順縦断面図を示し、第２図（ａ
ｌ〜（Ｃ）はその工程順平面図を示している。 第３図（ａ）　〜（Ｃ１、第４図（ａｌ　〜（ｂｌは従
来の電気光学表示装置の製造方法の工程順縦断面図、及
び平面図を示している。 第５図は本発明で用いられる第２のフォトマスクの平面
図である。 １．１１・ ３　・　・　・ ４　・　・　・ ５．１５・ ６．１６・ ・基板 ・透明導電膜 ・不透明膜 ・レジスト ・非線形抵抗膜 ・金属膜 以 上 出願人　セイコー電子工業株式会社 代理人　弁理士　　林　　　敬　之　助第１図 （ａ） 第２し１ 第３図 （Ｃ〜） （ｚｌ） 第４図 第５１２１ （ｌＪ）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　２枚の対向する基板と、該基板間に挟持された電気光
   学効果を有する材料層と、一方の基板の内面に形成した
   多数の行電極群と、他方の基板の内面に形成した多数の
   列電極群とからなり、また少なくとも一方の基板の各画
   素は、それぞれ画素電極と非線形抵抗素子からなり、前
   記画素電極が第１のコモン電極と第１の非線形抵抗素子
   、および第２のコモン電極と第２の非線形抵抗素子と直
   列に接続された電気光学表示装置の製造方法において、
   非線形抵抗素子の形成された基板が、透明導電膜、不透
   明膜を連続して堆積する工程、第１のフォトマスクプロ
   セスにより前記透明導電膜、および前記不透明膜を前記
   コモン電極のパターン領域以外にパターニングする工程
   、ポジレジストをコートした後、基板の裏面より露光、
   現像しレジストパターン形成する工程、非線形抵抗膜、
   金属薄膜を連続して堆積する工程、リフトオフ法により
   前記レジストおよびレジスト上の前記非線形抵抗膜、前
   記金属薄膜を同時に除去する工程、第２のフォトマスク
   プロセスにより、少なくとも前記透明導電膜、および不
   透明膜をパターニングする工程よりなる事を特徴とする
   電気光学表示装置。