JP3473535B2 - 液晶パネルの製造方法及び露光方法 - Google Patents
液晶パネルの製造方法及び露光方法Info
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Description
及び露光方法に関する。
David R. Baraff et al.,SI
D’80 Digest, p200〜201, 19
80”に示されているようにフォトリソグラフィーを用
いてパターン形成を行っていた。露光方式としては、露
光装置の発達過程と同期するかたちでコンタクト方式、
プロキシミティー方式が主に使用されていた。近年、露
光機メーカーから液晶パネル製造用途としてミラープロ
ジェクション方式やステッパー方式の装置が供給される
ようになり、これらの装置によりTFT、MIMなどを
使用したアクティブマトリックス液晶パネルが製造でき
るようになった。しかしながら高精細、大画面化といっ
た市場からの要求に応えるためには、コンタクト、プロ
キシミティー、ミラープロジェクションといった露光方
式ではMIM液晶パネルの高精細化、大画面化が装置性
能上、制限されるという欠点があった。具体的には、コ
ンタクト方式、プロキシミティー方式は大型化には対応
できるものの、高精細という観点では解像度が不十分な
ため微細なパターン形成ができず、加えてフォトマスク
とワーク基板が接触または近接するためにゴミによるパ
ターン不良が発生するなど歩留りが悪いという欠点があ
った。一方ミラープロジェクション方式はミラーなどの
装置を構成する光学系部品の精度的な問題から大型化に
限界がある。ステッパーによる逐次露光方式はレンズの
解像度が高く高精細化が可能な上、露光ステップ数を増
やし大画面化に対応できることから、レンズなどの光学
系部品で高精細、大画面化が制限されるといった問題は
ない。
ぎによって露光をした場合、各ダイ毎に液晶パネル完成
後にコントラストがばらつくという欠点が発生した。い
わゆる「ブロック分かれ」となって液晶パネルの表示品
位を悪くする。この点が逐次露光方式を用いる場合の最
大の問題点であった。
を用いて基板上に均一なMIM素子を形成することによ
って「ブロック分かれ」といった表示品位の悪化を防止
する点にある。
造方法は、アクティブ素子を備える液晶パネルの製造方
法において、少なくとも前記液晶パネルの画面部分の前
記アクティブ素子パターンを構成する一の層及び他の層
毎に、前記一の層及び前記他の層の各々上に設けられる
フォトレジストを複数の領域に分けて逐次露光方式によ
り露光し、前記逐次露光方式における各前記領域のつな
ぎ位置を、前記アクティブ素子パターンを構成する前記
一の層と前記他の層とでずらすことを特徴とする。本発
明の露光方法は、露光方法において、少なくとも液晶パ
ネルの画面部分のアクティブ素子パターンを構成する一
の層及び他の層毎に、前記一の層及び前記他の層の各々
上に設けられるフォトレジストを複数の領域に分けて逐
次露光方式により露光し、前記逐次露光方式における各
前記領域のつなぎ位置を、前記アクティブ素子パターン
を構成する前記一の層と前記他の層とでずらすことを特
徴とする。本発明の露光方法は、液晶パネルの基板上の
第1の層上に設けられた第1のレジストを逐次露光方式
によって複数の領域に分けて露光し、前記液晶パネルの
基板上の第2の層上に設けられた第2のレジストを逐次
露光方式によって複数の領域に分けて露光し、前記液晶
パネルの基板の面上において、前記第1のレジストの前
記各領域がつながる位置と、前記第2のレジストの前記
各領域がつながる位置とが、互いに平面的に異なる位置
に配置されることを特徴とする。MIM素子の製造方法
は、前記課題を解決するため以下の様な特徴を有する。
Mの製造方法において、少なくとも画面部分のMIM素
子パターンを逐次露光方式により形成することを特徴と
する。
IM素子パターンを形成する製造方法において、少なく
とも画面部分のMIM素子パターンを各層毎に同一のフ
ォトマスクにより形成することを特徴とする。
各ダイのつなぎ位置をMIM素子パターンを構成する各
層毎にずらすことを特徴とする。
各ダイのつなぎめがMIM素子を形成するパターンより
ずらした位置に有するを特徴とする第1項記載のMIM
素子の製造方法。
とMIM素子が直列に配置され、この系に印加される駆
動電圧は液晶層とMIM素子の容量比で次式のように分
割される。
IM素子容量が変化するため、MIM素子へ印加される
電圧が変化することになる。
となって液晶層に書き込まれる実効電圧をばらつかせる
ため、液晶の動作状態が変化し液晶パネルの画面内にコ
ントラストのむらを生じる。従って逐次露光方式におい
ては各ダイ毎のMIM素子寸法の変化を如何に抑えるか
が重要となる。画面部分を同一のフォトマスクで露光す
ることによりフォトマスクの製造ばらつきによるマスク
間のパターン寸法差をなくし、さらに各ダイのつなぎ目
位置を各層毎にずらすことによって、MIM素子を形成
する各電極の寸法が変化する位置がずれるため「ブロッ
ク分かれ」を抑えることができる。
説明していく。
ベース電極パターンと信号ラインとなる、例えばタンタ
ルなどをスパッタ法により成膜する。次に該タンタル膜
上にフォトレジストを塗布し、図1に示すように画面部
分を第一層目のパターンの同一フォトマスクの繰り返し
によって逐次露光する。画面部分以外は複数のマスクに
割付て露光しても問題ない。
ス法や多重露光法によってパターン寸法の変動が画面内
で極力少ないものを用いる。通常逐次露光方式に対応し
たフォトマスクは図4のように各パターン群周辺を遮光
帯と呼ばれる1.5〜5mm幅のCrパターンで囲まれ
ており、繰り返しパターンである画面内と遮光帯近傍で
はパターン寸法が変動している。これを解決するために
はポジプロセス法や多重露光法が有効である。
を行い、ベース電極パターンと信号ラインを得る。次に
MIM素子の絶縁層としてを陽極酸化法によってベース
電極パターンと、信号ライン上にタンタル酸化膜を形成
する。しかる後に例えば、クロム、チタン、タンタルを
スパッタ法により成膜しMIM素子の結合電極と信号ラ
インの画面部分を第二層目の同一フォトマスクで逐次露
光する。この時、図2のように各ダイが接続される位置
が第一層のベース電極パターンと第二層の結合電極パタ
ーンで、ずれるように露光を行うとMIM素子面積の変
動はベース電極と結合電極を同位置でつなぐ場合にくら
べ少なくなる。
ようにMIM素子を形成するパターンと位置的に離すこ
とによってつなぎ精度の影響を少なくすることができ
る。
剥離をおこない、MIM素子を完成する。最後に例えば
ITOをスパッタ法により成膜し、画素電極を形成す
る。
FTでもパターン寸法のばらつきはゲート浮遊容量のば
らつきとなるので、特に中間調を多用するパネルではM
IM同様に「ブロック分かれ」を生じる。従って本発明
はパターン寸法のばらつきを抑える効果が高くその意味
でTFTに対しても有効である。
式の持つ高精度且つ大型化が容易という利点をMIM素
子の形成に生かす一方、表示部分の各ダイ毎のパターン
寸法の変化を低減し均一な表示を得るという効果を有す
る。本考案によってMIM液晶パネルに対する高精細
化、大型化という市場の要求に応えることが可能となっ
た。
素子を同一マスクの繰り返しで逐次露光した状態を示す
図である。
つなぎ位置がMIM第1層と第2層でずらした状態を示
す図である。
をMIM素子を形成するパターンと位置的にずらした状
態を示す図である。
れるパターン群を囲む遮光帯を示す図である。
層との電気的な接続状態を示す図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 アクティブ素子を備える液晶パネルの製
造方法において、 少なくとも前記液晶パネルの画面部分の前記アクティブ
素子パターンを構成する一の層及び他の層毎に、前記一
の層及び前記他の層の各々上に設けられるフォトレジス
トを複数の領域に分けて逐次露光方式により露光し、 前記逐次露光方式における各前記領域のつなぎ位置を、
前記アクティブ素子パターンを構成する前記一の層と前
記他の層とでずらすことを特徴とする液晶パネルの製造
方法。 - 【請求項2】 露光方法において、 少なくとも液晶パネルの画面部分のアクティブ素子パタ
ーンを構成する一の層及び他の層毎に、前記一の層及び
前記他の層の各々上に設けられるフォトレジストを複数
の領域に分けて逐次露光方式により露光し、 前記逐次露光方式における各前記領域のつなぎ位置を、
前記アクティブ素子パターンを構成する前記一の層と前
記他の層とでずらすことを特徴とする露光方法。 - 【請求項3】 液晶パネルの基板上の第1の層上に設け
られた第1のレジストを逐次露光方式によって複数の領
域に分けて露光し、 前記液晶パネルの基板上の第2の層上に設けられた第2
のレジストを逐次露光方式によって複数の領域に分けて
露光し、 前記液晶パネルの基板の面上において、前記第1のレジ
ストの前記各領域がつながる位置と、前記第2のレジス
トの前記各領域がつながる位置とが、互いに平面的に異
なる位置に配置されることを特徴とする露光方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000019124A JP3473535B2 (ja) | 1993-01-27 | 2000-01-27 | 液晶パネルの製造方法及び露光方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1196793A JPH06222394A (ja) | 1993-01-27 | 1993-01-27 | Mim素子の製造方法 |
JP2000019124A JP3473535B2 (ja) | 1993-01-27 | 2000-01-27 | 液晶パネルの製造方法及び露光方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1196793A Division JPH06222394A (ja) | 1993-01-27 | 1993-01-27 | Mim素子の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003191104A Division JP2003344872A (ja) | 2003-07-03 | 2003-07-03 | 液晶パネルの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000174361A JP2000174361A (ja) | 2000-06-23 |
JP3473535B2 true JP3473535B2 (ja) | 2003-12-08 |
Family
ID=26347493
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000019124A Expired - Fee Related JP3473535B2 (ja) | 1993-01-27 | 2000-01-27 | 液晶パネルの製造方法及び露光方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3473535B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7879514B2 (en) * | 2006-08-04 | 2011-02-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic method and patterning device |
-
2000
- 2000-01-27 JP JP2000019124A patent/JP3473535B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000174361A (ja) | 2000-06-23 |
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