JP2688816B2 - マトリクス型表示装置の製造方法 - Google Patents
マトリクス型表示装置の製造方法Info
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- JP2688816B2 JP2688816B2 JP62218411A JP21841187A JP2688816B2 JP 2688816 B2 JP2688816 B2 JP 2688816B2 JP 62218411 A JP62218411 A JP 62218411A JP 21841187 A JP21841187 A JP 21841187A JP 2688816 B2 JP2688816 B2 JP 2688816B2
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- tft array
- exposure mask
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- pattern
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、複数個のゲート線、及びこれに直交する
複数個のソース線を有し、その交点に薄膜トランジスタ
（以下TFTと略す）等の能動素子、及び透明導電膜表示
電極等を形成したマトリクス型アレイ（以下TFTアレイ
と記す）のパターン形成に関するものである。 〔従来の技術〕 第３図はTFTアレイの画素構成を示すものであり、第
４図はTFTアレイを用いたマトリクス型表示装置の構成
を示す断面図である。TFTアレイ（７）は、複数個のゲ
ート線（１）、及びこのゲート線に直交する複数個のソ
ース線（２）とを備え、その交点に例えばTFT（４）等
の能動素子が形成され、そのドレイン電極（３）に表示
電極（５）が接続された構造を有する。マトリクス型表
示装置（12）は、このTFTアレイ（７）を形成したTFTア
レイ基板（８）と、これと対向する透明導電膜電極（1
1）、赤・緑・青等のカラーフイルタ（９）を有する対
向基板（10）との間に、例えば液晶等の表示材料（６）
が挾持された構造となつている。 第５図（ａ）（ｂ）（ｃ）は各々例えば特開昭61−78
166号公報に示された従来のTFTアレイパターンの形成方
法を示す工程図である。例えばゲート線（１）を形成す
るのに、第５図（ａ）においてCr等をスパツター法等で
基板（８）上に全面成膜し、その上にフオトレジスト等
のパターン形成材料（14）を塗布し、第５図（ｂ）にお
いて、ゲート線形成用一括露光マスク（13）を用いて露
光し、現像してレジストパターンに形成する。この後第
５図（ｃ）において、不要なCr等をエツチングし、フオ
トレジスト（14）を剥離して所望形状のゲート線（１）
を形成する。以下同様にして、ゲート絶縁膜やアモルフ
アス・シリコン等からなるTFT部（４）、ソース線
（２）及びドレイン電極（３）、表示電極（５）等を、
各形状形成用の一括露光マスクを用いて形成する。 従来のTFTアレイ（７）は上記のように形成されるた
め、ある表示サイズを有するTFTアレイ（７）を形成す
るためには、それに応じた一括露光マスク（13）を必要
とする。つまり表示サイズに合つたパターンをマスク上
に作成し、第５図（ｂ）において、TFTアレイ基板
（８）上にそのパターンを一括転写することになる。 〔発明が解決しようとする問題点〕 従つて、表示サイズの異なるTFTアレイ及びマトリク
ス型液晶表示装置を製造するには、その表示サイズ種類
分の一括露光マスク（13）が、各パターンにおいて必要
であるといつた欠点があつた。 この発明は上記のような欠点を解消するためになされ
たもので、表示サイズの異なるマトリクス型液晶表示装
置のTFTアレイを形成する場合も、その表示サイズに応
じたパターンエリアを持つマスクにかえず、同一のマス
クで任意の表示サイズを持つTFTアレイ及びマトリクス
型液晶表示装置を得ることを目的とする。 〔問題点を解決するための手段〕 この発明に係るマトリクス型液晶表示装置のTFTアレ
イは、そのパターン形成時に、同一の露光マスク、又は
この露光マスクを部分的に遮へいした露光マスクを用い
て、上記露光マスクとマトリクス型アレイ基板とを相対
的にステップ移動させ、ステップアンドリピート回数を
操作することにより、表示サイズが異なる任意の大きさ
の表示装置を形成したものである。 〔作用〕 この発明においては、ステツプアンドリピート露光法
を用いることにより、パターン形成時に基板（８）がス
テツプ移動され、そのリピート数を操作することによつ
て任意の表示サイズを持つTFTアレイパターンが得られ
る。 〔実施例〕 以下、この発明の一実施例を第１図、第２図により説
明する。第１図（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は各々この発
明の一実施例に係るTFTアレイパターンの形成方法を示
す工程図であり、第２図は第１図で示した方法により形
成された、同一マスクによる異なる表示サイズを持つTF
Tアレイパターンを示す平面構成図である。第１図
（ａ）において、例えばゲート線（１）を形成するの
に、Cr等のゲート線材料（１）をスパツター法等で基板
（８）上に全面成膜し、その上にフオトレジスト等のパ
ターン形成材料（14）を塗布する。第１図（ｂ）及び
（ｃ）において、ゲート線形成用ステツプアンドリピー
トマスク（15）を固定し、基板（８）をステツプ移動し
て露光し、又移動して露光する。（これをステツプアン
ドリピートという）そして現像してレジストパターンを
形成する。この後第１図（ｄ）において、不要なCr等を
エツチングし、フオトレジスト（14）を剥離して所望形
状のゲート線（１）を形成する。以下同様にして、ゲー
ト絶縁膜やアモルフアス・シリコン等からなるTFT部
（４）、ソース線（２）及びドレイン電極（３）、表示
電極（５）等を、各形状形成用のステツプアンドリピー
ト露光マスクを用いて形成する。 上記方法で形成されたTFTアレイパターンにおいては
第２図で示したように、第１図（ｂ）及び（ｃ）でのス
テツプアンドリピート回数を操作することにより、例え
ば第２図においてTFTアレイパターン（7a）は12回リピ
ート、TFTアレイパターン（7b）は４回リピート、TFTア
レイパターン（7c）は１回で、同一マスクを使うにもか
かわらず異なる表示サイズを有するTFTアレイパターン
が形成できる。 なお、上記実施例ではマスクパターン（16）の大きさ
は一定で、ステツプアンドリピート回数を変えることに
より、マスクの整数倍の表示サイズを有する種々のTFT
アレイを形成したものを示したが、マスクパターン（1
6）の大きさを遮へいにより変えることで、さらにマス
クの整数倍の表示サイズに対しその中間サイズの表示サ
イズを有する種々のTFTアレイが形成できる。 〔発明の効果〕 以上のように、この発明によればTFTアレイパターン
形成時に同一の露光マスク、又はこの露光マスクを部分
的に遮へいした露光マスクを用いて、上記露光マスクと
マトリクス型アレイ基板とを相対的にステップ移動さ
せ、ステップアンドリピート回数を操作することによ
り、パターン形成を行なつたので唯一のマスクにより高
解像度のパターンを任意の面積にわたつて形成すること
ができ、任意の表示サイズを持つTFTアレイ及びマトリ
クス型液晶表示装置が、高性能でかつ低コストで得られ
る効果がある。
複数個のソース線を有し、その交点に薄膜トランジスタ
（以下TFTと略す）等の能動素子、及び透明導電膜表示
電極等を形成したマトリクス型アレイ（以下TFTアレイ
と記す）のパターン形成に関するものである。 〔従来の技術〕 第３図はTFTアレイの画素構成を示すものであり、第
４図はTFTアレイを用いたマトリクス型表示装置の構成
を示す断面図である。TFTアレイ（７）は、複数個のゲ
ート線（１）、及びこのゲート線に直交する複数個のソ
ース線（２）とを備え、その交点に例えばTFT（４）等
の能動素子が形成され、そのドレイン電極（３）に表示
電極（５）が接続された構造を有する。マトリクス型表
示装置（12）は、このTFTアレイ（７）を形成したTFTア
レイ基板（８）と、これと対向する透明導電膜電極（1
1）、赤・緑・青等のカラーフイルタ（９）を有する対
向基板（10）との間に、例えば液晶等の表示材料（６）
が挾持された構造となつている。 第５図（ａ）（ｂ）（ｃ）は各々例えば特開昭61−78
166号公報に示された従来のTFTアレイパターンの形成方
法を示す工程図である。例えばゲート線（１）を形成す
るのに、第５図（ａ）においてCr等をスパツター法等で
基板（８）上に全面成膜し、その上にフオトレジスト等
のパターン形成材料（14）を塗布し、第５図（ｂ）にお
いて、ゲート線形成用一括露光マスク（13）を用いて露
光し、現像してレジストパターンに形成する。この後第
５図（ｃ）において、不要なCr等をエツチングし、フオ
トレジスト（14）を剥離して所望形状のゲート線（１）
を形成する。以下同様にして、ゲート絶縁膜やアモルフ
アス・シリコン等からなるTFT部（４）、ソース線
（２）及びドレイン電極（３）、表示電極（５）等を、
各形状形成用の一括露光マスクを用いて形成する。 従来のTFTアレイ（７）は上記のように形成されるた
め、ある表示サイズを有するTFTアレイ（７）を形成す
るためには、それに応じた一括露光マスク（13）を必要
とする。つまり表示サイズに合つたパターンをマスク上
に作成し、第５図（ｂ）において、TFTアレイ基板
（８）上にそのパターンを一括転写することになる。 〔発明が解決しようとする問題点〕 従つて、表示サイズの異なるTFTアレイ及びマトリク
ス型液晶表示装置を製造するには、その表示サイズ種類
分の一括露光マスク（13）が、各パターンにおいて必要
であるといつた欠点があつた。 この発明は上記のような欠点を解消するためになされ
たもので、表示サイズの異なるマトリクス型液晶表示装
置のTFTアレイを形成する場合も、その表示サイズに応
じたパターンエリアを持つマスクにかえず、同一のマス
クで任意の表示サイズを持つTFTアレイ及びマトリクス
型液晶表示装置を得ることを目的とする。 〔問題点を解決するための手段〕 この発明に係るマトリクス型液晶表示装置のTFTアレ
イは、そのパターン形成時に、同一の露光マスク、又は
この露光マスクを部分的に遮へいした露光マスクを用い
て、上記露光マスクとマトリクス型アレイ基板とを相対
的にステップ移動させ、ステップアンドリピート回数を
操作することにより、表示サイズが異なる任意の大きさ
の表示装置を形成したものである。 〔作用〕 この発明においては、ステツプアンドリピート露光法
を用いることにより、パターン形成時に基板（８）がス
テツプ移動され、そのリピート数を操作することによつ
て任意の表示サイズを持つTFTアレイパターンが得られ
る。 〔実施例〕 以下、この発明の一実施例を第１図、第２図により説
明する。第１図（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は各々この発
明の一実施例に係るTFTアレイパターンの形成方法を示
す工程図であり、第２図は第１図で示した方法により形
成された、同一マスクによる異なる表示サイズを持つTF
Tアレイパターンを示す平面構成図である。第１図
（ａ）において、例えばゲート線（１）を形成するの
に、Cr等のゲート線材料（１）をスパツター法等で基板
（８）上に全面成膜し、その上にフオトレジスト等のパ
ターン形成材料（14）を塗布する。第１図（ｂ）及び
（ｃ）において、ゲート線形成用ステツプアンドリピー
トマスク（15）を固定し、基板（８）をステツプ移動し
て露光し、又移動して露光する。（これをステツプアン
ドリピートという）そして現像してレジストパターンを
形成する。この後第１図（ｄ）において、不要なCr等を
エツチングし、フオトレジスト（14）を剥離して所望形
状のゲート線（１）を形成する。以下同様にして、ゲー
ト絶縁膜やアモルフアス・シリコン等からなるTFT部
（４）、ソース線（２）及びドレイン電極（３）、表示
電極（５）等を、各形状形成用のステツプアンドリピー
ト露光マスクを用いて形成する。 上記方法で形成されたTFTアレイパターンにおいては
第２図で示したように、第１図（ｂ）及び（ｃ）でのス
テツプアンドリピート回数を操作することにより、例え
ば第２図においてTFTアレイパターン（7a）は12回リピ
ート、TFTアレイパターン（7b）は４回リピート、TFTア
レイパターン（7c）は１回で、同一マスクを使うにもか
かわらず異なる表示サイズを有するTFTアレイパターン
が形成できる。 なお、上記実施例ではマスクパターン（16）の大きさ
は一定で、ステツプアンドリピート回数を変えることに
より、マスクの整数倍の表示サイズを有する種々のTFT
アレイを形成したものを示したが、マスクパターン（1
6）の大きさを遮へいにより変えることで、さらにマス
クの整数倍の表示サイズに対しその中間サイズの表示サ
イズを有する種々のTFTアレイが形成できる。 〔発明の効果〕 以上のように、この発明によればTFTアレイパターン
形成時に同一の露光マスク、又はこの露光マスクを部分
的に遮へいした露光マスクを用いて、上記露光マスクと
マトリクス型アレイ基板とを相対的にステップ移動さ
せ、ステップアンドリピート回数を操作することによ
り、パターン形成を行なつたので唯一のマスクにより高
解像度のパターンを任意の面積にわたつて形成すること
ができ、任意の表示サイズを持つTFTアレイ及びマトリ
クス型液晶表示装置が、高性能でかつ低コストで得られ
る効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は各々この発明の一実
施例に係るTFTアレイパターンの形成方法を示す工程
図、第２図は第１図の方法により形成された異なる表示
サイズを持つTFTアレイパターンを示す平面構成図、第
３図はTFTアレイの画素構成を説明するための説明図、
第４図はマトリクス型液晶表示装置を示す断面図、及び
第５図は従来のTFTアレイパターンの形成方法を示す工
程図である。 図において（１）はゲート線、（２）はソース線、
（３）はドレイン電極、（４）はTFT、（５）は表示電
極、（６）は液晶、（７）はTFTアレイ、（８）はTFTア
レイ基板、（９）はカラーフイルタ、（10）は対向基
板、（11）は透明導電膜電極、（15）はステツプアンド
リピート露光マスクである。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
施例に係るTFTアレイパターンの形成方法を示す工程
図、第２図は第１図の方法により形成された異なる表示
サイズを持つTFTアレイパターンを示す平面構成図、第
３図はTFTアレイの画素構成を説明するための説明図、
第４図はマトリクス型液晶表示装置を示す断面図、及び
第５図は従来のTFTアレイパターンの形成方法を示す工
程図である。 図において（１）はゲート線、（２）はソース線、
（３）はドレイン電極、（４）はTFT、（５）は表示電
極、（６）は液晶、（７）はTFTアレイ、（８）はTFTア
レイ基板、（９）はカラーフイルタ、（10）は対向基
板、（11）は透明導電膜電極、（15）はステツプアンド
リピート露光マスクである。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．複数のゲート線、及びこれに直交する複数個のソー
ス線を有し、その交点に能動素子、及び透明導電膜表示
電極を形成してなるマトリクス型アレイ基板と、このマ
トリクス型アレイ基板に対向する表面に透明導電膜電極
を形成した対向電極基板との間に、表示材料を挟持した
マトリクス型表示装置を製造する方法において、同一の
露光マスク、又はこの露光マスクを部分的に遮へいした
露光マスクを用いて、上記露光マスクと上記マトリクス
型アレイ基板とを相対的にステップ移動させ、ステップ
アンドリピート回数を操作することにより、表示サイズ
が異なる任意の大きさの表示装置を形成したことを特徴
とするマトリクス型表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62218411A JP2688816B2 (ja) | 1987-09-01 | 1987-09-01 | マトリクス型表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62218411A JP2688816B2 (ja) | 1987-09-01 | 1987-09-01 | マトリクス型表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6461733A JPS6461733A (en) | 1989-03-08 |
| JP2688816B2 true JP2688816B2 (ja) | 1997-12-10 |
Family
ID=16719492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62218411A Expired - Lifetime JP2688816B2 (ja) | 1987-09-01 | 1987-09-01 | マトリクス型表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2688816B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2928402B2 (ja) * | 1991-04-19 | 1999-08-03 | シャープ株式会社 | 液晶表示パネルの製造方法 |
| JP7398343B2 (ja) | 2020-06-26 | 2023-12-14 | 株式会社荏原製作所 | 樹脂モールドロータ、キャンドモータ、キャンドモータポンプ、ファンスクラバー、真空ポンプ装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6054434A (ja) * | 1983-09-06 | 1985-03-28 | Toshiba Corp | 露光装置 |
| JPH0322904Y2 (ja) * | 1985-09-06 | 1991-05-20 | ||
| JPH0628225B2 (ja) * | 1985-10-29 | 1994-04-13 | キヤノン株式会社 | 露光方法 |
-
1987
- 1987-09-01 JP JP62218411A patent/JP2688816B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6461733A (en) | 1989-03-08 |
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Legal Events
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