JPH03210531A - アクティブマトリックス型電気光学装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は大型画偉表示、コンピュータ端末、光学シャッ
ターなどに利用される液晶とスイッチング素子を使った
アクティブマトリックス型電気光学装置の製造方法に関
する。

〔発明の概要〕

本発明はアクティブマトリックス型電気光学装置の製造
工程において、スイッチング素子が形成された基板の側
面に除電用電極を設けて工程中で発生する静電気を除去
することにより、スイッチング素子の静電破壊を防止す
る。

〔従来技術〕

時計や電卓などの表示用として登場した液晶表示装置は
、画質の向上と大型化に伴いコンピュータ端末や光シヤ
ツターなど表示以外の用途も含めた広い分野で電気光学
装置として使われるようになってきた。特に基板表面上
の各画素にスイッチング素子を作り込んだアクティブマ
トリックス型電気光学装置はその優れた表示特性により
今後の発展が期待されている。アクティブマトリックス
型光学装置はＭＩＭ　（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏ
ｒ−Ｍｅｔａｌ）やＭＳＩ　（Ｍｅｔａｌ　　Ｓｅｍ１
−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）などの二端子型と二端子型のＴ
ＰＴ　（Ｔｈ　ｉ　ｎ−Ｆ　ｉ　１ｍ−Ｔｒａｎｓｉｓ
ｔｏｒ）に大別される。

代表的な二端子型のアクティブマトリックス型電気光学
装置であるＭＳＴパネルの構造を第２図（ａ）、（ｂ）
、（Ｃ）を使って説明する。第２図（ａ）はＭＳＩパネ
ルの断面図、（ｂ）は（ａ）の画素部の平面図、（ｃ）
は（ａ）のＡ−へ′部の断面拡大図である。

第２図（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）において、ｌは上基板、
２は列電極、３は下基板、４は行電極、５は画素電極、
６は液晶層、７はＳｉＮｘ層である。行電極４と画素電
極５の間に電気的に非線形な特性を持つＳｉＮｘ層７が
挟まれた構造となっており全体としてスイッチング素子
を形成している。ＳｉＮｘ層７の両端に低い電圧が印加
されたときはスイッチング素子はＯＦＦ状態だが、印加
電圧がある一定値以上になるとスイッチング素子がＯＮ
状態となり液晶層６に電圧が印加されて動作する。

第２図のアクティブマトリックス型電気光学装置の製造
方法の概要を次に述べる。

（１）下基板３となるガラス基板上にＩＴＯ層をスパッ
タリングあるいは蒸着などによって成膜し、パターニン
グして画素電極５を形成する。

（２）更にその上にＳｉＮｘ層と行電極４となるＣｒな
とのメタルの層を成膜し、パターニングしてスイッチン
グ素子を形成する。

（３）上基板１となるもう一方のガラス基板上にＩＴＯ
ＩＭを成膜し、ストライブ状にパターニングして列電極
２を形成する。

（４）両方のガラス基板の電極が形成された面に液晶の
配向処理を行う。

（５）両方のガラスを配向処理面を内側にして行電極４
と列電極２が直交し、かつ画素電極５と列電極２が対向
するように貼り合わせる。

（６）ガラスを切断分離し、−個一個のパネルの形状に
加工する。

（７）上基板１と下基板３の間に液晶を封入する。

（８）パネルを駆動用の回路と接続する。

上述の製造工程において、アクティブでない通常の電気
光学装置の工程と比べて特に注意しなければならない点
は、工程中で発生する静電気によるスイッチング素子の
破壊である。素子の静電破壊を防止するためには工程中
でできるだけ静電気が発生しないようにするとともに、
発生した静電気をすみやかに除去してやることが重要と
なる。

このため前述の製造工程においても、基板上の電極の端
部などに抵抗を介したアース線を接触させて静電気を除
去するなどの工夫が各所で行なわれていた。この様子を
示したのが第３図である６矢印の部分にアース線を接触
させて除電を行う。

［発明が解決しようとする課題１ ところが従来の静電気除去方法では製造工程の各所でア
ース線を基板上の電極に接触させる機構を作らなければ
ならないという煩わしさがあった。更に工程（５）で２
枚の基板が貼り合わされた状態では電極が全て内側を向
いているため工程中の静電気を除去できないという欠点
も有していた。

［課題を解決するための手段］ 本発明は上記の問題点を解決するためになされたもので
あり、スイッチング素子が形成された基板の側面に除電
用電極を設け、これを通して工程中で発生した静電気を
除去することにより素子の静電破壊を防止する。

〔作用〕

基板の側面に除電用電極を設けることにより例えば位置
決め用のガイドなどを接地しておき、これに除電用電極
が接触するように配！することにより簡単に静電気の除
去ができる。又、２枚の基板を貼り合わせた状態でも側
面の除電用電極は外部に露出しているので、同様の方法
で工程中の除電が可能となる。この様子を示したのが第
４図である。以下実施例により本発明を詳述する６［実
施例］ 本発明によるＭＳＩパネルの製造方法の例を以下に述べ
る。

（１）下基板となるガラス基板上にＩＴＯ層をスパッタ
リングあるいは蒸着などによって成膜し、パターニング
して画素電極を形成する。

（２）その上にＳｉＮｘ層と行電極になるＣｒなどのメ
タル層を成膜する。このとき基板側面にもＤｒが付着す
るように側面の一部を露出させておく。

（３）ＳｉＮ３層とＣｒをパターニングしてスイッチン
グ素子と行電極を作る。このとき基板側面に看いたＣｒ
は各行電極と電気的に接続されるようにパターニングす
る。このようにして基板側面に形成されたＣｒが除電用
電極となる。以後の工程ではこの部分（第４図矢印）に
、接地した導電性の位置決めガイドが当たるようにして
おけば、工程中で発生する静電気は除電用電極を通じて
除去することができる。

（４）上基板となるもう一方のガラス基板にＩＴＯ膜を
成膜し、ストライプ状にパターニングして列電極を形成
する。

（５）両方のガラス基板の電極が形成された面上に液晶
の配向処理を行う。

（６）両方のガラスな配向処理面を内側にして行電極と
列電極が直交し、かつ画素電極と列電極が対向するよう
に貼り合わせる。この状態でもガラスの側面に除電用電
極があるので工程中の静電気の除去が（３）で説明した
のと同じ方法で簡単にできる。

（７）ガラスを切断分離し、−個一個のパネルの形状に
加工する。ここで本発明の除電用電極はその役目を終り
、パネル本体から切り離される。

以後の工程は従来技術と同じなので省略する。

第１図は本発明の製造方法における各工程でのＭＳＩパ
ネルの断面図であり、（ａ）はスイッチング素子形成時
（工程２）、（ｂ）は２枚のガラスを貼り合わせた時（
工程６）、（Ｃ）は切断分離後（工程７）を示す。

第１図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）において、１は上基板、
２は列電極、３は下基板、４は行電極、８は接着剤、９
は除電用電極を示す０行電極やスイッチング素子の形状
は従来技術の項で説明したものと全く同じである。

上記の方法でアクティブマトリックス型電気光学装置を
作製したところ、スイッチング素子の静電破壊はほとん
ど発生せず実施前に比べて歩留りが大幅に向上した。

尚、本実施例では二端子型のアクティブマトリックス型
電気光学装置であるＭＳＩパネルの製造方法について説
明したが、他の二端子型あるいは三端子型のアクティブ
マトリックス型電気光学装置（ＴＰＴ）の場合にも本発
明がそのまま適用できることは言うまでもない。

〔発明の効果１ 以上詳述したように、本発明によれば今までの製造方法
をほとんど変えることなく極めて簡単な手段でアクティ
ブマトリックス型電気光学装置の静電破壊を防止するこ
とができ、製造歩留りを大幅に向上させることができる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明における電気光学装置の断面図であり、
（ａ）はスイッチング素子形成時、（ｂ）はガラス基板
貼り合せ時、（ｃ）は切断分離後の断面を示す、第２図
（ａ）はＭＳＩパネルの断面図、第２図（ｂ）は（ａ）
の画素部分の拡大図、第２図（ｃ）は（ｂ）のＡ−Ａ′
部の断面拡大図、第３図は従来の製造方法における除電
方法を示す図、第４図は本発明における除電方法を示す
図である。 ・上基板 ・列電極 ・下基板 ・行電極 ・画素電極 ・液晶層 ・ＳｉＮｘ層 ・接着剤層 ９ ・除電用電極 以 上

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）２枚の基板間に液晶が封入され少なくとも一方の
   基板の内面には複数のスイッチング素子が形成されてい
   るアクティブマトリックス型電気光学装置の製造方法に
   おいて、スイッチング素子が形成された基板の側面の一
   部あるいは全部に除電用電極を設け、製造工程中で発生
   する静電気を前記除電用電極を通して除去することを特
   徴とするアクティブマトリックス型電気光学装置の製造
   方法。
2. （２）前記スイッチング素子はＳｉＮ＿ｘ、ＳｉＯ＿ｘ
   、ＳｉＣ＿ｘ等の電気的に非線形な特性を持つ膜を使っ
   て構成された非線形素子である請求項（１）記載のアク
   ティブマトリックス型電気光学装置の製造方法。