JPH03210589A - アクティブマトリクス型電気光学装置の端子接続方法 - Google Patents
アクティブマトリクス型電気光学装置の端子接続方法Info
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- JPH03210589A JPH03210589A JP655490A JP655490A JPH03210589A JP H03210589 A JPH03210589 A JP H03210589A JP 655490 A JP655490 A JP 655490A JP 655490 A JP655490 A JP 655490A JP H03210589 A JPH03210589 A JP H03210589A
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は大型画像表示、コンピュータ端末、光学シャッ
ターなどに利用される、液晶とスイッチング素子を使っ
たアクティブマトリクス型の電気光学装置の端子接続方
法に関するものである。
ターなどに利用される、液晶とスイッチング素子を使っ
たアクティブマトリクス型の電気光学装置の端子接続方
法に関するものである。
本発明はアクティブマトリクス型電気光学装置の接続方
法において、あらかじめ端部を電気的にショートさせた
接続部材を用いて、端子部と外部回路基板を接続した後
にショート部を切断することによって、端子接続時に特
定の電極に静電気が集中しないようにしたものである。
法において、あらかじめ端部を電気的にショートさせた
接続部材を用いて、端子部と外部回路基板を接続した後
にショート部を切断することによって、端子接続時に特
定の電極に静電気が集中しないようにしたものである。
時計や電卓などの表示用として登場した液晶表示装置は
、画質の向上と大型化に伴ないコンピュータ端末や光シ
ヤツターなど表示以外の用途も含めた広い分野で電気光
学装置として使われるようになってきた。特に基板表面
上の各画素にスイッチング素子を作りこんだアクティブ
マトリクス型電気光学装置はその優れた表示特性により
今後の発展が期待されている。アクティブマトリクス型
電気光学装置はＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−１ｎｓｕｌａｔｏ
ｒ−Ｍｅｔａｌ）やＭＳＩ（Ｍｅｔａｌ −８ｅｍｉ−
Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）などの二端子素子型と三端子素子
型のＴＰＴ （Ｔｈ ｉ ｎ−Ｆ ｉ １ｍ−Ｔｒａｎ
ｓｔｓｔｏｒ）に大別される。
、画質の向上と大型化に伴ないコンピュータ端末や光シ
ヤツターなど表示以外の用途も含めた広い分野で電気光
学装置として使われるようになってきた。特に基板表面
上の各画素にスイッチング素子を作りこんだアクティブ
マトリクス型電気光学装置はその優れた表示特性により
今後の発展が期待されている。アクティブマトリクス型
電気光学装置はＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−１ｎｓｕｌａｔｏ
ｒ−Ｍｅｔａｌ）やＭＳＩ（Ｍｅｔａｌ −８ｅｍｉ−
Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）などの二端子素子型と三端子素子
型のＴＰＴ （Ｔｈ ｉ ｎ−Ｆ ｉ １ｍ−Ｔｒａｎ
ｓｔｓｔｏｒ）に大別される。
代表的な二端子素子型アクティブマトリクス型電気光学
装置であるＭＳＩの製造方法の概要を第７図、第８図、
第９図を使って説明する。
装置であるＭＳＩの製造方法の概要を第７図、第８図、
第９図を使って説明する。
（１）下基板３となるガラス基板上に１７０層をスパッ
タリングあるいは蒸着などによって成膜し、バターニン
グして画素電極５を形成する。
タリングあるいは蒸着などによって成膜し、バターニン
グして画素電極５を形成する。
（２）更にその上にＳｉＮｘ層と列電極４となるＣｒな
どのメタル層を成膜し、バターニングして第９図に示す
ようなスイッチング素子を形成する。
どのメタル層を成膜し、バターニングして第９図に示す
ようなスイッチング素子を形成する。
（３）上基板１となるもう一方のガラス基板上にＩＴＯ
膜を成膜し、ストライブ状にバターニングして行電極２
を形成する。
膜を成膜し、ストライブ状にバターニングして行電極２
を形成する。
（４）両方のガラス基板の電極が形成された面に液晶の
配向処理を行う。
配向処理を行う。
（５）両方のガラス基板を配向処理面を内側にして列電
極４と行電極２が直交し、かつ画素電極５と行電極２が
対抗するように貼り合わせる。
極４と行電極２が直交し、かつ画素電極５と行電極２が
対抗するように貼り合わせる。
（６）ガラスを切断分離し、−個一個のパネルの形状に
加工する。（第８図（ａ）） （７）上基板１と下基板３の間に液晶を封入する。
加工する。（第８図（ａ）） （７）上基板１と下基板３の間に液晶を封入する。
（８）パネルより外部に露出している電極端子部６にヒ
ートシール７を重ね、位置決め後、加熱圧着する。（第
７図（ａ）） （９）ヒートシール７の反対側を外部回路基板８の端子
部に重ね、加熱圧着する。（第７図（ｂ）アクティブマ
トリクス型の電気光学装置の製造工程において他の通常
の電気工学装置と比べて特に注意しなければならない点
は、静電気によるスイッチング素子の破壊である。この
対策としては、工程中で発生する静電気を抑えることも
重要であるが、静電気がある特定の電極に集中しないよ
うにすることも極めて有効である。同じ強度の静電気で
あってもある特定の電極に電荷が集中する場合に比べて
多数の電極に電荷を分散させた方がスイッチング素子の
破壊する可能性が少なくなるからである。
ートシール７を重ね、位置決め後、加熱圧着する。（第
７図（ａ）） （９）ヒートシール７の反対側を外部回路基板８の端子
部に重ね、加熱圧着する。（第７図（ｂ）アクティブマ
トリクス型の電気光学装置の製造工程において他の通常
の電気工学装置と比べて特に注意しなければならない点
は、静電気によるスイッチング素子の破壊である。この
対策としては、工程中で発生する静電気を抑えることも
重要であるが、静電気がある特定の電極に集中しないよ
うにすることも極めて有効である。同じ強度の静電気で
あってもある特定の電極に電荷が集中する場合に比べて
多数の電極に電荷を分散させた方がスイッチング素子の
破壊する可能性が少なくなるからである。
前述の製造工程において、（１）から（５）までの工程
で上記の対策を実施することは比較的易しい。例えば、
工程（６）で切断分離され切り捨てられる部分に各電極
を電気的に接続するようなダミーパターンを設け、分離
前までは列電極同志あるいは行電極同志が同電位になる
ようにしておけばよい。
で上記の対策を実施することは比較的易しい。例えば、
工程（６）で切断分離され切り捨てられる部分に各電極
を電気的に接続するようなダミーパターンを設け、分離
前までは列電極同志あるいは行電極同志が同電位になる
ようにしておけばよい。
また、工程（６）で基板が一個のパネルの形状に分離切
断された後は、列電極同志および行電極同志に導電性樹
脂の塗布または導電性テープを貼り付けることによって
各々電気的に接続し工程（７）に移ればよい。
断された後は、列電極同志および行電極同志に導電性樹
脂の塗布または導電性テープを貼り付けることによって
各々電気的に接続し工程（７）に移ればよい。
ここで問題となるのは工程（８）以降のパネル端子電極
部と外部回路基板との接続工程である。
部と外部回路基板との接続工程である。
ここでは、ヒートシールと接続しているすべての電極は
各々電気的に独立している。従って工程内で発生した静
電気は、ヒートシールのある特定の導電部のラインを通
っである特定の電極に集中し、その電極に接続されてい
るスイッチング素子を破壊する確率が極めて高くなる。
各々電気的に独立している。従って工程内で発生した静
電気は、ヒートシールのある特定の導電部のラインを通
っである特定の電極に集中し、その電極に接続されてい
るスイッチング素子を破壊する確率が極めて高くなる。
上記問題点を解決するために、本発明ではアクティブマ
トリクス型電気光学装置の端子接続方法において、あら
かじめ端部を電気的にショートさせた接続部材を用いて
、端子電極部と外部回路基板とを接続した後にショート
部を切断することにした。
トリクス型電気光学装置の端子接続方法において、あら
かじめ端部を電気的にショートさせた接続部材を用いて
、端子電極部と外部回路基板とを接続した後にショート
部を切断することにした。
上記の様な構成にすれば、端部を電気的にショートした
接続部材を端子電極部に接続することにより、特定の電
極に静電気が集中することがなく一定の電位に保たれる
ので、端子接続工程でスイッチング素子が破壊すること
はほぼ完全に防止できる。
接続部材を端子電極部に接続することにより、特定の電
極に静電気が集中することがなく一定の電位に保たれる
ので、端子接続工程でスイッチング素子が破壊すること
はほぼ完全に防止できる。
以下実施例について説明する。
実施例１
第１図は本発明の第１実施例を示す平面図、第２図は第
１実施例で使用したヒートシール、第３図（ａ）（ｂ）
（ｃ）は第１実施例の工程を示す断面図である。第１図
、第２図、第３図（ａ）（ｂ）（ｃ）において、１は上
基板、３は下基板、６は端子電極部、７はヒートシール
、８は外部回路基板、９はショート部である。
１実施例で使用したヒートシール、第３図（ａ）（ｂ）
（ｃ）は第１実施例の工程を示す断面図である。第１図
、第２図、第３図（ａ）（ｂ）（ｃ）において、１は上
基板、３は下基板、６は端子電極部、７はヒートシール
、８は外部回路基板、９はショート部である。
次にその接続方法について説明する。
（１）下基板３の端子電極部６をトルエン等にて洗浄す
る。
る。
（２）端部を電気的にシβ−トしたヒートシール７のシ
ョートしていない一端を端子電極部に重ね位置決めを行
なった後、加熱圧着する。
ョートしていない一端を端子電極部に重ね位置決めを行
なった後、加熱圧着する。
（３）ヒートシール７のもう一端のショート部９から外
れた所を外部回路基板８に重ね、位置決めを行なった後
、加熱圧着する。
れた所を外部回路基板８に重ね、位置決めを行なった後
、加熱圧着する。
（４）常温放置で冷却ののち、ショート部９を切断する
。
。
このようにして端部を電気的にショート°シたヒートシ
ールで接続すれば、端子接続工程で静電気が発生しても
電荷が特定の電極に集中することがないのでスイッチン
グ素子が静電破壊される可能性は非常に少なくなる。本
発明の第１実施例の端子接続方法でアクティブマトリク
ス型電気光学装置を作製したところ、端子接続工程にお
いて静電破壊は全く発生せず実施前に比べて歩留りが飛
躍的に向上した。
ールで接続すれば、端子接続工程で静電気が発生しても
電荷が特定の電極に集中することがないのでスイッチン
グ素子が静電破壊される可能性は非常に少なくなる。本
発明の第１実施例の端子接続方法でアクティブマトリク
ス型電気光学装置を作製したところ、端子接続工程にお
いて静電破壊は全く発生せず実施前に比べて歩留りが飛
躍的に向上した。
実施例２
第４図は本発明の第２実施例を示す平面図、第５図は第
２実施例で使用したＣＯＦ、第６図（ａ）（ｂ）（ｃ）
は第２実施例の工程を示す断面図である。第４図（ａ）
（ｂ）（ｃ）において、１は上基板、３は下基板、６は
端子電極部、８は外部回路基板、１０はＣＯＦである。
２実施例で使用したＣＯＦ、第６図（ａ）（ｂ）（ｃ）
は第２実施例の工程を示す断面図である。第４図（ａ）
（ｂ）（ｃ）において、１は上基板、３は下基板、６は
端子電極部、８は外部回路基板、１０はＣＯＦである。
次にその接続方法について説明する。
（１）下基板３の端子電極部６をトルエン等にて洗浄す
る。
る。
（２）端部を電気的にショートしたＣ０Ｆ１０のショー
ト部９から外れた部分に異方性導電膜を仮付けしたのち
、端子電極部６に重ね加熱圧着する。
ト部９から外れた部分に異方性導電膜を仮付けしたのち
、端子電極部６に重ね加熱圧着する。
（３）ＣＯＦＩＯのもう一端の端子を外部回路基板とハ
ンダ付けする。
ンダ付けする。
（４）常温放置で冷却ののち、ショート部９を切断する
。
。
このようにして端部を電気的にショートしたＣＯＦで接
続すれば、端子接続工程で静電気が発生しても電荷が特
定の電極に集中することがないのでスイッチング素子が
静電破壊される可能性は非常に少なくなる。本発明の第
２実施例の端子接続方法でアクティブマトリクス型電気
光学装置を作製したところ端子接続工程において静電破
壊は全く発生せず実施前に比べて歩留りが飛躍的に向上
した。
続すれば、端子接続工程で静電気が発生しても電荷が特
定の電極に集中することがないのでスイッチング素子が
静電破壊される可能性は非常に少なくなる。本発明の第
２実施例の端子接続方法でアクティブマトリクス型電気
光学装置を作製したところ端子接続工程において静電破
壊は全く発生せず実施前に比べて歩留りが飛躍的に向上
した。
第１図は本発明の第１実施例を示す平面図、第２図は第
１実施例に使用したヒートシール、第３図（ａ）（ｂ）
（ｃ）は第１実施例の工程の断面図、第４図は第２実施
例を示す平面図、第５図は第２実施例に使用したＣＯＦ
、第６図（ａ）（ｂ）（Ｃ）は第２実施例の工程の断面
図、第７図（ａ）（ｂ）は従来の端子接続方法の工程の
断面図、第８図（ａ）はアクティブマトリクス型電気光
学装置の製造工程における分離切断後の平面図、第８図
（ｂ）は（ａ）のＡ部の拡大図、第９図（ａ）はＭＳＩ
パネルの画素部分の平面図、第９図（ｂ）は（ａ）のＢ
−Ｂ’部の拡大図である。 １・・・上基板 ２・・・行電極 ３・ ４・ ５・ ６・ ７・ ８・ ９・ １０・ １１１ １２拳 １３ ・ ・下基板 ・列電極 ・画素電極 ・端子電極部 Φヒートシール ・外部回路基板 ・ショート部 ・ＣＯＦ ・接着剤層 ・ＳｉＮｘ層 ・ハンダ
１実施例に使用したヒートシール、第３図（ａ）（ｂ）
（ｃ）は第１実施例の工程の断面図、第４図は第２実施
例を示す平面図、第５図は第２実施例に使用したＣＯＦ
、第６図（ａ）（ｂ）（Ｃ）は第２実施例の工程の断面
図、第７図（ａ）（ｂ）は従来の端子接続方法の工程の
断面図、第８図（ａ）はアクティブマトリクス型電気光
学装置の製造工程における分離切断後の平面図、第８図
（ｂ）は（ａ）のＡ部の拡大図、第９図（ａ）はＭＳＩ
パネルの画素部分の平面図、第９図（ｂ）は（ａ）のＢ
−Ｂ’部の拡大図である。 １・・・上基板 ２・・・行電極 ３・ ４・ ５・ ６・ ７・ ８・ ９・ １０・ １１１ １２拳 １３ ・ ・下基板 ・列電極 ・画素電極 ・端子電極部 Φヒートシール ・外部回路基板 ・ショート部 ・ＣＯＦ ・接着剤層 ・ＳｉＮｘ層 ・ハンダ
Claims (4)
- （１）２枚の基板間に液晶が封入され、少なくとも一方
の基板の内面には複数のスイッチング素子が形成されて
いるアクティブマトリクス型電気光学装置の端子接続方
法において、あらかじめ端部を電気的にショートさせた
接続部材で、前記基板より外部に露出している透明電極
と外部回路基板を接続したのちに、ショート部を切断す
ることを特徴とするアクティブマトリクス型電気光学装
置の端子接続方法。 - （２）前記接続部材は熱可塑性ポリエステルを用いたヒ
ートシールコネクターである第一項記載のアクティブマ
トリクス型電気光学装置の端子接続方法。 - （３）前記接続部材はチップオンフィルム（以下ＣＯＦ
と称す）とする第一項記載のアクティブマトリクス型の
電気光学装置の端子接続方法。 - （４）前記スイッチング素子はＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ、Ｓ
ｉＣｘ等の電気的に非線形な特性を持つ膜を使って構成
された非線形素子である第一項記載のアクティブマトリ
クス型電気光学装置の端子接続方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP655490A JPH03210589A (ja) | 1990-01-16 | 1990-01-16 | アクティブマトリクス型電気光学装置の端子接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP655490A JPH03210589A (ja) | 1990-01-16 | 1990-01-16 | アクティブマトリクス型電気光学装置の端子接続方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03210589A true JPH03210589A (ja) | 1991-09-13 |
Family
ID=11641554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP655490A Pending JPH03210589A (ja) | 1990-01-16 | 1990-01-16 | アクティブマトリクス型電気光学装置の端子接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03210589A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002099222A (ja) * | 2000-06-08 | 2002-04-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US6778230B2 (en) | 2002-12-10 | 2004-08-17 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display panel and fabricating method thereof |
-
1990
- 1990-01-16 JP JP655490A patent/JPH03210589A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002099222A (ja) * | 2000-06-08 | 2002-04-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US6778230B2 (en) | 2002-12-10 | 2004-08-17 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display panel and fabricating method thereof |
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