JPH112820A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板に配向膜を形成する際に印刷用の版の使
用や不要配向膜の除去を必要としない。 【解決手段】 液晶１１を封止するＴＦＴ基板１と対向
基板３の全面に配向膜２,５を形成する。ＴＦＴ基板１
と対向基板３とは、互いに配向膜２,５側を対向させ
て、配向膜２,５の硬度よりも高い硬度を呈して周囲に
突起を有する導電性スペーサ６を介して積層されてい
る。そして、上記積層工程の際の加圧によって、導電性
スペーサ６は両配向膜２,５を突き破って、ＴＦＴ基板
１上の外部接続端子１０と対向基板上３の透明電極４と
を接続する。こうして、ＴＦＴ基板１および対向基板３
の全面に配向膜２,５を形成し、且つ、上記電極と端子
間の電気的接続を得る。その結果、配向膜形成時に印刷
用の版やマスクを必要とはせず生産性が向上する。ま
た、版やマスクの設計マージンが無くなり、表示エリア
が拡大する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、直視型ディスプ
レイまたは投写型ディスプレイとして使用され、光情報
処理装置等に応用が期待される液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、液晶表示装置は、内面に電極を
有して互いに対向する２枚の基板間に液晶層を設けて構
成される。その場合に、各基板の表面上における液晶の
配向方向を一定方向に揃えるために、各基板の表面には
配向膜を形成しラビング法によって配向処理を施してい
る。ところが、上記配向膜は絶縁体であるために、２枚
の基板上における導通させる部分および外部回路と接続
するゲート端子やソース端子の部分には、配向膜を形成
しないようにする必要がある。このように、特定の部分
に配向膜を形成しないようにするためには、特開平５−
３１８８２号公報に開示されているような印刷法を用い
た配向膜形成装置を用いるのが一般的である。

【０００３】また、特開平５−３０７１７８号公報や特
開平５−３２３３２５号公報に開示されているように、
基板全面に配向膜を形成した後、光アッシングや溶剤印
刷等によって、不要領域の配向膜を除去する方法が提案
されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の液晶表示装置や液晶表示素子の作成方法には、以下
のような問題がある。先ず、上記印刷法を用いた配向膜
形成装置の場合には、処理機種が変わる毎に印刷用の版
を交換する必要があり、この版交換に多大な時間を要す
るという問題がある。また、印刷法では、パターン精度
に限界があるために設計マージンを大きく取る必要があ
り、狭額縁化の妨げになるという問題がある。尚、上記
額縁とは、液晶表示素子の基板における非表示縁部を言
う。

【０００５】また、特開平５−３０７１７８号公報や特
開平５−３２３３２５号公報に開示された不要領域の配
向膜を除去する方法の場合には、工程が多く、設備や工
数等の面でコストアップになる。さらに、マスクの欠陥
によって不良が発生する場合があるために除去部のバラ
ツキを考慮に入れて設計マージンを取る必要があり、狭
額縁化の妨げになるという問題がある。

【０００６】そこで、この発明の目的は、配向膜を形成
する際に印刷用の版の使用や不要領域の配向膜の除去を
行う必要がなく、高生産性化および狭額縁化を促進でき
る液晶表示装置を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に係る発明の液晶表示装置は、液晶表示用
の電極および複数組の外部接続端子が形成された主基板
と、上記主基板上の電極および外部接続端子を覆って上
記主基板の全面に形成された配向膜と、液晶表示用の電
極が形成されると共に,上記電極側を上記主基板に対向
させて配置された対向基板と、上記対向基板上の電極を
覆って上記対向基板の全面に形成された配向膜と、上記
両基板間に配置されると共に,上記両配向膜の硬度より
高い硬度を有し,上記両配向膜を突き破って上記対向基
板の電極と上記主基板の何れか１組の外部接続端子を電
気的に導通させる導通部材を備えたことを特徴としてい
る。

【０００８】上記構成によれば、主基板上の配向膜およ
び対向基板上の配向膜は、夫々の基板の全面に形成可能
となる。したがって、上記両配向膜を形成する際に、上
記対向基板の電極および上記主基板の外部接続端子の領
域に配向膜を形成しないように印刷用の版を使用した
り、上記領域の配向膜を除去したりする必要がなく、高
生産性化が図られる。さらに、上記版や配向膜除去用の
マスクの設計マージンに起因する上記額縁の拡大化が防
止される。

【０００９】また、請求項２に係る発明は、請求項１に
係る発明の液晶表示装置において、上記主基板上の何れ
かの組の外部接続端子に接続される接続端子を有すると
共に,上記接続端子を上記主基板の上記外部接続端子に
対向させて配置された外部回路と、上記主基板と外部回
路との間に配置されると共に,上記主基板側の配向膜の
硬度より高い硬度を有し,上記配向膜を突き破って上記
主基板の上記外部接続端子と上記外部回路の接続端子と
を電気的に導通させる導通部材を備えたことを特徴とし
ている。

【００１０】上記構成によれば、上記主基板と外部回路
の接続に際しても上記配向膜は上記主基板の全面に形成
可能となる。したがって、上記配向膜を形成する際に、
上記主基板の外部接続端子の領域に配向膜を形成しない
ように印刷用の版を使用したり、上記領域の配向膜を除
去したりする必要がなく、高生産性化および狭額縁化が
促進される。

【００１１】また、請求項３に係る発明は、請求項１ま
たは請求項２に係る発明の液晶表示装置において、上記
導通部材は、周囲に突起を有する粒状体に形成されてい
ることを特徴としている。

【００１２】上記構成によれば、上記導通部材は周囲に
突起を有する粒状体に形成されている。したがって、上
記導通部材は上記配向膜を確実に突き破ることができ、
上記電極や接続端子と外部接続端子とが確実に導通され
る。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、この発明を図示の実施の形
態により詳細に説明する。 ＜第１実施の形態＞本実施の形態においては、この発明
をＴＦＴ(薄膜トランジスタ)型ＬＣＤ(液晶ディスプレ
イ)に適用した場合について説明する。本実施の形態で
は、液晶層を封止する２枚の基板に配向膜を形成する場
合に、印刷法やパターニングによって上記基板上の導通
させる部分や端子部分に配向膜を形成しないようにする
のではなく、上記配向膜を全面塗布するのである。こう
することによって、マスク(版)除去や余分な配向膜の除
去によって生ずる多大な生産性ロスや設計上の制約によ
る額縁拡大を無くすのである。

【００１４】図１は、本実施の形態の液晶表示装置を構
成するＬＣＤの断面図である。液晶を駆動するためのＴ
ＦＴや電極および外部回路に接続される外部接続端子１
０が形成されたＴＦＴ基板(上記主基板に相当)１の表面
には配向膜２が全面に形成されている。また、カラーフ
ィルム上にＩＴＯ等の透明電極４が形成された対向基板
３の表面には配向膜５が全面に形成されている。そし
て、ＴＦＴ基板１および対向基板３は、互いの配向膜
２,５を対向させて導電性スペーサ６およびセル間スペ
ーサ７,７,…を介して、所定の間隔で積層されている。
尚、上記ＴＦＴ基板１上に形成されている上記ＴＦＴや
電極、対向基板３上に形成されている上記カラーフィル
ム、および、上記外部回路は、本実施の形態とは直接関
係ないので図１では表現していない。

【００１５】ここで、上記導電性スペーサ６は、上記配
向膜２,５の硬度よりも高い硬度を呈し、周囲に突起を
有する５μm〜１０μm径のニッケル(Ｎi)粒子を用い
る。したがって、導電性スペーサ６は、その高い硬度と
周囲の突起とによって両配向膜２,５を突き破って、対
向基板３上の透明電極４とＴＦＴ基板１上の外部接続端
子１０とを接続するのである。そのために、ＴＦＴ基板
１および対向基板３の表面に配向膜２,５が全面に形成
されていても、上記両基板１,３間の導通をとることが
できるのである。また、上記セル間スペーサ７,７,…
は、両基板１,３の間隔を所定の間隔に保つためのスペ
ーサである。

【００１６】さらに、上記ＴＦＴ基板１と対向基板３と
の周囲は、シール樹脂８でシールされており、ＴＦＴ基
板１と対向基板３との間には液晶１１が封入されてい
る。

【００１７】上記構成を有するＬＣＤは、以下のように
して形成される。先ず、上記ＴＦＴや表示電極および外
部接続端子１０が形成されたＴＦＴ基板１の表面、およ
び、透明電極４が形成された対向基板３の表面に、スピ
ナーを用いて配向膜２および配向膜５を１０００Åの膜
厚で全面に塗布して焼成する。そして、ＴＦＴ基板１お
よび対向基板３の配向膜２,５には、ラビング法によっ
て配向処理を施す。

【００１８】次に、上記ＴＦＴ基板１上における対向基
板３との間で導通をとる箇所に、５μm〜１０μmの導電
性スペーサ(Ｎi粒子)６を１％wt〜１０％wt含有した１
液熱硬化型エポキシ樹脂９を、ディスペンサー法によっ
て塗布する。次に、ＴＦＴ基板１上に、乾式散布法によ
って、セル間スペーサ７を５０個/mm²〜３００個/mm²で
均一に塗布する。

【００１９】上記対向基板３の周囲には、印刷法を用い
て、液晶注入口の箇所を除いてシール樹脂８の膜を形成
する。ここで、シール樹脂８には、ＴＦＴ基板１との間
隔を均一に一定にするために、５μm〜１０μm径のスペ
ーサ(図示せず)を１％wt〜１０％wt含有させている。

【００２０】上述の段階まで実行されたＴＦＴ基板１と
対向基板３とを配向膜２,５側を対向させて貼り合わ
せ、１０kg〜２０００kgの荷重でプレスした後に、１０
０℃〜２００℃で５分〜３００分焼成することによって
表示パネルが形成される。そして、この表示パネルに液
晶１１を封入して、ＬＣＤ１２が形成されるのである。

【００２１】上記実施の形態においては、ＬＣＤの形成
に際して、低圧プレスで、導電性スペーサ６が均一且つ
確実に配向膜２,５を突き破って導通するようにするめ
に、配向膜２,５の下層あるいは更に下層の透明電極４
の下層等に、１μm〜３μm程度の厚みを有する樹脂層を
配置してもよい。この樹脂層は、対向基板３の保護膜と
して多く使用される材料や開口率向上のために最近ＴＦ
Ｔ基板１側に使用される材料を流用することによって、
上記樹脂層形成のための余分な材料や工程を不要にでき
る。

【００２２】また、上記導電性スペーサ６としてＮi粒
子を用いているが、金(Ａu)粒子や銅(Ｃu)粒子を用いて
もよい。または、ガラス等の配向膜２,５の硬度より高
い硬度の突起粒子の表面にＡu等をメッキしたものを用
いてもよい。あるいは、従来の導通材料である銀Ａgペ
ーストの粘度を少し下げたものに突起粒子を混合したも
のでもよい。抵抗は、Ａuが安定しているが、Ｎiでも充
分使用可能で且つ低コストである。

【００２３】図２は、図１に示すＬＣＤ１２にコントロ
ールＩＣ(集積回路)チップ１３を接続して形成された液
晶表示装置を示す。上述したように、本実施の形態にお
いては、ＴＦＴ基板１の表面全体に配向膜２が形成され
ている。したがって、ＴＦＴ基板１上に形成されている
ゲート端子やソース端子および外部接続端子１０は配向
膜２の下側に位置している(図２では外部接続端子１０
のみが見えているので、以下の説明は外部接続端子１０
で代表する)。そこで、本実施の形態では、ＴＦＴ基板
１と対向基板３との間の導通をとる場合と同様に、配向
膜２で覆われている外部接続端子１０等とコントロール
ＩＣチップ１３とを導電性スペーサ１４を介して接続す
るのである。

【００２４】すなわち、請求項１で言うところの複数組
みの外部接続端子とは、ゲート端子の組,ソース端子の
組および外部接続端子１０の組の３組の外部接続端子を
意味しているのである。

【００２５】上記ＬＣＤ１２とコントロールＩＣチップ
１３との接続は、以下のようにして行われる。先ず、上
記ＬＣＤ１２のＴＦＴ基板１上に形成されている外部接
続端子１０上に、配向膜２の上から、配向膜２よりも硬
度が高く周囲に突起を有する１μm〜２０μmの導電性ス
ペーサ１４を含有する１液熱硬化型エポキシ樹脂１５を
塗布する。そして、ＴＦＴ基板１の外部接続端子１０の
位置にコントロールＩＣチップ１３の接続端子の位置を
合わせて、ＴＦＴ基板１上にコントロールＩＣチップ１
３を載置し、加圧して加熱する。こうすことによって、
導電性スペーサ１４は外部接続端子１０上の配向膜２を
突き破って、外部接続端子１０とコントロールＩＣチッ
プ１３の接続端子とを電気的に接続するのである。

【００２６】尚、上記ＴＦＴ基板１上の各ＴＦＴのゲー
ト電極に接続されているゲート端子およびソース電極に
接続されているソース端子とコントロールＩＣチップと
の間も、同様に、導電スペーサ１４を介して配向膜２を
突き破って接続される。

【００２７】このようなＩＣチップ接続構造を取ること
によって、市販の異方導電性膜(熱硬化性樹脂膜または
熱可塑性樹脂膜中に、通常はメッキ導電樹脂粒を混入し
たもの)よりも、確実に微小ピッチ接続を行うことがで
きるのである。

【００２８】上述のように、本実施の形態においては、
液晶層を封止するＴＦＴ基板１と対向基板３の全面に配
向膜２,５を形成する。そして、配向膜２,５の硬度より
も高い硬度を呈して周囲に突起を有する５μm〜１０μm
径のＮi粒子を用いた導電性スペーサ６を介して、ＴＦ
Ｔ基板１と対向基板３とを配向膜２,５側を対向させて
積層している。さらに、上記Ｎi粒子を用いた導電性ス
ペーサ１４を介して、ＴＦＴ基板１の配向膜２側とコン
トロールＩＣチップ１３とを積層している。

【００２９】したがって、上記積層工程時における加圧
によって、導電性スペーサ６,１４は配向膜２,５を突き
破って、ＴＦＴ基板１上の外部接続端子１０と対向基板
３上の透明電極４とを、あるいは、ＴＦＴ基板１上の外
部接続端子１０とコントロールＩＣチップ１３の接続端
子とを接続できるのである。すなわち、本実施の形態に
おいては、ＴＦＴ基板１および対向基板３の表面に配向
膜２,５を全面に形成しても、上記各電極や端子間の電
気的接続を得ることができるのである。

【００３０】その結果、本実施の形態においては、ＴＦ
Ｔ基板１および対向基板３の表面に配向膜２,５を形成
する場合に、基板の導通させる部分や端子部分に配向膜
が形成されないように印刷用の版を形成する必要がな
い。また、基板の導通させる部分や端子部分の配向膜を
除去するためのマスクの形成を必要とはしない。そのた
めに、本実施の形態によれば、印刷用の版やパターンニ
ング用のマスクの除去または余分な配向膜の除去によっ
て生ずる多大な生産性ロス、あるいは、設計上の制約に
よる額縁拡大等を無くして、生産性を大幅に向上し、版
やマスクの設計マージンを無くして表示エリアの拡大を
図ることができるのである。

【００３１】尚、上記ＴＦＴ基板１の上記ゲート端子あ
るいはソース端子は、数百本〜数千本の微小端子であ
る。そこで、上記ゲート端子あるいはソース端子とコン
トロールＩＣチップの接続端子とを導電性スペーサ１４
を介して接続する際に、配向膜２を突き破るための加圧
には十分な注意を払う必要がある。さもないと、局部的
に圧力過大となってクラックが発生する場合がある。逆
に、加圧に注意し過ぎると加圧不足となって導通不良と
なる。

【００３２】そこで、上述のような懸念がある場合に
は、上記ＴＦＴ基板１の上記ゲート端子あるいはソース
端子の領域をエッチング法等によって配向膜２を除去し
ても構わない。その場合に、上記ゲート端子やソース端
子や外部接続端子１０等の外部接続端子は設計マージン
がとり易い。したがって、例えば、対向基板３をマスク
にして配向膜２を除去すれば、上記額縁の拡大の問題は
発生しないのである。

【００３３】＜第２実施の形態＞本実施の形態において
は、この発明をデューティ型ＬＣＤに適用した場合につ
いて説明する。通常、上記デューティ型ＬＣＤの場合に
は、対向する２枚の基板のうちの一方の主基板にｘ電極
駆動用の駆動回路を形成する一方、他方の対向基板にｙ
電極駆動用の駆動回路を形成する。ところが、本実施の
形態においては、この発明を適用することによって、上
下何れか一方の基板にｘ電極駆動用の駆動回路とｙ電極
駆動用の駆動回路とを集約するのである。

【００３４】図３は、上記対向基板２１のパターンの一
例を示す。対向基板２１には、ｙ電極２２,２２,…が一
方向に配列されている。また、図４は、主基板２３のパ
ターンの一例を示す。主基板２３には、ｘ電極２４,２
４,…が、ｙ電極２２,２２,…の配列方向に直交する方
向に所定間隔で配列されている。ここで、図４におい
て、上記主基板２３上おける矩形の領域Ｂは対向基板２
１が積層される領域であり、ｘ電極２４,２４,…の接続
端子２４a,２４a,…が領域Ｂの外に形成されている。ま
た、領域Ｂの外側における接続端子２４a,２４a,…が形
成されている縁部２３aに隣接する縁部２３bには、ｙ電
極２２,２２,…の接続端子２２a,２２a,…が形成されて
いる。

【００３５】そして、上記対向基板２１のｙ電極２２上
には全面に渡って配向膜２５が形成されている。同様
に、主基板２３のｘ電極２４上には全面に渡って配向膜
２６が形成されている。

【００３６】上記構成を有する対向基板２１は、図５に
示すように、上記主基板２３上における領域Ｂ上に、ｙ
電極２２とｘ電極２４側を対向させると共に、両電極２
２,２４を直交させて、スペーサ(図示せず)を介して所
定の間隔で積層されている。その場合に、領域Ｂ内にあ
るｙ電極２２の接続端子２２aが含まれる領域Ｃは、配
向膜２５,２６の硬度よりも高い硬度を呈して周囲に突
起を有するＮi粒子で成る導電性スペーサを含有する１
液熱硬化型エポキシ樹脂(図示せず)を介して、対向基板
２１のｙ電極２２の端部(図３における領域Ｃ')に積層
されている。

【００３７】そして、第１実施の形態の場合と同様に、
プレスおよび焼成によって、上記１液熱硬化型エポキシ
樹脂内の導電性スペーサは、対向基板２１側の配向膜２
５と主基板２３側の配向膜２５とを突き破って、領域
Ｃ'内のｙ電極２２と領域Ｃ内の接続端子２２aとを電気
的に接続するのである。尚、上記対向基板２１と主基板
２３との間における領域Ａの周囲はシール樹脂(図示せ
ず)でシールされており、領域Ａ内には液晶が封入され
ている。

【００３８】通常、デューティ型ＬＣＤの場合には、上
記主基板のｘ電極と対向基板のｙ電極との夫々に駆動用
回路(通常はＴＡＢ(tape automated bonding)構造ある
いはＣＯＧ(chip-on-glass)構造を有している)を接続す
る必要があり、駆動回路の接続を次のように２工程に分
けて行う必要がある。すなわち、先ず、例えば、ｘ電極
および配向膜が形成された主基板とｙ電極および配向膜
が形成された対向基板とが積層されて成るＬＣＤの上記
主基板上に、ｘ電極用の駆動回路を形成する。そうした
後、上記ＬＣＤを裏返して上記対向基板上にｙ電極用の
駆動回路を形成するのである。そのために生産ラインが
長くなり、使用される装置も多く、工程数も多く、生産
性が非常に悪くなる。

【００３９】ところが、本実施の形態によって形成され
たデューティ型ＬＣＤは、図４に示すようにｙ電極２２
の接続端子２２aとｘ電極２４の接続端子２４aとは同じ
主基板２３上に形成されている。したがって、ｙ電極２
２駆動用の駆動回路およびｘ電極２４駆動用の駆動回路
も同じ主基板２３上に形成できるのである。その結果、
上記両駆動回路のｙ電極２２およびｘ電極２４への接続
を１工程で行うことができ、生産ラインを短くし、工程
数を少なくし、生産性を高めることができるのである。

【００４０】上述のごとく、本実施の形態においては、
デューティ型ＬＣＤにおいて、ｙ電極２２が形成された
対向基板２１全体に配向膜２５を形成する。また、ｘ電
極２４が形成された主基板２３にはｙ電極２２の接続端
子２２aを形成し、全体に配向膜２６を形成する。そし
て、対向基板２１上のｙ電極２２と主基板２３上のｙ電
極２２用の接続端子２２aとの箇所を、配向膜２５,２６
の硬度よりも高い硬度を呈して周囲に突起を有するＮi
粒子で成る導電性スペーサを介して積層している。

【００４１】したがって、上記積層工程時における加圧
によって、上記導電性スペーサは両配向膜２５,２６を
突き破って、主基板２３上に形成された接続端子２２a
と対向基板２１上のｙ電極２２とを接続できるのであ
る。すなわち、本実施の形態においては、主基板２３お
よび対向基板２１の表面に配向膜２６,２５を全面に形
成しても、主基板２３と対向基板２１との導通を形成す
ることができるのである。

【００４２】すなわち、本実施の形態によれば、上記主
基板２３および対向基板２１の表面に配向膜２６,２５
を形成する場合において、基板の導通させる部分や端子
部分に配向膜が形成されないように印刷用の版を形成す
る必要がない。また、基板の導通させる部分や端子部分
の配向膜を除去するためのマスクの形成を必要とはしな
い。そのために、印刷用の版やパターンニング用のマス
クの除去または余分な配向膜の除去によって生ずる多大
な生産性ロス、あるいは、設計上の制約による導通領域
の拡大等を無くして、生産性を大幅に向上し、版やマス
クの設計マージンを無くして表示エリアの拡大を図るこ
とができるのである。

【００４３】また、上記ｙ電極２２用の駆動回路および
ｘ電極２４用の駆動回路を同一基板上に形成できるの
で、上記両駆動回路のＬＣＤへの接続を１工程で行うこ
とができる。したがって、液晶表示装置の生産ラインを
短くし、工程数を少なくし、生産性を高めることができ
る。

【００４４】

【発明の効果】以上より明らかなように、請求項１に係
る発明の液晶表示装置は、主基板の何れか１組の外部接
続端子と対向基板の電極とを、上記両基板の配向膜の硬
度より高い硬度を有する導通部材によって、上記両配向
膜を突き破って電気的に導通しているので、上記主基板
上の配向膜および上記対向基板上の配向膜は夫々の基板
の全面に形成可能である。したがって、この発明によれ
ば、上記両配向膜を形成する際に、上記対向基板の電極
および上記主基板の外部接続端子の領域に配向膜を形成
しないように印刷用の版を使用したり、上記領域の配向
膜を除去したりする必要がなく、生産性を高めることが
できる。さらに、上記版や配向膜除去用のマスクの設計
マージンに起因する上記額縁の拡大化を防止できる。

【００４５】また、請求項２に係る発明の液晶表示装置
は、上記主基板の外部接続端子と外部回路の接続端子と
を、上記主基板側の配向膜の硬度より高い硬度を有する
導通部材によって上記配向膜を突き破って電気的に導通
しているので、上記主基板と外部回路との接続に際して
も上記配向膜は上記主基板の全面に形成可能となる。し
たがって、この発明によれば、上記配向膜を形成する際
に、上記主基板の外部接続端子の領域に配向膜を形成し
ないように印刷用の版を使用したり、上記領域の配向膜
を除去したりする必要がなく、高生産性化および狭額縁
化を促進できる。

【００４６】また、請求項３に係る発明の液晶表示装置
における上記導通部材は、周囲に突起を有する粒状体に
形成されているので、上記導通部材が配向膜を突き破る
際の力は小さくてよく、上記導通部材による上記電極あ
るいは外部接続端子との接触をより確実にできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の液晶表示装置を構成するＬＣＤの断
面図である。

【図２】図１に示すＬＣＤを用いた液晶表示装置の断面
図である。

【図３】この発明が適用されるデューティ型ＬＣＤにお
ける対向基板のパターンを示す図である。

【図４】図３に示す対向基板に対向する主基板のパター
ンを示す図である。

【図５】図３に示す対向基板と図４に示す主基板とを積
層して形成されたデューティ型ＬＣＤの平面図である。

【符号の説明】

１…ＴＦＴ基板、 ２,５,２５,２６
…配向膜、３…対向基板、 ４…透
明電極、６,１４…導電性スペーサ、 ７…セル
間スペーサ、８…シール樹脂、 １０…
外部接続端子、１１…液晶、 １
２…ＬＣＤ、１３…コントロールＩＣチップ、 ２１
…対向基板、２２…ｙ電極、 ２３
…主基板、２４…ｘ電極、 ２２a,
２４a…接続端子。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木島 隆一 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 液晶表示用の電極および複数組の外部接
   続端子が形成された主基板と、 上記主基板上の電極および外部接続端子を覆って、上記
   主基板の全面に形成された配向膜と、 液晶表示用の電極が形成されると共に、上記電極側を上
   記主基板に対向させて配置された対向基板と、 上記対向基板上の電極を覆って、上記対向基板の全面に
   形成された配向膜と、 上記両基板間に配置されると共に、上記両配向膜の硬度
   より高い硬度を有し、上記両配向膜を突き破って上記対
   向基板の電極と上記主基板の何れか１組の外部接続端子
   とを電気的に導通させる導通部材を備えたことを特徴と
   する液晶表示装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の液晶表示装置におい
   て、 上記主基板上の何れかの組の外部接続端子に接続される
   接続端子を有すると共に、上記接続端子を上記主基板の
   上記外部接続端子に対向させて配置された外部回路と、 上記主基板と外部回路との間に配置されると共に、上記
   主基板側の配向膜の硬度より高い硬度を有し、上記配向
   膜を突き破って上記主基板の上記外部接続端子と上記外
   部回路の接続端子とを電気的に導通させる導通部材を備
   えたことを特徴とする液晶表示装置。
3. 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の液晶表
   示装置において、 上記導通部材は、周囲に突起を有する粒状体に形成され
   ていることを特徴とする液晶表示装置。