JP2000221540A - アクティブマトリクス型液晶表示装置 - Google Patents

アクティブマトリクス型液晶表示装置

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高開口率化を目的として、画素電極と配線を
オーバーラップして、その層間膜を有機膜とパッシベー
ション膜の２層にし、そのパターニングを同一に行うア
クティブマトリクス型液晶表示装置において、ＴＡＢと
端子を良好に接続する手段を提供する。 【解決手段】 １．隣あう端子間にダミーコンタクトホ
ールを設けることにより、有機膜上にＡＣＦの導電粒子
が残って端子の下層金属とＴＡＢの接続線が非接触とな
るのを防ぎ、２．端子の上層透明電極と下層金属を接続
するコンタクトホールを、微小な複数のビアホールにて
構成することで、上層透明電極にＡＣＦの導電粒子が十
分に残り、ＴＡＢの接続線との接続を良好にする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
クス型液晶表示装置に関する。更に詳しくは、外部駆動
素子と電気的に接続する端子部の構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】省スペース、低消費電力のフラットパネ
ルディスプレイとして、アクティブマトリクス型液晶表
示装置が知られている。図１１は従来のアクティブマト
リクス型液晶表示装置の概念を表しており、（ａ）はそ
の構成、（ｂ）はＴＦＴ基板の等価回路を示している。
このアクティブマトリクス型液晶表示装置は薄膜トラン
ジスタ（ＴＦＴ）基板１１０１及び、カラーフィルター
基板（以下、ＣＦ基板）１１０２とを有し、これらの間
にツイステッドネマティック（ＴＮ）液晶を挟持する構
造をとっている。ＴＦＴ基板１１０１は、複数の画素電
極１１０６がマトリクス上に形成されており、この画素
電極１１０６はスイッチング素子である薄膜トランジス
タ（ＴＦＴ）１１０９に接続されている。ＴＦＴのゲー
ト電極には走査信号を供給する走査配線１１０７が接続
され、ドレイン電極には表示信号を入力するデータ線１
１０８が接続され、ＴＦＴを駆動している。ＴＦＴ基板
１１０１の周辺には走査信号や表示信号を入力する為の
端子１１１０が設けられ、信号処理基板（ＴＡＢ：Tape
Automated Bonding）１１０３と接続されている。さら
にＴＡＢ１１０３は外部のプリント基板１１０４に接続
される。また、ＣＦ基板１１０２は、対向電極及び各画
素毎に対応したＲＧＢ色層及び遮光を目的とした遮光層
を有してなる。
【０００３】図１２は従来のアクティブマトリクス型液
晶表示装置における単位素子の平面図及び断面図であ
る。ＴＦＴ１２０３は、ＴＦＴガラス基板１２１５上に
形成され、走査配線１２０１に接続されるゲート電極１
２０６と、ゲート電極１２０６を覆うようにして成膜さ
れたゲート絶縁膜１２０９と、ゲート絶縁膜１２０９上
に形成された信号配線１２０２に接続されるドレイン電
極１２０８、画素電極に接続されるソース電極１２０
７、これらを覆うようにして成膜されたパッシベーショ
ン膜１２１０、パッシベーション膜に設けられたコンタ
クトホール１２０４を介してソース電極１２０７と接続
された画素電極１２０５により形成されている。
【０００４】ところで、前述のようにアクティブマトリ
クス型液晶表示装置は、表示部周辺に外部基板ＴＡＢと
各配線とを接続するための端子が形成される。図１３は
ゲート側端子、データ側端子を表したものであり、
（ａ）はその平面図、（ｂ）、（ｃ）は各々（ａ）のＡ
−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線での断面図である。ゲート側端子
１３０３はゲート電極などを形成するゲート層金属１３
０６が設けられ、その上の一部の領域にコンタクトホー
ル１３１２が形成され、画素電極などを形成する透明電
極１３１０がゲート層金属を覆うように最上層として形
成されている構成をとっている。データ側端子１３０４
はドレイン電極などを形成するデータ層金属１３１１が
設けられ、その上層金属上の一部の領域にコンタクトホ
ール１３１２が形成され、画素電極などを形成する透明
電極１３１０がデータ層金属を覆うように最上層として
形成される構成をとっている。これら端子は、微細な導
電粒子を均一に分散させたフィルム状の熱硬化性の接着
剤である異方性導電膜（ＡＣＦ）を用いて加熱・加圧す
ることによりＴＡＢ側のリード線と接続されている。
【０００５】従来のＴＦＴ基板のパッシベーション膜と
してはＳｉＮ膜などの無機膜が２００ｎｍ〜４００ｎｍ
の厚みで用いられ、画素電極と配線はオーバーラップし
ていなかった。しかし、最近では画素電極と配線をオー
バーラップさせ、光透過領域を広める技術が米国特許第
５６４１９７４号明細書に開示されている。その際、画
素電極と信号配線間の容量を低減する目的で、無機パッ
シベーション膜の上にさらに低誘電率の有機膜をパター
ニングして、２〜４μｍ程度形成して用いるようになっ
ている。
【０００６】図１４は上記有機膜を層間絶縁膜に用いた
アクティブマトリクス基板の平面図（ａ）及び断面図
（ｂ）である。パッシベーション膜１４１０のパターニ
ングまでは従来と同様である。パッシベーション膜１４
１０上に、感光性のアクリル樹脂などの有機膜１４１１
をスピン塗布し、露光・現像を行うことでコンタクトホ
ール１４０４などのパターニングを行う。このとき、端
子領域の有機膜は除去する。さらにポストベークにより
有機膜を熱硬化する。最後に画素電極１４０５を形成
し、ＴＦＴのソース電極１４０７と接続する。以上のよ
うに米国特許第５６４１９７４号明細書に開示されてい
る技術では、従来のアクティブマトリクス型液晶表示装
置に比べて光透過領域が広く、明るく、表示性能がよい
液晶表示装置が得られる。しかし、パッシベーション膜
のパターニングと有機膜のパターニングは別工程で行う
ためにパターニング回数が増え、工程が複雑化し、製造
コストが増す問題点を有している。
【０００７】これを解決するために、特願平０９−３２
３４２３号では２層レジスト法を用いて有機膜とパッシ
ベーション膜を同時にパターニングする技術が提案され
ている。図１５はそのコンタクト形成時のプロセスフロ
ーである。パッシベーション膜形成までは従来技術と同
様である（図１５（ａ））。有機膜・レジストを連続で
塗布した後、露光し、現像時にレジストのパターニング
と同時に有機膜のウェットエッチングを行う（図１５
（ｂ））。この後、レジスト及び有機膜をマスクにパッ
シベーション膜のパターニングをドライエッチングなど
により行う（図１５（ｃ））。最後にレジストのみを選
択的に溶解する剥離液によりレジスト剥離を行う（図１
５（ｄ））。このとき、同一マスクにより有機膜とパッ
シベーション膜のパターニングを行うので、端子部領域
の有機膜が除去できない。
【０００８】ＴＡＢ６０８と端子６０１の接続の様子を
図６に示す。一般に導電粒子の径は異方性導電膜に均一
に分散されるため、２〜４μｍ程度である。有機膜の膜
厚は２〜４μｍであるため、有機膜上に導電粒子が多く
残ると、端子の下層金属−テープキャリアパッケージ
（ＴＣＰ）間の距離が導電粒子径より大きくなり、端子
とＴＣＰのコンタクトが良好に取れない問題点がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】米国特許第５６４１９
７４号明細書では、画素電極と信号配線間の容量を低減
する目的で、パッシベーション膜の上に感光性アクリル
樹脂をパターニングするアクティブマトリクス型基板の
場合、従来のアクティブマトリクス型基板に比べてパタ
ーニング回数が１回増え、工程数が増大する問題を有し
ていた。これを解決するために特開平０９−３２３４２
３には、２層レジスト法を用いて有機膜とパッシベーシ
ョン膜を同一にパターニングすることによりパターニン
グ回数を従来基板と同等にする技術が開示されている。
この場合、端子部に厚膜の有機膜が残るために、有機膜
上に導電粒子が多く残ると、端子とＴＡＢのコンタクト
が良好に取れない問題点を有していた。
【００１０】本発明の目的は、有機膜とパッシベーショ
ン膜を同一にパターニングするアクティブマトリクス基
板において、端子とＴＣＰのコンタクトを良好にとる端
子構造を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、基板
上にマトリクス状に形成された複数のスイッチング素子
及び画素電極、該スイッチング素子を制御する走査配線
と該スイッチング素子にデータ信号を供給する信号配
線、及び各配線と外部駆動素子とを電気的に接続する端
子を備え、該端子は前記走査配線又は信号配線を形成す
る金属と、該金属上に形成されたパッシベーション膜
と、前記画素電極を形成する透明電極とを備え、前記金
属と透明電極はパッシベーション膜に開口されたコンタ
クトホールに形成された透明電極を介して接続されてお
り、外部駆動素子と異方性導電膜により接続されてなる
アクティブマトリクス基板において、（１）隣あう端子
間のパッシベーション膜にダミーコンタクトホールを設
ける、（２）前記コンタクトホールを異方性導電膜中の
導電粒子の径より大きい複数の微小なビアホール又はコ
ンタクトホールから形成する、或いは（３）前記コンタ
クトホールを外部駆動素子との接続領域外に設けること
により、異方性導電膜により接続する場合の導電粒子の
偏在による抵抗増大を防止して良好なコンタクトが採ら
れたアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供するも
のである。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。
【００１３】第１の実験として、図５のように金属膜５
０２上に形成された有機膜５１０にコンタクトホール５
０４を開け、透明電極５０３を形成した端子ＴＥＧ５０
１において、異方性導電膜（ＡＣＦ）５０６を貼りつ
け、端子間の有機膜５１０上に残った単位面積あたりの
導電粒子の数を数えた。コンタクトホール間の距離Ｌと
有機膜上の単位面積あたりにおける導電粒子の数の関係
を図８に示す。また、これよりコンタクトホール間の距
離が４０μｍを越えると有機膜上の導電粒子の数が増加
していることが分かる。これは、圧接時に導電粒子が１
５μｍ程度動き、コンタクトホール間の距離が４０μｍ
以下の場合には有機膜上の導電粒子はコンタクトホール
に落ちるためと思われる。図９は異方性導電膜を介した
下層金属とＴＡＢ間のコンタクト抵抗とコンタクトホー
ル間の距離を示した図である。これよりコンタクトホー
ル間の距離が４０μｍを越える当たりから下層金属とＴ
ＡＢのコンタクト抵抗が急激に増大しはじめ、８０μｍ
を越えると１００ｋΩ以上となり、実用的でなくなる。
これはコンタクトホール間の距離が短い場合には、有機
膜上に導電粒子はほとんどなく、金属とＴＣＰは導電粒
子を介して良好に接続されるが、コンタクトホール間の
距離が長い場合には図６のように有機膜上に多数の導電
粒子が残り、金属とＴＣＰの間の距離は（有機膜の厚
さ）＋（導電粒子径）となり、良好にコンタクトがとれ
なくなることがわかった。しかしながら、端子間距離は
通常５０〜１００μｍ程度に形成される。これは、外部
端子との接続を考えた場合、５０μｍより短くなると位
置合わせが非常に困難であり、また、コンタクト形成の
マージンを考慮すれば、コンタクト間距離は更に広くと
る必要がある。従って、本発明においては、ダミーコン
タクトホール５０５とコンタクトホール５０４との距離
は１０〜５０μｍ程度、つまり導電粒子径の３〜２０倍
程度となるように形成することにより、導電粒子をコン
タクトホール５０４及びダミーコンタクトホール５０５
に落とし込むことができ、図５（ｂ）に示すように良好
なコンタクトをとることができる。
【００１４】第２の実験として、図７のように金属上に
形成された有機膜に複数のビアホール７０４によりコン
タクトホールを開け、その上に透明電極７０３を形成し
た。その上に異方性導電膜７０６をつけて圧接すること
により透明電極−ＴＡＢ間の抵抗を測定した。ビアホー
ルの総面積をＳ１、透明電極の面積をＳ２とし、デュー
ティー比Ｄｕｔｙ＝Ｓ１／Ｓ２と抵抗の関係式を図１０
に示す。０．０１≦Ｄｕｔｙ≦０．３の範囲、特に０．
０５≦Ｄｕｔｙ≦０．３の範囲で低抵抗となることがわ
かった。Ｄｕｔｙ＞０．３で抵抗が増大する理由は透明
電極上の導電粒子の数が不十分であるためと推定され
る。Ｄｕｔｙ＜０．０１で抵抗が増大する理由は、ビア
ホール７０４の大きさが小さすぎるために、ビアホール
を介した透明電極７０３と下層金属７０２のコンタクト
抵抗が増大するためと思われる。なお、ここのビアホー
ルの大きさは、ＡＣＦ中の導電粒子の最大径以上とすれ
ばよい。その結果、図７（ｂ）に示すように良好なコン
タクトをとることができる。
【００１５】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるもので
はなく、本発明の範囲内で適宜変更できることは言うま
でもない。
【００１６】実施例１ 図２は本実施例の液晶表示装置を示す概略図である。本
実施例の液晶表示装置は、薄膜トランジスタ基板（ＴＦ
Ｔ基板）２０１とカラーフィルター基板（ＣＦ基板）２
０２とそれらに挟持された液晶層から構成される液晶パ
ネルと、この液晶パネルを駆動するためのドライバを構
成する多数のＴＡＢ２０３を有している。上記ＴＡＢ２
０３は、方形をなす液晶パネルの２辺に沿って配置され
た２枚のプリント基板２０４上に併設され、各ＴＡＢの
ベースフィルムは、はんだ付けにより信号処理用プリン
ト基板と接続されている。上記ＴＡＢは、ベースフィル
ム上に集積回路としてのベアチップ２１０が搭載され、
ベアチップの各端子が、ベースフィルムに形成された配
線パターンであるＴＡＢリード線２０９と接続されたも
のとなっている。これらＴＡＢ２０３は、ＴＦＴ基板上
の端子２０８とＡＣＦ２０５により電気的に接続されて
いる。
【００１７】液晶パネルを構成するＴＦＴ基板の表示部
は特願平９−３２３４２３号と同様の構成である。な
お、有機膜の膜厚は３μｍ程度とした。ＴＦＴ基板の周
辺には走査配線、信号配線から引き出された端子が設け
られ、ＴＡＢ電極と同数の端子から形成される端子ブロ
ックごとにまとめられている。
【００１８】図１は外部のＴＡＢと接続する端子部の平
面図及び断面図である。ゲート端子１０３はゲート層金
属１０６、ゲート絶縁膜１０７、パッシベーション膜１
０８、有機膜１０９及び透明電極１１０から構成され、
コンタクトホール１１２を介してゲート層金属１０６と
透明電極１１０が接続される。ゲート端子１０３を形成
するゲート金属の大きさは７０×２００μｍとし、端子
間距離は１００μｍ、コンタクトホールは５０×１５０
μｍとした。
【００１９】前述の基礎実験の結果から、有機膜上に異
方性導電膜中の導電粒子が多く残らないように端子間の
有機膜に、８０×２００μｍのダミーコンタクトホール
１０５を設けた。これにより端子の端からダミーコンタ
クトホール１０５までの距離は１０μｍとなり、ＡＣＦ
の導電粒子はコンタクトホール１１２又はダミーコンタ
クトホール１０５に落ちるようにした。
【００２０】データ端子１０４はデータ層金属１１１、
パッシベーション膜１０８、有機膜１０９、透明電極１
１０から構成され、コンタクトホール１１２を介してデ
ータ層金属１１１と透明電極１１０が接続される。デー
タ端子１０４を形成するデータ層金属１１１の大きさは
７０×２００μｍとし、端子間距離は５０μｍ、コンタ
クトホール１１２は５０×１５０μｍとした。端子間の
有機膜に、３０μｍ×２００μｍのダミーコンタクトホ
ール１０５を設けた。
【００２１】これら端子とＴＡＢのリード部を、異方性
導電膜ＡＣＦを介して加熱圧着して実装する。異方性導
電膜としては、球形状の微細なプラスチックビーズ表面
にニッケルメッキと金メッキを施してなる導電粒子を、
エポキシ樹脂からなるバインダに多数分散して構成され
る。なお、異方性導電膜の導電粒子の外形は５μｍであ
り、導電粒子の密度は１万個／ｍｍ2である。この異方
性導電膜を加熱・圧接してＴＡＢと接続した。このと
き、ダミーコンタクトホール１０５を設けたことで有機
膜上には導電粒子がほとんど残存しなかった。また、押
しつぶされた導電粒子の径は３μｍ程度となり、端子−
ＴＣＰ間のコンタクト抵抗は１００Ω以内と良好なコン
タクトがとれる。
【００２２】実施例２ 図３は外部のＴＡＢと接続する端子部の平面図及び断面
図である。なお、液晶表示装置の構成及び表示領域の構
成は第１の実施例と同じなので説明を省略する。ゲート
端子３０３はゲート層金属３０６、ゲート絶縁膜３０
７、パッシベーション膜３０８、有機膜３０９及び透明
電極３１０から構成され、コンタクトホールを介してゲ
ート層金属３０６と透明電極３１０が接続される。端子
を形成するゲート層金属３０６及び透明電極３１０の大
きさは実施例１と同じであり、コンタクトホールとして
は、１０×１０μｍの大きさのビアホール３０５を１０
個設けた。データ端子３０４もゲート層金属３０６をデ
ータ層金属３１１にするほかは同様の構成とした。
【００２３】これらの端子に異方性導電膜を加熱・圧接
してＴＡＢと接続した。このときコンタクトホール面積
と透明電極面積のＤＵＴＹ比は０．１であり、端子−Ｔ
ＣＰのコンタクト抵抗は１００Ω以内となり、良好なコ
ンタクトがとれる。
【００２４】実施例３ 図４は外部のＴＡＢと接続する端子部の平面図及び断面
図である。なお、表示領域の構成は第１の実施例と同じ
なので説明を省略する。ゲート端子４０３はゲート層金
属４０６、ゲート絶縁膜４０７、パッシベーション膜４
０８、有機膜４０９及び透明電極４１０から構成され、
コンタクトホール４０５を介してゲート層金属４０６と
透明電極４１０が接続される。端子を形成するゲート層
金属及び透明電極の大きさは実施例１と同じであり、コ
ンタクトホールはＴＡＢ圧接領域４０４をさけて、３０
×２０μｍの大きさのビアホール４０５を設けた。デー
タ側端子も同様である。
【００２５】これらの端子に異方性導電膜を加熱・圧接
してＴＡＢと接続した。このときコンタクトホール面積
と透明電極面積のＤＵＴＹ比は０．０６となり端子−Ｔ
ＡＢのコンタクト抵抗は１００Ω以内であり、良好なコ
ンタクトがとれる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
端子部に有機膜が設けられているアクティブマトリクス
型基板において、ＴＣＰの実装時に安定して、ＴＣＰと
端子との接続を行うことができる。これは端子間にダミ
ーコンタクトホールを設け、有機膜上の異方性導電膜の
導電粒子を十分少なくすることにより得られる。また端
子を形成する透明金属とコンタクトホールの面積比を
０．０１〜０．３以内にして、透明金属上に異方性導電
膜の導電粒子が十分に残存させることによっても得られ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１の端子部分を説明する図であり、
（ａ）はその平面図、（ｂ）、（ｃ）はＡ−Ａ’、Ｂ−
Ｂ’断面図である。
【図２】第１の実施例の液晶表示装置を表す図であり、
（ａ）はその全体図、（ｂ）はＡ−Ａ’断面図である。
【図３】第２の実施例の端子部分を説明する図であり、
（ａ）はその平面図、（ｂ）、（ｃ）はＡ−Ａ’、Ｂ−
Ｂ’断面図である。
【図４】第３の実施例の端子部分を説明する図であり、
（ａ）はその平面図、（ｂ）、（ｃ）はＡ−Ａ’、Ｂ−
Ｂ’断面図である。
【図５】端子ＴＥＧ実験を説明する図である。
【図６】端子に有機膜を残した場合の圧接不良を説明す
る図である。
【図７】端子ＴＥＧ実験を説明する図である。
【図８】端子ＴＥＧの実験結果を示す図である。
【図９】端子ＴＥＧの実験結果を示す図である。
【図１０】端子ＴＥＧの実験結果を示す図である。
【図１１】従来の液晶表示装置を説明する図である。
【図１２】従来の液晶表示装置の単位素子を説明する図
である。
【図１３】従来の液晶表示装置の端子を説明する図であ
る。
【図１４】ＵＳＰ５６４１９７４の単位素子を説明する
図である。
【図１５】特願平９−３２３４２３号の工程フローを説
明する図である。
【符号の説明】
１０１、３０１、４０１ 走査配線 １０２、３０２、４０２ データ線 １０３、３０３、４０３ ゲート端子 １０４、３０４、４０４ データ端子 １０５ ダミーコンタクトホール １０６、３０６、４０６ ゲート層金属 １０７、３０７、４０７ ゲート絶縁膜 １０８、３０８、４０８ パッシベーション膜 １０９、３０９、４０９ 有機膜 １１０、３１０、４１０ 透明電極 １１１、３１１、４１１ データ層金属 １１２、４０５ コンタクトホール ２０１ ＴＦＴ基板 ２０２ ＣＦ基板 ２０３ ＴＡＢ ２０４ プリント基板 ２０５ ＡＣＦ ２０６ 透明電極 ２０７ 金属 ２０８ 端子 ２０９ 端子リード線 ２１０ ベアチップ ４１２ ＴＡＢ圧接領域 ５０１、６０１、７０１ 端子 ５０２、６０２、７０２ 下層金属 ５０３、６０３、７０３ 透明電極 ５０４、６０４ コンタクトホール ５０５ ダミーコンタクトホール ５０６、６０６、７０６ ＡＣＦ ５０７、６０７、７０７ 導電粒子 ５０８、６０８、７０８ ＴＡＢ ５０９、６０９、７０９ ＴＡＢリード線 ５１０、６１０、７１０ 有機膜 ７０４ ビアコンタクト

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上にマトリクス状に形成された複数
    のスイッチング素子及び画素電極、該スイッチング素子
    を制御する走査配線と該スイッチング素子にデータ信号
    を供給する信号配線、及び各配線と外部駆動素子とを電
    気的に接続する端子を備え、該端子は前記各配線を形成
    する金属と、該金属上に形成された層間膜と、前記画素
    電極を形成する透明電極とを備え、前記金属と透明電極
    は前記層間膜に開口されたコンタクトホールに形成され
    た透明電極を介して接続されており、外部駆動素子と異
    方性導電膜により接続されてなるアクティブマトリクス
    基板において、隣あう端子間の層間膜にダミーコンタク
    トホールが設けられていることを特徴とするアクティブ
    マトリクス型液晶表示装置。
  2. 【請求項２】 基板上にマトリクス状に形成された複数
    のスイッチング素子及び画素電極、該スイッチング素子
    を制御する走査配線と該スイッチング素子にデータ信号
    を供給する信号配線、及び各配線と外部駆動素子とを電
    気的に接続する端子を備え、該端子は前記各配線を形成
    する金属と、該金属上に形成された層間膜と、前記画素
    電極を形成する透明電極とを備え、前記金属と透明電極
    は前記層間膜に開口されたコンタクトホールに形成され
    た透明電極介して接続されており、外部駆動素子と異方
    性導電膜により接続されてなるアクティブマトリクス基
    板において、前記コンタクトホールは異方性導電膜中の
    導電粒子の最大径以上の複数の微小なビアホール又はコ
    ンタクトホールからなることを特徴とするアクティブマ
    トリクス型液晶表示装置。
  3. 【請求項３】 基板上にマトリクス状に形成された複数
    のスイッチング素子及び画素電極、該スイッチング素子
    を制御する走査配線と該スイッチング素子にデータ信号
    を供給する信号配線、及び各配線と外部駆動素子とを電
    気的に接続する端子を備え、該端子は前記各配線を形成
    する金属と、該金属上に形成された層間膜と、前記画素
    電極を形成する透明電極とを備え、前記金属と透明電極
    は前記層間膜に開口されたコンタクトホールに形成され
    た透明電極を介して接続されており、外部駆動素子と異
    方性導電膜により接続されてなるアクティブマトリクス
    基板において、前記コンタクトホールは外部駆動素子と
    の接続領域外にあることを特徴とするアクティブマトリ
    クス型液晶表示装置。
  4. 【請求項４】 前記複数のビアホール又はコンタクトホ
    ールと前記端子上の透明電極との面積の比は０．０１以
    上０．３以下であることを特徴とする請求項２又は３に
    記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
  5. 【請求項５】 前記層間膜は有機膜、又は有機膜と無機
    パッシベーション膜の積層構造からなることを特徴とす
    る請求項１〜４のいずれか１項に記載のアクティブマト
    リクス型液晶表示装置。
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