JP2008203858A - 表示基板とその製造方法、及びこれを具備した表示装置 - Google Patents

表示基板とその製造方法、及びこれを具備した表示装置 Download PDF

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Abstract

【課題】製品の信頼性を向上させるための表示基板とその製造方法、及びこれを具備した表示装置を提供する。
【解決手段】表示基板は、画素電極、パッド部、接着部、及び導電性接着部材を備える。画素電極は、ベース基板の表示領域に形成される。パッド部は、表示領域を取り囲む周辺領域に形成される。接着部は、パッド部と隣接した領域に形成された複数のホールを含む。導電性接着部材はパッド部及び接着部上に形成され、パッド部と集積回路の端子とを電気的に接続する。このように、パッド部と隣接した領域に接着部を形成することにより、パッド部とパッド部に実装される集積回路の端子との結合力を向上させることができる。
【選択図】図1

Description

本発明は表示基板とその製造方法、及びこれを具備した表示装置に係り、より詳細には、向上された信頼性を有する表示基板とその製造方法、及びこれを具備した表示装置に関する。
一般的に、表示装置は、表示パネルと表示パネルを駆動する駆動回路を含む。表示パネルは、複数のゲート配線及び複数のソース配線と、ゲート配線及びソース配線によって定義される複数の画素部が形成されたアレイ基板を含む。駆動回路は、ゲート配線にゲート信号を提供するゲート駆動回路と、ソース配線にデータ信号を提供するソース駆動回路を含む。
ゲート及びソース駆動回路はチップで形成されてアレイ基板上に実装することができ、最近、表示装置のスリム化のためにゲート駆動回路をアレイ基板上に直接形成する構造が使用されている。この構造では、ゲート駆動回路の腐食を防止するための方案として、厚い有機膜でアレイ基板の全体領域を覆うように形成される。
ソース駆動回路をアレイ基板上に実装するために、アレイ基板上にパッドが形成される。パッドは、有機膜に形成されたコンタクトホールを通じて下部金属層と電気的に連結される。
アレイ基板を含む表示パネルは、パネル落下検査工程で有機膜と下部金属層上の保護膜間の弱い結合力によって基板から保護膜が剥離される現象が発生する。この際、ソース駆動回路が保護膜と共に剥離される。結果的に、ソース駆動回路とパッド間の接触不良が発生して駆動信頼性を低下させるという問題点が発生する。
そこで、本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたもので、本発明の目的は、製品の信頼性を向上させるための表示基板を提供することにある。
本発明の他の目的は、この表示基板の製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、この表示基板を具備した表示装置を提供することにある。
上記目的を達成するためになされた本発明の一特徴による表示基板は、画素電極、パッド部、接着部、及び導電性接着部材を備える。前記画素電極は、ベース基板の表示領域に形成される。前記パッド部は、前記表示領域を取り囲む周辺領域に形成される。前記接着部は、前記パッド部と隣接した領域に形成された複数のホールを含む。前記導電性接着部材は、前記パッド部及び前記接着部上に形成され、前記パッド部と集積回路の端子とを電気的に接続する。
上記目的を達成するためになされた本発明の他の特徴による表示基板は、画素電極、パッド部、及び回路部を備える。前記画素電極は、ベース基板の表示領域に形成される。前記パッド部は、前記表示領域を取り囲む周辺領域に形成される。前記回路部は、前記パッド部と隣接した領域に形成された複数のホールを含み、集積回路が実装される。
上記他の目的を達成するためになされた本発明の一特徴による表示基板の製造方法は、ベース基板の表示領域にスイッチング素子を形成し、該表示領域を取り囲む周辺領域にパッドパターンを形成する段階と、前記パッドパターンが形成されたベース基板上に有機膜を形成する段階と、前記有機膜をパターニングして前記パッドパターンと隣接した領域に複数のホールを含む接着部を形成する段階と、前記スイッチング素子と連結される画素電極及び前記パッドパターンと連結されるパッド電極を形成する段階と、前記パッド電極と集積回路の端子とを電気的に接続する導電性接着部材を前記パッド電極及び前記接着部上に形成する段階と、を有する。
上記他の目的を達成するためになされた本発明の一特徴による表示装置は、表示パネル、導電性接着部材、及び集積回路を備える。前記表示パネルは、画素電極が形成された表示領域と該表示領域を取り囲む周辺領域に形成されたパッド部と該パッド部に隣接した領域に形成された複数のホールを含む接着部とを含む表示基板、及び該表示基板と向かい合う対向基板を有する。前記導電性接着部材は、前記パッド部及び前記接着部上に形成される。前記集積回路は、前記導電性接着部材を通じて前記パッド部と電気的に接続される。
このような本発明の表示基板とその製造方法、及びこれを具備した表示装置によれば、パッド部と隣接した領域に接着部を形成することにより、パッド部と前記パッド部に実装される集積回路の端子との結合力を向上させることができる。
以下、本発明の表示基板とその製造方法、及びこれを具備した表示装置を実施するための最良の形態の具体例を、図面を参照しながら詳細に説明する。
図1は、本発明の第1実施例による表示基板の平面図である。
図1を参照すると、表示基板は、表示領域DAと、表示領域DAを取り囲む周辺領域PAを含む。表示領域DAには、互いに交差する方向に延長された複数のゲート配線GLと複数のソース配線DLが形成される。ゲート配線GL及びソース配線DLは、複数の画素部Pを定義することができる。
各画素部Pは、該当するゲート配線GL及びソース配線DLに連結されたスイッチング素子TFTと、スイッチング素子TFTと電気的に連結された画素電極PEを含む。
周辺領域PAは、ソース配線DLの端部に位置する第1回路部CA1と、ゲート配線GLの端部に位置する第2回路部CA2を含む。
第1回路部CA1には、パッド部210及び接着部220が形成される。パッド部210は複数のパッド211を含む。具体的に、パッド部210は、実装されるソース集積回路(図示せず)の入力端子と電気的に接触する入力パッド210aと、出力端子と電気的に接触する出力パッド210bを含む。出力パッド210bは、ソース配線DLと電気的に連結され、ソース配線DLにデータ信号を印加する。
接着部220は、パッド部210と隣接した領域に形成された複数のホールを含む。接着部220は、パッド部210とソース集積回路との接着力を強化させ、ソース集積回路(図示せず)と表示基板間の接着力を強化させる。
第2回路部CA2には、ゲート回路部230がベース基板上に直接形成される。ゲート回路部230は、複数のスイッチング素子が相互に電気的に連結されたシフトレジスタを含み、ゲート配線GLにゲート信号を印加する。
<第1実施例の表示基板>
図2は、図1に示した表示基板の断面図である。
図1及び図2を参照すると、第1実施例による表示基板100aはベース基板101を含む。ベース基板101は、表示領域DAと、表示領域DAを取り囲む周辺領域PAを含む。周辺領域PAは、第1回路部CA1及び第2回路部CA2を含む。
ベース基板101上には第1金属パターンが形成される。第1金属パターンは、表示領域DAに形成されたゲート配線GLとスイッチング素子TFTのゲート電極GEを含み、第2回路部CA2に形成されたゲート回路部230のゲート金属パターン231を含む。
第1金属パターンが形成されたベース基板101上にはゲート絶縁層110が形成され、ゲート電極GE上のゲート絶縁層110にはチャンネル部CHが形成される。チャンネル部CHは、非晶質シリコン(a−Si)で形成された活性層、及びnイオンが高濃度でドーピングされた非晶質シリコン(na−Si)で形成された抵抗性接触層を含む。一方、ゲート金属パターン231上のゲート絶縁層110には第1ホールH1が形成される。
チャンネル部CHが形成されたゲート基板101上には、第2金属パターンが形成される。第2金属パターンは、表示領域DAに形成されるソース配線DLとスイッチング素子TFTのソース及びドレイン電極SE、DEを含み、第1回路部CA1に形成されたパッドパターン211a、及び第2回路部CA2に形成されたゲート回路部230のソース金属パターン232を含む。ソース金属パターン232は、第1ホールH1を通じてゲート金属パターン231と直接電気的に接触する。
第2金属パターンが形成されたベース基板101上に保護絶縁層120及び有機膜130を形成する。有機膜130がゲート回路部230をカバーすることにより、ゲート回路部230の腐食を防止して駆動信頼性を向上させることができる。
保護絶縁層120及び有機膜130には、ドレイン電極DEの一部を露出させる第2ホールH2が形成され、第1回路部CA1には、接着部220を形成するための第3ホールH3と、パッドパターン211aを露出させる第4ホールH4を形成する。接着部220の第3ホールH3は、有機膜130と保護絶縁層120をパターニングしてゲート絶縁層110を露出させるか、有機膜130のみをパターニングして保護絶縁層120を露出させる。好ましく、第1回路部CA1の有機膜130は、表示領域DAより薄く形成して、第3及び第4ホールH3、H4の段差を最小化する。
表示領域DAには、第2ホールH2を通じてドレイン電極DEと電気的に接触する画素電極PEが形成され、第1回路部CA1には第4ホールH4を通じてパッドパターン211aと電気的に接触するパッド電極211bが形成される。第1回路部CA1には、パッドパターン211aとパッド電極211bを含むパッド211が形成される。
第1回路部CA1にはソース集積回路(図示せず)が実装され、ソース集積回路とパッド部210を電気的に接続する導電性接着部材150が形成される。導電性接着部材150は、例えば、異方性導電フィルム(ACF)である。導電性接着部材150は、接着部220の複数の第3ホールH3に挿入され、ゲート絶縁層110又は保護絶縁層120と直接接触する。
従って、接着部220の第3ホールH3によって導電性接着部材150とベース基板101間の接着力(又は、結合力)が強化される。これにより、導電性接着部材150がベース基板101から剥離されることを防止することができる。結果的に、第1回路部CA1に実装されたソース集積回路とパッド部210の接着力を強化させて駆動信頼性を向上させることができる。
<第1実施例の表示基板の製造方法>
図3、図4、及び図5は、図2に示した表示基板の製造工程図である。
図1、図2、及び図3に示すように、ベース基板101上に形成された第1金属層を利用してゲート配線GL、ゲート電極GE、及びゲート回路部230のゲート金属パターン231を含む第1金属パターンを形成する。第1金属パターンが形成されたベース基板101上にゲート絶縁層110を形成する。
ゲート絶縁層110が形成されたベース基板101上に、非晶質シリコン(a−Si)で形成された活性層、及びnイオンが高濃度でドーピングされた非晶質シリコン(na−Si)で形成された抵抗性接触層を含むチャンネル層を形成する。チャンネル層をパターニングしてゲート絶縁層110上にゲート電極GEとオーバーラップするチャンネル部CHを形成する。
その後、ゲート絶縁層110をパターニングしてゲート金属パターン231上に第1ホールH1を形成する。
図1、図2、及び図4を参照すると、第1ホールH1が形成されたベース基板101上に形成された第2金属層を利用してソース配線DL、ソース電極SE、ドレイン電極DE、パッドパターン211a、及びゲート回路部230のソース金属パターン232を含む第2金属パターンを形成する。
ゲート回路部230のソース金属パターン232は、第1ホールH1を通じてゲート金属パターン231と電気的に接触する。
第2金属パターンが形成されたベース基板101上に保護絶縁層120及び有機膜130を順次に形成する。マスク250を利用して保護絶縁層120及び有機膜130をパターニングする。
マスク250は、露光部251、ハーフ露光部252、及び遮光部253を含む。露光部251は、表示領域DAに形成される第2ホールH2と、第1回路部CA1に形成される第3及び第4ホールH3、H4に対応して配置する。ハーフ露光部252は第1回路部CA1に対応して配置し、遮光部253は有機膜130が残留する領域に対応して配置する。
結果的に、露光部251によって有機膜130及び保護絶縁層120が除去されて第2、第3、及び第4ホールH2、H3、H4が形成され、ハーフ露光部252によって、第1回路部CA1には、表示領域DA及び第2回路部CA2に形成された有機膜130より薄い厚みの有機膜130が形成される。
ここでは、接着部220のホールは、有機膜130及び保護絶縁層120を除去してゲート絶縁層110が露出するように形成されることを例とした。図示していないが、接着部220のホールは、有機膜130、保護絶縁層120、及びゲート絶縁層110を同時に除去してベース基板101が露出するように形成することもできる。又、有機膜130のみを除去して保護絶縁層120が露出するように形成することもできる。
図1、図2、及び図5を参照すると、第2、第3、及び第4ホールH2、H3、H4が形成されたベース基板101上に透明導電層を形成する。透明導電層をパターニングして表示領域DAには第2ホールH2を通じてドレイン電極DEと電気的に連結される画素電極PEを形成し、第1回路部CA1には、第4ホールH4を通じてパッドパターン211aと電気的に連結されるパッド電極211bを形成する。パッドパターン211aとパッド電極211bを含むパッド211が形成される。
パッド電極211bが形成された第1回路部CA1上に導電性接着部材150を形成する。導電性接着部材150は、第1回路部CA1に実装されるソース集積回路とパッド211を電気的に接続する。一方、導電性接着部材150は、接着部220の第3ホールH3に挿入されてゲート絶縁層110と接着される。
従って、接着部220によってベース基板101と導電性接着部材150間の接着力(又は、結合力)によって相互接着力が弱い保護絶縁層120と有機膜130が外部衝撃によって剥離されることを防止する。
以下では、第1実施例の表示基板と重複する構成要素には同じ図面符号を付与し、同じ構成要素については簡略に説明する。
<第2実施例の表示基板>
図6は、本発明の第2実施例による表示基板の断面図である。
図1及び図6を参照すると、第2実施例の表示基板100bは、反射−透過型構造を有する。即ち、表示領域DAは透過領域TAと反射領域RAを含み、有機膜130aは反射領域RAに形成される。表示領域DAに形成される画素電極PEは、透過領域TAに形成された透明電極TEと、反射領域RAに形成された反射電極REを含む。
第1回路部CA1には、複数のホールを含む接着部220、及び複数のパッド211を含むパッド部210が形成される。接着部220及びパッド部210は、表示領域DAの有機膜130aより薄い厚みの有機膜130aをパターニングして形成される。
接着部220は複数の第3ホールH3を含み、第3ホールH3は、有機膜130a及び保護絶縁層120をパターニングして形成するか、有機膜130aのみをパターニングして形成する。
第1回路部CA1には導電性接着部材150が形成される。導電性接着部材150は、第1回路部CA1に実装されるソース集積回路の端子とパッド211を電気的に接続する。導電性接着部材150は、接着部220の第3ホールH3に挿入され、ゲート絶縁層110と接着される。
従って、接着部220によってベース基板101と導電性接着部材150間の接着力によって相互接着力が弱い保護絶縁層120と有機膜130間の接着力を強化させる。
第2回路部CA2にはゲート回路部230が形成される。ゲート回路部230は、ゲート金属パターン231と、ゲート金属パターン231上に形成されたソース金属パターン232を含む。ゲート金属パターン231とソース金属パターン232は、ゲート絶縁層110に形成された第1ホールH1を通じて電気的に接触するように形成される。ゲート回路部230上には有機膜130aが形成され、ゲート回路部230の腐食を防止する。
<第2実施例の表示基板の製造方法>
図7及び図8は、図6に示した表示基板の製造工程図である。
図1、図6、及び図7を参照すると、ベース基板101に第1及び第2金属パターンを形成する。例えば、表示領域DAには、ゲート配線GL、ソース配線DL、及びスイッチング素子TFTを形成し、第1回路部CA1にはパッドパターン211aを形成し、第2回路部CA2にはゲート回路部230を形成する。
第1及び第2金属パターンが形成されたベース基板101上に保護絶縁層120及び有機膜130を順次に形成し、マスク260を利用して保護絶縁層120及び有機膜130をパターニングする。
マスク260は、露光部261、ハーフ露光部262、及び遮光部263を含む。露光部261は、表示領域DAに形成される第2ホールH2及び透過領域TAに対応して配置し、第1回路部CA1に形成された第3及び第4ホールH3、H4に対応して配置する。
ハーフ露光部262は第1回路部CA1に対応して配置し、遮光部253は有機膜130aが残る領域、例えば、第2回路部CA2及び反射領域RAに対応して配置される。
結果的に、露光部261によって有機膜130a及び保護絶縁層120が除去されて第2、第3、及び第4ホールH2、H3、H4が形成され、透過領域TAではゲート絶縁層120が露出する。
ハーフ露光部252によって、第1回路部CA1には、表示領域DA及び第2回路部CA2に形成された有機膜130aより薄い厚みの有機膜130aが形成される。
図1、図6、及び図8を参照すると、第2、第3、及び第4ホールH2、H3、H4が形成されたベース基板101上に反射金属層を形成する。反射金属層をパターニングして反射領域RAの有機膜130a上に反射電極REを形成する。反射電極REは、第2ホールH2を通じてドレイン電極DEと電気的に連結される。
反射電極REが形成されたベース基板101上に透明電極層を形成し、透明電極層をパターニングして透過領域TAに透明電極TEと、第4ホールH4を通じてパッドパターン211aと電気的に連結されるパッド電極211bを形成する。パッドパターン211a及びパッド電極211bを含むパッド211が形成される。
パッド電極211bが形成された第1回路部CA1上に導電性接着部材150を形成する。導電性接着部材150は、接着部220の第3ホールH3に挿入されてゲート絶縁層110と接着される。従って、接着部220によってベース基板101と導電性接着部材150間の接着力によって保護絶縁層120と有機膜130aの結合力を強化させる。
<第3実施例の表示装置>
図9は、本発明の第3実施例による表示装置の断面図である。
図1及び図9を参照すると、第3実施例による表示装置は、表示パネルとソース集積回路600を含む。
表示パネルは、表示基板100a、表示基板100aと向かい合う対向基板400a、及び表示基板100aと対向基板400a間に介在する液晶層500aを含む。表示基板100aは、第1実施例の表示基板(図2に図示)であって、詳細な説明は省略する。対向基板400aは、表示基板100aと対向して配置され、密封部材330によって結合されて液晶層500aを収容する。
対向基板400aは、遮光層410、カラーフィルタ層420、及び共通電極層440を含む。遮光層410は、光を遮断する物質で形成される。好ましくは、遮光層410は、表示領域DAのソース配線DL及びゲート配線GLに対応する領域に形成されて漏洩光を遮断し、表示領域DAと隣接した周辺領域PAに形成されて表示領域DAの視認性を向上させる。カラーフィルタ層420は、遮光層410によって定義された表示領域DAの画素領域に形成され、透過する光をカラー光にフィルタリングする。共通電極層440は、表示基板100aの画素電極PEに対向する電極であって、液晶層500aに電界を形成する。
ソース集積回路600は、駆動チップ及び駆動チップが実装されたフレキシブル回路基板(FPC)を含む。ソース集積回路600は、複数の端子610を含む。
ソース集積回路600は、表示基板100aの第1回路部CA1に実装される。第1回路部CA1に形成された導電性接着部材150は、端子610とパッド211を電気的に連結する。導電性接着部材150は、接着部220の第3ホールH3を通じてゲート絶縁層110に接着され、ソース集積回路600とパッド部210の接着力を強化させる。
即ち、接着部220と導電性接着部材150間の接着力によって外部衝撃から表示基板100aの保護絶縁層120と有機膜130が剥離されることを防止し、ソース集積回路600とパッド部210間の電気的接触不良を防止することができる。
以下では、第3実施例の表示装置と重複する構成要素には同じ図面符号を付与し、同じ構成要素については簡略に説明する。
<第4実施例の表示装置>
図10は、本発明の第4実施例による表示装置の断面図である。
図1及び図10を参照すると、第4実施例による表示装置は、表示パネルとソース集積回路600を含む。
表示パネルは、表示基板100b、表示基板100bと向かい合う対向基板400b、及び表示基板100bと対向基板400a間に介在する液晶層500bを含む。表示基板100bは、第2実施例の表示基板(図6に図示)であって、詳細な説明は省略する。対向基板400bは、表示基板100bと対向して配置され、密封部材330によって結合されて液晶層500bを収容する。
対向基板400bは、反射領域RAに対応して色再現性を向上させるためのライトホール421が形成されたカラーフィルタ層420aを含む。
液晶層500bは、表示基板100bの反射領域RAに対応して第1セルギャップd1を有し、表示基板100bの透過領域TAに対応して第2セルギャップd2を有する。
反射領域RAでは、対向基板400bを透過した第1光が第1セルギャップd1を1次経由して反射電極REで反射され、更に第1セルギャップd1を2次経由する経路を有する。反面、透過領域TAでは、表示基板100bを透過した第2光が第2セルギャップd2を1次経由する経路を有する。第2セルギャップd2は第1セルギャップd1の2倍であることが好ましい。
ソース集積回路600は、表示基板100bの第1回路部CA1に実装される。導電性接着部材150は、ソース集積回路600の端子610とパッド211を電気的に連結し、接着部220の第3ホールH3を通じてゲート絶縁層110と接着され、ソース集積回路600とパッド部210の接着力を強化させる。
<第5実施例の表示装置>
図11は、本発明の第5実施例による表示装置の断面図である。
図1及び図11を参照すると、第5実施例による表示装置は、表示パネルとソース集積回路600を含む。
表示パネルは、表示基板100c、対向基板400c、及び液晶層500bを含む。表示基板100cと向かい合う対向基板400c、及び表示基板100cと対向基板400c間に介在する液晶層500bを含む。
表示基板100cは、反射領域RAに凹レンズパターン及び凸レンズパターン(以下、エンボシングパターンと称する)が形成され、透過領域TAには平坦なパターンが形成された第1有機膜130bを含む。又は、透過領域TAには第1有機膜130bが形成されず、保護絶縁層120又はゲート絶縁層110が露出するようにすることもできる。
反射領域RAには反射金属層で反射電極REが形成され、透過領域TAには透明電極層で透明電極TEが形成される。透明電極層をスイッチング素子TFTと電気的に連結し、反射領域RAに対応する透明電極層上に反射電極REを形成する。
反射電極REの下に形成された第1有機膜130bにエンボシングパターンが形成されることにより、反射電極REにもエンボシングパターンが形成される。エンボシングパターンにより反射電極REの反射率を向上させることができる。
対向基板400cは、ライトホール421が形成されたカラーフィルタ層420aと第2有機膜430を含む。第2有機膜430は、反射領域RAに対応して形成される。第2有機膜430によって液晶層500bは、反射領域RAに対応して第1セルギャップd1を有し、透過領域TAに対応して第2セルギャップd2を有する。
ソース集積回路600は、表示基板100cの第1回路部CA1に実装される。導電性接着部材150は、ソース集積回路600の端子610とパッド211を電気的に連結し、接着部220の第3ホールH3を通じてゲート絶縁層110に接着され、ソース集積回路600とパッド部210の接着力を強化させる。
<第6実施例の表示装置>
図12は、本発明の第6実施例による表示装置の断面図である。
図1及び図12を参照すると、表示装置は、表示パネルとソース集積回路600を含む。表示パネルは、表示基板100d、対向基板400、及び液晶層500を含む。
表示基板100dはベース基板101を含む。ベース基板101上には第1金属層で第1金属パターンが形成される。第1金属パターンは、表示領域DAに形成されるゲート配線GLとスイッチング素子TFTのゲート電極GEを含む。
第1金属パターンが形成されたベース基板101上にゲート絶縁層110が形成され、ゲート電極GE上のゲート絶縁層110にはチャンネル層が形成される。チャンネル層は、非晶質シリコン(a−Si)で形成された活性層、及びnイオンが高濃度でドーピングされた非晶質シリコン(na−Si)で形成された抵抗性接触層を含む。チャンネル層をパターニングして、ゲート電極GE上にスイッチング素子TFTのチャンネル部CHと、第1回路部CA1にダミーパターンDP1を形成する。
チャンネル部CH及びダミーパターンDP1が形成されたベース基板101上には第2金属層で形成された第2金属パターンが形成される。第2金属パターンは、表示領域DAに形成されるソース配線DLとスイッチング素子TFTのソース及びドレイン電極SE、DEを含み、第1回路部CA1に形成されたパッドパターン211a、及び第2回路部CA2に形成されたゲート回路部230のソース金属パターン232を含む。ソース金属パターン232は、第1ホールH1を通じてゲート金属パターン231と直接電気的に接触する。
第2金属パターンが形成されたベース基板101上に保護絶縁層120及び有機膜130を形成する。有機膜130がゲート回路部230をカバーすることにより、ゲート回路部230の腐食を防止して駆動信頼性を向上させることができる。
保護絶縁層120及び有機膜130には、ドレイン電極DEの一部を露出させる第2ホールH2が形成される。表示領域DAには、第2ホールH2を通じてドレイン電極DEと電気的に接触する画素電極PEが形成される。
第1回路部CA1には、接着部220の第3ホールH3と、パッドパターン211aを露出させる第4ホールH4を形成する。接着部220の第3ホールH3は、有機膜130と保護絶縁層120をパターニングしてダミーパターンDP1を露出させる。
ダミーパターンDP1が形成されない場合は、接着部220の第3ホールH3を形成するために、保護絶縁層120をエッチングする工程中、オーバーエッチングによってゲート絶縁層110がエッチングされる。オーバーエッチングによってゲート絶縁層110は約700Å程度除去される。従って、保護絶縁層120のエッチング時、ゲート絶縁層110がオーバーエッチングされることを防止するために、第3ホールH3が形成される領域に対応してチャンネル層で形成されたダミーパターンDP1を形成する。ダミーパターンDP1の厚みは、オーバーエッチングされる厚みより厚い約700Å〜1500Å程度が好ましい。
ダミーパターンDP1によって、保護絶縁層120のエッチング時、ゲート絶縁層110がエッチングされないことにより、導電性接着部材150は、第3ホールH3の底面であるダミーパターンDP1と接触し、第3ホールH3の側面である保護絶縁層120及び有機膜130と順次に接着される。従って、表示基板100dと導電性接着部材150間の接着力を強化させる。結果的に、第1回路部CA1に実装されたソース集積回路とパッド部210の接着力を強化させて駆動信頼性を向上させることができる。
第4ホールH4を通じてパッドパターン211aと電気的に接触するパッド電極211bが形成される。第1回路部CA1には、パッドパターン211aとパッド電極211bを含むパッド211が形成される。好ましくは、第1回路部CA1の有機膜130は、表示領域DAに形成された有機膜130の厚みより薄く形成して第3及び第4ホールH3、H4の段差を最小化する。
対向基板400は、遮光層410、カラーフィルタ層420、及び共通電極層440を含む。
遮光層410は、光を遮断する物質で形成される。好ましくは、遮光層410は、表示領域DAのソース配線DL及びゲート配線GLに対応する領域に形成されて漏洩光を遮断し、表示領域DAと隣接した周辺領域PAに形成されて表示領域DAの視認性を向上させる。
カラーフィルタ層420は、遮光層410によって定義された表示領域DAの画素領域に形成され、透過する光をカラー光にフィルタリングする。共通電極層440は、表示基板100dの画素電極PEに対向する電極であって、液晶層500に電界を形成する。
ソース集積回路600は、駆動チップ及び駆動チップが実装されたフレキシブル回路基板(FPC)を含む。ソース集積回路600は、複数の端子610を含む。
ソース集積回路600は、表示基板100dの第1回路部CA1に実装される。第1回路部CA1に形成された導電性接着部材150は、端子610とパッド211を電気的に連結する。導電性接着部材150は、第3ホールH3を通じてダミーパターンDP1と接着されてソース集積回路600とパッド部210の接着力を強化させる。
即ち、接着部220と導電性接着部材150間の接着力によって外部衝撃から保護絶縁層120と有機膜130が剥離されることを防止し、ソース集積回路600とパッド部210間の電気的接触不良を防止することができる。
<第7実施例の表示装置>
図13は、本発明の第7実施例による表示基板の断面図である。
図12及び図13を参照すると、表示基板100eは、図12に示したダミーパターンDP1の下に形成された段差補償パターンSPを更に含む。段差補償パターンSPは、第1金属層で形成されたもので、第1金属パターンに含まれる。段差補償パターンSPは、第3ホールH3に形成された有機膜130の段差を減少させることができる。
段差補償パターンSPによって段差が補償されることにより、第3ホールH3を通じてダミーパターンDP1と接着される導電性接着部材150の接着力を強化させることができる。
<第8実施例の表示装置>
図14は、本発明の第8実施例による表示基板の断面図である。
図1及び図14を参照すると、表示基板100fの第1回路部CA1には第3ホールH3を含む接着部220が形成される。接着部220の第3ホールH3はダミーパターンDP2を露出させるように保護絶縁層120及び有機膜130がパターニングされて形成される。ダミーパターンDP2は、第2金属層で形成されたもので、第2金属パターンに含まれる。
従って、導電性接着部材150は、接着部220の第3ホールH3を通じてダミーパターンDP2、保護絶縁層120、及び有機膜130と順次に接着され、ベース基板101との接着力が強化される。一般的に、金属物質と有機物間の接着力に優れた特性によって、第2金属層で形成されたダミーパターンDP2と導電性接着部材150間の接着力に優れる。これにより、接着力が弱い有機膜130と保護絶縁層120間の接着力を強化させることができる。
結果的に、第1回路部CA1に実装されたソース集積回路とパッド部210の接着力を強化させて駆動信頼性を向上させることができる。
<第9実施例の表示装置>
図15は、本発明の第9実施例による表示基板の断面図である。
図14及び図15を参照すると、表示基板100gは、図13に示したダミーパターンDP2の下に形成された段差補償パターンSPを更に含む。
段差補償パターンSPは、第1金属層で形成された第1金属パターンに含まれる。段差補償パターンSPは、第3ホールH3に形成された有機膜130の段差を減少させる。段差補償パターンSPによって段差が補償されることにより、第3ホールH3を通じてダミーパターンDP2と接着される導電性接着部材150の接着力をより強化させることができる。
<第10実施例の表示装置>
図16は、本発明の第10実施例による表示基板の断面図である。
図1及び図16を参照すると、表示基板100hの第1回路部CA1には第3ホールH3を含む接着部220が形成される。接着部220の第3ホールH3は、ダミーパターンDP3を露出させるように、保護絶縁層120及び有機膜130がパターニングされて形成される。ダミーパターンDP3は、チャンネル層で形成された第1ダミーパターンDP1と、第2金属層で形成された第2ダミーパターンDP2が積層された構造を有する。ダミーパターンDP3は、チャンネル層と第2金属層を1つのマスクを利用して同時にパターニングして形成される。
従って、導電性接着部材150は、第3ホールH3の底面であるダミーパターンDP3の第2ダミーパターンDP2と接着され、第3ホールH3の側面である保護絶縁層120及び有機膜130と順次に接着される。一般的に、金属物質と有機物間の接着力に優れた特性によって、第2金属層で形成された第2ダミーパターンDP2と導電性接着部材150間の接着力に優れる。これにより、接着力が弱い有機膜130と保護絶縁層120間の接着力を強化させる。
結果的に、第1回路部CA1に実装されたソース集積回路とパッド部210の接着力を強化させて駆動信頼性を向上させることができる。
一方、表示基板100hの表示領域に形成されたソース配線DL、スイッチング素子TFTのソース及びドレイン電極SE、DEもチャンネル層と第2金属層を1つのマスクを利用してパターニングされて形成される。従って、ソース配線DL、ソース電極SE、及びドレイン電極DEはチャンネル層及び第2金属層が積層された構造で形成される。
<第11実施例による表示装置>
図17は、本発明の第11実施例による表示基板の断面図である。
図16及び図17を参照すると、表示基板100iは、図16に示したダミーパターンDP3の下に形成された段差補償パターンSPを更に含む。段差補償パターンSPは第1金属層で形成された第1金属パターンに含まれる。段差補償パターンSPは、第3ホールH3に形成された有機膜130の段差を減少させる。段差補償パターンSPによって段差が補償されることにより、第3ホールH3を通じてダミーパターンDP3と接着される導電性接着部材150の接着力をより強化させることができる。
図示していないが、図12乃至図17に示したダミーパターン及び段差補償パターンは上述した第2乃至第5実施例による表示装置に適用することができる。
以上で説明したように、本発明によると、パッド部と隣接した領域に複数のホールを含む接着部を形成することにより、パッド部と導電性接着部材を通じて電気的に連結される集積回路との結合力を向上させることができる。
具体的に、接着部を通じて表示基板の下部絶縁層、例えば、ゲート絶縁層又は保護絶縁層と導電性接着部材が接触することにより、外部衝撃から容易に剥離される有機膜と保護絶縁層間の接着力を向上させることができる。これにより、有機膜と保護絶縁層間の剥離現象によって生じる集積回路とパッド部間の接触不良を防止することができる。
以上、本発明を実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。
本発明の第1実施例による表示基板の平面図である。 図1に示した表示基板の断面図である。 図2に示した表示基板の製造工程図である。 図2に示した表示基板の製造工程図である。 図2に示した表示基板の製造工程図である。 本発明の第2実施例による表示基板の断面図である。 図6に示した表示基板の製造工程図である。 図6に示した表示基板の製造工程図である。 本発明の第3実施例による表示装置の断面図である。 本発明の第4実施例による表示装置の断面図である。 本発明の第5実施例による表示装置の断面図である。 本発明の第6実施例による表示装置の断面図である。 本発明の第7実施例による表示基板の断面図である。 本発明の第8実施例による表示基板の断面図である。 本発明の第9実施例による表示基板の断面図である。 本発明の第10実施例による表示基板の断面図である。 本発明の第11実施例による表示基板の断面図である。
符号の説明
100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g、100h、100i 表示基板
101 ベース基板
110 ゲート絶縁層
120 保護絶縁層
130、130a 有機膜
130b 第1有機膜
150 導電性接着部材
210 パッド部
210a 入力パッド
210b 出力パッド
211 パッド
211a パッドパターン
211b パッド電極
220 接着部
230 ゲート回路部
231 ゲート金属パターン
232 ソース金属パターン
250、260 マスク
251、261 露光部
252、262 ハーフ露光部
253、263 遮光部
330 密封部材
400、400a、400b,400c 対向基板
410 遮光層
420、420a カラーフィルタ層
421 ライトホール
430 第2有機膜
440 共通電極層
500、500a、500b 液晶層
600 ソース集積回路
610 端子

Claims (65)

  1. ベース基板の表示領域に形成された画素電極と、
    前記表示領域を取り囲む周辺領域に形成されたパッド部と、
    前記パッド部と隣接した領域に形成された複数のホールを含む接着部と、
    前記パッド部及び前記接着部上に形成されて前記パッド部と集積回路の端子とを電気的に接続する導電性接着部材と、を備えることを特徴とする表示基板。
  2. 前記画素電極の下に形成された有機膜と、
    前記有機膜と前記ベース基板との間に形成された第1絶縁層と、を更に備えることを特徴とする請求項1記載の表示基板。
  3. 前記ホールは、前記周辺領域に形成された前記有機膜をパターニングして形成され、
    前記導電性接着部材は、前記ホールを通じて露出した前記第1絶縁層と接着されることを特徴とする請求項2記載の表示基板。
  4. 前記第1絶縁層と前記ベース基板との間に形成された第2絶縁層を更に備えることを特徴とする請求項2記載の表示基板。
  5. 前記ホールは、前記周辺領域に形成された前記有機膜及び前記第1絶縁層を同時にパターニングして形成され、
    前記導電性接着部材は、前記ホールを通じて露出した前記第2絶縁層と接着されることを特徴とする請求項4記載の表示基板。
  6. 前記ホールは、前記周辺領域に形成された前記有機膜及び前記第1絶縁層を同時にパターニングして形成され、
    各ホールによって露出するダミーパターンを更に備えることを特徴とする請求項4記載の表示基板。
  7. 前記画素電極と電気的に連結され、第1金属層で形成されたゲート電極とチャンネル層で形成されたチャンネル部と第2金属層で形成されたソース及びドレイン電極とを含むスイッチング素子を更に備えることを特徴とする請求項6記載の表示基板。
  8. 前記ダミーパターンは、前記チャンネル層がパターニングされて形成されることを特徴とする請求項7記載の表示基板。
  9. 前記ダミーパターンは、前記第2金属層がパターニングされて形成されることを特徴とする請求項7記載の表示基板。
  10. 前記ダミーパターンは、積層された前記チャンネル層及び第2金属層がパターニングされて形成されることを特徴とする請求項7記載の表示基板。
  11. 前記ダミーパターンと前記ベース基板との間に形成された段差補償パターンを更に備えることを特徴とする請求項7記載の表示基板。
  12. 前記段差補償パターンは、前記第1金属層がパターニングされて形成されることを特徴とする請求項11記載の表示基板。
  13. 前記ホールは、前記周辺領域に形成された前記有機膜、前記第1絶縁層、及び前記第2絶縁層を同時にパターニングして形成され、
    前記導電性接着部材は、前記ホールを通じて露出した前記ベース基板と接着されることを特徴とする請求項4記載の表示基板。
  14. 前記画素電極は、透明電極及び反射電極を含むことを特徴とする請求項2記載の表示基板。
  15. 前記有機膜は、前記反射電極が形成された領域に形成されることを特徴とする請求項14記載の表示基板。
  16. 前記有機膜には、凹パターン及び凸パターンが形成されることを特徴とする請求項15記載の表示装置。
  17. 前記有機膜は、前記パッド部が形成された周辺領域で第1厚みに形成され、前記画素電極が形成された表示領域で前記第1厚みより厚い第2厚みに形成されることを特徴とする請求項2記載の表示基板。
  18. 前記周辺領域に形成されたゲート回路部を更に備えることを特徴とする請求項2記載の表示基板。
  19. 前記周辺領域に形成された前記有機膜は、前記ゲート回路部を覆うことを特徴とする請求項18記載の表示基板。
  20. ベース基板の表示領域に形成された画素電極と、
    前記表示領域を取り囲む周辺領域に形成されたパッド部と、
    前記パッド部と隣接した領域に形成された複数のホールを含み、集積回路が実装される回路部と、を備えることを特徴とする表示基板。
  21. 前記画素電極の下に形成された有機膜と、
    前記有機膜と前記ベース基板との間に形成された第1絶縁層と、を更に備えることを特徴とする請求項20記載の表示基板。
  22. 前記ホールは、前記周辺領域に形成された前記有機膜をパターニングして形成されることを特徴とする請求項21記載の表示基板。
  23. 前記第1絶縁層と前記ベース基板との間に形成された第2絶縁層を更に備えることを特徴とする請求項21記載の表示基板。
  24. 前記ホールは、前記周辺領域に形成された前記有機膜及び前記第1絶縁層を同時にパターニングして形成されることを特徴とする請求項23記載の表示基板。
  25. 各ホールが形成された領域に形成され、前記各ホールによって露出するダミーパターンを更に備えることを特徴とする請求項24記載の表示基板。
  26. 前記画素電極と電気的に連結され、第1金属層で形成されたゲート電極とチャンネル層で形成されたチャンネル部と第2金属層で形成されたソース及びドレイン電極とを含むスイッチング素子を更に備えることを特徴とする請求項25記載の表示基板。
  27. 前記ダミーパターンは、前記チャンネル層がパターニングされて形成されることを特徴とする請求項26記載の表示基板。
  28. 前記ダミーパターンは、前記第2金属層がパターニングされて形成されることを特徴とする請求項26記載の表示基板。
  29. 前記ダミーパターンは、積層された前記チャンネル層及び第2金属層がパターニングされて形成されることを特徴とする請求項26記載の表示基板。
  30. 前記ダミーパターンと前記ベース基板との間に形成された段差補償パターンを更に備えることを特徴とする請求項26記載の表示基板。
  31. 前記段差補償パターンは、前記第1金属層がパターニングされて形成されることを特徴とする請求項30記載の表示基板。
  32. 前記ホールは、前記周辺領域に形成された前記有機膜、前記第1絶縁層、及び前記第2絶縁層を同時にパターニングして形成されることを特徴とする請求項23記載の表示基板。
  33. 前記画素電極は、透明電極及び反射電極を含むことを特徴とする請求項21記載の表示基板。
  34. 前記有機膜は、前記反射電極が形成された領域に形成されることを特徴とする請求項33記載の表示基板。
  35. 前記有機膜には、凹パターン及び凸パターンが形成されることを特徴とする請求項34記載の表示基板。
  36. 前記有機膜は、前記パッド部が形成された周辺領域で第1厚みに形成され、前記画素電極が形成された表示領域で前記第1厚みより厚い第2厚みに形成されることを特徴とする請求項21記載の表示基板。
  37. 前記周辺領域に形成されたゲート回路部を更に備えることを特徴とする請求項21記載の表示基板。
  38. 前記周辺領域に形成された前記有機膜は、前記ゲート回路部を覆うことを特徴とする請求項37記載の表示基板。
  39. ベース基板の表示領域にスイッチング素子を形成し、該表示領域を取り囲む周辺領域にパッドパターンを形成する段階と、
    前記パッドパターンが形成されたベース基板上に有機膜を形成する段階と、
    前記有機膜をパターニングして前記パッドパターンと隣接した領域に複数のホールを含む接着部を形成する段階と、
    前記スイッチング素子と連結される画素電極及び前記パッドパターンと連結されるパッド電極を形成する段階と、
    前記パッド電極と集積回路の端子とを電気的に接続する導電性接着部材を前記パッド電極及び前記接着部上に形成する段階と、を有することを特徴とする表示基板の製造方法。
  40. 前記有機膜と前記ベース基板との間に形成された第1絶縁層を形成する段階を更に有することを特徴とする請求項39記載の表示基板の製造方法。
  41. 前記導電性接着部材は、前記ホールを通じて露出した前記第1絶縁層と接着されることを特徴とする請求項40記載の表示基板の製造方法。
  42. 前記第1絶縁層と前記ベース基板との間に形成された第2絶縁層を形成する段階を更に有することを特徴とする請求項40記載の表示基板の製造方法。
  43. 前記接着部を形成する段階は、
    前記有機膜及び前記第1絶縁層を同時にパターニングして前記ホールを形成することを特徴とする請求項42記載の表示基板の製造方法。
  44. 前記導電性接着部材は、前記ホールを通じて露出した前記第2絶縁層と接着されることを特徴とする請求項43記載の表示基板の製造方法。
  45. 前記周辺領域にゲート回路部を形成する段階を更に有することを特徴とする請求項40記載の表示基板の製造方法。
  46. 前記有機膜を形成する段階は、
    前記ゲート回路部を覆うように前記有機膜を形成することを特徴とする請求項45記載の表示基板の製造方法。
  47. 画素電極が形成された表示領域と該表示領域を取り囲む周辺領域に形成されたパッド部と該パッド部に隣接した領域に形成された複数のホールを含む接着部とを含む表示基板、及び該表示基板と向かい合う対向基板を有する表示パネルと、
    前記パッド部及び前記接着部上に形成された導電性接着部材と、
    前記導電性接着部材を通じて前記パッド部と電気的に接続された集積回路と、を備えることを特徴とする表示装置。
  48. 前記表示基板は、前記画素電極の下に形成された第1有機膜と、
    前記第1有機膜の下に形成された第1絶縁層と、を更に含むことを特徴とする請求項47記載の表示装置。
  49. 前記ホールは、前記周辺領域に形成された前記第1有機膜をパターニングして形成され、
    前記導電性接着部材は、前記ホールを通じて露出した前記第1絶縁層と接着されることを特徴とする請求項48記載の表示装置。
  50. 前記第1絶縁層の下に形成された第2絶縁層を更に含むことを特徴とする請求項48記載の表示装置。
  51. 前記ホールは、前記周辺領域に形成された前記第1有機膜及び前記第1絶縁層を同時にパターニングして形成され、
    前記導電性接着部材は、前記ホールを通じて露出した前記第2絶縁層と接着されることを特徴とする請求項50記載の表示装置。
  52. 前記ホールは、前記周辺領域に形成された前記第1有機膜及び前記第1絶縁層を同時にパターニングして形成され、
    各ホールが形成された領域に形成され、前記各ホールによって露出するダミーパターンを更に含むことを特徴とする請求項50記載の表示装置。
  53. 前記画素電極と電気的に連結され、第1金属層で形成されたゲート電極とチャンネル層で形成されたチャンネル部と第2金属層で形成されたソース及びドレイン電極とを含むスイッチング素子を更に含むことを特徴とする請求項52記載の表示装置。
  54. 前記ダミーパターンは、前記チャンネル層がパターニングされて形成されることを特徴とする請求項53記載の表示装置。
  55. 前記ダミーパターンは、前記第2金属層がパターニングされて形成されることを特徴とする請求項53記載の表示装置。
  56. 前記ダミーパターンは、積層された前記チャンネル層及び第2金属層がパターニングされて形成されることを特徴とする請求項53記載の表示装置。
  57. 前記ダミーパターンと前記ベース基板との間に形成された段差補償パターンを更に含むことを特徴とする請求項53記載の表示装置。
  58. 前記段差補償パターンは、前記第1金属層がパターニングされて形成されることを特徴とする請求項57記載の表示装置。
  59. 前記ホールは、前記周辺領域に形成された前記有機膜、前記第1絶縁層、及び前記第2絶縁層を同時にパターニングして形成され、
    前記導電性接着部材は、前記ホールを通じて露出した前記ベース基板と接着されることを特徴とする請求項50記載の表示装置。
  60. 前記画素電極は、反射電極及び透明電極を含むことを特徴とする請求項48記載の表示装置。
  61. 前記第1有機膜は、前記反射電極が形成された領域に形成されることを特徴とする請求項60記載の表示装置。
  62. 前記第1有機膜には、凹パターン及び凸パターンが形成されることを特徴とする請求項61記載の表示装置。
  63. 前記対向基板は、ライトホールが形成されたカラーフィルタ層を含み、
    前記ライトホールは、前記反射電極が形成された領域に形成されることを特徴とする請求項60記載の表示装置。
  64. 前記対向基板は、前記反射電極に対応する領域に形成された第2有機膜を更に含むことを特徴とする請求項63記載の表示装置。
  65. 前記第1有機膜は、前記パッド部が形成された周辺領域で第1厚みに形成され、前記画素電極が形成された表示領域で前記第1厚みより厚い第2厚みに形成されることを特徴とする請求項48記載の表示装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011043440A1 (ja) * 2009-10-08 2011-04-14 シャープ株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
WO2012029406A1 (ja) * 2010-08-31 2012-03-08 シャープ株式会社 表示パネルおよびその製造方法
JP2022120136A (ja) * 2008-12-03 2022-08-17 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5525692B2 (ja) * 2007-02-22 2014-06-18 三星ディスプレイ株式會社 表示基板とその製造方法、及びこれを具備した表示装置
US8698391B2 (en) * 2009-04-29 2014-04-15 Global Oled Technology Llc Chiplet display with oriented chiplets and busses
KR101928983B1 (ko) * 2011-07-20 2018-12-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 제조 방법
KR101291188B1 (ko) * 2012-04-20 2013-07-31 숭실대학교산학협력단 다중 출력 스위칭 모드 전원 공급 제어장치
TWI595621B (zh) 2012-07-03 2017-08-11 元太科技工業股份有限公司 畫素結構及其製造方法
KR102011274B1 (ko) * 2012-12-10 2019-08-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판의 제조 방법
CN104934444B (zh) * 2015-05-11 2018-01-02 深圳市华星光电技术有限公司 共平面型氧化物半导体tft基板结构及其制作方法
KR102351410B1 (ko) * 2015-06-02 2022-01-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 모듈, 차량용 표시 장치, 및 표시 모듈의 제조 방법
TWI559511B (zh) * 2016-03-03 2016-11-21 友達光電股份有限公司 導電元件基板、導電元件基板的製造方法以及顯示面板
KR102615177B1 (ko) 2016-10-06 2023-12-20 삼성디스플레이 주식회사 평판표시장치
US11271057B2 (en) * 2020-02-12 2022-03-08 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Array substrate, manufacturing method thereof, and display panel
CN112736055B (zh) * 2020-12-30 2023-11-24 合肥维信诺科技有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000221540A (ja) * 1999-01-29 2000-08-11 Nec Corp アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP2001077501A (ja) * 1999-09-03 2001-03-23 Seiko Epson Corp フレキシブル配線基板、電気光学装置および電子機器
JP2006227616A (ja) * 2005-02-16 2006-08-31 Samsung Electronics Co Ltd 表示装置及びこの製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2830681B2 (ja) 1993-03-08 1998-12-02 ソニーケミカル株式会社 Icチップ実装方法
US5834327A (en) * 1995-03-18 1998-11-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for producing display device
JP3180800B2 (ja) 1999-04-08 2001-06-25 カシオ計算機株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP3365367B2 (ja) 1999-09-14 2003-01-08 ソニーケミカル株式会社 Cog実装品および接続材料
US6698077B2 (en) * 2000-12-27 2004-03-02 International Business Machines Corporation Display fabrication using modular active devices
KR20030086812A (ko) 2002-05-07 2003-11-12 텔레포스 주식회사 미세 피치용 이방성 도전성 접착제 및 이를 포함하는cog 실장형 lcd 모듈
JP5525692B2 (ja) * 2007-02-22 2014-06-18 三星ディスプレイ株式會社 表示基板とその製造方法、及びこれを具備した表示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000221540A (ja) * 1999-01-29 2000-08-11 Nec Corp アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP2001077501A (ja) * 1999-09-03 2001-03-23 Seiko Epson Corp フレキシブル配線基板、電気光学装置および電子機器
JP2006227616A (ja) * 2005-02-16 2006-08-31 Samsung Electronics Co Ltd 表示装置及びこの製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022120136A (ja) * 2008-12-03 2022-08-17 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
WO2011043440A1 (ja) * 2009-10-08 2011-04-14 シャープ株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
CN102576173A (zh) * 2009-10-08 2012-07-11 夏普株式会社 液晶显示装置及其制造方法
JP5091355B2 (ja) * 2009-10-08 2012-12-05 シャープ株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
WO2012029406A1 (ja) * 2010-08-31 2012-03-08 シャープ株式会社 表示パネルおよびその製造方法
JPWO2012029406A1 (ja) * 2010-08-31 2013-10-28 シャープ株式会社 表示パネルおよびその製造方法

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