JP2006227616A - 表示装置及びこの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】製品の収率を向上し得る表示装置及びこれの製造方法を開示する。
【解決手段】表示装置は、信号ライン、及び絶縁膜を含む表示パネル、及び導電性接着部材を媒介として表示パネルに付着され、信号ラインと電気的に連結され、画像信号を提供して信号生成部を具備する。信号ラインは、信号生成部と隣接した端部にパッドが形成される。絶縁膜は、導電性接着部材が表示パネルに安定的に付着されるように互いに隣接した二つのパッドの間で部分的に除去され、パッドが位置する領域とパッドの周辺領域との段差を減少させる。これによって、信号生成部と表示パネルとの結合力が向上されるので、表示装置は製品の収率を向上させることができる。
【選択図】図３

Description

本発明は、表示装置及びこの製造方法に関わり、より詳細には、製品の収率を向上させることができる表示装置及びこの製造方法に関わる。

一般的に、表示装置は、外部から入力される画像信号に応答して画像を表示する。液晶表示装置は、平板表示装置の一種であり、液晶の光学的特性によって画像を表示する。

液晶表示装置は、画像信号の入力を受けて画像を表示する液晶表示パネル自体が発光しない受光素子であるので、液晶表示パネルに光を提供するバックライトアセンブリ（ｂａｃｋｌｉｇｈｔ ａｓｓｅｍｂｌｙ）を具備する。

液晶表示装置は、画像信号を伝送するゲートライン及びデータラインを具備し、液晶表示パネルのソース側及びゲート側には、液晶表示パネルに画像信号を提供する駆動チップ（ｄｒｉｖｉｎｇ ｃｈｉｐ）及び可撓性回路基板（ＦＰＣ基盤：ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）が具備される。

各データライン及びゲートラインの一端部には、駆動チップ及び可撓性回路基板と電気的に連結されるパッドが形成される。各パッドの上部には、絶縁膜及び絶縁膜の上部に位置する透明電極を具備する。絶縁膜は、各パッドを露出するように部分的に除去されて形成されたビアホール（ｖｉａ ｈｏｌｅ）を有する。絶縁膜が完全除去されると、透明電極が絶縁膜から剥離する可能性があるので、パッドが位置する部分のみ一部除去する。

透明電極は、ビアホールを通じてパッドと電気的に連結される。透明電極の上部に具備される駆動チップ及び可撓性回路基板は、異方性導電フィルムを用いて液晶表示パネルに付着され、透明電極と電気的に連結される。

絶縁膜は一部分のみ除去されるため、互いに隣接したパッドの間には絶縁膜が残存する。特に、スリットマスク（ｓｌｉｔ ｍａｓｋ）を用いてビアホールを形成するので、絶縁膜がスリット形状を有する。したがって、液晶表示パネルは、ビアホール領域とビアホール周辺領域との段差によって異方性導電フィルムが液晶表示パネルから剥離する可能性があり、これによって、駆動チップ及び可撓性回路基板とパッドとの電気的な連結が切れる可能性があるので、正常ではない画像が表示されるおそれがある。

本発明の目的は、ビアホール領域とビアホール周辺領域との段差を減少させ、異方性導電フィルムの分離を防止することで、製品の収率を向上させることができる表示装置を提供することにある。

また、本発明の目的は、前記表示装置の製造方法を提供することにある。

上述の本発明を実現するための表示装置は、表示パネル、及び信号生成部で構成される。

表示パネルは、画像信号に対応する画像を表示する第１領域及び第１領域と隣接した第２領域で構成された基板、基板上に具備されて画像信号を伝送する信号伝送部、及び信号伝送部が形成された基板上に位置する絶縁膜を具備する。信号伝送部は、少なくとも二つ以上の信号ラインで構成され、各信号ラインは、信号生成部と隣接した端部にパッドが形成される。絶縁膜は、互いに隣接した二つのパッドの間で部分的に除去されて形成された第１ビアホールを有する。信号生成部は第２領域に位置し、信号伝送部と電気的に連結され、画像信号を信号伝送部に提供する。

また、上述の本発明の目的を実現するための表示装置を製造する方法は、まず、画像信号に対応する画像を表示する第１領域及び第１領域と隣接した第２領域に構成された基板上に画像信号を伝送する少なくとも二つ以上の信号ラインで構成された信号伝送部が形成される。信号伝送部が形成された前記基板上に絶縁膜が形成される。互いに隣接した二つの信号ラインのパッドの間に位置する絶縁膜が部分的に除去され、第１ビアホールが形成される。基板の第２領域に画像信号を信号伝送部に提供する信号生成部を実装する。

以上のように構成された本発明の表示装置及びこの製造方法によると、表示装置はパッド間に位置する絶縁膜を除去して第１ビアホールと第２ビアホールの周辺部との段差を減少させることができ、信号生成部と表示パネルとの結合力を向上させることができる。したがって、本発明の表示装置は、製品の収率が向上される。

以下、添付した図面を参照して、本発明をより詳細に説明する。

図１は、本発明の一実施形態による液晶表示装置を示す図面である。

図１を参照すると、本発明による液晶表示装置５００は、画像信号の提供を外部から受けて画像を表示する液晶表示パネル３００、液晶表示パネル３００を駆動するためのデータ信号及びゲート制御信号を出力する駆動チップ４２０、ゲート制御信号に応答してゲート信号を出力するゲート駆動回路４４０、及び外部から印加された画像信号を駆動チップ４２０に提供する可撓性回路基板（信号生成部）４６０を含む。なお、信号生成部は、可撓性回路基板または半導体チップのうちいずれか一つであればよい。

液晶表示パネル３００は、画像を表示する表示領域（第１領域）（ＤＡ）、及び表示領域（ＤＡ）に隣接し、画像が表示されない周辺領域（第２領域）（ＰＡ）に区画される。

液晶表示パネル３００は、表示領域（ＤＡ）および周辺領域（ＰＡ）で構成される第１基板１００、第１基板１００と互いに対向して結合する第２基板２００、及び第１基板１００と第２基板２００との間に介在される液晶層（図示せず）を含む。

第１基板１００は、データ信号を伝送する複数のデータライン（ＤＬ）、複数のデータライン（ＤＬ）と交差し、ゲート信号を伝送する複数のゲートライン（ＧＬ）、データライン（ＤＬ）及びゲートライン（ＧＬ）と連結された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１２０、及びＴＦＴ１２０に連結された画素電極１３０を具備する。

データライン（ＤＬ）は、駆動チップ４２０から印加されたデータ信号を伝送する。図面には示していないが、データライン（ＤＬ）は、駆動チップ４２０と隣接した端部に駆動チップ４２０と電気的に連結されるパッドが形成される。ゲートライン（ＧＬ）は、ゲート駆動回路４４０と電気的に連結され、ゲート駆動回路４４０から印加されたゲート信号を伝送する。

スイッチング素子として動作するＴＦＴ１２０は、表示領域（ＤＡ）に具備され、それぞれのデータライン及びゲートラインによって決められる画素領域に信号電圧を印加する。

画素電極１３０は、ＴＦＴ１２０から印加された信号電圧を液晶層に提供する。

第１基板１００の上部に具備される第２基板２００は、光を用いて所定の色を表現するカラーフィルタ層を具備する。カラーフィルタ層は、ＲＧＢ色画素からなり、薄膜工程によって形成される。

一方、第１基板１００の周辺領域（ＰＡ）には、駆動チップ４２０が実装される。駆動チップ４２０は、データライン用チップとゲートライン用チップに分離した二つ以上のチップで構成するか、あるいはこれらを統合した一つのチップとして構成してもよい。前記駆動チップ４２０は、ＣＯＧ（ｃｈｉｐ ｏｎ ｇｌａｓｓ）工程によって第１基板１００上に実装され、データライン（ＤＬ）及びゲート駆動回路４４０と電気的に連結される。

また、第１基板１００の周辺領域（ＰＡ）には、ゲート駆動回路４４０が具備される。ゲート駆動回路４４０は、ＴＦＴ１２０を形成する過程で第１基板１００の周辺領域（ＰＡ）に形成される。

ゲート駆動回路４４０は、駆動チップ４２０に内装されるか、別途のチップとして形成され、第１基板１００の周辺領域（ＰＡ）に実装される。ゲート駆動回路４４０が駆動チップ４２０に内装される場合、駆動チップ４２０は、ゲートライン（ＧＬ）と電気的に連結され、ゲート信号を出力してゲートライン（ＧＬ）に印加する。

第１基板１００の周辺領域（ＰＡ）には、可撓性回路基板４６０が具備される。可撓性回路基板４６０は、第１基板１００に形成された複数の出力（信号）ライン（ＯＬ）と電気的に連結され、複数の出力ライン（ＯＬ）は、可撓性回路基板４６０から出力された各種信号を駆動チップ４２０に印加する。ここで、信号伝送部は、複数の出力（信号）ラインで構成されるものである。

図２は、図１に示した第１基板を示した断面図である。

図２を参照すると、第１基板１００は、透明基板１１０、透明基板１１０上に具備されるＴＦＴ１２０、ＴＦＴ１２０が形成された透明基板１１０上に具備される保護膜１４０、保護膜１４０の上部に具備される有機絶縁膜１５０、及び有機絶縁膜１５０上に具備される画素電極１３０を含む。

ＴＦＴ１２０は、透明基板１１０上に具備されるゲート電極１２１、ゲート電極１２１の上部に位置するゲート絶縁膜１２２、ゲート絶縁膜１２２上に具備されるアクティブ層１２３、アクティブ層１２３上に具備されるオームコンタクト層１２４、及びオームコンタクト層（ｏｈｍｉｃ ｃｏｎｔａｃｔ ｌａｙｅｒ）１２４上に具備されるソース電極１２５及びドレイン電極１２６を含む。

より詳細には、ゲート電極１２１は、ゲート信号を伝送するゲートライン（ＧＬ）（図１参照）から分岐される。ゲート電極１２１は、アルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウムネオジウム（ＡｌＮｄ）のようなアルミニウム合金、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）などのような導電性金属材質からなる。この実施形態において、ゲート電極１２１は単一膜で形成するものの、二重膜または三重膜で構成してもよい。

ゲート電極１２１が形成された透明基板１１０の上部には、ゲート絶縁膜１２２が具備される。ゲート絶縁膜１２２は、金属物質と接着力が優れ、界面に空気層の形成を抑制する酸化シリコン（ＳｉＯ_２）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような絶縁物質からなる。

ゲート絶縁膜１２２の上面に具備されるアクティブ層１２３は、ゲート電極１２１が形成された領域に位置する。アクティブ層１２３は、非晶質シリコン（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ）からなる。

アクティブ層１２３の上面に具備されるオームコンタクト層１２４は、ｎ＋非晶質シリコンからなり、アクティブ層１２３を部分的に露出するように中央部が除去されて形成されたチャンネル（ＣＡ）を有する。

オームコンタクト１２４の上面には、ソース電極１２５及びドレイン電極１２６が具備される。ソース電極１２５及びドレイン電極１２６は、アルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウムネオジウム（ＡＮｌｄ）のようなアルミニウム合金、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）などのような導電性金属材質からなる。

この実施形態において、ソース電極１２５及びドレイン電極１２６は単一膜で形成するが、二重膜または三重膜で形成してもよい。

ソース電極１２５は、データ信号を伝送するデータライン（ＤＬ）（図１参照）から分岐される。ソース電極１２５は、第１端部がオームコンタクト層１２４の上面に位置し、第１端部と対向する第２端部は、ゲート絶縁膜１２２上に位置する。

ドレイン電極１２６は、チャンネル領域（ＣＡ）を中心としてソース電極１２５と向い合う。ドレイン電極１２６は、第１端部がオームコンタクト層１２４の上面に位置し、第１端部と対向する第２端部がゲート絶縁膜１２２の上面に位置する。

ＴＦＴ１２０の上部に具備された保護膜１４０は、ＴＦＴ１２０及び透明基板１１０上に形成された配線、例えば、ゲートライン（ＧＬ）、データライン（ＤＬ）、及び出力ライン（ＯＬ）を保護する。保護膜１４０は、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質からなり、約２０００Åの厚さを有することが望ましい。

保護膜１４０の上部には、有機絶縁膜１５０が具備される。有機絶縁膜１５０は、部分露光してスリット形状１５１に形成される。保護膜１４０及び有機絶縁膜１５０は、ドレイン電極１２６を部分的に露出するように一部分が除去されて形成されたコンタクトホール（ＣＨ）を有する。

有機絶縁膜１５０の上面には、コンタクトホール（ＣＨ）を通じて前記ドレイン電極１２６と電気的に連結される画素電極１３０が具備される。画素電極１３０は、インジウムスズ酸化物（以下、ＩＴＯ）またはインジウム亜鉛酸化物（以下、ＩＺＯ）のような透明性導電物質からなる。

図面には示していないが、画素電極１３０の上部には、外部から入射される光を反射するための反射電極を更に具備することができる。

図３は、図２に示した第１基板の他の一例を示した断面図である。

図３を参照すると、本発明による第１基板６００は、ＴＦＴ６１０及びキャパシタ６２０を除くと、図２の第１基板１００と同一の構成を有する。したがって、図３の説明において、図２の第１基板１００と同一の機能を果たす構成要素は同一の参照符号を付与し、その説明は省略する。

第１基板６００は、透明基板１１０、透明基板１１０上に形成されたＴＦＴ６１０、キャパシタ６２０、ＴＦＴ６１０及び前記キャパシタ６２０の上部に具備された保護膜１４０、保護膜１４０の上部に具備された有機絶縁膜１５０、及び有機絶縁膜１５０の上部に具備された画素電極１３０を含む。

ＴＦＴ６１０は、透明基板１１０上に形成された第１アクティブ層６１１及び第２アクティブ層６１２、第１アクティブ層６１１及び第２アクティブ層６１２上に形成されたゲート絶縁膜６１３、前記ゲート絶縁膜６１３上に形成されたゲート電極６１４、ゲート電極６１４上に形成された層間絶縁膜（ｉｎｔｅｒｌａｙｅｒ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）６１５、ソース電極６１６、及びドレイン電極６１７を含む。

第１アクティブ層６１１及び第２アクティブ層６１２は、低温多結晶シリコンからなり、所定の間隔に離隔されて位置する。第１アクティブ層６１１は、ゲート電極６１４と重なる領域にチャンネル領域６１１ａが形成される。第１アクティブ層６１１は、チャンネル領域６１１ａの両側にイオン注入を通じて形成されたソース領域６１１ｂ及びドレイン領域６１１ｃがそれぞれ形成される。ソース領域６１１ｂ及びドレイン領域６１１ｃとチャンネル領域６１１ａとの間には、イオン注入を通じて不純物領域６１１ｄが形成される。

第１アクティブ層６１１及び第２アクティブ層６１２の上部には、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）からなるゲート絶縁膜６１３が具備される。ゲート絶縁膜６１３は、約１０００Åの厚さを有することが望ましい。

ゲート絶縁膜６１３上には、ゲートライン（ＧＬ）（図１参照）、ゲートライン（ＧＬ）から分岐したゲート電極６１４、及びキャパシタ６２０の第１電極６２１が具備される。ゲート電極６１４は、第１アクティブ層６１１が形成された領域に位置し、第１電極６２１は、第２アクティブ層６１２が形成された領域に位置する。

ゲートライン（ＧＬ）（図１参照）、ゲート電極６１４、及び第１電極６２１が形成されたゲート絶縁膜６１３上には、層間絶縁膜６１５が具備される。層間絶縁膜６１５は、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）からなる単一層で形成することができ、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）と窒化シリコン（ＳｉＮｘ）が積層された複合層で形成することもできる。ゲート絶縁膜６１３及び層間絶縁膜６１５は、第１アクティブ層６１１のソース領域６１１ｂ及び前記ドレイン領域６１１ｃを露出するように部分的に除去される。

層間絶縁膜６１５上には、データライン（ＤＬ）（図１参照）、データライン（ＤＬ）から分岐したソース電極６１６、ドレイン電極６１７、及びキャパシタ６２０の第２電極６２２が具備される。

ソース電極６１６は、露出された第１アクティブ層６１１のソース領域６１１ｂと電気的に連結され、ドレイン電極６１７は、露出された第１アクティブ層６１１のドレイン領域６１１ｃと電気的に連結される。

キャパシタ６２０の第２電極６２２は、第１電極６２１が形成された領域に具備される。これによって、第１電極６２１と第２電極６２２との間に位置する層間絶縁膜６１５は、キャパシタ６２０の誘電膜（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｌａｙｅｒ）の役割を果たす。

ソース電極６１６、ドレイン電極６１７、及び第２電極６２２が形成された層間絶縁膜６１５の上部には、保護膜１４０及び有機絶縁膜１５０が順次具備される。保護膜１４０及び有機絶縁膜１５０は、第２電極６２２を露出するように部分的に除去されて形成されたコンタクトホール（ＣＨ）を有する。保護膜１４０は、約２０００Åの厚さを有することが望ましく、有機絶縁膜１５０は約３．６μｍの厚さを有することが望ましい。

有機絶縁膜１５０の上面には、コンタクトホール（ＣＨ）を通じてドレイン電極１２６と電気的に連結される画素電極１３０が具備される。

図面には示していないが、画素電極１３０の上部には、外部から入射される光を反射するために反射電極を更に具備してもよい。

図４は、図１に示した第１基板の周辺領域（ＰＡ）を示した平面図である。

図１及び図４を参照すると、周辺領域（ＰＡ）は、少なくとも二つ以上の出力ライン（ＯＬ）が位置する第１周辺領域（ＰＡ１）、及び第１周辺領域（ＰＡ１）と隣接し、複数の出力ライン（ＯＬ）が位置しない第２周辺領域（ＰＡ２）で構成される。可撓性回路基板４６０は、第１周辺領域（ＰＡ１）及び第２周辺領域（ＰＡ２）に付着される。

出力ライン（ＯＬ）は、所定の間隔に離隔して位置し、可撓性回路基板４６０と隣接した第１端部に可撓性回路基板４６０と電気的に連結される第１パッドが形成される。図面には示していないが、出力ライン（ＯＬ）は、駆動チップ４２０と隣接した第２端部に駆動チップ４２０と電気的に連結される第２パッドが形成される。

出力ライン（ＯＬ）の上部には、有機絶縁膜１５０が具備される。有機絶縁膜１５０は、第１周辺領域（ＰＡ１）に位置して出力ライン（ＯＬ）を保護する。図面には示していないが、有機絶縁膜１５０の下に具備される保護膜１４０（図２参照）も有機絶縁膜１５０と同様に第１周辺領域（ＰＡ１）に位置する。

有機絶縁膜１５０は、互いに隣接した二つの第１パッド（ＩＰ１、ＩＰ２）との間で部分的に除去され、第１ビアホール（ＶＨ１）を形成する。即ち、互いに隣接した第１出力ライン（ＯＬ１）及び第２出力ライン（ＯＬ２）の第１端部には、可撓性回路基板４６０と連結される第１パッド（ＩＰ１、ＩＰ２）がそれぞれ形成される。第１出力ライン（ＯＬ１）の第１パッド（ＩＰ１）と第２出力ライン（ＯＬ２）の第１パッド（ＩＰ２）との間には、少なくとも二つ以上の第１ビアホール（ＶＨ１）が具備される。

図面には示していないが、第１ビアホール（ＶＨ１）は、出力ライン（ＯＬ）のパッド側及びデータライン（ＤＬ）の端部に形成されたパッド側にも上述のように同一の構造として具備される。

有機絶縁膜１５０は、出力ライン（ＯＬ）の第１パッドを露出するように部分的に除去されて形成された第２ビアホール（ＶＨ２）を具備する。

有機絶縁膜１５０の上部には、第２ビアホール（ＶＨ２）を通じてそれぞれの第１パッド（ＩＰ１、ＩＰ２）と電気的に連結される透明電極１６０が具備される。透明電極１６０は、画素電極１３０と同一の材質からなり、それぞれの第１パッド（ＩＰ１、ＩＰ２）に対応して位置する。

図５は、図４に示した「Ａ」部分を拡大して示した平面図である。

図５を参照すると、互いに隣接した二つの第１ビアホール（ＶＨ１＿１、ＶＨ１＿２）は、所定の間隔に離隔して位置する。二つの第１ビアホール（ＶＨ１＿１、ＶＨ１＿２）の間隔が近すぎると、二つの第１ビアホール（ＶＨ１＿１、ＶＨ１＿２）の間に位置する有機絶縁膜１５０が剥離されるおそれがある。これを防止するために、隣接した二つの第１ビアホール（ＶＨ１＿１、ＶＨ１＿２）の間隔（Ｗ１）は、第１ビアホール（ＶＨ１＿１、ＶＨ１＿２）が有する幅（Ｗ２）の約７０％以上になるように形成される。

また、第１ビアホール（ＶＨ１＿１、ＶＨ１＿２）と第２ビアホール（ＶＨ２）との間隔が近すぎる場合、第１ビアホール（ＶＨ１＿１、ＶＨ１＿２）と第２ビアホール（ＶＨ２）との間に位置する有機絶縁膜１５０が剥離するおそれがある。これを防止するために、第１ビアホール（ＶＨ１＿１、ＶＨ１＿２）と第１パッド（ＩＰ１、ＩＰ２）との間隔（Ｗ３）は、第１ビアホール（ＶＨ１＿１、ＶＨ１＿２）が有する幅（Ｗ２）の約７０％以上になるよう形成される。

図６は、図４に示した第１ビアホールの他の一例を示した平面図である。

図６を参照すると、第１ビアホール（ＶＨ１）は、互いに隣接する二つの第１パッド（ＩＰ１、ＩＰ２）との間に位置し、二つのパッド（ＩＰ１、ＩＰ２）が延びられる方向に延伸して形成される。すなわち、第１ビアホール（ＶＨ１）は、パッド（ＩＰ１、ＩＰ２）の長手方向に延びられた形状を有する。隣接した二つのパッド（ＩＰ１、ＩＰ２）との間には、一つの第１ビアホール（ＶＨ１）が位置し、第１ビアホール（ＶＨ１）の長さは、二つのパッド（ＩＰ１、ＩＰ２）の長さとほぼ同一に形成される。

図７は、図４のＩ−Ｉ’に沿って見た断面図である。

図４及び図７を参照すると、透明基板１１０上に形成されたゲート絶縁膜１２２の上部には、第１出力ライン（ＯＬ１）が形成される。第１出力ライン（ＯＬ１）の第１端部に形成された第１パッド（ＩＰ１、ＩＰ２）は、第１周辺領域（ＰＡ１）に具備される。

第１出力ライン（ＯＬ）が形成されたゲート絶縁膜１２２の上部には、保護膜１４０及び有機絶縁膜１５０が具備される。保護膜１４０及び有機絶縁膜１５０は、第１周辺領域（ＰＡ１）で部分的に除去され、第１ビアホール（ＶＨ１）及び第２ビアホール（ＶＨ２）を形成する。

有機絶縁膜１５０の上部に具備された透明電極１６０は、第２ビアホール（ＶＨ２）を通じて第１パッド（ＩＰ１、ＩＰ２）と接する。

図８は、図１基板と可撓性回路基板との結合関係を示した断面図である。

図８を参照すると、第１基板１００の第１周辺領域（ＰＡ１）及び第２周辺領域（ＰＡ２）には、可撓性回路基板４６０が付着される。可撓性回路基板４６０は、ベース基板４６１、及びベース基板４６１上に形成され、各種信号を伝送する配線（図示せず）を具備する。前記配線は、第１基板１００と隣接した端部に第１パッド（ＩＰ）と電気的に連結される出力パッド４６２が具備される。出力パッド４６２は、第１パッド（ＩＰ）と対応して位置する。

第１基板１００と可撓性回路基板４６０との間には、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｆｉｌｍ）（導電性接着部材）４８０が介在される。異方性導電フィルム４８０は、接着性を有する接着物質（異方性導電物質）からなり、可撓性回路基板４６０を第１基板１００に付着される。異方性導電フィルム４８０は、導電性を有する導電粒子（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｐａｒｔｉｃｌｅｓ）（異方性導電物質）４８１を具備し、導電粒子４８１は、出力パッド４６２と透明電極１６０を電気的に連結する。すなわち、可撓性回路基板４６０は、周辺領域（ＰＡ）に固定され、可撓性回路基板４６０から出力された画像信号を駆動チップ４２０に伝送する導電性接着部材を含んでいる。

図８に示すように、パッド（ＩＰ）の間に形成された第１ビアホール（ＶＨ１）は、第１周辺領域（ＰＡ１）で第１パッド（ＩＰ）が具備された領域と第１パッド（ＩＰ）が離隔された領域間の段差を減少させて異方性導電フィルム４８０が第１基板１００から分離することを防止する。即ち、第２ビアホール（ＶＨ２）領域は、保護膜１４０及び有機絶縁膜１５０が除去されるので、保護膜１４０及び有機絶縁膜１５０が残っている第２ビアホール（ＶＨ２）の周辺領域、即ち、第１パッド（ＩＰ）の離隔された領域の厚さより薄い厚さを有する。

したがって、第２ビアホール（ＶＨ２）に位置する異方性導電フィルム４８０が剥離される可能性がある。第１ビアホール（ＶＨ１）は、第２ビアホール（ＶＨ２）領域と第１パッド（ＩＰ）の離隔された領域間の厚さの差を減少させ、異方性導電フィルム４８０の分離を防止する。これによって、液晶表示装置６００は、可撓性回路基板４６０と第１基板１００との結合力を向上させることができるので、製品の収率を向上させることができる。

第２周辺領域（ＰＡ２）は可撓性回路基板４６０が付着されるが、出力ラインの端部に形成される第１パッド部（ＩＰ）が具備しない領域、即ち、透明基板１１０のエッジ領域である。第２周辺領域（ＰＡ２）に位置する保護膜１４０及び有機絶縁膜１５０は、完全除去され、第２周辺領域（ＰＡ２）で異方性導電フィルム４８０が第１基板１００に完全密着するようにする。これによって、液晶表示装置６００は、可撓性回路基板４６０と第１基板１００との結合力を向上させることができるので、製品の収率を向上させることができる。

図９乃至図１３は、図８に示した液晶表示装置の製造過程を示した固定断面図である。

図９を参照すると、透明基板１１０上にゲート絶縁膜１２２を蒸着し、ゲート絶縁膜１２２上に導電性金属物質を塗布する。前記導電性金属物質を、フォトリソグラフィ（ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）工程を通じてパターニングして出力ライン（ＯＬ）（図４参照）を形成し、第１周辺領域（ＰＡ）に位置する出力ライン（ＯＬ）の第１端部に第１パッド（ＩＰ）を形成する。図面には示していないが、出力ライン（ＯＬ）は、データライン（ＤＬ）、ソース電極１２５、及びドレイン電極１２６と共に形成される（図１参照）。

図１０及び図１１を参照すると、第１パッド（ＩＰ）が形成されたゲート絶縁膜１２２の上部に保護膜１４０及び有機絶縁膜１５０を順次蒸着する。有機絶縁膜１５０は、紫外線（ＵＶ）が部分的に透過されるスリット部（ＳＡ）及び紫外線（ＵＶ）が完全透過する透過部（ＴＡ）を有するスリットマスク７００を用いて露光される。スリット部（ＳＡ）は、第１ビアホール（ＶＨ１）及び第２ビアホール（ＶＨ２）が形成される領域と対応して位置し、透過部（ＴＡ）は、第２周辺領域（ＰＡ２）と対応して位置する。

保護膜１４０及び有機絶縁膜１５０は、スリットマスク７００を用いたフォトリソグラフィ工程を通じてパターニングされ、第２周辺領域（ＰＡ２）から完全除去され、第１ビアホール（ＶＨ１）及び第２ビアホール（ＶＨ２）が形成される。

図１２を参照すると、保護膜１４０及び有機絶縁膜１５０が形成された透明基板１１０上に透明な導電性金属物質を塗布する。導電性金属物質は、フォトリソグラフィ工程を通じてパターニングされ、第２ビアホール（ＶＨ２）をカバーする透明電極１６０を形成する。図面には示していないが、表示領域（ＤＰ）に位置する導電性金属物質はパターニングされ、画素電極１３０を形成する。

図１３を参照すると、透明電極１６０が形成された第１基板１００上の第１周辺領域（ＰＡ１）及び第２周辺領域（ＰＡ２）に異方性導電フィルム４８０が付着され、異方性導電フィルム４８０上に可撓性回路基板４６０（図８参照）が付着される。

図１４は、図１に示した第１基板と駆動チップとの結合関係を示した断面図である。

図１４を参照すると、透明基板１１０上に形成されたゲート絶縁膜１２２の上部には、出力ライン（ＯＬ）が形成される。出力ライン（ＯＬ）の第２端部に形成された第２パッド（ＯＰ１、ＯＰ２）は、駆動チップ４２０と隣接して位置する。

出力ライン（ＯＬ）が形成されたゲート絶縁膜１２２の上部には保護膜１４０及び有機絶縁膜１５０が具備される。互いに隣接した二つの第２パッド（ＯＰ１、ＯＰ２）との間に位置する保護膜１４０及び有機絶縁膜１５０は、部分的に除去されて第１ビアホール（ＶＨ１）を形成する。第２パッド（ＯＰ１、ＯＰ２）の上部に位置する保護膜１４０及び有機絶縁膜１５０は、第２パッド（ＯＰ１、ＯＰ２）を部分的に露出するように除去され、第２ビアホール（ＶＨ２）を形成する。

有機絶縁膜１５０上に具備された透明電極１６０は、第２ビアホール（ＶＨ２）を通じて第２パッド（ＯＰ１、ＯＰ２）と電気的に連結される。

第１基板１００の第２パッド（ＯＰ１、ＯＰ２）が形成された領域には駆動チップ４２０が付着される。駆動チップ４２０は、第２パッド（ＯＰ１、ＯＰ２）と対応するように位置し、第２パッド（ＯＰ１、ＯＰ２）と電気的に連結される出力端子４２１を具備する。

第１基板１００と駆動チップ４２０との間には、異方性導電フィルム４８０が介在される。異方性導電フィルム４８０は、駆動チップ４２０を第１基板１００に付着し、出力端子４２１と第２パッド（ＯＰ１、ＯＰ２）上に位置する透明電極１６０を電気的に連結する。

第１基板１００に具備された第１ビアホール（ＶＨ１）は、第２パッド（ＯＰ１、ＯＰ２）が具備された領域と第２パッド（ＯＰ１、ＯＰ２）が互いに離隔された領域間の段差を減少させ、異方性導電フィルム４８０が第１基板１００から分離することを防止する。これによって、液晶表示装置６００は、異方性導電フィルム４８０の分離を防止することができるので、駆動チップ４２０と第１基板１００との結合力を向上させることができ、製品の収率を向上させることができる。

前述した本発明によると、液晶表示装置は第１基板に形成された配線のパッド間に位置する有機絶縁膜を部分的に除去して、第２ビアホールと第２ビアホールの周辺部との段差を減少させることで、異方性導電フィルムが第１基板に安定的に付着される。これによって、液晶表示装置は、異方性導電フィルムを媒介として第１基板に付着される可撓性回路基板及び駆動チップと第１基板との結合力を向上させることができる。

第１基板は、可撓性回路基板及び駆動チップとの結合力が向上することによって、可撓性回路基板及び駆動チップから画像を表示するのに要求される各種信号を安定的に受信することができる。これによって、液晶表示装置は可撓性回路基板及び駆動チップと第１基板との接触欠陥によって非正常的な画像が表示されることを防止することができるので、製品の収率を向上することができる。

以上、本発明の実施形態を詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と範囲を離脱することなく、本発明を修正または変更できる。

本発明の一実施形態による液晶表示装置を示した図面である。 図１に示した第１基板を示した断面図である。 図２に示した第１基板の他の一例を示した断面図である。 図１に示した第１基板の周辺領域を示した平面図である。 図４に示した「Ａ」部分を拡大して示した平面図である。 図４に示した第１ビアホールの他の一例を示した平面図である。 図４の切断線Ｉ−Ｉ’による断面図である。 図１に示した第１基板の可撓性回路基板との結合関係を示した断面図である。 図８に示した液晶表示装置の製造過程を示した固定断面図である。 図８に示した液晶表示装置の製造過程を示した固定断面図である。 図８に示した液晶表示装置の製造過程を示した固定断面図である。 図８に示した液晶表示装置の製造過程を示した固定断面図である。 図８に示した液晶表示装置の製造過程を示した固定断面図である。 図１に示した第１基板と駆動チップとの結合関係を示した平面図である。

符号の説明

１００、６００ 第１基板、
１２０、６１０ 薄膜トランジスタ、
１３０ 画素電極、
１４０ 保護膜、
１５０ 有機絶縁膜、
１６０ 透明電極、
２００ 第２基板、
３００ 液晶表示パネル、
４２０ 駆動チップ、
４４０ ゲート駆動回路、
４６０ 可撓性回路基板、
４８０ 異方性導電フィルム、
４８１ 導電粒子、
５００ 液晶表示装置。

Claims (18)

1. 画像信号に対応する画像を表示する第１領域、及び前記第１領域と隣接する第２領域で構成された基板と、
   前記基板上に具備されて前記画像信号を伝送する信号伝送部と、
   前記信号伝送部が形成された前記基板上に位置する絶縁膜を具備する表示パネルと、
   前記基板の前記第２領域に位置し、前記信号伝送部と電気的にされ、前記画像信号を前記信号伝送部に提供する信号生成部と、を含み、
   前記信号伝送部は、少なくとも二つ以上の信号ラインで構成され、各信号ラインは前記信号生成部と隣接した端部にパッドが形成され、
   前記絶縁膜は、互いに隣接した二つのパッドの間で部分的に除去されて形成された第１ビアホールを有することを特徴とする表示装置。
2. 前記信号生成部を前記第２領域に固定し、前記信号生成部から出力された前記画像信号を前記信号伝送部に伝送する導電性接着部材を更に含むことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
3. 前記導電性接着部材は、異方性導電物質を含むことを特徴とする請求項２記載の表示装置。
4. 前記第１ビアホールは、前記パッドの長手方向に延びられた形状を有することを特徴とする請求項１記載の表示装置。
5. 前記互いに隣接した二つのパッドの間には、少なくとも二つ以上の第１ビアホールが具備されることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
6. 互いに隣接した二つの第１ビアホール間の間隔は、前記第１ビアホールが有する幅の７０％以上であることを特徴とする請求項５記載の表示装置。
7. 前記パッドと前記第１ビアホールとの間隔は、前記第１ビアホールが有する幅の７０％以上であることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
8. 前記信号生成部は、半導体チップまたは可撓性回路基板のうちいずれか一つであることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
9. 前記第２領域の絶縁膜は、前記信号伝送部が具備された領域を除いた残りの領域に位置する絶縁膜が除去されることを特徴とする請求項８記載の表示装置。
10. 前記表示パネルは、基板と、
    前記基板上の前記第１領域に具備され、前記信号伝送部と電気的に連結されたスイッチング素子を含み、
    前記絶縁膜は、前記信号伝送部及び前記スイッチング素子が形成された前記基板上に位置することを特徴とする請求項１記載の表示装置。
11. 前記絶縁膜は、前記パッドの上部にて前記パッドを部分的に露出するように除去されて形成された第２ビアホールを具備することを特徴とする請求項１０記載の表示装置。
12. 前記スイッチング素子は、低温多結晶シリコンを含むことを特徴とする請求項１０記載の表示装置。
13. 前記スイッチング素子は、非晶質シリコンを含むことを特徴とする請求項１０記載の表示装置。
14. 前記表示パネルは、前記絶縁膜の上面に具備され、前記信号伝送部と前記信号生成部とを電気的に連結する透明電極を更に含むことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
15. 画像信号に対応する画像を表示する第１領域、及び前記第１領域と隣接した第２領域に構成された基板上に前記画像信号を伝送する少なくとも二つ以上の信号ラインで構成された信号伝送部を形成する段階と、
    前記信号伝送部が形成された前記基板上に絶縁膜を形成する段階と、
    互いに隣接した二つの信号ラインのパッドの間に位置する前記絶縁膜を部分的に除去して第１ビアホールを形成する段階と、
    前記基板の前記第２領域に前記画像信号を前記信号伝送部に提供する信号生成部を実装する段階と、を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
16. 前記信号生成部を実装する段階は、
    前記基板の前記第２領域に前記信号伝送部と電気的に連結される導電性接着部材を付着する段階と、
    前記導電性接着部材上に前記信号生成部を付着する段階と、を含むことを特徴とする請求項１５記載の表示装置の製造方法。
17. 前記第２領域で前記信号伝送部が具備された領域を除いた残りの領域に位置する前記絶縁膜を除去する段階を更に含むことを特徴とする請求項１５記載の表示装置の製造方法。
18. 前記絶縁膜は、部分露光工程によってスリット形状で形成されることを特徴とする請求項１５記載の表示装置の製造方法。

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