JP5525692B2 - 表示基板とその製造方法、及びこれを具備した表示装置 - Google Patents
表示基板とその製造方法、及びこれを具備した表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5525692B2 JP5525692B2 JP2008040140A JP2008040140A JP5525692B2 JP 5525692 B2 JP5525692 B2 JP 5525692B2 JP 2008040140 A JP2008040140 A JP 2008040140A JP 2008040140 A JP2008040140 A JP 2008040140A JP 5525692 B2 JP5525692 B2 JP 5525692B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic film
- display
- insulating layer
- hole
- display substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 208
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 106
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 106
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 76
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 38
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 155
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 41
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 12
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 4
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13458—Terminal pads
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13452—Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133553—Reflecting elements
- G02F1/133555—Transflectors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136231—Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps
- G02F1/136236—Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps using a grey or half tone lithographic process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
前記表示基板は、前記画素電極の下に形成された第1有機膜と、前記第1有機膜の下に形成された第1絶縁層と、前記第1絶縁層の下に形成された第2絶縁層と、を備え、前記ホールは、前記周辺領域に形成された前記第1有機膜及び前記第1絶縁層を同時にパターニングして形成され、各ホールが形成された領域に形成され、前記各ホールによって露出するダミーパターンを更に含む。
図2は、図1に示した表示基板の断面図である。
図3、図4、及び図5は、図2に示した表示基板の製造工程図である。
図6は、本発明の第2実施例による表示基板の断面図である。
図7及び図8は、図6に示した表示基板の製造工程図である。
図9は、本発明の第3実施例による表示装置の断面図である。
図10は、本発明の第4実施例による表示装置の断面図である。
図11は、本発明の第5実施例による表示装置の断面図である。
図12は、本発明の第6実施例による表示装置の断面図である。
図13は、本発明の第7実施例による表示基板の断面図である。
図14は、本発明の第8実施例による表示基板の断面図である。
図15は、本発明の第9実施例による表示基板の断面図である。
図16は、本発明の第10実施例による表示基板の断面図である。
図17は、本発明の第11実施例による表示基板の断面図である。
101 ベース基板
110 ゲート絶縁層
120 保護絶縁層
130、130a 有機膜
130b 第1有機膜
150 導電性接着部材
210 パッド部
210a 入力パッド
210b 出力パッド
211 パッド
211a パッドパターン
211b パッド電極
220 接着部
230 ゲート回路部
231 ゲート金属パターン
232 ソース金属パターン
250、260 マスク
251、261 露光部
252、262 ハーフ露光部
253、263 遮光部
330 密封部材
400、400a、400b,400c 対向基板
410 遮光層
420、420a カラーフィルタ層
421 ライトホール
430 第2有機膜
440 共通電極層
500、500a、500b 液晶層
600 ソース集積回路
610 端子
Claims (54)
- ベース基板の表示領域に形成された画素電極と、
前記表示領域を取り囲む周辺領域に形成されたパッド部と、
前記パッド部と隣接した領域に形成された複数のホールを含む接着部と、
前記パッド部及び前記接着部上に形成されて前記パッド部と集積回路の端子とを電気的に接続する導電性接着部材と、
前記画素電極の下に形成された有機膜と、
前記有機膜と前記ベース基板との間に形成された第1絶縁層と、
前記第1絶縁層と前記ベース基板との間に形成された第2絶縁層と、を備え、
前記ホールは、前記周辺領域に形成された前記有機膜及び前記第1絶縁層を同時にパターニングして形成され、
各ホールによって露出するダミーパターンを更に備える、ことを特徴とする表示基板。 - 前記ホールは、前記周辺領域に形成された前記有機膜をパターニングして形成され、
前記導電性接着部材は、前記ホールを通じて露出した前記第1絶縁層と接着されることを特徴とする請求項1記載の表示基板。 - 前記ホールは、前記周辺領域に形成された前記有機膜及び前記第1絶縁層を同時にパターニングして形成され、
前記導電性接着部材は、前記ホールを通じて露出した前記第2絶縁層と接着されることを特徴とする請求項1記載の表示基板。 - 前記画素電極と電気的に連結され、第1金属層で形成されたゲート電極とチャンネル層で形成されたチャンネル部と第2金属層で形成されたソース及びドレイン電極とを含むスイッチング素子を更に備えることを特徴とする請求項1記載の表示基板。
- 前記ダミーパターンは、前記チャンネル層がパターニングされて形成されることを特徴とする請求項4記載の表示基板。
- 前記ダミーパターンは、前記第2金属層がパターニングされて形成されることを特徴とする請求項4記載の表示基板。
- 前記ダミーパターンは、積層された前記チャンネル層及び第2金属層がパターニングされて形成されることを特徴とする請求項4記載の表示基板。
- 前記ダミーパターンと前記ベース基板との間に形成された段差補償パターンを更に備えることを特徴とする請求項4記載の表示基板。
- 前記段差補償パターンは、前記第1金属層がパターニングされて形成されることを特徴とする請求項8記載の表示基板。
- 前記ホールは、前記周辺領域に形成された前記有機膜、前記第1絶縁層、及び前記第2絶縁層を同時にパターニングして形成され、
前記導電性接着部材は、前記ホールを通じて露出した前記ベース基板と接着されることを特徴とする請求項1記載の表示基板。 - 前記画素電極は、透明電極及び反射電極を含むことを特徴とする請求項1記載の表示基板。
- 前記有機膜は、前記反射電極が形成された領域に形成されることを特徴とする請求項11記載の表示基板。
- 前記有機膜には、凹パターン及び凸パターンが形成されることを特徴とする請求項12記載の表示基板。
- 前記有機膜は、前記パッド部が形成された周辺領域で第1厚みに形成され、前記画素電極が形成された表示領域で前記第1厚みより厚い第2厚みに形成されることを特徴とする請求項1記載の表示基板。
- 前記周辺領域に形成されたゲート回路部を更に備えることを特徴とする請求項1記載の表示基板。
- 前記周辺領域に形成された前記有機膜は、前記ゲート回路部を覆うことを特徴とする請求項15記載の表示基板。
- ベース基板の表示領域に形成された画素電極と、
前記表示領域を取り囲む周辺領域に形成されたパッド部と、
前記パッド部と隣接した領域に形成された複数のホールを含み、集積回路が実装される回路部と、
前記画素電極の下に形成された有機膜と、
前記有機膜と前記ベース基板との間に形成された第1絶縁層と、
前記第1絶縁層と前記ベース基板との間に形成された第2絶縁層と、を備え、
前記ホールは、前記周辺領域に形成された前記有機膜及び前記第1絶縁層を同時にパターニングして形成され、
各ホールが形成された領域に形成され、前記各ホールによって露出するダミーパターンを更に備える、ことを特徴とする表示基板。 - 前記ホールは、前記周辺領域に形成された前記有機膜をパターニングして形成されることを特徴とする請求項17記載の表示基板。
- 前記画素電極と電気的に連結され、第1金属層で形成されたゲート電極とチャンネル層で形成されたチャンネル部と第2金属層で形成されたソース及びドレイン電極とを含むスイッチング素子を更に備えることを特徴とする請求項17記載の表示基板。
- 前記ダミーパターンは、前記チャンネル層がパターニングされて形成されることを特徴とする請求項19記載の表示基板。
- 前記ダミーパターンは、前記第2金属層がパターニングされて形成されることを特徴とする請求項19記載の表示基板。
- 前記ダミーパターンは、積層された前記チャンネル層及び第2金属層がパターニングされて形成されることを特徴とする請求項19記載の表示基板。
- 前記ダミーパターンと前記ベース基板との間に形成された段差補償パターンを更に備えることを特徴とする請求項19記載の表示基板。
- 前記段差補償パターンは、前記第1金属層がパターニングされて形成されることを特徴とする請求項23記載の表示基板。
- 前記ホールは、前記周辺領域に形成された前記有機膜、前記第1絶縁層、及び前記第2絶縁層を同時にパターニングして形成されることを特徴とする請求項17記載の表示基板。
- 前記画素電極は、透明電極及び反射電極を含むことを特徴とする請求項17記載の表示基板。
- 前記有機膜は、前記反射電極が形成された領域に形成されることを特徴とする請求項26記載の表示基板。
- 前記有機膜には、凹パターン及び凸パターンが形成されることを特徴とする請求項27記載の表示基板。
- 前記有機膜は、前記パッド部が形成された周辺領域で第1厚みに形成され、前記画素電極が形成された表示領域で前記第1厚みより厚い第2厚みに形成されることを特徴とする請求項17記載の表示基板。
- 前記周辺領域に形成されたゲート回路部を更に備えることを特徴とする請求項17記載の表示基板。
- 前記周辺領域に形成された前記有機膜は、前記ゲート回路部を覆うことを特徴とする請求項30記載の表示基板。
- ベース基板の表示領域にスイッチング素子を形成し、該表示領域を取り囲む周辺領域にパッドパターンを形成する段階と、
前記パッドパターンが形成されたベース基板上に有機膜を形成する段階と、
前記有機膜をパターニングして前記パッドパターンと隣接した領域に複数のホールを含む接着部を形成する段階と、
前記スイッチング素子と連結される画素電極及び前記パッドパターンと連結されるパッド電極を形成する段階と、
前記パッド電極と集積回路の端子とを電気的に接続する導電性接着部材を前記パッド電極及び前記接着部上に形成する段階と、
前記有機膜と前記ベース基板との間に形成された第1絶縁層を形成する段階と、を有し、
前記ホールは、前記周辺領域に形成された前記有機膜及び前記第1絶縁層を同時にパターニングして形成され、
各ホールによって露出するダミーパターンを更に含む、ことを特徴とする表示基板の製造方法。 - 前記導電性接着部材は、前記ホールを通じて露出した前記第1絶縁層と接着されることを特徴とする請求項32記載の表示基板の製造方法。
- 前記第1絶縁層と前記ベース基板との間に形成された第2絶縁層を形成する段階を更に有することを特徴とする請求項32記載の表示基板の製造方法。
- 前記接着部を形成する段階は、
前記有機膜及び前記第1絶縁層を同時にパターニングして前記ホールを形成することを特徴とする請求項34記載の表示基板の製造方法。 - 前記導電性接着部材は、前記ホールを通じて露出した前記第2絶縁層と接着されることを特徴とする請求項35記載の表示基板の製造方法。
- 前記周辺領域にゲート回路部を形成する段階を更に有することを特徴とする請求項32記載の表示基板の製造方法。
- 前記有機膜を形成する段階は、
前記ゲート回路部を覆うように前記有機膜を形成することを特徴とする請求項37記載の表示基板の製造方法。
- 画素電極が形成されたベース基板の表示領域、該表示領域を取り囲む周辺領域に形成されたパッド部、及び、該パッド部に隣接した領域に形成された複数のホールを含む接着部、を含む表示基板、並びに、該表示基板と向かい合う対向基板を有する表示パネルと、
前記パッド部及び前記接着部上に形成された導電性接着部材と、
前記導電性接着部材を通じて前記パッド部と電気的に接続された集積回路と、を含み、
前記表示基板は、前記画素電極の下に形成された第1有機膜と、
前記第1有機膜の下に形成された第1絶縁層と、
前記第1絶縁層の下に形成された第2絶縁層と、を備え、
前記ホールは、前記周辺領域に形成された前記第1有機膜及び前記第1絶縁層を同時にパターニングして形成され、
各ホールが形成された領域に形成され、前記各ホールによって露出するダミーパターンを更に含む、ことを特徴とする表示装置。 - 前記ホールは、前記周辺領域に形成された前記第1有機膜をパターニングして形成され、
前記導電性接着部材は、前記ホールを通じて露出した前記第1絶縁層と接着されることを特徴とする請求項39記載の表示装置。 - 前記ホールは、前記周辺領域に形成された前記第1有機膜及び前記第1絶縁層を同時にパターニングして形成され、
前記導電性接着部材は、前記ホールを通じて露出した前記第2絶縁層と接着されることを特徴とする請求項39記載の表示装置。 - 前記画素電極と電気的に連結され、第1金属層で形成されたゲート電極とチャンネル層で形成されたチャンネル部と第2金属層で形成されたソース及びドレイン電極とを含むスイッチング素子を更に含むことを特徴とする請求項39記載の表示装置。
- 前記ダミーパターンは、前記チャンネル層がパターニングされて形成されることを特徴とする請求項42記載の表示装置。
- 前記ダミーパターンは、前記第2金属層がパターニングされて形成されることを特徴とする請求項42記載の表示装置。
- 前記ダミーパターンは、積層された前記チャンネル層及び第2金属層がパターニングされて形成されることを特徴とする請求項42記載の表示装置。
- 前記ダミーパターンと前記ベース基板との間に形成された段差補償パターンを更に含むことを特徴とする請求項42記載の表示装置。
- 前記段差補償パターンは、前記第1金属層がパターニングされて形成されることを特徴とする請求項46記載の表示装置。
- 前記ホールは、前記周辺領域に形成された前記有機膜、前記第1絶縁層、及び前記第2絶縁層を同時にパターニングして形成され、
前記導電性接着部材は、前記ホールを通じて露出した前記ベース基板と接着されることを特徴とする請求項39記載の表示装置。 - 前記画素電極は、反射電極及び透明電極を含むことを特徴とする請求項39記載の表示装置。
- 前記第1有機膜は、前記反射電極が形成された領域に形成されることを特徴とする請求項49記載の表示装置。
- 前記第1有機膜には、凹パターン及び凸パターンが形成されることを特徴とする請求項50記載の表示装置。
- 前記対向基板は、ライトホールが形成されたカラーフィルタ層を含み、
前記ライトホールは、前記反射電極が形成された領域に形成されることを特徴とする請求項49記載の表示装置。 - 前記対向基板は、前記反射電極に対応する領域に形成された第2有機膜を更に含むことを特徴とする請求項52記載の表示装置。
- 前記第1有機膜は、前記パッド部が形成された周辺領域で第1厚みに形成され、前記画素電極が形成された表示領域で前記第1厚みより厚い第2厚みに形成されることを特徴とする請求項39記載の表示装置。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2007-0017967 | 2007-02-22 | ||
KR20070017967A KR101365118B1 (ko) | 2007-02-22 | 2007-02-22 | 표시 기판과, 이의 제조 방법 및 이를 구비한 표시 장치 |
KR10-2007-0043674 | 2007-05-04 | ||
KR1020070043674A KR20080098242A (ko) | 2007-05-04 | 2007-05-04 | 표시 기판 및 이를 구비한 표시 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008203858A JP2008203858A (ja) | 2008-09-04 |
JP5525692B2 true JP5525692B2 (ja) | 2014-06-18 |
Family
ID=39714862
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008040140A Active JP5525692B2 (ja) | 2007-02-22 | 2008-02-21 | 表示基板とその製造方法、及びこれを具備した表示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7796228B2 (ja) |
JP (1) | JP5525692B2 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5525692B2 (ja) * | 2007-02-22 | 2014-06-18 | 三星ディスプレイ株式會社 | 表示基板とその製造方法、及びこれを具備した表示装置 |
TWI613489B (zh) * | 2008-12-03 | 2018-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 液晶顯示裝置 |
US8698391B2 (en) * | 2009-04-29 | 2014-04-15 | Global Oled Technology Llc | Chiplet display with oriented chiplets and busses |
BR112012008252A2 (pt) * | 2009-10-08 | 2016-03-08 | Sharp Kk | dispositivo de exibição de cristal líquido e método para a produção do mesmo. |
JP5479603B2 (ja) * | 2010-08-31 | 2014-04-23 | シャープ株式会社 | 表示パネルおよびその製造方法 |
KR101928983B1 (ko) * | 2011-07-20 | 2018-12-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판 제조 방법 |
KR101291188B1 (ko) * | 2012-04-20 | 2013-07-31 | 숭실대학교산학협력단 | 다중 출력 스위칭 모드 전원 공급 제어장치 |
TWI595621B (zh) | 2012-07-03 | 2017-08-11 | 元太科技工業股份有限公司 | 畫素結構及其製造方法 |
KR102011274B1 (ko) * | 2012-12-10 | 2019-08-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판의 제조 방법 |
CN104934444B (zh) * | 2015-05-11 | 2018-01-02 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 共平面型氧化物半导体tft基板结构及其制作方法 |
KR102351410B1 (ko) | 2015-06-02 | 2022-01-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 모듈, 차량용 표시 장치, 및 표시 모듈의 제조 방법 |
TWI559511B (zh) * | 2016-03-03 | 2016-11-21 | 友達光電股份有限公司 | 導電元件基板、導電元件基板的製造方法以及顯示面板 |
KR102615177B1 (ko) | 2016-10-06 | 2023-12-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 평판표시장치 |
US11271057B2 (en) * | 2020-02-12 | 2022-03-08 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Array substrate, manufacturing method thereof, and display panel |
CN112736055B (zh) * | 2020-12-30 | 2023-11-24 | 合肥维信诺科技有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2830681B2 (ja) | 1993-03-08 | 1998-12-02 | ソニーケミカル株式会社 | Icチップ実装方法 |
US5834327A (en) * | 1995-03-18 | 1998-11-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for producing display device |
JP3139549B2 (ja) * | 1999-01-29 | 2001-03-05 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
JP3180800B2 (ja) | 1999-04-08 | 2001-06-25 | カシオ計算機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2001077501A (ja) * | 1999-09-03 | 2001-03-23 | Seiko Epson Corp | フレキシブル配線基板、電気光学装置および電子機器 |
JP3365367B2 (ja) | 1999-09-14 | 2003-01-08 | ソニーケミカル株式会社 | Cog実装品および接続材料 |
US6698077B2 (en) * | 2000-12-27 | 2004-03-02 | International Business Machines Corporation | Display fabrication using modular active devices |
KR20030086812A (ko) | 2002-05-07 | 2003-11-12 | 텔레포스 주식회사 | 미세 피치용 이방성 도전성 접착제 및 이를 포함하는cog 실장형 lcd 모듈 |
KR101119196B1 (ko) * | 2005-02-16 | 2012-03-22 | 삼성전자주식회사 | 표시장치 및 이의 제조 방법 |
JP5525692B2 (ja) * | 2007-02-22 | 2014-06-18 | 三星ディスプレイ株式會社 | 表示基板とその製造方法、及びこれを具備した表示装置 |
-
2008
- 2008-02-21 JP JP2008040140A patent/JP5525692B2/ja active Active
- 2008-02-22 US US12/035,556 patent/US7796228B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7796228B2 (en) | 2010-09-14 |
JP2008203858A (ja) | 2008-09-04 |
US20080203392A1 (en) | 2008-08-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5525692B2 (ja) | 表示基板とその製造方法、及びこれを具備した表示装置 | |
KR101119196B1 (ko) | 표시장치 및 이의 제조 방법 | |
KR101591476B1 (ko) | 표시 기판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치 | |
KR100385082B1 (ko) | 액정 표시 장치 | |
KR100763408B1 (ko) | 액정 표시 장치 | |
US8149365B2 (en) | Upper substrate and liquid crystal display device having the same | |
US7436480B2 (en) | Liquid crystal display device and method of fabricating the same | |
US7630047B2 (en) | Liquid crystal display and method for manufacturing the same | |
JP4036154B2 (ja) | 配線構造の製造方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器 | |
KR20060072785A (ko) | 액정 표시 패널 및 그 제조방법 | |
JP2008203856A (ja) | 表示基板、及びその製造方法、表示装置 | |
KR20060002209A (ko) | 유연성 기재 필름 본딩 방법 및 그 방법으로 본딩된 표시장치 | |
KR20060000961A (ko) | 유기 절연막을 포함하는 액정 패널 및 그 제조 방법 | |
KR101365118B1 (ko) | 표시 기판과, 이의 제조 방법 및 이를 구비한 표시 장치 | |
KR101148557B1 (ko) | 디스플레이 장치용 기판의 제조방법 | |
KR100971386B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 그 제조방법 | |
KR101354434B1 (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
KR20060093573A (ko) | 어레이 기판, 이를 갖는 표시장치 및 이의 제조방법 | |
KR102078640B1 (ko) | 표시장치 및 이의 제조 방법 | |
KR100737626B1 (ko) | 액정표시장치의 제조방법 | |
JP2004184741A (ja) | 電気光学装置と外部端子との接続構造及び電子機器 | |
KR101006781B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR20090046406A (ko) | 씨오지 타입 액정표시장치 | |
KR100200435B1 (ko) | 액정 표시 장치 | |
KR20080008703A (ko) | 어레이 기판, 이를 갖는 표시패널 및 이의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110210 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120131 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20121213 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130423 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130723 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131203 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131213 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140318 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140414 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5525692 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |