KR100352566B1 - 액티브 매트릭스 액정 표시 장치 - Google Patents

Abstract

액티브 매트릭스 액정 표시 장치에서, 더미 콘택홀들을 인접한 단자들 사이에 형성하여, 유기막 상에 남아 있는 ACF의 도전 입자로 인해 유발된 TAB와 단자의 하부 금속층과의 빈약한 접속을 방지하고, 단자의 상부층 투명 전극과 하부 금속층 간의 접속을 이루는 콘택홀들을 복수개의 미세 비아홀들로 형성하여, ACF의 도전 입자들이 상부 투명 전극 상에 충분히 남아 있게 되어도 TAB 접속 라인과 양호한 접속을 이룬다.

Description

액티브 매트릭스 액정 표시 장치{ACTIVE MATRIX LIQUID-CRYSTAL DISPLAY DEVICE}

본 발명은 액티브 매트릭스 액정 표시 장치에 관한 것으로, 특히 외부 구동 소자와 전기적으로 접속되는 단자의 구성에 관한 것이다.

액티브 매트릭스 액정 표시 장치는 적은 공간을 차지하고 저소비 전력에서 동작하는 플랫 패널 디스플레이로서 알려져 있다.

도 11a, 11b는 종래의 액티브 매트릭스 액정 표시 장치의 개념을 도시하는 것으로, 도 11a는 그 구성을 나타내고, 도 11b는 TFT 기판의 등가 회로도를 나타낸다.

이 액티브 매트릭스 액정 표시 장치는 박막 트랜지스터(TFT) 기판(1101)과 컬러 필터 기판(이하 CF 기판으로 참조됨)(1102)을 가지며, 이들 사이에는 트위스트 네마틱(TN) 액정이 샌드위치된다.

TFT 기판(1101)은 매트릭스 상에 복수개의 화소 전극(1106)을 가지며, 이들 화소 전극(1106)들은 스위칭 트랜지스터로서 기능하는 박막 트랜지스터들(TFT)(1109)에 접속된다.

주사 신호를 공급하는 주사선(1107)을 TFT의 게이트 전극에 접속하고, 표시 신호가 입력되는 데이타선(1108)은 드레인 전극에 접속하여, TFT를 구동한다.

TFT 기판(1101) 주위의 주변 영역에는 주사 및 표시 신호를 입력하기 위한 단자(1110)가 제공되고, 이들은 신호 처리 기판(TAB: taped automated bonding)(1103)에 접속된다.

부가적으로, TAB(1103)은 외부 인쇄 회로 기판(1104)에 접속된다. CF기판(1102)은 대향 전극 및 화소 각각에 대응하는, RGB 컬러층과 광차단을 위한 차광층을 가진다.

도 12a, 12b는 종래의 액티브 매트릭스 액정 표시 장치에서의 단위 소자의 평면도 및 단면도이다.

이 표시 장치에서, 표시 장치는 TFT 글래스 기판(1215) 상에 TFT(1203)가 형성되도록 구성되며, 이 TFT(1203)은 주사선(1201)에 접속된 게이트 전극(1206), 이 게이트 전극(1206)을 도포하도록 형성된 게이트 절연막(1209), 이 게이트 절연막(1209) 상에 형성되며 신호선(1202)에 접속된 드레인 전극(1208), 화소 전극에 접속된 소스 전극(1207), 이들을 피복하도록 형성된 패시베이션막(1210), 및 이 패시베이션막내에 제공된 콘택홀(1204)을 통하여 소스 전극(1207)에 접속된 화소 전극(1205)을 더 포함한다.

전술된 종래의 액티브 매트릭스 액정 표시 장치에서, 표시 장치의 주변에는 외부 기판 TAB과 각각의 배선들을 접속하기 위한 단자들이 제공된다.

도 13a, 13b, 13c는 게이트측 단자와 데이타측 단자를 나타내는 것으로, 도 13a는 그 평면도를 나타내고, 도 13b와 도 13c는 라인 A-A'와 B-B'로 표시된 방향으로 절단한 단면도들이다.

게이트측 단자(1303)에는 게이트 전극등을 형성하기 위한 게이트층 금속(1306)이 제공되고, 그 상부 일부 영역에는 콘택홀(1312)이 형성되고, 투명 전극(1310)은 화소 전극들을 형성하는데, 게이트층 금속을 도포하도록 최상위층으로서 형성된다.

데이타측 단자(1304)에는 드레인 전극을 형성하는 데이타층 메탈(1311)이 제공되며, 예를 들면, 그 상부 일부 영역에는 콘택홀(1312)이 형성되고, 투명 전극(1310)은 화소 전극을 형성하는데, 예를 들면 게이트층 금속을 도포하도록 최상위층으로서 형성된다.

이들 단자들은, 미세 도전 입자가 균일하게 분산되어 있는 열경화성 접착제인 이방성 도전막(ACF)을 이용하여 가열 및 가압함으로써 TAB 리드 배선에 접속된다.

종래의 TFT 기판에서, 두께 200∼400nm의 두께를 갖는 SiN과 같은 금속의 무기막이 패시베이션층으로서 사용되며, 화소 전극과 배선들은 중첩되지 않는다.

그러나, 최근 예를 들면 화소 전극과 배선들을 중첩시켜서 투명 영역을 확장시키는 기술이 미국 특허 제5,641,974호에 개시되었다.

이 때, 화소 전극과 신호 배선 사이의 용량을 줄이기 위하여, 패시베이션막 상에 유기막의 후속 패터닝이 행해지고, 2∼4㎛의 두께로 형성된다.

도 14a와 도 14b는 각각 전술된 유기막이 층간 절연막으로서 사용되는 액티브 매트릭스 기판의 평면도 및 단면도이다.

패시베이션막(1410)의 패터닝까지의 공정은 종래와 동일하다. 아크릴 수지 등의 감광성 유기막(1411)은 패시베이션막(1410) 상에서 스핀 코팅되고, 이를 노출 및 현상하여 콘택홀(1404) 등의 패턴을 형성한다.

이 때, 단자 영역 내의 유기막이 제거되고, 포스트 베이킹(post baking)이 행해져서 유기막이 열 경화된다.

최종적으로, 화소 전극(1405)이 형성되고, TFT의 소스 전극(1407)에 접속된다.

전술된 미국 특허 제5,641,974호에 개시된 기술에서, 종래보다 투명 영역은 더 커지고, 더 밝아지고 표시 성능이 향상된 액정 표시 장치를 구할 수 있다.

그러나, 패시베이션막 패터닝과 유기막 패터닝이 서로 별도의 공정 단계에서 행해지기 때문에, 패터닝 단계의 수가 증가함으로써, 공정이 복잡해지고 제조 비용이 증가한다.

전술된 문제점을 해결하기 위하여, 일본 특허 출원 평9-323423에는 유기막 패터닝과 패시베이션막 패터닝을 동시에 수행하는데 2층 레지스트층를 사용하는 방법이 개시되어 있다. 도 15a, 15b, 15c, 15d는 콘택홀을 형성하는 방법을 사용한 프로세스 흐름을 나타낸다.

패시베이션막이 형성될 때 까지의 단계들은 종래 기술과 동일하다(도 15a). 유기막과 레지스트를 연속적으로 도포한 후, 노출과 현상을 행하여 동시에 레지스트를 패터닝하고 유기막을 습식 에칭한다(도 15b).

다음으로, 패시베이션막의 패터닝은 레지스트와 유기막을 마스크로서 사용하여 건식 에칭된다(도 15c).

최종적으로, 특정 제거액을 사용하여 레지스트만을 선택적으로 용융하여 레지스트를 제거한다(도 15d).

이때, 동일 마스크가 유기막과 패시베이션막을 패터닝하는데 사용되기 때문에, 단자 부분 상의 유기막을 제거할 수 없다.

도 6a, 6b는 TAB(608)와 단자(601)가 어떻게 접속되는지를 나타낸다. 이방성 도전막 전체에 걸쳐서 도전 입자를 균일하게 분포시키기 위하여, 도전 입자의 직경은 일반적으로 2∼4㎛의 범위 이내이다.

한편, 유기막의 두께는 2∼4㎛이기 때문에, 다수의 도전 입자들이 유기막 상에 보유된다면, 단자의 하부 금속층과 테이프 캐리어 패키지(TCP) 사이의 거리는 도전 입자의 직경보다 커져서, 단자와 TCP 간에 양호한 콘택을 구하기 어렵게 된다.

미국 특허 제5,641,974호에서는, 화소 전극들과 신호 배선들 간의 커패시턴스를 줄이기 위하여, 패시베이션막 상에 감광성 아크릴 수지를 패터닝한 액티브 매트릭스 기판의 경우, 패터닝 단계의 수는 종래의 액티브 매트릭스 기판을 제조하기 위한 공정에 비해 한 공정만큼 증가한다.

이러한 문제를 해결하기 위하여, 일본 특허 출원 평9-323423에는 2층 레지스트를 사용하여 유기막과 패시베이션막을 동시에 패터닝함으로써, 패터닝 단계들의 수를 종래 기술과 동일하게 감소시키는 기술이 개시되어 있다.

이 경우, 단자 부분 상에 두꺼운 막이 남아 있기 때문에, 다수의 도전 입자들이 유기막 상에 남아 있다면, 단자와 TAB 간에 양호한 콘택을 구할 수 없다.

따라서, 본 발명의 목적은 유기막과 패시베이션막이 동시에 패터닝되는 액티브 매트릭스 기판에서 단자와 TAB사이에 양호한 콘택을 구할 수 있는 단자 구조를 제공하는 것이다.

전술된 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 다음과 같은 기본 기술 구성을 갖는다.

구체적으로, 본 발명은 기판; 상기 기판 상에 매트릭스 형태로 형성된 복수개의 스위칭 소자 및 복수개의 화소 전극들; 상기 스위칭 소자들을 제어하는 주사선들; 상기 스위칭 소자들에 데이타 신호를 공급하는 신호선들; 상기 주사 및 신호선들과 외부 구동 소자들 사이에 전기적으로 접속되며, 상기 주사선 또는 상기 신호선을 형성하는 금속층, 상기 금속층 상에 형성된 층간막, 및 상기 화소 전극을 형성하는 투명 전극을 포함하는 단자들; 상기 층간막 내에 형성된 콘택홀들 -상기 콘택홀 내에 형성된 투명 전극을 통하여 상기 금속층과 상기 투명 전극이 서로 접속됨- ; 및 상기 외부 구동 소자에 상기 액티브 매트릭스 기판을 접속하는 이방성 도전막을 포함하되, 인접한 단자들 사이의 패시베이션막 내에 더미 콘택홀들을 형성하거나, 이방성 도전막 내의 도전 입자들의 직경보다 큰 직경을 갖는 복수개의 비아홀 또는 콘택홀로서 콘택홀을 형성하거나, 외부 구동 소자와의 접속 영역 외측 영역에 콘택홀을 형성하여, 이방성 도전막이 접속용으로 사용될 때 도전 입자의 불균일한 분포에 의한 저항의 증가를 방지함으로써, 양호한 콘택을 달성할 수 있는 액티브 매트릭스 액정 표시 장치이다.

도 1a 및 도 1b는 본 발명의 제1 실시예의 단자 부분을 도시한 도면으로, 도 1a는 그 평면도이고, 도 1b와 도 1c는 A-A'와 B-B'로 표시된 방향의 단면도.

도 21a 및 도 2b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치를 나타내는 도면으로, 도 2a는 전체도이고, 도 2b는 A-A'로 표시된 방향의 단면도.

도 3a, 3b, 3c는 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단자 부분을 나타낸 도면으로, 도 3a는 평면도이고, 도 3b와 도 3c는 A-A'와 B-B'로 표시된 방향의 단면도.

도 4a, 4b, 4c는 본 발명의 제3 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단자 부분을 나타낸 도면으로, 도 4a는 평면도이고, 도 4b와 도 4c는 A-A'와 B-B'로 표시된 방향의 단면도.

도 5a, 5b는 단자 TEG 실험을 도시한 도면.

도 6a, 6b는 유기막이 남아 있는 부적절한 압력 인가를 도시한 도면.

도 7a, 7b은 단자 TEG 실험을 도시한 도면.

도 8은 단자 TEG 실험을 도시한 도면.

도 9는 단자 TEG 실험을 도시한 도면.

도 10은 단자 TEG 실험을 도시한 도면.

도 11a, 11b는 종래의 액정 표시 장치를 나타낸 도면.

도 12a, 12b는 종래의 액정 표시 장치의 단위 소자를 나타낸 도면.

도 13a, 13b, 13c는 종래의 액정 표시 장치 내의 단자를 나타낸 도면.

도 14a, 14b는 미국 특허 제5641974호에 개시된 단위 단자를 나타낸 도면.

도 15a, 15b, 15c, 15d는 일본 특허 출원 평9-323423의 프로세싱 흐름을 나타낸 도면.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

101, 301, 401 : 주사 배선

102, 302, 402 : 데이타선

103, 303, 403 : 게이트 단자

404, 304, 404 : 데이타 단자

105 : 더미 콘택홀

106, 306, 406 : 게이트 금속층

107, 307, 407 : 게이트 절연막

108, 308, 408 : 패시베이션막

109, 309, 409 : 유기막

110, 310, 410 : 투명 전극

111, 311, 411 : 데이타 금속층

본 발명의 바람직한 실시예가, 첨부된 도면을 참조하여 이하에 설명될 것이다.

종래의 액티브 매트릭스 액정 표시 장치에 나타난 전술된 문제점을 극복하기 위하여, 본 발명의 발명자들은 수회의 실험을 하여 기술적인 관점에서 변화되는 조건들을 구체화하고 명확하게 한 정보를 획득했다.

첫번째 실험으로서, 도 5a 및 5b에 나타난 바와 같이 금속막(502) 상에 형성된 유기막(510) 내에 콘택홀(504)이 형성되었고, 투명 전극(503)이 형성되어 있는 단자 TEG에는, 이방성 도전막(ACF)(506)이 도포되고, 단자들 사이의 유기막(510) 상에 단위 영역 당 남아있는 도전성 입자의 수를 카운트하였다.

콘택홀들 간의 거리 L과 유기막 상의 단위 면적당 도전 입자의 개수 사이의 관계는 도 8에 나타나 있다.

이들 결과로부터, 콘택홀간의 거리가 40㎛를 초과하면, 유기막 상의 도전 입자들의 개수가 증가하는 것을 알 수 있으며, 유기막이 부착될 때 도전 입자가 약 15㎛만큼 이동되기 때문에, 만일 콘택홀들 간의 거리가 40㎛이하인 경우에는 도전 입자들은 콘택홀 내로 떨어질 것으로 생각된다.

도 9는 이방성 도전막을 통한 하부층 금속과 TAB 간의 콘택 저항과, 콘택홀들 간의 거리를 나타낸다.

이로부터, 콘택홀들 간의 거리가 약 40㎛를 초과하는 경우, 하부층 금속과 TAB 간의 콘택 저항이 갑작스럽게 증가하기 시작하고, 80㎛ 이상에서 100kΩ을 초과하여 비실용적이 된다는 것을 알 수 있다.

콘택홀들 간의 거리가 짧아지는 경우, 유기막 상의 도전 입자들이 거의 없게 되어 금속층과 TCP 간에 양호한 콘택이 이루어진다.

그러나, 콘택홀들 간의 거리가 큰 경우, 도 6에 나타난 바와 같이, 유기막 상에 다수의 도전 입자들이 남아, 금속층과 TCP간의 거리는 유기막 두께와 도전 입자 직경의 합이 됨으로써 이들 사이에 양호한 콘택이 이루어지는 것을 방해한다.

단자들 간의 통상적인 거리는 50∼100㎛의 범위 이내이다. 이는 그 거리가 50㎛이하일 때 외부 단자에의 접속을 고려하면 위치정합(positioning)이 극도로 어렵기 때문이며, 콘택 형성 마진을 고려하면 콘택 간격을 훨씬 더 크게 할 필요가 있기 때문이다.

따라서, 본 발명에서 더미 콘택홀(505)과 콘택홀(504) 간의 거리는 약 10∼50㎛, 즉 도전 입자들의 직경의 3∼20배가 되고, 도전 입자들은 콘택홀(504)과 더미 콘택홀(505)에 떨어지게 되어 도 5b에 나타난 바와 같이 양호한 콘택이 형성된다.

두번째 실험으로서, 도 7a 및 도 7b에 나타난 바와 같이 금속층 내에 형성된 복수개의 비아홀(704)에 의해 콘택홀이 형성되고 이 위로 투명 전극(703)이 형성되었다.

이방성 도전막(706)을 그 위에 올려놓고 압력을 가하여 투명 전극과 TAB 간의 저항을 측정하였다.

비아홀들의 전체적인 표면 영역을 S1으로 하고 투명 전극의 표면 영역을 S2로 하여, 도 10은 S1/S2의 듀티비와 저항값을 나타낸다.

0.01≤듀티비≤0.3의 범위, 특히 0.05≤듀티비≤0.3 이내에서, 저항값이 낮다는 것을 알 수 있었다. 0.3보다 큰 듀티비에서 저항이 증가하는 이유는 투명 전극 상의 도전 입자수가 불충분한 때문인 것으로 추정된다.

0.01 이하인 듀티비에서 저항값이 증가하는 이유는, 비아홀(704)의 극도로 작은 사이즈로 인해 투명 전극과 비아홀들을 통한 하부층 금속 간의 콘택 저항값의 증가시키기 때문인 것으로 생각된다.

비아홀들의 사이즈는, ACF에서의 도전 입자들의 최대 직경보다 크게 하면 충분하다. 그 결과, 도 7b에 나타난 바와 같이, 양호한 콘택을 형성할 수 있다.

본 발명의 실험은 대응하는 첨부 도면들을 참조하여 이하에서 상세히 기술된다.

그러나, 본 발명은 이하에 기술된 실시예에 국한되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상의 범위 이내에서 다양한 형태를 취할 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다.

도 2a 및 2b는 본 발명의 제1 실시예의 개략도를 나타낸다.

본 실시예에 따른 액정 표시 장치는 박막 트랜지스터 기판(TFT 기판)(201), 컬러 필터 기판(CF 기판)(202), 및 이들 사이에 개재된 액정으로 구성된 액정 패널과, 액정 패널을 구동하기 위한 구동기를 구성하는 다수의 TAB(203)을 구비한다.

TAB(203)는 사각형인 액정 패널의 2변을 따라 배치되어 있는 2매의 인쇄 회로 기판(204) 상에 제공되며, 각 TAB의 베이스막은 신호 처리용 인쇄 회로 기판에 솔더링함으로써 접속된다.

전술된 TAB는 베이스막 상에 집적 회로로서 베어칩(210)을 가지고, 이 베어 칩의 단자들은 베이스막 상에 형성된 배선 패턴인 TAB 리드 배선(209)에 접속된다.

이들 TAB(203)은 ACF(205)를 통하여 TFT 기판의 단자(208)에 전기적으로 접속된다.

액정 패널을 구성하는 TFT 기판의 표시부는 일본 특허 출원 평9-323423에 개시된 바와 같은 구성을 갖는다.

유기막의 두께는 3㎛이다. TFT 기판을 둘러싼 영역에 주사선과 신호선으로부터 인출된 단자들이 제공되고, 이들은 TAB 단자들과 동일한 개수의 단자들을 각기 갖는 단자 블럭들로 그룹화되어 있다.

도 1은 외부 TAB에 접속된 단자들의 평면도 및 단면도를 나타낸다.

게이트 단자(103)는 게이트 금속층(106), 게이트 절연막(107), 패시베이션막(108), 유기막(109) 및 투명 전극(110)으로 형성되며, 게이트 금속층(106)과 투명 전극(110)은 콘택홀(112)을 통하여 접속된다.

게이트 단자(103)를 형성하는 게이트 금속층의 사이즈는 70×200㎛이고, 단자들 간의 거리는 100㎛이며, 콘택홀은 50×150㎛이다.

전술된 기본 실험의 결과로부터, 유기막 상에 이방성 도전막 중의 다수의 도전 입자들이 남아있지 않도록, 단자들 간의 유기막에 80×200㎛의 더미 콘택홀(105)이 형성된다.

이에 따라, 단자의 말단부로부터 더미 콘택홀까지의 거리가 10㎛가 되어, ACF로부터의 도전 입자들이 콘택홀(112) 또는 더미 콘택홀(105)로 떨어진다.

데이타 단자(104)는 데이타 금속층(111), 패시베이션막(108), 유기막(109), 및 투명 전극(110)으로 형성되고, 데이타 금속층(111)과 투명 전극(110)은 콘택홀(112)을 통하여 접속된다.

데이타 단자(104)를 형성하는 데이타 금속층(111)의 사이즈는 70×200㎛이고, 단자들 간의 거리는 50㎛이며, 콘택홀(112)은 50×150㎛이다. 30×200㎛ 더미 콘택홀(105)은 단자들간의 유기막 상에 제공된다.

단자와 TAB 리드들은 개재된 이방성 도전막(ACF)을 이용하여 열 압착됨으로써 장착된다.

이방성 도전막으로서, 미세한 구형 플라스틱 비드의 표면을 피복된 니켈과 금으로 도금하여 형성된 다수의 도전 입자들이 에폭시 수지의 바인더에 분산된다.

이방성 도전막 내의 도전 입자들의 바깥 지름은 5㎛이고, 도전 입자의 밀도는 10,000/㎟이다. 이방성 도전막은 TAB에 열 압착함으로써 수행된다.

이 때, 더미 콘택홀(105)을 제공함으로써, 유기막 상에 남아 있는 도전 입자는 거의 없게 된다.

분쇄된 도전 입자의 직경은 약 3㎛이고, 100Ω 이하의 콘택 저항을 갖는 양호한 콘택이 단자와 TCP 사이에 형성된다.

도 3a, 3b, 3c는 외부 TAB에 접속하기 위한 단자의 평면도 및 단면도를 나타낸다. 이 액정 표시 장치의 표시 영역의 구성은 제1 실시예의 것과 동일하며, 이하에 기술되지 않을 것이다.

게이트 전극(303)은 게이트 금속층(306), 게이트 절연막(307), 패시베이션막(308), 유기막(309) 및 투명 전극(310)으로 구성되며, 게이트 금속층(306) 및 투명 전극(310)은 콘택홀을 통하여 접속된다.

단자를 형성하는 게이트 금속층(306) 및 투명 전극(310)의 사이즈는 제1 실시예에서와 동일하다.

10×10㎛의 치수를 갖는 비아홀(305)이 콘택홀로서 제공된다. 데이타 단자(304)는 게이트 금속층(306)용으로 사용되는 게이트 금속층(311)을 제외하고, 동일한 구성을 갖는다.

이방성 도전막은 이들 단자들상에 열 압착되고 TAB에 접속된다. 이 때, 콘택홀의 표면 영역과 투명 전극의 표면 영역간의 듀티비는 0.1이고, 단자와 TCP간의 콘택 저항은 100Ω이하이기에, 양호한 콘택이 형성된다.

도 4a, 4b, 4c는 외부 TAB에 접속되는 단자 부분의 평면도 및 단면도를 나타낸다.

표시 영역의 구성은 제1 실시예의 것과 동일하고 이하에 기술되지 않는다. 게이트 단자(403)는 게이트 금속층(406), 게이트 절연막(407), 패시베이션막(408), 유기막(409) 및 투명 전극(410)으로 구성되며, 게이트 금속층(406)과 투명 전극(410)은 콘택홀(405)을 통하여 접속된다.

단자를 형성하는 게이트 금속층 및 투명 전극의 사이즈는 제1 실시예와 동일하다. TAB 압착 영역을 피하여 30×20㎛ 비아홀을 제공함으로써 콘택홀이 형성된다. 데이타 단자들은 동일한 타입의 구성을 갖는다.

이방성 도전막이 이들 단자들 상에 열 압착되고 TAB에 접속된다.

이 때, 콘택홀의 표면 영역과 투명 전극의 표면 영역 사이의 듀티비는 0.6이고, 단자와 TAB 간의 콘택 저항은 100Ω이어서, 양호한 콘택이 형성된다.

본 발명의 실시예에 대한 설명으로부터, 본 발명의 액티브 매트릭스 액정 표시 장치는, 첫번째 예로서, 서로 인접하여 배치된 단자들 사이와 층간 절연막 내에 더미 콘택홀을 형성하는 단계를 포함하는 방법에 의해 제조될 수 있다는 것이 분명하다.

더욱이, 본 발명의 액티브 매트릭스 액정 표시 장치는, 두번째 예로서, 이방성 도전막내의 도전 입자들의 최대 직경보다 큰 직경을 갖도록 콘택홀들 중 적어도 하나의 콘택홀을 형성하는 단계를 포함하는 방법에 의해 제조될 수 있다.

본 발명의 액티브 매트릭스 액정 표시 장치를 제조하는 방법의 세번째 예로서, 그 방법은 외부 구동 소자에 접속되는 위치 이외의 위치에 배치되도록 콘택홀을 형성하는 단계를 포함한다.

전술된 두번째 및 세번째 예에 따른 액티브 매트릭스 액정 표시 장치를 제조하기 위한 방법에서, 상기 방법은 단자 위로 복수개의 비아홀들 또는 콘택홀들과 투명 전극 사이의 표면 영역의 비가 적어도 0.01이고 0.3보다는 작게 되도록 설정하는 단계를 포함한다.

더욱이, 제1 내지 제3 실시예에 따른 액티브 매트릭스 액정 표시 장치를 제조하기 위한 방법에서, 이 방법은 유기막 또는 유기막과 무기 패시베이션막의 적층 구조로 형성하는 단계를 포함한다.

앞에서 상세히 기술된 구성을 적용함으로써, 본 발명에 따르면, 단자부에 유기막을 갖는 액티브 매트릭스 기판에서, TCP를 장착할 때 TCP와 단자 사이에 안정되면서도 고품질의 접속을 달성할 수 있다. 더미 콘택홀을 제공하여, 유기막 상에 남겨진 이방성 도전막의 도전 입자들이 충분히 감소되도록 함으로써 상기 효과가 달성된다. 단자를 형성하는 투명 전극과 콘택홀간의 표면 영역비를 0.01∼0.3의 범위이내로 설정함으로써, 이방성 도전막의 도전 입자들이 유기막 상에 충분히 잔류한고 할지라도 상기 효과가 달성될 수 있다.

Claims (13)

1. 기판;

   상기 기판 상에 매트릭스 형태로 형성된 복수개의 스위칭 소자 및 복수개의 화소 전극들;

   상기 스위칭 소자들을 제어하는 주사선들;

   상기 스위칭 소자들에 데이타 신호를 공급하는 신호선들;

   상기 주사 및 신호선들과 외부 구동 소자들 사이에 전기적으로 접속되며, 상기 주사선 또는 상기 신호선을 형성하는 금속층, 상기 금속층 상에 형성된 층간막, 및 상기 화소 전극을 형성하는 투명 전극을 포함하는 단자들;

   상기 층간막 내에 형성된 콘택홀들 -상기 콘택홀 내에 형성된 투명 전극을 통하여 상기 금속층과 상기 투명 전극이 서로 접속됨- ; 및

   상기 외부 구동 소자에 상기 액티브 매트릭스 기판을 접속하는 이방성 도전막을 포함하는 액티브 매트릭스 액정 표시 장치에 있어서,

   상기 액티브 매트릭스 액정 표시 장치는 인접한 단자들간에 형성된 상기 층간막에 제공된 더미 콘택홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 액정 표시 장치.
2. 기판;

   상기 기판 상에 매트릭스 형태로 형성된 복수개의 스위칭 소자 및 복수개의화소 전극들;

   상기 스위칭 소자들을 제어하는 주사선들;

   상기 스위칭 소자들에 데이타 신호를 공급하는 신호선들;

   상기 주사 및 신호선들과 외부 구동 소자들 사이에 전기적으로 접속되며, 상기 주사선 또는 상기 신호선을 형성하는 금속층, 상기 금속층 상에 형성된 층간막, 및 상기 화소 전극을 형성하는 투명 전극을 포함하는 단자들;

   상기 층간막 내에 형성된 콘택홀들 -상기 콘택홀 내에 형성된 투명 전극을 통하여 상기 금속층과 상기 투명 전극이 서로 접속됨- ; 및

   상기 외부 구동 소자에 상기 액티브 매트릭스 기판을 접속하는 이방성 도전막을 포함하는 액티브 매트릭스 액정 표시 장치에 있어서,

   상기 콘택홀들 중 적어도 하나의 콘택홀은 상기 이방성 도전막 내의 도전 입자의 최대 직경보다 더 큰 직경을 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 액정 표시 장치.
3. 기판;

   상기 기판 상에 매트릭스 형태로 형성된 복수개의 스위칭 소자 및 복수개의 화소 전극들;

   상기 스위칭 소자들을 제어하는 주사선들;

   상기 스위칭 소자들에 데이타 신호를 공급하는 신호선들;

   상기 주사 및 신호선들과 외부 구동 소자들 사이에 전기적으로 접속되며, 상기 주사선 또는 상기 신호선을 형성하는 금속층, 상기 금속층 상에 형성된 층간막, 및 상기 화소 전극을 형성하는 투명 전극을 포함하는 단자들;

   상기 층간막 내에 형성된 콘택홀들 -상기 콘택홀 내에 형성된 투명 전극을 통하여 상기 금속층과 상기 투명 전극이 서로 접속됨- ; 및

   상기 외부 구동 소자에 상기 액티브 매트릭스 기판을 접속하는 이방성 도전막을 포함하는 액티브 매트릭스 액정 표시 장치에 있어서,

   상기 콘택홀은 외부 구동 소자와의 접속 위치 이외의 위치에 형성되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 액정 표시 장치.
4. 제2항에 있어서, 상기 복수개의 비아홀들 또는 콘택홀들과 상기 단자 상부의 투명 전극간의 표면 영역의 비는 적어도 0.01이고 0.3보다는 작은 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 액정 표시 장치.
5. 제4항에 있어서, 상기 복수개의 비아홀들 또는 콘택홀들 간의 상기 표면 영역은 상기 투명 전극 내에 형성된 상기 복수개의 상기 비아홀들 또는 콘택홀들의 각 표면 영역들을 합산한 전체 표면 영역인 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 액정 표시 장치.
6. 제1항에 있어서, 상기 층간막은 유기막, 또는 유기막과 무기 패시베이션막의 적층 구조인 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 액정 표시 장치.
7. 제2항에 있어서, 상기 층간막은 유기막, 또는 유기막과 무기 패시베이션막의 적층 구조인 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 액정 표시 장치.
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