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Description
本発明は表示装置に係り、たとえばその端子部に改良を施した表示装置に関する。
表示装置は、その表示部において多数の画素を有し、それら各画素に信号を供給させて独立に制御表示させていることから、該表示部から引き出される各信号線のそれぞれの端子部の数は極めて多数に至り、またその面積も微小となっている。
一般に、前記各信号線の端子部は、該信号線が絶縁膜に被われていた場合、その絶縁膜に孔開けをし、該信号線の面の一部を露出させることによって形成できる。
しかし、該端子部に外気からの水分等が付着した場合、該水分等が電解質となって隣接する他の端子部との間にイオンの交換がなされる電蝕作用が生じ、これによって端子部の腐食を免れることができない。
そこで、端子部において信号線の露出部をたとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等からなる透光性の導電膜を被って形成する構造のものが知られるに至っている。このような透光性の導電膜は酸化物であるが故に化学的に安定した材料だからである（下記特許文献１参照）。
しかし、金属の信号線とＩＴＯを接続し、ＩＴＯで端子部を作る方式では見かけの配線抵抗が高いものとなることを見出した。これは、単に途中の経路に金属の信号線より比抵抗の高いＩＴＯが介在するというだけでは説明のつかない値であった。
発明者が研究の結果、これは金属の信号配線とＩＴＯの製造プロセスに起因していることが判明した。すなわち、金属の信号線を先に形成し、その後にＩＴＯを形成して両者の接続を図る場合、酸化物であるＩＴＯの成膜工程時に金属表面に絶縁性の酸化層が形成されてしまうことが判明した。このため、見かけの配線抵抗が高いものとなってしまうことを見出した。
本発明は、このような事情に基づいてなされたものであり、金属とＩＴＯの接続抵抗を低減することで実質の配線抵抗の低減を実現した表示装置を提供することを目的の一例とする。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
（１）本発明による表示装置は、たとえば、基板に端子部を備える表示装置であって、前記端子部は、第１透明導電層と、該第１透明導電層の一部を露出させる開口を有する絶縁膜と、該絶縁膜から露出された第１透明導電層および該絶縁膜の前記開口を被って形成される第２透明導電層とから構成され、
前記第１透明導電層は、該端子部に導かれる信号線と該信号線の下層から接続されていることを特徴とする。
前記第１透明導電層は、該端子部に導かれる信号線と該信号線の下層から接続されていることを特徴とする。
（２） 本発明による表示装置は、たとえば、（１）の構成を前提とし、前記信号線は第１透明導電層の上面に該第１透明導電層と接触して形成されるとともに、前記絶縁膜の前記開口にまで及んで形成されていないことを特徴とする。
（３）本発明による表示装置は、たとえば、（１）の構成を前提とし、前記信号線は第１透明導電層の上面に該第１透明導電層と接触して形成されるとともに、前記絶縁膜の前記開口の一部にまで及んで形成されていることを特徴とする。
（４）本発明による表示装置は、たとえば、基板に端子部を備える表示装置であって、前記端子部は、第１透明導電層と、該第１透明導電層の上面に形成される複数の点在された導電層と、これら各導電層とともに前記第１透明導電層の一部を露出させる開口を有する絶縁膜と、該絶縁膜から露出された第１透明導電層、導電層および該絶縁膜の前記開口を被って形成される第２透明導電層とから構成され、
前記第１透明導電層は、該端子部に導かれる信号線と接続されていることを特徴とする。
前記第１透明導電層は、該端子部に導かれる信号線と接続されていることを特徴とする。
（５）本発明による表示装置は、たとえば、（４）の構成を前提とし、前記信号線は第１透明導電層の上面に該第１透明導電層と接触し、かつ、前記絶縁膜の前記開口に至る手前まで延在されて形成されているとともに、前記各導電層は該信号線と同一の材料で構成されていることを特徴とする。
（６）本発明による表示装置は、たとえば、（１）の構成を前提とし、前記信号線は第１透明導電層の上面に該第１透明導電層と接触し、かつ、前記絶縁膜の前記開口の一部にまで及んで形成されているとともに、前記各導電層は該信号線と同一の材料で構成されていることを特徴とする。
（７）本発明による表示装置は、たとえば、基板上に半導体装置が搭載される表示装置であって、該基板に前記半導体装置のバンプ電極と異方性導電膜を介して接続がなされる端子部を有し、
該端子部は、第１透明導電層と、該第１透明導電層の一部を露出させる開口を有する絶縁膜と、該絶縁膜から露出された第１透明導電層および該絶縁膜の前記開口を被って形成される第２透明導電層とから構成され、
前記第１透明導電層は、該端子部に導かれる信号線と該信号線の下層から接続されていることを特徴とする。
該端子部は、第１透明導電層と、該第１透明導電層の一部を露出させる開口を有する絶縁膜と、該絶縁膜から露出された第１透明導電層および該絶縁膜の前記開口を被って形成される第２透明導電層とから構成され、
前記第１透明導電層は、該端子部に導かれる信号線と該信号線の下層から接続されていることを特徴とする。
（８）本発明による表示装置は、たとえば、基板上に半導体装置が搭載される表示装置であって、該基板に前記半導体装置のバンプ電極と異方性導電膜を介して接続がなされる端子部を有し、
該端子部は、第１透明導電層と、該第１透明導電層の上面に形成される複数の点在された導電層と、これら各導電層とともに前記第１透明導電層の一部を露出させる開口を有する絶縁膜と、該絶縁膜から露出された第１透明導電層、導電層および該絶縁膜の前記開口を被って形成される第２透明導電層とから構成され、
前記第１透明導電層は、該端子部に導かれる信号線と接続されていることを特徴とする。
該端子部は、第１透明導電層と、該第１透明導電層の上面に形成される複数の点在された導電層と、これら各導電層とともに前記第１透明導電層の一部を露出させる開口を有する絶縁膜と、該絶縁膜から露出された第１透明導電層、導電層および該絶縁膜の前記開口を被って形成される第２透明導電層とから構成され、
前記第１透明導電層は、該端子部に導かれる信号線と接続されていることを特徴とする。
なお、本発明は以上の構成に限定されず、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
このように構成された端子部は、第１透明導電層が金属の信号線の下層に形成されている。これにより、第１の透明導電層の形成時に金属の信号線の表面に酸化層を形成することを構造的に回避可能となり、信号線と第１透明導電層の接続抵抗の低減が実現するため、実質の配線抵抗の低減が実現される。
また、第１透明導電層を下層にする場合、端子部を第１の透明導電層で形成する際に、その上層に形成する絶縁膜の開口領域内に端子面積が制限されるという問題がある。そこで、該絶縁層の上層に第２透明導電層を形成し、この第１透明導電層と第２透明導電層を電気的に接続することで端子を形成した。これにより、第２透明導電層により端子は所望の形状とできるため、端子と外部回路との接続抵抗を低減することができる。その際、第１透明導電層と第２透明導電層はいずれも酸化物である透明導電体であるので、金属と透明導電体の接続時のような界面での絶縁性酸化層形成の懸念は根本的に排除できるため、接続抵抗を懸念することなく端子形状の自由度を達成することができる。
この場合、信号は第２透明導電層から第１透明導電層に伝わり、それが下側から信号線に伝わる構造となる。本構造により、接続部での接続抵抗の低減が達成され、実質の配線抵抗の低減が実現する。
以下、本発明による表示装置の実施例を図面を用いて説明する。
図２は、本発明による表示装置、たとえば液晶表示装置の一実施例を示す概略平面図である。
液晶を介して互いに対向配置される一対の透明基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２があり、該液晶は一方の透明基板ＳＵＢ１に対する他方の透明基板ＳＵＢ２の固定を兼ねるシール材ＳＬ’によって封入されている。
シール材ＳＬ’によって囲まれた前記一方の透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面には、そのｘ方向に延在しｙ方向に並設されたゲート信号線ＧＬとｙ方向に延在しｘ方向に並設されたドレイン信号線ＤＬとが形成されている。
各ゲート信号線ＧＬと各ドレイン信号線ＤＬとで囲まれた領域は画素領域を構成するとともに、これら各画素領域のマトリクス状の集合体は液晶表示部ＡＲを構成するようになっている。
また、ｘ方向に並設される各画素領域のそれぞれにはそれら各画素領域内に走行された共通の対向電圧信号線ＣＬが形成されている。この対向電圧信号線ＣＬは各画素領域の後述する対向電極ＣＴに映像信号に対して基準となる電圧を供給するための信号線となるものである。
各画素領域には、その片側のゲート信号線ＧＬからの走査信号によって作動される薄膜トランジスタＴＦＴと、この薄膜トランジスタＴＦＴを介して片側のドレイン信号線ＤＬからの映像信号が供給される画素電極ＰＸが形成されている。
この画素電極ＰＸは、前記対向電圧信号線ＣＬと接続された対向電極ＣＴとの間に電界を発生させ、この電界によって液晶の光変調率を制御させるようになっている。
前記ゲート信号線ＧＬのそれぞれの一端は前記シール材ＳＬ’を超えて延在され、その延在端は走査信号駆動回路Ｖの出力端子が接続される端子ＧＴＭを構成するようになっている。また、前記走査信号駆動回路Ｖの入力端子は液晶表示パネルの外部に配置されたプリント基板（図示せず）からの信号が入力されるようになっている。
走査信号駆動回路Ｖは複数個の半導体装置ＣＨからなり、互いに隣接する複数のゲート信号線ＧＬどうしがグループ化され、これら各グループ毎に一個の半導体装置ＣＨがあてがわれるようになっている。
同様に、前記ドレイン信号線ＤＬのそれぞれの一端は前記シール材ＳＬ’を超えて延在され、その延在端は映像信号駆動回路Ｈｅの出力端子が接続される端子ＤＴＭを構成するようになっている。また、前記映像信号駆動回路Ｈｅの入力端子は液晶表示パネルの外部に配置されたプリント基板（図示せず）からの信号が入力されるようになっている。
この映像信号駆動回路Ｈｅも複数個の半導体装置ＣＨからなり、互いに隣接する複数のドレイン信号線ＤＬどうしがグループ化され、これら各グループ毎に一個の半導体装置ＣＨがあてがわれるようになっている。
前記各ゲート信号線ＧＬは、走査信号駆動回路Ｖからの走査信号によって、その一つが順次選択されるようになっている。
また、前記各ドレイン信号線ＤＬのそれぞれには、映像信号駆動回路Ｈｅによって、前記ゲート信号線ＧＬの選択のタイミングに合わせて映像信号が供給されるようになっている。
図３は、上述した各画素における構成の一実施例を示した断面図である。
図３は、その左側において薄膜トランジスタＴＦＴの領域が示され、右側において実質的に画素としての機能を有する領域（液晶の光透過率が目視できる領域）が示されている。
ここで、後者の領域に形成される前記対向電極ＣＴは、該領域のほぼ全域にわたって形成されたべた状の導電層によって形成され、この対向電極ＣＴの上面に形成される絶縁膜（絶縁膜ＧＩ、保護膜ＰＡＳ）を介した前記領域内において、前記画素電極ＰＸが一方向に延在し該一方向に交差する方向に並設される複数の導電層群によって形成されている。
対向電極ＣＴと画素電極ＰＸは、そのいずれにおいても、たとえばITO (Indium Tin Oxide)、ITZO(Indium Tin Zinc Oxide)、IZO (Indium Zinc Oxide)、SnO（酸化スズ）、In2O3（酸化インジウム）、ZnO（Zinc Oxide）等の透光性の導電層から構成され、これにより画素のいわゆる開口率の向上を図っている。
すなわち、前記対向電極ＣＴは透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面に形成され、この対向電極ＣＴ上を該対向電極ＣＴを交差するようにして対向電圧信号線ＣＬが形成されている。この対向電圧信号線ＣＬはゲート信号線ＧＬの形成の際に同時に形成されるようになっている。対向電圧信号線ＣＬおよびゲート信号線ＧＬは、それぞれ、この実施例では３層構造となっており、たとえばＭｏ、Ａｌ、Ｍｏの順次積層体で構成されている。
なお、該ゲート信号線ＧＬの下層には前記対向電極ＣＴの形成の際に同時に形成される透光性の導電膜が形成されている。たとえば後述する製造方法の採用により、このような構成が実現する。
対向電圧信号線ＣＬおよびゲート信号線ＧＬが形成された面にはそれらをも被って絶縁膜ＧＩが形成されている。この絶縁膜ＧＩのうち前記ゲート信号線ＧＬの一部と重畳する部分には薄膜トランジスタＴＦＴのゲート酸化膜を構成し、その部分にはたとえばアモルファスからなる半導体層ＡＳが形成されている。
この半導体層ＡＳは薄膜トランジスタＴＦＴのそれであり、その上面には平面的に観た場合、前記ゲート信号線ＧＬと重畳する部分で離間されたドレイン電極ＳＤ１およびソース電極ＳＤ２が形成されている。該ドレイン電極ＳＤ１は図示しないドレイン信号線ＤＬと接続される電極として構成され、前記ゲート信号線ＧＬに信号（走査信号）が供給された場合、前記薄膜トランジスタＴＦＴがオンし、ドレイン信号線ＤＬに供給される信号（映像信号）がこのソース電極ＳＤ２に供給されるようになっている。なお、このソース電極ＳＤ２は後の説明で明らかになるように画素電極ＰＸと接続されるようになっている。
上記薄膜トランジスタＴＦＴが形成された面には該薄膜トランジスタＴＦＴをも被って保護膜ＰＡＳが形成されている。この保護膜ＰＡＳは薄膜トランジスタＴＦＴの液晶との直接の接触を回避させるための膜で、該薄膜トランジスタＴＦＴのそれによる特性劣化を防止するようになっている。この保護膜ＰＡＳはたとえば無機材料層で形成される場合もあるし、また有機材料層で、あるいはそれらの積層体で形成される場合もある。
保護膜ＰＡＳの上面には画素電極ＰＸが形成され、この画素電極は上述したように複数の電極群から構成され、それら電極のたとえば一端において互いに接続されているとともに、その一部においてその下層の保護膜ＰＡＳに形成したスルーホールを通して前記ソース電極ＳＤ２に接続されている。
なお、画素電極ＰＸが形成された面には、該画素電極ＰＸをも被って配向膜ＡＬが形成され、この配向膜ＡＬによってそれに直接接触する液晶ＬＱの分子の初期配向を決定づけるようになっている。
液晶ＬＱを介して透明基板ＳＵＢ１と対向配置される透明基板ＳＵＢ２の液晶ＬＱ側の面には、薄膜トランジスタＴＦＴと対向する部分にブラックマトリクスＢＭが形成され、また、このブラックマトリクスＢＭは当該画素の領域とそれに隣接する他の画素の領域を画する部分の全部あるいは一部にも形成されている。
そして、該ブラックマトリクスＢＭが形成された面には、該ブラックマトリクスＢＭをも被ってカラーフィルタＣＦ、さらには、その上面に配向膜ＡＬが形成されている。
なお、上述した対向電圧信号線ＣＬ（およびゲート信号線ＧＬ）の材料としてＭｏ−Ａｌ−Ｍｏの積層構造としたものであるが、たとえば図４（ａ）に示すように、Ｔｉ、Ｍｏの合金、およびＡｌの順次積層構造としてもよく、また、図４（ｂ）に示すように、Ａｌのみの材料であってもよいことはもちろんである。図４（ａ）、（ｂ）はそれぞれ透明基板ＳＵＢ１面の対向電圧信号線ＣＬを示したもので、その下層に形成される対向電極ＣＴをも示している。
図１は、信号線ＳＬ（たとえばゲート信号線ＧＬあるいはドレイン信号線ＤＬ）に信号を供給するための端子の一実施例を示す構成図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線における断面図を示している。同図は、図２に示す矩形枠Ａに相当する部分を示している。
まず、基板ＳＵＢ１があり、その表面側にたとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる第１透明導電層ＩＴＯ１が形成されている。この第１透明導電層ＩＴＯ１としては必ずしも該ＩＴＯに限定されることはなく、たとえばITZO(Indium Tin Zinc Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、SnO（酸化スズ）、In2O3（酸化インジウム）、ZnO（Zinc Oxide）等の酸化導電層であってもよい。そして、この導電層は、少なくとも端子部およびその周辺に形成されていれば足りる。
また、液晶表示部ＡＲから延在されるたとえば信号線ＳＬが、この端子部側へ延在されて前記第１透明導電層ＩＴＯ１上を這って形成されている。ここで、該信号線ＳＬの端部は端子部に及ぶ手前まで延在されて形成され、該端子部の中央には該信号線Ｍから物理的に分離した島状の層ＭＯＰが複数個互いに近接されて形成されている。この島状の層ＭＯＰは該信号線ＳＬの形成と同時に形成されるようになっており、該信号線ＳＬと同一の材料から構成されたものとなっている。
前記端子部は、前記島状の層ＭＯＰを含む領域に相当する部分に開口が形成された絶縁膜ＩＮＳの該開口部およびその周辺によって形成されている。ここで、該絶縁膜ＩＮＳはたとえば液晶表示部ＡＲに形成された前記保護膜ＰＡＳが該端子部の周辺にまで延在されて形成されたものとなっている。
絶縁膜の開口部にはＩＴＯからなる第２透明導電層ＩＴＯ２が、該開口部にて露出されている前記島状の層ＭＯＰをも被って形成され、この第２透明導電層ＩＴＯ２は該開口部の側壁面および該開口部の周辺の表面にまで至って一体に形成されている。
なお、図１（ｂ）の符号ＯＰは前記絶縁膜ＩＮＳの下面側の開口を示し、実質的な端子領域を構成するものである。
また、図１（ｃ）は、図１（ｂ）と同様の構成を示すものであるが、絶縁膜ＩＮＳとしてたとえば前記絶縁膜ＧＩおよび保護膜ＰＡＳの積層体であってもよいことを示している。
このように構成された端子部は、絶縁膜ＩＮＳの開口には信号線ＳＬが全く露出しておらず、該絶縁膜ＩＮＳの開口を被って形成される第２透明導電層ＩＴＯ２と信号線ＳＬとの接触は全くないものとなっている。
このように構成された端子部は、第１透明導電層ＩＴＯ１が金属の信号線ＳＬの下層に形成されている。これにより、第１の透明導電層ＩＴＯ１の形成時に金属の信号線の表面に酸化層を形成することを構造的に回避可能となり、信号線ＳＬと第１透明導電層ＩＴＯ１の接続抵抗の低減が実現するため、実質の配線抵抗の低減が実現される。
また、第１透明導電層ＩＴＯ１を下層にする場合、端子部を第１の透明導電層ＩＴＯ１で形成する際に、その上層に形成する絶縁膜の開口領域内に端子面積が制限されるという問題がある。そこで、該絶縁層の上層に第２透明導電層ＩＴＯ２を形成し、この第１透明導電層ＩＴＯ１と第２透明導電層ＩＴＯ２を電気的に接続することで端子を形成した。これにより、第２透明導電層ＩＴＯ２により端子は所望の形状とできるため、端子と外部回路との接続抵抗を低減することができる。その際、第１透明導電層ＩＴＯ１と第２透明導電層ＩＴＯ２はいずれも酸化物である透明導電体であるので、金属と透明導電体の接続時のような界面での絶縁性酸化層形成の懸念は根本的に排除できるため、接続抵抗を懸念することなく端子形状の自由度を達成することができる。
この場合、信号は第２透明導電層ＩＴＯ２から第１透明導電層ＩＴＯ１に伝わり、それが下側から信号線ＳＬに伝わる構造となる。本構造により、接続部での接続抵抗の低減が達成され、実質の配線抵抗の低減が実現する。
また、図５は前記端子部の他の実施例を示す構成図で、図１と対応した図となっている。図１と比較して異なる構成は、信号線ＳＬが絶縁膜ＩＮＳの開口部に至るまで延在された構成となっているが、該開口部の中央にまでは至っていない構成となっている。換言すれば、信号線ＳＬは前記絶縁膜ＩＮＳの前記開口部の一部にまで及んで形成された構成となっている。このように構成した場合、信号線ＳＬの上層は第２透明導電層ＩＴＯ２と接続する。すなわち、信号線ＳＬは第１透明導電層ＩＴＯ１および第２透明導電層ＩＴＯ２の両方と接続し冗長性を実現したものとなっている。
なお、図１および図５において、そのいずれにも島状の層ＭＯＰを形成しているが、必要に応じ、この島状の層ＭＯＰを設けなくてもよいことはいうまでもない。
図６は、上述した構成からなる端子部に前記半導体装置ＣＨのバンプ電極ＢＭＰが接続されている状態を示した図である。
端子部と前記バンプ電極ＢＭＰとの電気的な接続はいわゆる異方性導電膜ＡＣＦを介してなされている。この異方性導電膜ＡＣＦはたとえば樹脂膜に多数の導電粒子ＣＢが散在されて構成されたものである。
この場合、端子部の中央には複数の点在された導電層ＭＯＰが形成されているため、その突起構造のため第２透明導電層ＩＴＯ２の表面積を大きく確保でき、これにより、バンプ電極ＢＭＰとの接続の信頼性を確保することができるようになる。これらの効果は導電層ＭＯＰとして導電層以外のものを用いても実現できる。また、複数の点在された導電層ＭＯＰは接続の応力に対するバッファ機能をも有し、異方性導電膜ＡＣＦ内の導電粒子ＣＢの前記第２透明導電層ＩＴＯ２との接続を安定なものとすることができるようになる。しかし、該ＭＯＰを導電層とすることで端子部の接続抵抗の低減効果が得られる。
図３に示した画素の構成において、対向電極ＣＴとこの対向電極ＣＴに直接接続されて積層される対向電圧信号線ＣＬは、一回のマスクを用いたフォトリソグラフィ技術によって形成され、これによって製造工数の低減を図っている。
以下、その製造方法を図７（ａ）ないし（ｇ）を用いて説明をする。
工程１．（図７（ａ））
透明基板ＳＵＢ１の表面（液晶側の面）にたとえば透光性の導電層ＣＤＬ、金属層Ｍを順次形成し、その上面にフォトレジスト膜ＰＲを塗布する。
透明基板ＳＵＢ１の表面（液晶側の面）にたとえば透光性の導電層ＣＤＬ、金属層Ｍを順次形成し、その上面にフォトレジスト膜ＰＲを塗布する。
工程２．（図７（ｂ））
前記フォトレジスト膜ＰＲをフォトマスクＰＭを用いて選択露光する。ここで、該フォトマスクＰＭはいわゆるハーフ露光用のそれで、露光を完全に遮蔽する部分と露光が完全になされる部分とその中間の露光がなされる部分とを有する。
たとえば、対向電圧信号線ＣＬを形成する部分に対応する個所にて露光を完全に遮蔽する部分として、対向電極ＣＴを形成する部分に対応する個所にて中間の露光がなされる部分として、それ以外の部分に対応する個所にて露光が完全になされる部分として区分けされている。
該フォトマスクＰＭを介して露光がされた前記フォトレジスト膜ＰＲはその露光の強度に応じて感光がなされる。
前記フォトレジスト膜ＰＲをフォトマスクＰＭを用いて選択露光する。ここで、該フォトマスクＰＭはいわゆるハーフ露光用のそれで、露光を完全に遮蔽する部分と露光が完全になされる部分とその中間の露光がなされる部分とを有する。
たとえば、対向電圧信号線ＣＬを形成する部分に対応する個所にて露光を完全に遮蔽する部分として、対向電極ＣＴを形成する部分に対応する個所にて中間の露光がなされる部分として、それ以外の部分に対応する個所にて露光が完全になされる部分として区分けされている。
該フォトマスクＰＭを介して露光がされた前記フォトレジスト膜ＰＲはその露光の強度に応じて感光がなされる。
工程３．（図７（ｃ））
該フォトレジスト膜ＰＭを現像することにより、対向電圧信号線ＣＬおよび対向電極ＣＴの形成領域にそれが残存するようになる。そして、その残存されたフォトレジスト膜ＰＭのうち対向電圧信号線ＣＬの形成領域に対応する部分は、対向電極ＣＴの形成領域に対応する部分よりも高さが大きく形成されるようになる。
該フォトレジスト膜ＰＭを現像することにより、対向電圧信号線ＣＬおよび対向電極ＣＴの形成領域にそれが残存するようになる。そして、その残存されたフォトレジスト膜ＰＭのうち対向電圧信号線ＣＬの形成領域に対応する部分は、対向電極ＣＴの形成領域に対応する部分よりも高さが大きく形成されるようになる。
工程４．（図７（ｄ））
前記フォトレジスト膜ＰＭをマスクとし、このマスクから露出されている金属層Ｍを選択エッチングし、透光性の導電膜ＣＤＬの表面を露出させる。さらに、露出された該透光性の導電膜ＣＤＬを選択エッチングする。
前記フォトレジスト膜ＰＭをマスクとし、このマスクから露出されている金属層Ｍを選択エッチングし、透光性の導電膜ＣＤＬの表面を露出させる。さらに、露出された該透光性の導電膜ＣＤＬを選択エッチングする。
工程５．（図７（ｅ））
前記フォトレジスト膜ＰＭをいわゆるアッシングし、これにより、該フォトレジスト膜ＰＭの全域にわたる厚さを均等に減じさせ、対向電圧信号線ＣＬの形成領域に対応する部分のみに該フォトレジスト膜ＰＭを残存させる。
なお、前記アッシングする手前の工程として、透光性の導電膜ＣＤＬのエッチレート低減のためいわゆる脱水アニール（２００℃〜３００℃）処理を施すようにしてもよい。
前記フォトレジスト膜ＰＭをいわゆるアッシングし、これにより、該フォトレジスト膜ＰＭの全域にわたる厚さを均等に減じさせ、対向電圧信号線ＣＬの形成領域に対応する部分のみに該フォトレジスト膜ＰＭを残存させる。
なお、前記アッシングする手前の工程として、透光性の導電膜ＣＤＬのエッチレート低減のためいわゆる脱水アニール（２００℃〜３００℃）処理を施すようにしてもよい。
工程６．（図７（ｆ））
残存するフォトレジスト膜ＰＭをマスクとし、このマスクから露出された金属層Ｍを選択エッチングし、透光性の導電層ＣＤＬの表面を露出させる。
残存するフォトレジスト膜ＰＭをマスクとし、このマスクから露出された金属層Ｍを選択エッチングし、透光性の導電層ＣＤＬの表面を露出させる。
工程７．（図７（ｇ））
前記フォトレジスト膜ＰＭを除去することにより、金属層Ｍによって対向電圧信号線ＣＬが形成でき、透光性の導電層ＣＤＬによって対向電極ＣＴが形成できる。
前記フォトレジスト膜ＰＭを除去することにより、金属層Ｍによって対向電圧信号線ＣＬが形成でき、透光性の導電層ＣＤＬによって対向電極ＣＴが形成できる。
また、この製造方法において、ゲート信号線ＧＬは前記対向電圧信号線ＣＬの形成の際に同時に形成するようにしていることから、前記ゲート信号線ＧＬの下層にも前記対向電極ＣＴと同一の材料の導電層が残存していることが明らかとなる。
図８（ａ）は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示した図であり、液晶表示部ＡＲを跨って形成される各ゲート信号線ＧＬの両端のそれぞれにおける構成を示したものである。なお、図８（ａ）におけるｂ−ｂ線における断面図を図８（ｂ）に示している。
各ゲート信号線ＧＬの一端（図中左側）は、上述したように端子部を構成し、その端子部には前記ゲート信号線ＧＬを上層として透光性の導電層が形成されている。
この形成の際に、前記端子部と反対側のゲート信号線ＧＬの一端において、それらを共通に接続させる透光性の導電層ＰＴを設けている。この透光性の導電層ＰＴは各ゲート信号線ＧＬの断線あるいはショート等の検査を効率よく行うための回路を構成するものであり、検査後には不要となり、透明基板ＳＵＢ１の余分な個所の切り落とし（図中ＣＵＴに沿って切断される）によって、各ゲート信号線ＧＬを電気的に分離させるようになっている。
なお、この透光性の導電層とゲート信号線ＧＬは、上述した製造方法に示したように、一回のフォトマスク工程で形成されるものである。
各ゲート信号線ＧＬの検査においては、図中に示されるように、端子部の透光性の導電膜にて一方のプローブＰＣを、各ゲート信号線ＧＬを共通接続させる透光性の導電膜ＰＴにて他方のプローブＰＣを当接させることができ、金属層から構成されるゲート信号線ＧＬの面での当接を回避させることができる。
仮に、プローブＰＣの当接面が、金属層で構成されたものである場合、その表面抵抗によって発生する電位差で該金属層が溶解する畏れを回避でき、信頼性ある検査を実現することができる。
上述した対向電圧信号線ＣＬ等の配線は、一例として、その下層に透光性の導電膜を備えた構成となっている。
配線がＡｌあるいは少なくともその最上層においてＡｌが用いられた積層体の場合、該Ａｌの表面を陽極化成する必要がある場合がある。
Ａｌを被って絶縁膜を形成し、その形成処理の際に、Ａｌの表面からいわゆるヒロックが発生し、このヒロックによって該絶縁膜上の他の導電層との間に電気的なショートが生じるからである。
そして、この陽極化成をする場合において、図９は、特にフォトレジスト膜等のマスクを用いることなくできることを示す図である。
表面にパターン化された対向電極ＣＴおよび対向電圧信号線ＣＬが順次積層された透明基板ＳＵＢ１を電解質溶液ＡＯＦに浸漬させ、同様に該電解質溶液ＡＯＦに浸漬させた電極ＥＰとの間に電圧を印加させて陽極化成を行い、これにより、該対向電圧信号線ＣＬの表面に酸化アルミニュウムを形成する。
この場合、透明基板ＳＵＢ１側への電圧印加は対向電極ＣＴとすることにより、陽極化成は、対向電極ＣＴにはなされず対向電圧信号線ＣＬのみになされるようになる。対向電極ＣＴは透光性の導電膜で構成され、該透光性の導電膜は陽極化成されないからである。
本概念による陽極化成は、配線を陽極化成する一般的手法として広く適用可能である。
上述した液晶表示装置の画素の構成は図３に示した通りであるが、必ずしもこのような構成に限定されることなく他の構成であってもよいことはいうまでもない。たとえば、図１０は図３に対応する図であり、図３の場合と比較して異なる構成は、液晶を駆動させる画素電極ＰＸと対向電極ＣＴにおいて、該画素電極ＰＸは透明基板ＳＵＢ１側の各画素領域にてほぼ全域に形成され、対向電極ＣＴは透明基板ＳＵＢ２側にて各画素領域に共通に形成されていることにある。
画素電極ＰＸと対向電極ＣＴはそれぞれ透光性の導電層で形成され、それらの間に発生する電界（透明基板ＳＵＢ１の面に対して垂直方向の電界）によって、液晶の光変調が制御されるようになっている。
このような画素の構成の液晶表示装置においても適用できることはいうまでもない。ゲート信号線ＧＬおよびドレイン信号線ＤＬに形成されるそれぞれの端子部ＧＴＭ、ＤＴＭにおいて同様の課題を有するからである。
なお、このような画素の構成において、図３に示した対向電圧信号線ＣＬをこの実施例では容量信号線ＣＬ’として用いており、しかも、図３に示したと同様に、この容量信号線ＣＬ’の下層には該容量信号線ＣＬ’よりも幅広の透光性の導電膜（図１０では容量電極ＣＴとして用いたもので必ずしも画素領域のほぼ全域にわたって形成する必要はない）が形成されている。これは、それに重畳して配置される画素電極ＰＸとの間の容量素子Ｃｓｔｇの容量を増大させるためで、この場合、それが透光性の導電膜であるがゆえに画素の開口率を低減させる憂いをなくすことができる。
換言すれば、容量信号線ＣＬ’の幅をいわゆる書き込みに影響ない程度に最小限の値に設定し、容量素子Ｃｓｔｇの容量を前記透光性の導電膜の面積で稼ぐことができる効果を奏する。
また、図１１は、図１０に対応した図で、図１０の場合と比較して前記画素電極ＰＸおよび対向電極ＣＴがいわゆるべた状となっておらず、それぞれ複数の電極群として構成されていることにある。画素電極ＰＸのそれぞれの電極とそれに近接して配置される対向電極ＣＴの電極との間に電界を発生させている。このような構成の画素を有する液晶表示装置にも適用できることはいうまでもない。
上述した実施例では、液晶表示装置を例に挙げて説明したものであるが、たとえばＭＩＭ（metal-insulator-metal）型ＦＥＤ表示装置等においても適用できるものである。このＭＩＭ型ＦＥＤ表示装置においてもその端子構造は同様の課題を有し、かつ、画素の電極(信号線)において上述した対向電圧信号線ＣＬとその下層に形成された対向電極と同様の層構造を利用することができるからである。
図１２は、ＭＩＭ型表示装置の一画素における断面図を示したものである。透明基板ＳＵＢ１の表面には、透光性の導電膜を介して紙面表から裏にかけて延在する第１信号線ＳＬ１が形成されている。
第１信号線ＳＬ１はＴｉ、Ａｌの順次積層体から構成され、該Ａｌの表面には陽極化成によって形成されたアルミニュウム酸化膜が形成されている。すなわち、該陽極化成をする際には、図９で示したように、前記透光性の導電膜を給電のための導電層として用い、これによりマスクを必要とすることなく、該信号線の表面のみに陽極化成を実現させることができる。
前記第１信号線ＳＬ１が形成された面には該第１信号線ＳＬ１をも被って保護膜ＰＡＳが形成され、この保護膜ＰＡＳには孔開けがなされこの孔を被うようにして金属層ＭＥが形成されている。第１信号線と金属層ＭＥとの間にはＭＩＭ構造からなるダイオードが形成されるようになる。
他方の透明基板ＳＵＢ２の対向する面には蛍光体ＦＬＲが形成され、第２信号線ＳＬ２が形成されている。この第２信号線ＳＬ２は図中左側から右側にかけて延在するもので、平面的に観た場合前記第１信号線ＳＬ１との交差する部分において一画素を構成するようになっている。
このように構成された表示装置は、第１信号線ＳＬ１から前記ダイオードを介して金属層ＭＥからの電子が第２信号線ＳＬ２側に放出され、該第２信号線ＳＬ２を透過することによって蛍光体ＦＬＲを発光させるようになる。
なお、第２信号線ＳＬ２の材料としては、透光性の導電膜であってもよいが、金属層とすることにより蛍光体ＦＬＲからの光を観察者側（透明基板ＳＵＢ２側に存在する）に反射させる反射板としての機能をもたせることができる。
なお、このように構成された表示装置は、第１信号線ＳＬ１の端子部において、たとえば図１に示した構成を採用し、その際に形成する透光性の導電膜を透光性の導電膜の形成の際に同時に形成するようにすることによって、製造工数の低減を図ることができる。
また、本発明は、液晶表示装置、ＭＩＭ型ＦＥＤ表示装置に限定されることはなく、たとえば有機ＥＬ表示装置に適用できることはいうまでもない。
上述した各実施例はそれぞれ単独に、あるいは組み合わせて用いても良い。それぞれの実施例での効果を単独であるいは相乗して奏することができるからである。
ＳＵＢ……透明基板、ＩＴＯ１……第１透明導電層、ＳＬ……信号線、ＩＮＳ……絶縁膜、ＧＩ……絶縁膜、ＰＡＳ……保護膜、ＭＯＰ……島状の層、ＩＴＯ２……第２透明導電層、ＡＣＦ……異方性導電膜、ＣＨ……半導体装置、ＧＬ……ゲート信号線、ＣＬ……対向電圧信号線、ＣＬ’……容量信号線、ＣＴ……対向電極、ＴＦＴ……薄膜トランジスタ
Claims (9)
- 基板に端子部を備える表示装置であって、
前記端子部は、第１透明導電層と、該第１透明導電層の一部を露出させる開口を有する絶縁膜と、該絶縁膜から露出された第１透明導電層および該絶縁膜の前記開口を被って形成される第２透明導電層とから構成され、
前記開口で前記第１透明導電層と前記第２透明導電層は直接接続され端子を形成し、
前記第１透明導電層は、該端子部に導かれる金属の信号線と該信号線の下層から接続されていることを特徴とする表示装置。 - 前記信号線は第１透明導電層の上面に該第１透明導電層と接触して形成されるとともに、前記絶縁膜の前記開口にまで及んで形成されていないことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
- 前記信号線は第１透明導電層の上面に該第１透明導電層と接触して形成されるとともに、前記絶縁膜の前記開口の一部にまで及んで形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
- 前記端子部は、前記開口で前記第１透明導電層と前記第２透明導電層との間に形成される複数の点在された金属の導電層を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
- 前記点在された金属の導電層は、前記金属の信号線と同層であることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
- 前記点在された金属の導電層は、前記金属の信号線と同一の材料で構成されていることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
- 前記表示装置は、基板上に半導体装置が搭載される表示装置であって、前記端子部は、該基板に前記半導体装置のバンプ電極と異方性導電膜を介して接続がなされる端子部であることを特徴とする請求項１ないし６の何れか１項に記載の表示装置。
- 前記第２透明導電層は画素電極と同層であることを特徴とする請求項１ないし７の何れか１項に記載の表示装置。
- 前記第１透明導電層は、画素内でコモン配線より幅広であることを特徴とする請求項１ないし８の何れか１項に記載の表示装置。
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