JPH095767A - 液晶パネルの入力端構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ＡＣＦを用いてＴＡＢを形成したＬＣＤにお
いて、ＡＣＦの内部抵抗のばらつきによる外部入力電圧
の低下を抑え、表示品位を向上する。 【構成】 端子（１４）の両端にコンタクトホール（２
３，２５）を形成し、この２箇所でゲートライン（２
１）に接続する。これにより、抵抗が半減するととも
に、電荷が高抵抗である端子中の移動距離が短くなっ
て、制御回路から導線（１７）に印加された電圧の降下
が抑えられる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＴＡＢ（tape automat
ed bonding）による液晶パネルとこれを駆動するドライ
バーＬＳＩとの接続部分に関する。

【０００２】

【従来の技術】ディスプレイ装置として、光学部材に液
晶を用いた液晶表示装置（ＬＣＤ：Liquid Crystal Dis
play）は小型、薄型、低消費電力などの利点があり、Ｏ
Ａ機器、ＡＶ機器などの分野で実用化が進んでいる。特
に、液晶駆動用の透明電極を交差配置して表示点をマト
リクス的に選択しながら電圧を印加するマトリクス型、
更には、液晶駆動用の各画素容量にスイッチ素子を接続
形成し、線順次に書き換え画素を選択しながら、信号電
圧を静電的に常時保持させていくアクティブマトリクス
型は、高精細、高コントラスト比の動画表示が可能とな
り、パーソナルコンピュータのディスプレイ、テレヴィ
ジョンなどに実用化されている。

【０００３】図２はＬＣＤの等価回路図である。（１）
は走査線用のゲートライン、（２）は信号線用のドレイ
ンラインであり、両ライン（１，２）の交差部にはスイ
ッチ素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：thin film
transistor）（３）が形成されている。（４）は液晶駆
動用の画素容量であり、それぞれＴＦＴ（３）に接続さ
れている。ゲートライン（１）とドレインライン（２）
は同一基板上に形成されており、それぞれドライバー
（５，６）により駆動される。画素容量（４）の一方を
成す画素電極がＴＦＴ（３）のソースに接続され、画素
容量（４）の他方を成す共通電極が液晶を挟んで対向配
置された別の基板上に形成されている。ゲートライン
（１）は線順次に選択的に高電圧が印加され同一行のＴ
ＦＴ（３）を一斉にＯＮし、これに同期して、ドレイン
ライン（２）より信号電圧が印加されて画素容量（４）
に保持される。

【０００４】図３は、このようなＬＣＤを上面から見た
全体図であり、図４はそのＡ−Ａ線に沿った断面図であ
る。ＴＦＴ（３）などが形成された基板（１０）と、共
通電極が形成された基板（１１）が貼り合わされ、これ
らの間隙には液晶（１２）が封入され、周縁でシール材
（１３）により密封され液晶パネルが構成されている。
基板（１０）の端部には、ゲートライン（１）やドレイ
ンライン（２）の入力端子（１４）が形成され、表面に
露出されている。ゲートあるいはドレインのドライバー
ＬＳＩ（１５）がポリイミドなどのフレキシブルテープ
（１６）にボンディングされ、Ｃｕ箔からなる導線（１
７）により入力端子（１４）、及び、制御回路が形成さ
れたプリント基板（１８）へ接続されている。導線（１
７）と端子（１４）の接続は、ＡＣＦ（anistropic con
ductive film）（１９）、即ち、半田、ニッケルなどの
金属粒子、あるいは、樹脂粒子に金属メッキをしてなる
導電粒子を、接着剤中に分散した異方性導電接着剤によ
り行っている。一方、導線（１７）とプリント基板（１
８）上の配線は、半田（２０）により接続している。

【０００５】図５は、ＡＣＦ（１９）により、ＴＡＢを
接続した端子（１４）部分の拡大断面図である。基板
（１０）の端部には、例えば、Ｃｒにより形成されたＴ
ＦＴ（不図示）のゲート電極と一体のゲートライン（２
１）が表示部から延在されてきており、これを覆いＳｉ
Ｎxなどの絶縁層（２２）が積層されており、絶縁層
（２２）上には、ＩＴＯからなる端子（１４）が形成さ
れている。工数の節約のため、絶縁層（２２）は、多く
はＴＦＴのゲート絶縁膜と一体であり、端子（１４）
は、ＡＣＦとの相性を考慮して表示部に形成された画素
電極と同一のＩＴＯ膜である。絶縁層（２２）中にはコ
ンタクトホール（２３）が開口され、Ａｌなどのコンタ
クトメタル（２４）により端子（１４）とゲートライン
（２１）が接続されている。端子（１４）が形成された
基板（１０）上には、フレキシブルテープ（１６）との
間で、ＡＣＦ（１９）が挟み込まれ、加熱、圧着するこ
とにより、端子（１４）と導線（１７）の間の領域のみ
で導電粒子が接触されて電気的接続が形成される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】このようにドライバー
により作成された信号電圧は、図５に示すように、ＡＣ
Ｆ（１９）により形成された導電接続を介して、導線
（１７）から端子（１４）へ電荷を供給することで印加
されるが、この際、同図で、導線（１７）の電流は、Ａ
ＣＦ（１９）中に形成された導電接続の経路のうち、コ
ンタクトメタル（２４）に近い側よりも、遠い側の経路
を通過する電流が小さい。即ち、Ｃｒからなるゲートラ
イン（２１）及びＣｕ箔からなる導線（１７）に比し
て、ＩＴＯからなる端子（１４）は抵抗が大きく、更に
その上、画素電極と同一膜により形成しているので、透
過率を重視して厚くはできない。このため、例えば、電
流が通る経路（ａ，ｂ，ｃ，ｄ）では、この順で、電流
が減少していく。即ち、経路（ｃ，ｄ）を通る電流は経
路（ａ，ｂ）を通る電流よりも小さくなっている。

【０００７】従って、端子（１４）のサイズに比して、
十分な電流がゲートライン（２１）に流れず、ＡＣＦ
（１９）による抵抗のため、ゲートライン（２１）の電
圧が導線（１９）の電圧よりも低下していしまい、これ
により、ＴＦＴの十分なＯＮ電流が得られず、結果的に
画素電極の電圧が下がり、コントラスト比が低下するな
どの問題を招いていた。また、このような問題を避ける
ために、ドライバーの電源電圧を大きくすると消費電力
が増大する。

【０００８】更に、ＡＣＦ（１９）中の導電粒子の接触
は圧着により物理的に行われるため、場所により電気接
続の抵抗にばらつきが生じることもあるため、特に、各
ラインごとに経路（ａ，ｂ）の抵抗が、経路（ｃ，ｄ）
の抵抗よりも大きくなったり、小さくなったりした場合
は、導線（１７）に対するゲートライン（２１）の電圧
降下率が異なってしまい、表示にばらつきが生じる。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明はこの課題を解決
するために成されたもので、表示部に液晶駆動用の画素
容量の一方を構成する画素電極が形成されるとともに、
前記画素電極に信号電圧を印加するための多層配線が形
成された第１の基板と、液晶駆動用の画素容量の他方を
構成する共通電極が形成された第２の基板が、液晶を挟
んで貼り合わされてなる液晶パネルに、信号電圧を供給
するための駆動回路素子部が接続される液晶パネルの入
力端構造であって、前記第１の基板の端部に表示部から
延在された配線と、該配線を覆う絶縁層と、該絶縁層上
に形成された端子電極からなり、前記絶縁層には前記端
子電極の周辺に複数の開口部が形成され、前記端子電極
はこれら複数の開口部を介して前記配線に接続されてい
る構成である。

【００１０】また特に、前記端子電極は、前記画素電極
と同一導電膜により形成されている構成である。

【００１１】

【作用】本発明の構成で、端子周辺の複数箇所で、絶縁
層下の配線層に接続することにより、接続抵抗が低減さ
れるとともに、高抵抗の端子中を移動する距離が短縮す
るため、配線層へ印加される電圧が、入力時点での電圧
から降下することが抑えられる。

【００１２】

【実施例】続いて、本発明の実施例を詳細に説明する。
図１は液晶パネル基板の端部の拡大断面図であり、特
に、本発明の実施例にかかるＴＡＢ部との接続部分を示
している。基板（１０）上には、図示は省いたが表示部
においてＴＦＴが形成されており、そのゲート電極を接
続するゲートライン（２１）がＣｒにより形成され、表
示部から延在されてきている。ゲートライン（２１）上
には、ＳｉＮxからなる絶縁層（２２）が被覆されてい
る。この絶縁層（２２）もまたＴＦＴ部のゲート絶縁膜
と一体のものである。絶縁層（２２）の上には、不図示
の画素電極と同一のＩＴＯ膜からなる入力端子（１４）
が形成されている。絶縁層（２２）中には、端子（１
４）の両端部分に、第１及び第２のコンタクトホール
（２３，２５）が開口され、それぞれコンタクトメタル
（２４，２６）によりゲートライン（２１）へ接続され
ている。コンタクトメタル（２４，２６）は、例えば、
ＴＦＴのソース及びドレイン電極と同一材料により形成
されている。端子（１４）上には、ＡＣＦ、即ち、半
田、ニッケルなどの金属粒子、あるいは、樹脂粒子に金
属メッキをしてなる導電粒子を、接着剤中に分散してな
る異方性導電接着剤が形成され、フレキシブルテープ
（１６）上に形成されたＣｕ箔からなる導線（１７）に
電気接続されている。このように、端子（１４）の両端
でゲートライン（２１）に接続する構造とすることによ
り、例えば、図の経路（ｄ，ｃ）を通る電荷は、コンタ
クトメタル（２６）側よりゲートライン（２１）へ入る
ため、高抵抗のＩＴＯからなる端子（１４）中を移動す
る距離が短くなって配線抵抗が減少するため、経路
（ａ，ｂ）と同じ大きさの電流が得られる。また、この
ように、導線（１７）とゲートライン（２１）の接続部
を２箇所としたことにより、抵抗が半分になるため、電
圧降下が抑えられる。

【００１３】これにより、ＴＦＴのＯＮ電流が十分に大
きく取ることができ、画素電極へ印加される電圧が低下
してコントラスト比が低下するといった問題が防がれ
る。なお、ここに示した実施例では、コンタクトホール
（２５）の形成は、コンタクトホール（２３）と同時に
エッチングにより形成されるとともに、コンタクトメタ
ル（２４，２６）は、ソース及びドレイン電極と同時に
形成されるため、従来と比べて工数の増加は無い。

【００１４】また、ここに挙げた実施例では、ゲートラ
インが下層に在る構造、即ち、逆スタガー型ＴＦＴを用
いたＬＣＤについて、ゲートライン（２１）とその入力
端子（１４）との接続部の構造を示したが、本発明は、
これに限定されるものではなく、他に、正スタガー型、
即ち、ソース・ドレイン電極を下層に配した構造にも適
用できる。この場合、ドレインラインを絶縁層上の入力
端子に接続する際に、同様の構造とすることにより、信
号電圧の交流振幅の減少が抑えられ、コントラスト比の
低下が防がれる。

【００１５】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
で、各ライン端における入力端子との接続を、入力端子
周辺の複数箇所で形成することにより、抵抗が半減する
とともに、端子自身の高抵抗による電圧の低下が小さく
なり、外部入力電圧を液晶パネルへ印加する際の、電圧
降下が大幅に減り、結果的に、コントラスト比の低下が
抑えられる。

【００１６】また、ＡＣＦ自信の抵抗のばらつきによる
各ラインごとの電圧降下量の異なりによる表示のばらつ
きが防止される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例にかかる液晶パネルの入力端の
拡大断面図である。

【図２】液晶表示装置の等価回路図である。

【図３】液晶表示装置の全体上面図である。

【図４】図３のＡ−Ａ線に沿った断面図である。

【図５】従来の液晶パネルの入力端の拡大断面図であ
る。

【符号の説明】

１，２１ ゲートライン ２ ドレインライン ３ ＴＦＴ ４ 画素容量 ５ ゲートドライバー ６ ドレインドライバー １０，１１ 基板 １２ 液晶 １３ シール材 １４ 入力端子 １５ ドライバーＬＳＩ １６ フレキシブルテープ １７ 導線 １８ プリント基板 １９ ＡＣＦ ２０ 半田 ２２ 絶縁層 ２３，２５ コンタクトホール ２４，２６ コンタクトメタル

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 表示部に液晶駆動用の画素容量の一方を
   構成する画素電極が形成されるとともに、前記画素電極
   に信号電圧を印加するための多層配線が形成された第１
   の基板と、液晶駆動用の画素容量の他方を構成する共通
   電極が形成された第２の基板が、液晶を挟んで貼り合わ
   されてなる液晶パネルに、信号電圧を供給するための駆
   動回路素子部が接続される液晶パネルの入力端構造であ
   って、 前記第１の基板の端部に表示部から延在された配線と、
   該配線を覆う絶縁層と、該絶縁層上に形成された端子電
   極からなり、前記絶縁層には前記端子電極の周辺に複数
   の開口部が形成され、前記端子電極はこれら複数の開口
   部を介して前記配線に接続されていることを特徴とする
   液晶パネルの入力端構造。
2. 【請求項２】 前記端子電極は、前記画素電極と同一導
   電膜により形成されていることを特徴とする請求項１記
   載の液晶パネルの入力端構造。