JP2014186082A - 電気光学装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】表層に透光性導電膜を備えた接続端子とフレキブル配線の電極との電気的な接続を適正に検査することのでき、さらには、検査用の接続端子を設けたことに起因する弊害の発生を抑制することのできる電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置において、各種信号や定電位を供給するための第１接続端子１０２ｆについては、第１導電膜８ｆが層間絶縁膜４５の第１コンタクトホール４５ｆを介して第２導電膜８ｆと電気的に接続し、ダミー用の第２接続端子１０２ｇについては、層間絶縁膜４５に凹部４５ｇを設け、かかる凹部４５ｇを覆うように、第１導電膜９ｆと同層の第３導電膜９ｇを設けてある。また、第２接続端子１０２ｇでは、平面視で、凹部４５ｇを外側で囲んで透光領域１０２ｈを規定する第４導電膜８ｇが設けられている。
【選択図】図４

Description

本発明は、表層に透光性導電膜を備えた接続端子が透光性基板に形成された電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器に関するものである。

液晶装置等の電気光学装置では、複数の画素を駆動するにあたって、透光性基板の一辺に沿って配列された複数の接続端子に異方性導電材料を介してフレキシブル配線基板の電極を接続し、フレキシブル配線基板から透光性基板に各種信号や定電位を供給する。ここで、透光性基板の表層にＩＴＯ膜等の透光性導電膜を用いた場合、接続端子とフレキシブル配線基板の電極との間で異方性導電材料に含まれる導電粒子を一定数以上、潰した状態とする必要がある。但し、接続端子では表層を透光性導電膜とした場合でも、透光性導電膜の下層側には金属等の遮光性導電膜が形成されているため、透光性基板の裏面側から導電粒子の様子を観察することが困難である。

そこで、透光性導電膜の下層側に遮光性導電膜が存在しないダミーの端子を設けるとともに、透光性導電膜の外周部分と重なるように遮光性導電膜を枠状に形成し、透光性基板の裏面側から枠状の遮光性導電膜で囲まれた透光領域内で潰れた導電粒子の数を検査する技術が提案されている（特許文献１参照）。

特開２００９−２２４５０５号公報

しかしながら、ダミーの端子の側において、透光性導電膜の外周部分と重なるように遮光性導電膜を枠状に形成すると、透光性導電膜に枠状の遮光性導電膜に起因する段差が発生しやすい。このため、接続端子とダミーの端子との間において、導電粒子の潰れ具合が異なってしまい、正確に検査することができなるという問題点がある。

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、表層に透光性導電膜を備えた接続端子とフレキシブル配線の電極との電気的な接続を適正に検査することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供することにある。

また、本発明の課題は、検査用の接続端子を設けたことに起因する弊害の発生を抑制することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置は、透光性基板と、該透光性基板の一辺に沿って配置され、第１接続端子と第２接続端子とを有する複数の接続端子と、平面視で、前記複数の接続端子と重なる第１層間絶縁膜と、を含み、前記第１接続端子は、前記第１層間絶縁膜の前記透光性基板とは反対側に設けられた第１導電膜と、前記透光性基板と前記第１導電膜との間に設けられ、前記第１層間絶縁膜に形成された第１コンタクトホールを介して前記第１導電膜と電気的に接続された遮光性の第２導電膜と、を有し、前記第２接続端子は、前記第１層間絶縁膜の前記透光性基板とは反対側で、前記第１層間絶縁膜に形成された凹部に平面視で重なる領域に形成された透光性の第３導電膜と、前記第１層間絶縁膜と前記透光性基板との間に設けられ、平面視で前記凹部から離間し、当該凹部の縁に沿って形成された遮光性の第４導電膜と、を有することを特徴とする。

本発明では、各種信号や定電位を供給するための第１接続端子については、第１導電膜が第１層間絶縁膜の第１コンタクトホールを介して第２導電膜と電気的に接続している。このため、第１導電膜には第１コンタクトホールに起因する凹部が形成されるため、第２接続端子では、第１層間絶縁膜に凹部を設け、かかる凹部を覆うように、第３導電膜を設けてある。このため、第１接続端子および第２接続端子に対してフレキシブル配線基板の電極が同等の条件で接続する。また、第２接続端子では、凹部の少なくとも一部と平面視で重なる透光領域を指定する遮光性の第４導電膜が設けられている。このため、第１接続端子および第２接続端子に対してフレキシブル配線基板の電極を、導電粒子を介して電気的に接続した後、透光性基板の裏面側（透光性基板に対して第２接続端子とは反対側）から第４導電膜によって指定された透光領域内で潰れた導電粒子の数等を検査すれば、第１接続端子とフレキシブル配線基板の電極との接続構造を検査することができる。ここで、第４導電膜は、平面視で凹部から離間した位置に設けられているため、凹部の底部には、第４導電膜に起因する段差が発生しない。それ故、第１接続端子および第２接続端子に対してフレキシブル配線基板の電極が同等の条件で接続するので、第２接続端子とフレキシブル配線基板の電極との接続状態を検査すれば、第１接続端子とフレキシブル配線基板の電極との接続状態を正確に検査することができる。

本発明において、前記第１導電膜は透光性の導電膜であり、前記第３導電膜は、前記第１導電膜と同層である構成を採用することができる。かかる構成の場合、第１接続端子および第２接続端子に対してフレキシブル配線基板の電極がより同等の条件で接続することになる。従って、第２接続端子とフレキシブル配線基板の電極との接続状態を検査すれば、第１接続端子とフレキシブル配線基板の電極との接続状態を正確に検査することができる。

本発明において、前記第４導電膜は、前記凹部の周りを囲む枠状に形成されていることが好ましい。かかる構成によれば、透光領域を明確に指定することができるので、透光性基板の裏面側から透光領域内で潰れた導電粒子の数等を検査しやすい。

本発明において、前記凹部の開口面積は、前記第１コンタクトホールの開口面積より狭いことが好ましい。かかる構成によれば、第１コンタクトホールと凹部とを同一のエッチング工程で形成する際、凹部側でのエッチング速度は、第１コンタクトホール側でのエッチング速度より遅い。従って、第１コンタクトホールの底部で第２導電膜が完全に露出するようにオーバーエッチングを行った時点で、凹部は第１コンタクトホールと同等の深さとすることができる。従って、凹部の底部では、第１コンタクトホールの底部と同様に導電粒子が潰れることになるので、第２接続端子とフレキシブル配線基板の電極との接続状態を検査すれば、第１接続端子とフレキシブル配線基板の電極との接続状態を正確に検査することができる。また、第２接続端子でも、第１接続端子と同等の圧着強度が得られる、従って、複数の第１接続端子のうち、第２接続端子に近い第１接続端子で接続抵抗が大きくなってしまうという事態の発生を抑制することができる。

本発明において、前記凹部および前記第１コンタクトホールは、長方形の平面形状を備え、平面視で、前記凹部の長辺方向の寸法は、前記第１コンタクトホールの長辺方向の寸法と等しく、前記凹部の短辺方向の寸法が前記第１コンタクトホールの短辺方向の寸法より短いことが好ましい。かかる構成によれば、第１接続端子および第２接続端子に対してフレキシブル配線基板の電極が同等の条件で接続する。また、凹部側でのエッチング速度を第１コンタクトホール側でのエッチング速度より確実に遅くすることができるので、凹部は第１コンタクトホールと同等の深さとなる。

本発明において、前記透光性基板と前記第２導電膜との間に設けられた第２層間絶縁膜と、前記透光性基板と前記第２層間絶縁膜との間に設けられ、前記第２層間絶縁膜に形成された第２コンタクトホールを介して前記第２導電膜と電気的に接続された遮光性の第５導電膜と、を有し、平面視で、前記第２コンタクトホールは、前記第１コンタクトホールと重ならないように配置されていることが好ましい。かかる構成によれば、第１コンタクトホールの底部には第２コンタクトホールに起因する凹凸が発生しないので、第１接続端子に対してフレキシブル配線基板の電極を確実に電気的に接続することができる。

本発明において、前記透光性基板と前記第２層間絶縁膜との間に配置され、平面視で前記第４導電膜と重なる遮光性の第６導電膜を有していることが好ましい。かかる構成によれば、第２接続端子付近の構成を第１接続端子と同様とすることができるので、第１接続端子および第２接続端子に対してフレキシブル配線基板の電極が同等の条件で接続することになる。

本発明において、前記第２接続端子は、前記複数の接続端子の端に配置されていることが好ましい。かかる構成によれば、第２接続端子での圧着強度が第１接続端子と相違している場合でも、その影響が及ぶ第１接続端子の数を最小限とすることができる。

本発明において、前記第１接続端子は、前記第２接続端子に隣り合い、前記第１接続端子は、定電位供給用の端子であることが好ましい。第２接続端子での圧着強度が第１接続端子と相違し、その影響が隣りの第１接続端子に及んで接続抵抗が高くなった場合でも、定電位供給用であれば、その影響が電気光学装置の動作に及びにくい。

本発明に係る電気光学装置は、携帯電話機やモバイルコンピューター、投射型表示装置等の電子機器に用いることができる。これらの電子機器のうち、投射型表示装置は、電気光学装置に光を供給するための光源部と、前記電気光学装置によって光変調された光を投射する投射光学系とを備えている。

本発明を適用した電気光学装置の液晶パネルの説明図である。 本発明を適用した電気光学装置の素子基板の電気的構成を示す説明図である。 本発明を適用した電気光学装置において素子基板に形成された膜の構成を示す断面図である。 本発明を適用した電気光学装置の接続端子の説明図である。 本発明を適用した電気光学装置におけるフレキシブル配線基板と接続端子との接続構造を模式的に示す説明図である。 本発明を適用した電気光学装置の第２接続端子の変形例を示す説明図である。 本発明を適用した投射型表示装置（電子機器）および光学ユニットの概略構成図である。 本発明の参考例に係る電気光学装置の接続端子の説明図である。 本発明の参考例に係る電気光学装置の問題点を示す説明図である。

以下、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、以下の説明で参照する図においては、走査線、データ線、信号線等の配線等については、それらの数を少なく表してある。

［実施の形態１］
図１は、本発明を適用した電気光学装置の液晶パネルの説明図であり、図１（ａ）には、液晶パネルを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面構成が示され、図１（ｂ）には、そのＨ−Ｈ′断面が示されている。

図１（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の電気光学装置１００（液晶装置）に用いた液晶パネル１００ｐでは、素子基板１０（電気光学装置用基板）と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は対向基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバーあるいはガラスビーズ等のギャップ材１０７ａが配合されている。液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０と対向基板２０との間のうち、シール材１０７によって囲まれた領域内には電気光学層５０（液晶層）が設けられている。シール材１０７には、液晶注入口１０７ｃとして利用される途切れ部分が形成されており、かかる液晶注入口１０７ｃは、液晶材料の注入後、封止材１０７ｄによって封止されている。

かかる構成の液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、素子基板１０は、Ｙ方向（第２方向）で対向する２つの辺１０ｅ、１０ｆ（端部）と、Ｘ方向（第１方向）で対向する２つの辺１０ｇ、１０ｈ（端部）とを備えている。液晶パネル１００ｐの略中央には、表示領域１０ａが四角形の領域として設けられており、かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられている。表示領域１０ａの外側は、四角枠状の外周領域１０ｃになっている。

素子基板１０において、外周領域１０ｃでは、素子基板１０においてＹ軸方向の一方側に位置する辺１０ｅに沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の接続端子１０２が形成されており、この辺１０ｅに隣接する他の辺１０ｇ、１０ｈの各々に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。接続端子１０２には、フレキシブル配線基板３１０（図１（ｂ）参照）が接続されており、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して外部制御回路から各種電位や各種信号が入力される。

図３等を参照して詳しくは後述するが、素子基板１０の一方面１０ｓおよび他方面１０ｔのうち、対向基板２０と対向する一方面１０ｓの側には、表示領域１０ａに画素電極９ａや、図２等を参照して後述する画素スイッチング素子３０等がマトリクス状に配列されている。従って、表示領域１０ａは、画素電極９ａがマトリクス状に配列された画素電極配列領域１０ｐとして構成されている。かかる構成の素子基板１０において、画素電極９ａの電気光学層５０側には配向膜１６が形成されている。

素子基板１０の一方面１０ｓの側において、表示領域１０ａより外側の外周領域１０ｃのうち、表示領域１０ａとシール材１０７とに挟まれた四角枠状の周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。ダミー画素電極９ｂは、隣り合うダミー画素電極９ｂ同士が細幅の連結部（図示せず）で繋がっている。また、ダミー画素電極９ｂは、共通電位Ｖcomが印加されており、表示領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止する。

対向基板２０の一方面２０ｓおよび他方面２０ｔのうち、素子基板１０と対向する一方面２０ｓの側には共通電極２１が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。本形態において、共通電極２１は、対向基板２０の全面に形成されている。

対向基板２０の一方面２０ｓの側には、共通電極２１に対して電気光学層５０とは反対側に遮光層２９が形成され、共通電極２１に対して電気光学層５０の側には配向膜２６が形成されている。遮光層２９は、表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁部分２９ａとして形成されており、遮光層２９の内周縁によって表示領域１０ａが規定されている。また、遮光層２９は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域に重なるブラックマトリクス部２９ｂとしても形成されている。額縁部分２９ａはダミー画素電極９ｂと重なる位置に形成されており、額縁部分２９ａの外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にある。従って、額縁部分２９ａとシール材１０７とは重なっていない。

また、対向基板２０の一方面２０ｓの側には、共通電極２１に対して電気光学層５０とは反対側に画素電極９ａと平面視で重なるマイクロレンズ２７が形成されることもある。かかるマイクロレンズ２７は、対向基板２０の一方面２０ｓに形成した半球状の凹部内に透光性材料２７０を充填することにより形成される。なお、対向基板２０においてマイクロレンズ２７と共通電極２１との間に保護層（図示せず）が形成されることもある。

液晶パネル１００ｐにおいて、シール材１０７より外側には、対向基板２０の一方面２０ｓの側の４つの角部分に基板間導通用電極２５が形成されており、素子基板１０の一方面１０ｓの側には、対向基板２０の４つの角部分（基板間導通用電極２５）と対向する位置に基板間導通用電極１９が形成されている。本形態において、基板間導通用電極２５は、共通電極２１の一部からなる。基板間導通用電極１９には、共通電位Ｖcomが印加されている。基板間導通用電極１９と基板間導通用電極２５との間には、導電粒子を含んだ基板間導通材１９ａが配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通用電極１９、基板間導通材１９ａおよび基板間導通用電極２５を介して、素子基板１０側と電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、素子基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって対向基板２０の外周縁に沿って設けられているが、対向基板２０の角部分と重なる領域では基板間導通用電極１９、２５を避けて内側を通るように設けられている。

本形態において、電気光学装置１００は透過型の液晶装置であり、画素電極９ａおよび共通電極２１は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜等の透光性導電膜により形成されている。かかる透過型の液晶装置（電気光学装置１００）では、例えば、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０の側から出射される間に変調されて画像を表示する。また、電気光学装置１００が反射型の液晶装置である場合、共通電極２１は、ＩＴＯ膜やＩＺＯ膜等の透光性導電膜により形成され、画素電極９ａは、アルミニウム膜等の反射性導電膜により形成される。かかる反射型の液晶装置（電気光学装置１００）では、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。

電気光学装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０には、カラーフィルター（図示せず）が形成される。また、電気光学装置１００は、電子ペーパーとして用いることできる。また、電気光学装置１００では、使用する電気光学層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、電気光学装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各電気光学装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。

（素子基板１０の電気的構成）
図２は、本発明を適用した電気光学装置１００の素子基板１０の電気的構成を示す説明図であり、図２（ａ）には、素子基板１０の回路や配線の平面的なレイアウトが示され、図２（ｂ）には、画素１００ａの電気的構成が示されている。なお、以下の説明において、接続端子１０２を介して素子基板１０に入力される信号名称と信号用の配線とは、同一のアルファベット記号を信号および配線Ｌの後に各々付与する。例えば、信号名称である「クロック信号ＣＬＸ」に対して、対応する信号用の配線について「クロック信号線ＬＣＬＸ」とする。また、以下の説明において、接続端子１０２を介して素子基板１０に入力される信号名称と信号用の端子とは、同一のアルファベット記号を信号および端子Ｔの後に各々付与する。例えば、信号名称である「クロック信号ＣＬＸ」に対して、対応する接続端子１０２については「端子ＴＣＬＸ」とする。

図２（ａ）、（ｂ）に示すように、電気光学装置１００において、素子基板１０の中央領域には複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画素電極配列領域１０ｐが設けられており、かかる画素電極配列領域１０ｐのうち、図１（ｂ）に示す額縁部分２９ａの内縁で囲まれた領域が表示領域１０ａである。素子基板１０では、画素電極配列領域１０ｐの内側に、Ｘ方向に延在する複数本の走査線３ａと、Ｙ方向に延在する複数本のデータ線６ａとが形成されており、それらの交点に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、ＴＦＴ等からなる画素スイッチング素子３０（画素トランジスター）、および画素電極９ａが形成されている。画素スイッチング素子３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素スイッチング素子３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素スイッチング素子３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。

素子基板１０において、画素電極配列領域１０ｐより外側の外周領域１０ｃには、走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路１０３、基板間導通用電極１９、接続端子１０２等が構成されており、接続端子１０２から走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路１０３、および基板間導通用電極１９に向けて複数の配線１０５が延在している。サンプリング回路１０３は複数本のデータ線６ａと電気的に接続しており、走査線駆動回路１０４は、複数本の走査線３ａと電気的に接続している。

各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、図１を参照して説明した対向基板２０に形成された共通電極２１と電気光学層５０を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量５５が付加されている。本形態では、保持容量５５を構成するために、複数の画素１００ａに跨って延びた容量線８ａが形成され、かかる容量線８ａには共通電位Ｖcomが印加されている。

なお、図２（ｂ）においては、容量線８ａが走査線３ａと並列して延在しているものとして表されているが、容量線８ａがデータ線６ａと並列して延在していてもよい。本形態では、後述する理由から、容量線８ａがデータ線６ａと並列して延在する構成が採用されている。

素子基板１０の辺１０ｅに沿って設けられた接続端子１０２は、共通電位線用、走査線駆動回路用、画像信号用、およびデータ線駆動回路用の４つの用途に大きく分類される複数の端子群により構成されている。具体的には、接続端子１０２は、共通電位線ＬＶcom用として端子ＴＶcomを備え、走査線駆動回路１０４用として端子ＴＳＰＹ、端子ＴＶＳＳＹ、端子ＴＶＤＤＹ、端子ＴＣＬＹおよび端子ＴＣＬＹINVを備えている。また、接続端子１０２は、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６用として端子ＴＶＩＤ１〜ＴＶＩＤ６を備え、データ線駆動回路１０１用として、端子ＴＶＳＳＸ、端子ＴＳＰＸ、端子ＴＶＤＤＸ、端子ＴＣＬＸ、端子ＴＣＬＸINV、端子ＴＥＮＢ１〜ＴＥＮＢ４、および端子ＴＶＳＳＸを備えている。

データ線駆動回路１０１は、シフトレジスタ回路１０１ｃ、波形整形回路１０１ｂ、およびバッファー回路１０１ａを備えている。データ線駆動回路１０１において、シフトレジスタ回路１０１ｃは、外部制御回路から接続端子１０２（端子ＴＶＳＳＸ、ＴＶＤＤＸ）および配線１０５（配線ＬＶＳＳＸ、ＬＶＤＤＸ）を介して供給される負電源ＶＳＳＸおよび正電源ＶＤＤＸを電源として用い、外部制御回路から接続端子１０２（端子ＴＳＰＸ）および配線１０５（配線ＬＳＰＸ）を介して供給されるスタート信号ＳＰＸに基づいて転送動作を開始する。シフトレジスタ回路１０１ｃは、接続端子１０２（端子ＴＣＬＸ、ＴＣＬＸINV）、および配線１０５（配線ＬＣＬＸ、ＬＣＬＸINV）を介して供給されるクロック信号ＣＬＸおよび逆位相クロック信号ＣＬＸINVに基づき、転送信号を波形整形回路１０１ｂへ出力する。波形整形回路１０１ｂは、「イネーブル回路」とも称され、シフトレジスタ回路１０１ｃから順次出力される転送信号のパルス幅を、外部制御回路から接続端子１０２（端子ＴＥＮＢ１〜ＴＥＮＢ４）および配線１０５（配線ＬＥＮＢ１〜ＬＥＮＢ４）を介して供給されるイネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４のパルス幅に制限することにより、後述のサンプリング回路１０３における各サンプリング期間を規定する。より具体的には、波形整形回路１０１ｂは、シフトレジスタ回路１０１ｃの各段に対応して設けられたＮＡＮＤ回路およびインバーター等により構成されており、シフトレジスタ回路１０１ｃより順次出力される転送信号がハイレベルとされており、かつ、イネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４のいずれかがハイレベルとされているときにのみデータ線６ａが駆動されるように時間軸上における波形の選択制御を行う。バッファー回路１０１ａは、このように波形の選択が行われた転送信号をバッファリングした後、サンプリング回路駆動信号として、選択信号線１０９を介してサンプリング回路１０３に供給する。

サンプリング回路１０３は、画像信号をサンプリングするためのスイッチング素子１０８を複数備えて構成されている。本形態において、スイッチング素子１０８は、ＴＦＴ等の電界効果型トランジスターからなる。スイッチング素子１０８のドレインには、データ線６ａが電気的に接続され、スイッチング素子１０８のソースには、配線１０６を介して配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）が接続されるとともに、スイッチング素子１０８のゲートには、データ線駆動回路１０１に接続された選択信号線１０９が接続されている。そして、接続端子１０２（端子ＴＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）を介して配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）に供給された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６は、データ線駆動回路１０１から選択信号線１０９を通じて選択信号（サンプリング回路駆動信号）が供給されるのに応じ、サンプリング回路１０３によりサンプリングされ、各データ線６ａに画像信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、・・Ｓｎとして供給される。本形態において、画像信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、・・Ｓｎは、６相にシリアル−パラレル展開された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６の各々に対応して、６本のデータ線６ａの組に対してグループ毎に供給される。なお、画像信号の相展開数に関しては、６相に限られるものでなく、例えば、９相、１２相、２４相、４８相等、複数相に展開された画像信号が、その展開数に対応した数を一組としたデータ線６ａの組に対して供給される。

走査線駆動回路１０４は、構成要素としてシフトレジスタ回路およびバッファー回路を備えている。走査線駆動回路１０４は、外部制御回路から接続端子１０２（端子ＴＶＳＳＹ、ＴＶＤＤＹ）および配線１０５（配線ＬＶＳＳＹ、ＬＶＤＤＹ）を介して供給される負電源ＶＳＳＹおよび正電源ＶＤＤＹを電源として用い、同じく外部制御回路から接続端子１０２（端子ＴＳＰＹ）および配線１０５（端子ＴＳＰＹ）を介して供給されるスタート信号ＳＰＹに応じて、その内蔵シフトレジスタ回路の転送動作を開始する。また、走査線駆動回路１０４は、接続端子１０２（端子ＴＣＬＹ、ＴＣＬＹINV）および配線１０５（配線ＬＣＬＹ、ＬＣＬＹINV）を介して供給されるクロック信号ＣＬＹおよび逆位相クロック信号ＣＬＹINVに基づいて、所定のタイミングで走査線３ａに走査信号をパルス的に線順次で印加する。

素子基板１０には、４つの基板間導通用電極１９を通過するように配線１０５（共通電位線ＬＶcom）が形成されており、基板間導通用電極１９には、接続端子１０２（端子ＴＶcom）および配線１０５（共通電位線ＬＶcom）を介して共通電位Ｖcomが供給される。

（接続端子１０２の構成）
このように構成した電気光学装置１００において、複数の接続端子１０２には、上記の信号や定電位を供給するための接続端子１０２（第１接続端子１０２ｆ）と、信号や定電位の供給に寄与しない接続端子１０２（第２接続端子１０２ｇ）とが含まれている。第２接続端子１０２ｇは、図４および図５を参照して詳述するように、第１接続端子１０２ｆとフレキシブル配線基板３１０との接続状態を検査するためのダミー端子である。

本形態では、複数の接続端子１０２の配列方向の端に第２接続端子１０２ｇが配置されており、第２接続端子１０２ｇと隣り合う第１接続端子１０２ｆは、定電位供給用である。本形態では、第２接続端子１０２ｇと隣り合う第１接続端子１０２ｆは、共通電位Ｖvomの供給用である。

（画素１００ａの具体的構成）
図３は、本発明を適用した電気光学装置１００において素子基板１０に形成された膜の構成を示す断面図である。なお、図３では、対向基板２０側の構成として共通電極２１や配向膜２６のみを示してあり、遮光層２９やマイクロレンズ２７の図示を省略してある。

図３に示すように、素子基板１０では、石英基板やガラス基板等の透光性基板１０ｗの電気光学層５０側の面（対向基板２０と対向する一方面１０ｓ側）に画素電極９ａ、画素スイッチング素子３０、および配向膜１６等が形成されている。対向基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性基板２０ｗの電気光学層５０側の面（素子基板１０と対向する一方面２０ｓ）に共通電極２１および配向膜２６等が形成されている。

また、素子基板１０において、透光性基板１０ｗの一方面１０ｓ側（透光性基板１０ｗと電気光学層５０との間）には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる走査線３ａが形成されている。本形態において、走査線３ａは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）からなり、遮光膜としても機能する。このため、電気光学装置１００を透過した後の光が他の部材で反射した際、走査線３ａは、かかる反射光が半導体層１ａに入射して画素スイッチング素子３０で光電流に起因する誤動作が発生することを防止する。

走査線３ａの上層側（走査線３ａと電気光学層５０との間）には、シリコン酸化膜等の透光性の層間絶縁膜１２が形成されており、かかる層間絶縁膜１２の表面側（層間絶縁膜１２と電気光学層５０との間）に半導体層１ａを備えた画素スイッチング素子３０が形成されている。画素スイッチング素子３０は、薄膜トランジスターであり、半導体層１ａと、半導体層１ａと直交する方向に延在して半導体層１ａに重なるゲート電極３ｂとを備えている。ゲート電極３ｂと走査線３ａとは、層間絶縁膜１２を貫通するコンタクトホール（図示せず）を介して電気的に接続している。

画素スイッチング素子３０は、半導体層１ａとゲート電極３ｂとの間に透光性のゲート絶縁層２を有している。半導体層１ａは、ゲート電極３ｂに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇを備えているとともに、チャネル領域１ｇの一方の側にソース領域１ｂおよびチャネル領域１ｇの他方の側にドレイン領域１ｃを備えている。本形態において、画素スイッチング素子３０は、ＬＤＤ構造を有している。従って、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、チャネル領域１ｇに隣接して低濃度領域を備え、低濃度領域に対してチャネル領域１ｇとは反対側で隣接する領域に高濃度領域を備えている。

半導体層１ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）によって構成されている。ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第１ゲート絶縁層と、温度が７００〜９００℃の高温条件での減圧ＣＶＤ法により形成されたシリコン酸化膜からなる第２ゲート絶縁層との２層構造からなる。ゲート電極３ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、ゲート電極３ｂは、導電性のポリシリコン膜からなる。
ゲート電極３ｂの上層側（ゲート電極３ｂと電気光学層５０との間）には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリコン酸化膜からなる透光性の層間絶縁膜４１が形成され、層間絶縁膜４１の上層側（層間絶縁膜４１と電気光学層５０との間）にはデータ線６ａ、および中継電極６ｂが同層に形成されている。データ線６ａおよび中継電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、データ線６ａおよび中継電極６ｂは、アルミニウム膜等の金属膜の単層膜あるいは積層膜からなる。データ線６ａは、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ａを介してソース領域１ｂに電気的に接続し、中継電極６ｂは、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ｂを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続している。

データ線６ａおよび中継電極６ｂの上層側（データ線６ａと電気光学層５０との間）には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリコン酸化膜からなる透光性の層間絶縁膜４２が形成され、層間絶縁膜４２の上層側（層間絶縁膜４２と電気光学層５０との間）には、容量線８ａおよび中継電極８ｂが同層に形成されている。容量線８ａおよび中継電極８ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、容量線８ａおよび中継電極８ｂは、アルミニウム膜等の金属膜の単層膜あるいは積層膜からなる。中継電極８ｂは、層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール４２ｂを介して中継電極６ｂに電気的に接続している。

容量線８ａおよび中継電極８ｂの上層側（容量線８ａと電気光学層５０との間）には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリコン酸化膜からなる透光性の層間絶縁膜４３が形成され、層間絶縁膜４３の上層側（層間絶縁膜４３と電気光学層５０との間）には容量電極４ａが形成されている。容量電極４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、容量電極４ａは、アルミニウム膜等の金属膜の単層膜あるいは積層膜からなる。容量電極４ａは、層間絶縁膜４３を貫通するコンタクトホール４３ｃを介して容量線８ａに電気的に接続している。

容量電極４ａの上層側（容量電極４ａと電気光学層５０との間）には透光性の誘電体層４０が形成されており、かかる誘電体層４０の上層側（誘電体層４０と電気光学層５０との間）には容量電極５ａが形成されている。容量電極５ａは、層間絶縁膜４３を貫通するコンタクトホール４３ｂを介して中継電極８ｂ電気的に接続している。誘電体層４０としては、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のシリコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。容量電極５ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、容量電極５ａは、アルミニウム膜等の金属膜の単層膜あるいは積層膜からなる。このようにして、容量電極５ａは、誘電体層４０を介して容量電極４ａと平面視で重なる領域において保持容量５５を構成している。

容量電極５ａの上層側（容量電極５ａと電気光学層５０との間）には層間絶縁膜４４が形成されており、かかる層間絶縁膜４４の上層側（絶縁層４５と電気光学層５０との間）には、ＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる画素電極９ａが形成されている。画素電極９ａは、層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４５ｂを介して容量電極５ａと電気的に接続している。その結果、画素電極９ａは、容量電極５ａ、中継電極８ｂ、中継電極６ｂを介してドレイン領域１ｃと電気的に接続している。層間絶縁膜４４および絶縁層４５は、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリコン酸化膜からなり、層間絶縁膜４４の表面、および絶縁層４５の表面はいずれも平坦化されている。

画素電極９ａの上層側（画素電極９ａと電気光学層５０との間）には、ポリイミドや無機配向膜からなる配向膜１６が形成されている。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯ_X（ｘ＜２）、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＭｇＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｉｎ₂Ｏ₃、Ｓｂ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅等の斜方蒸着膜（無機配向膜）からなる。なお、対向基板２０の側に形成された配向膜２６も、配向膜１６と同様、ＳｉＯ_X（ｘ＜２）、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＭｇＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｉｎ₂Ｏ₃、Ｓｂ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅等の斜方蒸着膜（無機配向膜）である。かかる配向膜１６、２６は、電気光学層５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を傾斜垂直配向させ、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作する。本形態では、配向膜１６、２６として、各種無機配向膜のうち、シリコン酸化膜（ＳｉＯ_X）の斜方蒸着膜が用いられている。

（接続端子１０２の構成）
図４は、本発明を適用した電気光学装置１００の接続端子１０２の説明図であり、図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）には、その平面図、Ａ１−Ａ１′断面図、Ａ２−Ａ２′断面図、およびＡ３−Ａ３′断面図が示されている。

本形態では、透光性基板１０ｗの辺１０ｅに沿って並ぶように複数の接続端子１０２が配置されている。複数の接続端子１０２の各々は、図４を参照して以下に説明するように、画素１００ａに形成された層間絶縁膜や導電膜（第１導電膜９ｆ、第３導電膜９ｇ、第２導電膜８ｆ、第４導電膜８ｇ、第５導電膜６ｆ、第６導電膜６ｇ、第７導電膜３ｆ、および第８導電膜３ｇ）で構成されている。本形態において、接続端子１０２のピッチは１５０μｍ以上である。ここでいうピッチとは、隣り合う２つの接続端子１０２のＸ方向の一方側の端部同士の距離をいい、本形態では、後述する第１接続端子１０２ｆおよび第２接続端子１０２ｇを含む複数の接続端子１０２の全部において、ピッチが１５０μｍ以上である。なお、図３および図４に示す層間絶縁膜４３、４４が本発明の「第１層間絶縁膜」に相当し、層間絶縁膜４２が本発明の「第２層間絶縁膜」に相当し、層間絶縁膜４１が本発明の「第３層間絶縁膜」に相当する。

また、本形態では、以下に説明するように、第１接続端子１０２ｆおよび第２接続端子１０２ｇを構成するために第１導電膜９ｆ、第２導電膜８ｆ、第３導電膜９ｇ、第４導電膜８ｇ、第５導電膜６ｆ、第６導電膜６ｇ、第７導電膜３ｆ、および第８導電膜３ｇが用いられている。これらの導電膜のうち、第１導電膜９ｆおよび第３導電膜９ｇは透光性導電膜であり、第２導電膜８ｆ、第４導電膜８ｇ、第５導電膜６ｆ、第６導電膜６ｇ、第７導電膜３ｆ、および第８導電膜３ｇは遮光性導電膜である。

図３および図４に示すように、本形態の電気光学装置１００において、接続端子１０２のうち、各種信号や定電位を供給するための第１接続端子１０２ｆは、層間絶縁膜４５の上層（層間絶縁膜４５と電気光学層５０との間／層間絶縁膜４５の透光性基板１０ｗとは反対側）に画素電極９ａと同層に形成されたＩＴＯ膜からなる透光性の第１導電膜９ｆを有している。また、第１接続端子１０２ｆは、透光性基板１０ｗと第１導電膜９ｆとの間（層間絶縁膜４２と層間絶縁膜４５との間）に容量線８ａと同層に設けられた遮光性の第２導電膜８ｆを有しており、第２導電膜８ｆは、第１導電膜９ｆと平面視で重なっている。第２導電膜８ｆと第１導電膜９ｆとは、層間絶縁膜４５に形成された第１コンタクトホール４５ｆを介して電気的に接続されている。第１導電膜９ｆは、第１接続端子１０２ｆの最上層を構成する導電膜であり、第１コンタクトホール４５ｆの内側面（層間絶縁膜４５の側壁）、底部（第２導電膜８ｆの露出面）、および開口縁の周囲（層間絶縁膜４５の縁部近傍）を覆うように形成されている。このため、第１接続端子１０２ｆには、第１コンタクトホール４５ｆに起因する凹部が形成されている。

また、第１接続端子１０２ｆは、透光性基板１０ｗと第２導電膜８ｆとの間（層間絶縁膜４１と層間絶縁膜４２との間）にデータ線６ａと同層に設けられた遮光性の第５導電膜６ｆを有しており、第２導電膜８ｆと第５導電膜６ｆとは、平面視で重なっている。第２導電膜８ｆと第５導電膜６ｆとは、層間絶縁膜４２に形成された複数の第２コンタクトホール４２ｆを介して電気的に接続されている。本形態では、第５導電膜６ｆは、第１接続端子１０２ｆから延在する配線としても形成されている。また、第１接続端子１０２ｆは、透光性基板１０ｗと第５導電膜６ｆとの間（ゲート絶縁層２と層間絶縁膜４１との間）にゲート電極３ｂと同層に設けられた遮光性の第７導電膜３ｆを有しており、第７導電膜３ｆは、第５導電膜６ｆと平面視で重なっている。かかる第７導電膜３ｆは、第２コンタクトホール４２ｆが形成される領域を平坦面とするためのパッドとして形成されている。ここで、複数の第２コンタクトホール４２ｆは、平面視において、第１コンタクトホール４５ｆの外側に、第１コンタクトホール４５ｆの外縁に沿って形成されている。

図４に示すように、第２接続端子１０２ｇは、層間絶縁膜４５の上層（層間絶縁膜４５と電気光学層５０との間、言い換えると層間絶縁膜４５の透光性基板１０ｗとは反対側）に形成された透光性の第３導電膜９ｇを有している。第３導電膜９ｇは、第１導電膜９ｆと同層に形成されたＩＴＯ膜からなる。第３導電膜９ｇは、第２接続端子１０２ｇの最上層を構成する導電膜である。ここで、層間絶縁膜４５には凹部４５ｇが形成されており、かかる凹部４５ｇに平面視で重なる領域に第３導電膜９ｇが形成されている。第３導電膜９ｇは、凹部４５ｇの内側面、底部および開口縁の周囲を覆うように形成されている。このため、第２接続端子１０２ｇには、凹部４５ｇに起因する凹部が形成されている。

また、第２接続端子１０２ｇは、遮光性の第４導電膜８ｇを有している。第４導電膜８ｇは、透光性基板１０ｗと第３導電膜９ｇとの間（層間絶縁膜４２と層間絶縁膜４５との間）に設けられ、第２導電膜８ｆと同層に設けられている。本形態において、第４導電膜８ｇは、平面視で凹部４５ｇから離間した位置で凹部４５ｇの少なくとも一部と平面視で重なる透光領域１０ｈを指定するように構成されている。より具体的には、平面視で第４導電膜８ｇが凹部４５ｇと重ならないように第４導電膜８ｇの内縁が凹部４５ｇの縁に沿って形成されることにより、第４導電膜８ｇは、凹部４５ｇの周りを囲む枠状に形成されている。従って、平面視で第４導電膜８ｇによって囲まれた領域が透光領域１０２ｈになっている。

また、第２接続端子１０２ｇは、透光性基板１０ｗと第４導電膜８ｇとの間（層間絶縁膜４２と層間絶縁膜４３との間）に第５導電膜６ｆと同層に設けられた遮光性の第６導電膜６ｇを有しており、第４導電膜８ｇと第６導電膜６ｇとは、平面視で重なっている。すなわち、第６導電膜６ｇも、第４導電膜８ｇと同様、平面視で凹部４５ｇの周りを囲む枠状に形成されている。また、第２接続端子１０２ｇは、透光性基板１０ｗと第６導電膜６ｇとの間（ゲート絶縁層２と層間絶縁膜４１との間）に第７導電膜３ｆと同層に設けられた遮光性の第８導電膜３ｇを有しており、第８導電膜３ｇと第４導電膜８ｇとは、平面視で重なっている。すなわち、第８導電膜３ｇも、第４導電膜８ｇや第６導電膜６ｇと同様、平面視で凹部４５ｇの周りを囲む枠状に形成されている。

ここで、凹部４５ｇの開口面積は、第１コンタクトホール４５ｆの開口面積より狭い。より具体的には、凹部４５ｇおよび第１コンタクトホール４５ｆは、長方形の平面形状を備えており、平面視において、凹部４５ｇの長辺方向の寸法は、第１コンタクトホール４５ｆの長辺方向の寸法と等しく、凹部４５ｇの短辺方向の寸法が第１コンタクトホール４５ｆの短辺方向の寸法より短い。例えば、凹部４５ｇの短辺方向の寸法が第１コンタクトホール４５ｆの短辺方向の寸法より、５％〜６％（１５μｍ程度）狭い。

（フレキシブル配線基板３１０と接続端子１０２との接続構造）
図５は、本発明を適用した電気光学装置１００におけるフレキシブル配線基板３１０と接続端子１０２との接続構造を模式的に示す説明図であり、図５（ａ）には、素子基板１０にフレキシブル配線基板３１０を圧着する前の様子が示され、図５（ｂ）には、素子基板１０にフレキシブル配線基板３１０を圧着した後の様子が示されている。

本形態の電気光学装置１００において、素子基板１０にフレキシブル配線基板３１０を接続するにあたっては、図５（ａ）に示すように、素子基板１０の接続端子１０２とフレキシブル配線基板３１０の電極３１１との間に、導電粒子７ａを含む異方性導電材７を配置した状態でフレキシブル配線基板３１０を素子基板１０に向けて加圧しながら加熱する。その結果、異方性導電材７の樹脂成分によってフレキシブル配線基板３１０と素子基板１０とが接続される。ここで、導電粒子７ａは、樹脂製ビーズの表面にニッケル層等の金属層を被覆したものである。また、フレキシブル配線基板３１０の電極３１１は、第１接続端子１０２ｆにおいて第１コンタクトホール４５ｆに起因して生じた凹部や、第２接続端子１０２ｇにおいて凹部４５ｇに起因して生じた凹部より平面サイズが小さいため、電極３１１は、第１接続端子１０２ｆの凹部や、第２接続端子１０２ｇの凹部に入り込む。従って、図５（ｂ）に示すように、第１接続端子１０２ｆの側では、第１コンタクトホール４５ｆの底部で、フレキシブル配線基板３１０の電極３１１と第１接続端子１０２ｆの第１導電膜９ｆとの間で導電粒子７ａが潰れ、電極３１１と第１接続端子１０２ｆとが導電粒子７ａを介して電気的に接続される。また、第２接続端子１０２ｇの側でも、第１接続端子１０２ｆの側と同様、凹部４５ｇの底部で、フレキシブル配線基板３１０の電極３１１と第２接続端子１０２ｇの第３導電膜９ｇとの間で導電粒子７ａが潰れる。

ここで、素子基板１０に用いた透光性基板１０ｗの裏面側（透光性基板１０ｗに対して第２接続端子１０２ｇとは反対側）から接続端子１０２を観察すると、第１接続端子１０２ｆでは、導電粒子７ａの数や潰れ具合が観察できないが、第２接続端子１０２ｇでは、矢印Ｌで示すように、透光領域１０２ｈから導電粒子７ａの数や潰れ具合を観察することができる。従って、第２接続端子１０２ｇの透光領域１０２ｈから導電粒子７ａの数や潰れ具合を観察した結果、その数等が適正であれば、フレキシブル配線基板３１０の電極３１１と第１接続端子１０２ｆの第１導電膜９ｆとが適正に電気的に接続されたことがわかる。

（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００において、各種信号や定電位を供給するための第１接続端子１０２ｆについては、第１導電膜８ｆが層間絶縁膜４５（第１層間絶縁膜）の第１コンタクトホール４５ｆを介して第２導電膜８ｆと電気的に接続している。このため、第１導電膜９ｇには第１コンタクトホール４５ｆに起因する凹部が形成されるため、ダミー用に第２接続端子１０２ｇについては、層間絶縁膜４５に凹部４５ｇを設け、かかる凹部４５ｇを覆うように、第１導電膜９ｆと同層の第３導電膜９ｇを設けてある。このため、第１接続端子１０２ｆおよび第２接続端子１０２ｇに対してフレキシブル配線基板３１０の電極３１１が同等の条件で接続する。

また、第２接続端子１０２ｇでは、凹部４５ｇの少なくとも一部と平面視で重なる透光領域１０２ｈを規定する第４導電膜８ｇが設けられている。このため、第１接続端子１０２ｆおよび第２接続端子１０２ｇに対してフレキシブル配線基板３１０の電極３１１を、導電粒子７ａを介して電気的に接続した後、透光性基板１０ｗの裏面側から第４導電膜８ｇによって規定された透光領域１０２ｈ内で潰れた導電粒子７ａの数等を検査すれば、第１接続端子１０２ｆとフレキシブル配線基板３１０の電極３１１との接続構造を検査することができる。

ここで、第４導電膜８ｇは、平面視で凹部４５ｇから離間した位置に設けられているため、凹部４５ｇの底部には、第４導電膜８ｇに起因する段差が発生しない。それ故、第１接続端子１０２ｆおよび第２接続端子１０２ｇに対してフレキシブル配線基板３１０の電極３１１が同等の条件で接続するので、第２接続端子１０２ｇとフレキシブル配線基板３１０の電極３１１との接続状態を検査すれば、第１接続端子１０２ｆとフレキシブル配線基板３１０の電極３１１との接続状態を正確に検査することができる。特に本形態では、接続端子１０２のピッチが１５０μｍ以上であって、接続端子１０２の数が多い。このため、接続端子１０２が長い領域にわたって配置されているため、接続端子１０２とフレキシブル配線基板３１０の電極３１１との接続に不具合が発生しやすいが、本形態によれば、このような場合でも、第１接続端子１０２ｆとフレキシブル配線基板３１０の電極３１１との接続状態を正確に検査することができる。

また、本形態では、透光領域１０２ｈを規定するにあたって、第３導電膜８ｇは、凹部４５ｇの周りを囲む枠状に形成されている。このため、透光領域１０２ｈを明確に規定することができるので、透光性基板１０ｗの裏面側から透光領域１０２ｈ内で潰れた導電粒子の数等を検査しやすい。

また、第２接続端子１０２ｇ側の凹部４５ｇの開口面積は、第２接続端子１０２ｇ側の第１コンタクトホール４５ｆの開口面積より狭い。従って、凹部４５ｇおよび第１コンタクトホール４５ｆを形成する際、エッチングマスクでは、凹部４５ｇを形成するための開口部の面積が第１コンタクトホール４５ｆを形成するための開口部の面積より狭い。ここで、深さ方向のエッチング速度は、エッチングマスクの開口部の面積に依存し、狭い開口部でのエッチング速度は、広い開口部でのエッチング速度より遅くなる。このため、第１コンタクトホール４５ｆと凹部４５ｇとを同一のエッチング工程で形成する際、凹部４５ｇ側でのエッチング速度は、第１コンタクトホール４５ｆ側でのエッチング速度より遅い。従って、第１コンタクトホール４５ｆの底部で第２導電膜８ｆが完全に露出するようにオーバーエッチングを行った時点で、凹部４５ｇは第１コンタクトホール４５ｆと同等の深さとすることができる。従って、凹部４５ｇの底部では、第１コンタクトホール４５ｆの底部と同様に導電粒子７ａが潰れることになるので、第２接続端子１０２ｇとフレキシブル配線基板３１０の電極３１１との接続状態を検査すれば、第１接続端子１０２ｆとフレキシブル配線基板３１０の電極３１１との接続状態を正確に検査することができる。

しかも、凹部４５ｇは第１コンタクトホール４５ｆと同等の深さであるため、第２接続端子１０２ｇでも、第１接続端子１０２ｆと同等の圧着強度が得られる、従って、複数の第１接続端子１０２ｆのうち、第２接続端子１０２ｇに近い第１接続端子１０２ｆで接続抵抗が大きくなってしまうという事態の発生を抑制することができる。

また、平面視において、凹部４５ｇの長辺方向の寸法は、第１コンタクトホール４５ｆの長辺方向の寸法と等しく、凹部４５ｇの短辺方向の寸法が第１コンタクトホール４５ｆの短辺方向の寸法より短い。このため、第１接続端子１０２ｆおよび第２接続端子１０２ｇに対してフレキシブル配線基板３１０の電極３１１が同等の条件で接続する。また、凹部４５ｇ側でのエッチング速度を第１コンタクトホール４５ｆ側でのエッチング速度より確実に遅くすることができるので、凹部４５ｇは第１コンタクトホール４５ｆと同等の深さとなる。

また、第２接続端子１０２ｇは、複数の接続端子１０２の端に配置されているため、第２接続端子１０２ｇでの圧着強度が第１接続端子１０２ｆと相違している場合でも、その影響が及ぶ第１接続端子１０２ｆの数を最小限とすることができる。しかも、第２接続端子１０２ｇに隣り合う第１接続端子１０２ｆは、定電位供給用（共通電位Ｖcom供給用）の端子（図２に示す端子ＴＶcom）である。このため、第２接続端子１０２ｇでの圧着強度が第１接続端子１０２ｆと相違し、その影響が隣りの第１接続端子１０２ｆに及んで接続抵抗が高くなった場合でも、定電位供給用であれば、その影響が電気光学装置１００の動作に及びにくい。また、本形態において、第２接続端子１０２ｇが複数の接続端子１０２の端に配置されており、２つの第２接続端子１０２ｇに隣り合う２つの第１接続端子１０２ｆは、いずれも、共通電位Ｖcom供給用の端子（図２に示す端子ＴＶcom）である。このため、２つの第２接続端子１０２ｇに隣り合う２つの第１接続端子１０２ｆにおいて接触抵抗が高い場合でも、接触抵抗の影響が電気光学装置１００の動作に及びにくい。

また、平面視で、第２導電膜８ｆと第５導電膜６ｆとを電気的に接続する第２コンタクトホール４２ｆは、第１コンタクトホール４５ａの外側に配置されているため、第１コンタクトホール４５ｆの底部には第２コンタクトホール４２ｆに起因する凹凸が発生しない。それ故、第１接続端子１０２ｆに対してフレキシブル配線基板３１０の電極３１１を確実に電気的に接続することができる。

また、第２接続端子１０２ｇでは、第５導電膜６ｆと同層の第６導電膜６ｇや、第７導電膜３ｆと同層の第８導電膜３ｇが設けられている。このため、第２接続端子１０２ｇ付近の構成を第１接続端子１０２ｆと同様とすることができるので、第１接続端子１０２ｆおよび第２接続端子１０２ｇに対してフレキシブル配線基板３１０の電極３１１が同等の条件で接続することになる。それ故、第２接続端子１０２ｇとフレキシブル配線基板３１０の電極３１１との接続状態を検査すれば、第１接続端子１０２ｆとフレキシブル配線基板３１０の電極３１１との接続状態を正確に検査することができる。

［他の実施の形態］
図６は、本発明を適用した電気光学装置１００の第２接続端子１０２ｇの変形例を示す説明図である。上記実施の形態では、透光領域１０２ｈを規定するにあたって、第３導電膜８ｇを、凹部４５ｇの周りを囲む枠状に形成したが、図６（ａ）に示すように、第３導電膜８ｇを、凹部４５ｇの外側で凹部４５ｇの４つの角に対応する４個所のみに設けてもよい。かかる構成でも、４つの第３導電膜８ｇを直線的に結ぶと四角形の透光領域１０２ｈを規定することができるので、透光性基板１０ｗの裏面側から透光領域１０２ｈ内で潰れた導電粒子の数等を検査することができる。

また、図６（ｂ）に示すように、第３導電膜８ｇを、凹部４５ｇを相対向する位置で挟む２個所のみに設けてもよい。かかる構成でも、４つの第３導電膜８ｇによって挟まれた領域によって四角形の透光領域１０２ｈを規定することができる。それ故、透光性基板１０ｗの裏面側から透光領域１０２ｈ内で潰れた導電粒子の数等を検査することができる。

なお、上記実施の形態では、第２接続端子１０２ｇに隣り合う第１接続端子１０２ｆが、定電位供給用（共通電位Ｖcom供給用）の端子（図２に示す端子ＴＶcom）であったが、他の定電位供給用の端子、例えば、図２に示す端子ＴＶDDX、ＴＶDDY、ＴＶSSX、ＴＶSSY）を第２接続端子１０２ｇに隣り合う第１接続端子１０２ｆとしてもよい。

また、上記実施の形態では、第１導電膜９ｆが第３導電膜９ｇと同層の透光性導電膜である構成であったが、第１導電膜９ｆが遮光性導電膜の場合に本発明を適用してもよい。

［他の電気光学装置］
上記実施の形態では、電気光学装置として液晶装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマディスプレイ、ＦＥＤ（Field Emission Display）、ＳＥＤ（Surface-Conduction Electron-Emitter Display）、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置等の電気光学装置に本発明を適用してもよい。

［電子機器への搭載例］
（投射型表示装置および光学ユニットの構成例）
図７は、本発明を適用した投射型表示装置（電子機器）および光学ユニットの概略構成図である。

図７に示す投射型表示装置１１０は、観察者側に設けられたスクリーン１１１に光を照射し、このスクリーン１１１で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置である。投射型表示装置１１０は、光源１１２を備えた光源部１３０と、ダイクロイックミラー１１３、１１４と、液晶ライトバルブ１１５〜１１７と、投射光学系１１８と、クロスダイクロイックプリズム１１９（合成光学系）と、リレー系１２０とを備えており、電気光学装置１００およびクロスダイクロイックプリズム１１９は、光学ユニット２００を構成している。

光源１１２は、赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、および青色光Ｂを含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー１１３は、光源１１２からの赤色光Ｒを透過させるとともに、緑色光Ｇ、および青色光Ｂを反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光Ｇおよび青色光Ｂのうち青色光Ｂを透過させるとともに緑色光Ｇを反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、光源１１２から出射した光を赤色光Ｒと緑色光Ｇと青色光Ｂとに分離する色分離光学系を構成する。

ここで、ダイクロイックミラー１１３と光源１１２との間には、インテグレーター１２１および偏光変換素子１２２が光源１１２から順に配置されている。インテグレーター１２１は、光源１１２から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子１２２は、光源１１２からの光を、例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。

液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、電気光学装置１００（赤色用液晶パネル１００Ｒ）、および第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光Ｒは、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。

λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、電気光学装置１００（赤色用液晶パネル１００Ｒ）は、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光Ｒを変調し、変調した赤色光Ｒをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。

なお、λ／２位相差板１１５ａ、および第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａ、および第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。

液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光Ｇを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。かかる液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、電気光学装置１００（緑色用液晶パネル１００Ｇ）、および第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光Ｇは、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。また、電気光学装置１００（緑色用液晶パネル１００Ｇ）は、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。そして、第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光Ｇを変調し、変調した緑色光Ｇをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。

液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光Ｂを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。かかる液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、電気光学装置１００（青色用液晶パネル１００Ｂ）、および第２偏光板１１７ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光Ｂは、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の後述する２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。

λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、電気光学装置１００（青色用液晶パネル１００Ｂ）は、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光Ｂを変調し、変調した青色光Ｂをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。なお、λ／２位相差板１１７ａ、および第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。

リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光Ｂの光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。また、リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光Ｂをリレーレンズ１２４ｂに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光Ｂを液晶ライトバルブ１１７に向けて反射するように配置されている。

クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光Ｂを反射して緑色光Ｇを透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光Ｒを反射して緑色光Ｇを透過する膜である。従って、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７の各々で変調された赤色光Ｒと緑色光Ｇと青色光Ｂとを合成し、投射光学系１１８に向けて出射するように構成されている。

なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射トランジスター特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光Ｒ、および青色光Ｂをｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光Ｇをｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン１１１に投射するように構成されている。

（他の投射型表示装置）
投射型表示装置においては、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。

（他の電子機器）
本発明を適用した電気光学装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。

［本発明の参考例］
図８は、本発明の参考例に係る電気光学装置の接続端子の説明図である。図９は、本発明の参考例に係る電気光学装置の問題点を示す説明図である。なお、接続端子の構成等を説明するにあたっては、図１〜図５を参照して説明した構成との対応が分かりやすいように、対応する部分には同一の符号を付して説明する。

本発明の参考例に係る電気光学装置では、図８に示すように、接続端子１０２のうち、各種信号や定電位を供給するための第１接続端子１０２ｆについては、第１導電膜９ｆが層間絶縁膜４５（第１層間絶縁膜）の第１コンタクトホール４５ｆを介して第２導電膜８ｆと電気的に接続した構造を有している。かかる構成の場合、第１導電膜９ｆには第１コンタクトホール４５ｆに起因する凹部が形成される。このため、ダミー用の第２接続端子１０２ｇについては、層間絶縁膜４５に形成した凹部４５ｇを覆うように、第１導電膜９ｆと同層の第３導電膜９ｇを設けるとともに、平面視で凹部４５ｇの外縁と重なる位置に、第２導電膜８ｆと同層の第４導電膜８ｇを枠状に形成した構造にしてある。ここで、凹部４５ｇの開口面積は第１コンタクトホール４５ｆの開口面積と同一である。

また、第１接続端子１０２ｆの側では、透光性基板と層間絶縁膜４２（第２層間絶縁膜）との間に設けられた第５導電膜６ｆを層間絶縁膜４２に形成された第２コンタクトホール４２ｆを介して第２導電膜８ｆと電気的に接続するとともに、第２接続端子１０２ｇの側では、第５導電膜６ｆと同層の第６導電膜６ｇを平面視で第４導電膜８ｇと重なるように枠状に設けてある。

さらに、第１接続端子１０２ｆの側では、透光性基板と層間絶縁膜４１（第３層間絶縁膜）との間に第７導電膜３ｆを第５導電膜６ｆと平面視で重なるように設けるとともに、第２接続端子１０２ｇの側では、第７導電膜３ｆと同層の第８導電膜３ｇを平面視で第６導電膜６ｇと重なるように枠状に設けてある。

かかる構成の場合、第１接続端子１０２ｆおよび第２接続端子１０２ｇに対してフレキシブル配線基板の電極が同等の条件で接続するので、第２接続端子１０２ｇにおいて、透光性基板の裏面側から枠状の第４導電膜８ｇで囲まれた透光領域１０２ｈ内で潰れた導電粒子の数を検査すれば、第１接続端子１０２ｆとフレキシブル配線基板の電極との接続構造を検査することができる。

しかしながら、図８に示す構成では、以下の問題点がある。まず、第２接続端子１０２ｇの側では、平面視で凹部４５ｇの外縁と重なる位置に枠状の第４導電膜８ｇが設けられているため、凹部４５ｇの底部には、第４導電膜８ｇに起因する段差が発生しやすい。このため、凹部４５ｇの底部と第１コンタクトホール４５ｆの底部とでは、導電粒子の潰れ具合が異なってしまい、第１接続端子１０２ｆとフレキシブル配線基板の電極との接続構造を正確に検査することができなくなってしまう。

また、図８に示す構成では、第１コンタクトホール４５ｆと凹部４５ｇとを同一のエッチング工程で形成することになるが、エッチングの際、第１コンタクトホール４５ｆの底部では第２導電膜８ｆがエッチングストッパーとして存在するのに対して、凹部４５ｇの底部にはエッチングストッパーが存在しない。このため、第１コンタクトホール４５ｆの底部で第２導電膜８ｆが完全に露出するようにオーバーエッチングを行うと、図９（ａ）に示すように、凹部４５ｇが第１コンタクトホール４５ｆより最大で７０ｎｍ程度深くなってしまう。このため、フレキシブル配線基板３１０を均等に加圧した場合でも、凹部４５ｇの底部では導電粒子７ａに加わる圧力が小さくなってしまう。従って、凹部４５ｇの底部では、第１コンタクトホール４５ｆの底部よりも導電粒子７ａが潰れにくいので、第１接続端子１０２ｆとフレキシブル配線基板３１０の電極３１１との接続構造を正確に検査することができなくなってしまう。また、フレキシブル配線基板３１０を均等に加圧した場合でも、図９（ｂ）に示すように、凹部４５ｇが第１コンタクトホール４５ｆより深いと、第２接続端子１０２ｇ、および第２接続端子１０２ｇと隣り合う第１接続端子１０２ｆでは、導電粒子７ａに加わる圧力が小さくなってしまい、図９（ｃ）に示すように、複数の第１接続端子１０２ｆのうち、第２接続端子１０２ｇに近い第１接続端子１０２ｆでは圧着強度が低くなってしまう。その結果、複数の第１接続端子１０２ｆのうち、第２接続端子１０２ｇに近い第１接続端子１０２ｆでは接続抵抗が大きくなってしまうという問題点もある。

３ａ・・走査線、３ｂ・・ゲート電極、３ｆ・・第７導電膜、３ｇ・・第８導電膜、４ａ・・容量電極、５ａ・・容量電極、６ａ・・データ線、６ｆ・・第５導電膜、６ｇ・・第６導電膜、７・・異方性導電材、７ａ・・導電粒子、８ａ・・容量線、８ｆ・・第２導電膜、８ｇ・・第４導電膜、９ａ・・画素電極、９ｆ・・第１導電膜、９ｇ・・第３導電膜、１０・・素子基板（電気光学装置用基板）、１０ｗ・・透光性基板、２０・・対向基板、２１・・共通電極、３０・・画素スイッチング素子、４２・・層間絶縁膜（第２層間絶縁膜）、４２ｆ・・第２コンタクトホール、４５・・層間絶縁膜（第１層間絶縁膜）、４５ｆ・・第１コンタクトホール、４５ｇ・・凹部、５０・・電気光学層、１００・・電気光学装置、１０２・・接続端子、１０２ｆ・・第１接続端子、１０２ｇ・・第２接続端子、１０２ｈ・・透光領域、３１０・・フレキシブル配線基板、３１１・・フレキシブル配線基板の電極

Claims (10)

1. 透光性基板と、
   該透光性基板の一辺に沿って配置され、第１接続端子と第２接続端子とを有する複数の接続端子と、
   平面視で、前記複数の接続端子と重なる第１層間絶縁膜と、
   を含み、
   前記第１接続端子は、
   前記第１層間絶縁膜の前記透光性基板とは反対側に設けられた第１導電膜と、 前記透光性基板と前記第１導電膜との間に設けられ、前記第１層間絶縁膜に形成された第１コンタクトホールを介して前記第１導電膜と電気的に接続された遮光性の第２導電膜と、
   を有し、
   前記第２接続端子は、
   前記第１層間絶縁膜の前記透光性基板とは反対側で、前記第１層間絶縁膜に形成された凹部に平面視で重なる領域に形成された透光性の第３導電膜と、
   前記第１層間絶縁膜と前記透光性基板との間に設けられ、平面視で前記凹部から離間し、当該凹部の縁に沿って形成された遮光性の第４導電膜と、
   を有することを特徴とする電気光学装置。
2. 前記第１導電膜は透光性の導電膜であり、
   前記第３導電膜は、前記第１導電膜と同層であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記第４導電膜は、前記凹部の周りを囲む枠状に形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
4. 前記凹部の開口面積は、前記第１コンタクトホールの開口面積より狭いことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
5. 前記凹部および前記第１コンタクトホールは、長方形の平面形状を備え、
   平面視で、前記凹部の長辺方向の寸法は、前記第１コンタクトホールの長辺方向の寸法と等しく、前記凹部の短辺方向の寸法が前記第１コンタクトホールの短辺方向の寸法より短いことを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
6. 前記透光性基板と前記第２導電膜との間に設けられた第２層間絶縁膜と、
   前記透光性基板と前記第２層間絶縁膜との間に設けられ、前記第２層間絶縁膜に形成された第２コンタクトホールを介して前記第２導電膜と電気的に接続された遮光性の第５導電膜と、
   を有し、
   平面視で、前記第２コンタクトホールは、前記第１コンタクトホールと重ならないように配置されていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の電気光学装置。
7. 前記透光性基板と前記第２層間絶縁膜との間に配置され、平面視で前記第４導電膜と重なる遮光性の第６導電膜を有していることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
8. 前記第２接続端子は、前記複数の接続端子の端に配置されていることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の電気光学装置。
9. 前記第１接続端子は、前記第２接続端子に隣り合い、
   前記第１接続端子は、定電位供給用の端子であることを特徴とする請求項１乃至８の何れか一項に記載の電気光学装置。
10. 請求項１乃至９の何れか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。

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