JP6156044B2 - 液晶装置および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、第１基板と第２基板との間にシール材が設けられた液晶装置、および当該液晶装置を備えた電子機器に関するものである。

液晶装置では、表示領域に複数の第１画素電極が設けられた素子基板用の第１基板と、第１基板の第１画素電極が設けられた面側に対向する対向基板用の第２基板とがシール材によって貼り合わされ、第１基板と第２基板との間のうち、シール材によって囲まれた空間内に液晶層が保持されている。素子基板では、第１基板に形成された複数の膜によって画素スイッチング素子や画素電極が形成されている。このため、第１基板には、複数の膜の膜厚をモニターするための膜厚モニター膜が形成されている。

一方、液晶装置では、複数の素子基板が切り出されるマザー基板のスクライブ領域や、シール材と重なる領域に画素スイッチング素子を検査するための検査端子を設けた構成が提案されている（特許文献１，２参照）。かかる構成のうち、特許文献２に記載の構成のように、シール材と重なる領域に検査端子を設ければ、スクライブ領域に設けた場合に比して、スクライブ領域を狭くすることができるという利点がある。

特開２００２−１２４５５４号公報 国際公開ＷＯ２００９／０８７７６

本願発明者は、特許文献２に記載の構成と同様、膜厚モニター膜が形成された膜厚モニター領域をシール材と重なる領域に設けることを検討しているが、この場合には、シール材と重なる領域のうち、膜厚モニター膜が形成された領域と、他の領域との間で高さ寸法が相違することになる。その結果、シール材として、第１基板と第２基板との間隔を規定するギャップ材を配合したシール材を用いた場合、第１基板と第２基板との間隔がばらつくという問題がある。

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、シール材と重なる領域に膜厚モニター領域を設けても、第１基板と第２基板との間隔がばらつくことを抑制することのできる液晶装置、および当該液晶装置を備えた電子機器を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明に係る液晶装置は、表示領域に複数の第１画素電極が設けられた第１基板と、該第１基板の前記第１画素電極が設けられた面側に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられたシール材と、を有し、前記第１基板と前記シール材との間には、前記第１画素電極と同層に形成された複数の第２画素電極と、前記第２画素電極と重ならない第１膜厚モニター領域に前記第１基板と前記第１画素電極との間の第１膜と同層に形成された第１膜厚モニター膜と、平面視で前記第２画素電極と前記第１膜厚モニター領域との間に位置する第２膜厚モニター領域に前記第１基板と前記第１画素電極との間の第２膜と同層に形成された第２膜厚モニター膜と、前記第１モニター領域および前記第２膜厚モニター領域の双方に前記第１画素電極および前記第２画素電極と同層に形成された画素電極用膜厚モニター膜と、が設けられていることを特徴とする。

本発明において、第１基板には、シール材と重なる領域に、第１膜厚モニター領域、および第２膜厚モニター領域が設けられ、第１膜厚モニター領域および第２膜厚モニター領域には、第１画素電極と同層の画素電極用膜厚モニター膜が設けられている。このため、第１膜、第２膜および第１画素電極の膜厚をシール材と重なる領域でモニターすることができるので、マザー基板のスクライブ領域に第１膜厚モニター領域および第２膜厚モニター領域を設ける必要がない。従って、第１基板を製造する際、マザー基板のスクライブ領域の幅を狭くすることができる。また、画素電極用膜厚モニター膜は、第１膜厚モニター領域および第２膜厚モニター領域に形成されている一方、シール材と重なる領域には第１画素電極と同層の複数の第２画素電極が形成されている。このため、シール材と重なる領域では、第１画素電極と同層の膜の分布の差が小さい。それ故、膜厚モニター領域をシール材と重なる領域に設けた場合でも、第１基板と第２基板との間隔のばらつきを小さくすることができる。

本発明において、前記第１基板には、前記シール材と重なる領域に前記第１膜厚モニター領域および前記第２膜厚モニター領域を含めて３以上の膜厚モニター領域が設けられ、前記画素電極用膜厚モニター膜は、前記複数のモニター領域のいずれにも設けられていることが好ましい。かかる構成によれば、シール材と重なる領域における第１画素電極と同層の膜の分布の差をより小さくすることができる。それ故、膜厚モニター領域をシール材と重なる領域に設けた場合でも、第１基板と第２基板との間隔のばらつきを小さくすることができる。

本発明において、前記画素電極用膜厚モニター膜は、前記第１モニター領域および前記第２膜厚モニター領域に連続して設けられている構成を採用することができる。

本発明において、前記画素電極用膜厚モニター膜は、前記３以上の膜厚モニター領域の全てに連続して設けられている構成を採用することができる。

本発明において、前記複数の第２画素電極のうち、前記画素電極用膜厚モニター膜と隣り合う第２画素電極と前記画素電極用膜厚モニター膜との隙間寸法は、前記複数の第２画素電極のうち、隣り合う第２画素電極同士の隙間寸法以下であることが好ましい。かかる構成によれば、シール材と重なる領域における第１画素電極と同層の膜の分布の差をより小さくすることができる。それ故、膜厚モニター領域をシール材と重なる領域に設けた場合でも、第１基板と第２基板との間隔のばらつきを小さくすることができる。

本発明において、平面視で前記第１膜厚モニター領域と前記第２基板の端部との間に前記第１基板側と前記第２基板側とを導通させる基板間導通部が設けられていることが好ましい。かかる構成によれば、基板間導通部が設けられている位置における第１基板と第２基板との間隔が安定する。このため、基板間導通部において第１基板側と第２基板側とを確実に導通させることができる。

本発明において、前記シール材は、多角形の平面形状に形成されており、前記多角形状の角に前記第１膜厚モニター領域および前記第２膜厚モニター領域が設けられている構成を採用することができる。

本発明に係る液晶装置は各種の電子機器に用いられる。かかる電子機器のうち、投射型表示装置は、液晶装置に光を供給するための光源部と、前記液晶装置によって光変調された光を投射する投射光学系とを備えている。

本発明を適用した液晶装置の液晶パネルの一形態の説明図である。 本発明を適用した液晶装置の液晶パネルの各構成要素の位置関係の一形態を示す説明図である。 本発明を適用した液晶装置の素子基板の電気的構成の一形態を示す説明図である。 本発明を適用した液晶装置の画素の一形態を示す説明図である。 本発明を適用した液晶装置の膜厚モニター領域の一形態を示す説明図である。 本発明の参考例に係る液晶装置の膜厚モニター領域の一形態を示す説明図である。 本発明を適用した投射型表示装置（電子機器）の概略構成図である。

図面を参照して、本発明の実施の形態に係る液晶装置を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、以下の説明で参照する図においては、画素電極、走査線、データ線等については、それらの数を少なく表してある。

図１は、本発明を適用した液晶装置の液晶パネルの一形態の説明図であり、図１（ａ）、（ｂ）は各々、液晶パネルを対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。図２は、本発明を適用した液晶装置の液晶パネルの各構成要素の位置関係の一形態を示す説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は、液晶パネル全体における各構成要素の位置関係を示す説明図、および液晶パネルの角部分における各構成要素の位置関係を示す説明図である。

図１（ａ）、（ｂ）および図２に示すように、本形態の液晶装置１００は液晶パネル１００ｐを有している。液晶パネル１００ｐは、素子基板１０、素子基板１０に対向配置された対向基板２０と、素子基板１０と対向基板２０との間に設けられたシール材１０７とを有しており、素子基板１０と対向基板２０とは、所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされている。本形態において、シール材１０７は対向基板２０の外縁に沿うように多角形の平面形状に設けられている。本形態において、素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形の平面形状であるため、シール材１０７は四角形の平面形状に設けられている。シール材１０７では、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤１０７ｂにグラスファイバーあるいはガラスビーズ等のギャップ材１０７ａが配合されており、ギャップ材１０７ａによって、素子基板１０と対向基板２０との間隔が規定されている。液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０と対向基板２０との間のうち、シール材１０７によって囲まれた領域内には、各種液晶材料（電気光学物質）からなる液晶層５０（電気光学物質層）が保持されている。本形態において、シール材１０７には、液晶注入口１０７ｃとして利用される途切れ部分が形成されており、かかる液晶注入口１０７ｃは、液晶材料の注入後、封止材１０７ｄによって封止されている。

液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、素子基板１０の基板本体である第１基板１０ｗ、および対向基板２０の基板本体である第２基板２０ｗも四角形である。素子基板１０（第１基板１０ｗ）は、Ｙ方向（第２方向）で対向する２つの辺１０ｅ、１０ｆ（端部）と、Ｘ方向（第１方向）で対向する２つの辺１０ｇ、１０ｈ（端部）とを備えている。対向基板２０（第２基板２０ｗ）は、Ｙ方向で対向する２つの辺２０ｅ、２０ｆ（端部）と、Ｘ方向で対向する２つの辺２０ｇ、２０ｈ（端部）とを備えている。液晶パネル１００ｐの略中央には、表示領域１０ａが四角形の領域として設けられており、かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられている。表示領域１０ａの外側は、四角枠状の外周領域１０ｃになっている。

素子基板１０において、外周領域１０ｃでは、素子基板１０においてＹ軸方向の一方側に位置する辺１０ｅに沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この辺１０ｅに隣接する他の辺１０ｇ、１０ｈの各々に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して外部制御回路から各種電位や各種信号が入力される。

図４等を参照して詳しくは後述するが、素子基板１０の一方面１０ｓおよび他方面１０ｔのうち、対向基板２０と対向する一方面１０ｓの側において、表示領域１０ａには、第１画素電極９ａや、図２等を参照して後述する画素トランジスター３０等がマトリクス状に配列されている。従って、表示領域１０ａは、第１画素電極９ａがマトリクス状に配列された画素電極配列領域１０ｐとして構成されている。かかる構成の素子基板１０において、第１画素電極９ａに対して対向基板２０側には配向膜１６が形成されている。

素子基板１０の一方面１０ｓの側において、シール材１０７と重なる領域には、第１画素電極９ａと同層に形成された第２画素電極９ｂが形成され、表示領域１０ａより外側の外周領域１０ｃのうち、表示領域１０ａとシール材１０７とに挟まれた四角枠状の周辺領域１０ｂには、第１画素電極９ａおよび第２画素電極９ｂと同層に形成された第３画素電極９ｃが形成されている。第１画素電極９ａは、表示に直接寄与する一方、第２画素電極９ｂおよび第３画素電極９ｃは表示に直接寄与しないダミー画素電極である。また、第３画素電極９ｃは、共通電位Ｖcomが印加されており、表示領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止する。このため、第３画素電極９ｃは、隣り合う第３画素電極９ｃ同士が細幅の連結部（図示せず）で繋がっている構造に形成されることもある。

対向基板２０の一方面２０ｓおよび他方面２０ｔのうち、素子基板１０と対向する一方面２０ｓの側には共通電極２１が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。本形態において、共通電極２１は、対向基板２０の略全面に形成されている。

対向基板２０の一方面２０ｓの側には、共通電極２１の下層側（素子基板１０とは反対側）に遮光層２９が形成され、共通電極２１の上層側（素子基板１０側）には配向膜２６が形成されている。遮光層２９は、表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁部分２９ａとして形成されており、遮光層２９の内周縁によって表示領域１０ａが規定されている。また、遮光層２９は、隣り合う第１画素電極９ａにより挟まれた画素間領域に重なるブラックマトリクス部２９ｂとしても形成されている。額縁部分２９ａは第３画素電極９ｃと重なる位置に形成されており、額縁部分２９ａの外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にある。従って、額縁部分２９ａとシール材１０７とは重なっていない。

液晶パネル１００ｐにおいて、シール材１０７より外側には、対向基板２０の一方面２０ｓの側の４つの角部分に基板間導通用電極２５が形成されており、素子基板１０の一方面１０ｓの側には、対向基板２０の４つの角部分（基板間導通用電極２５）と対向する位置に基板間導通用電極１９が形成されている。本形態において、基板間導通用電極２５は、共通電極２１の一部からなる。基板間導通用電極１９には、共通電位Ｖcomが印加されている。基板間導通用電極１９と基板間導通用電極２５との間には基板間導通材１９ａが配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通用電極１９、基板間導通材１９ａおよび基板間導通用電極２５を介して、素子基板１０側に電気的に接続されている。このようにして基板間導通部が形成されており、共通電極２１は、素子基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって対向基板２０の外周縁に沿って設けられているが、対向基板２０の角付近では、基板間導通部１０５を避けて内側を通るように湾曲している。

本形態において、液晶装置１００は透過型の液晶装置であり、第１画素電極９ａおよび共通電極２１は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜等の透光性導電膜により形成されている。かかる透過型の液晶装置１００では、例えば、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０の側から出射される間に変調されて画像を表示する。また、液晶装置１００が反射型の液晶装置である場合、共通電極２１は、ＩＴＯ膜やＩＺＯ膜等の透光性導電膜により形成され、第１画素電極９ａは、アルミニウム膜等の反射性導電膜により形成される。かかる反射型の液晶装置１００では、素子基板１０および対向基板２０のうち、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。

液晶装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０には、カラーフィルター（図示せず）が形成される。また、液晶装置１００は、電子ペーパーとして用いることができる。また、液晶装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、液晶装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター／電子機器）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各液晶装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。

（素子基板１０の電気的構成）
図３は、本発明を適用した液晶装置１００の素子基板１０の電気的構成の一形態を示す説明図であり、図３（ａ）、（ｂ）は、素子基板１０の回路や配線の平面的なレイアウトを示す説明図、および画素の電気的構成を示す説明図である。なお、以下の説明において、端子１０２を介して素子基板１０に入力される信号名称と信号用の配線とは、同一のアルファベット記号を信号および配線Ｌの後に各々付与する。例えば、信号名称である「クロック信号ＣＬＸ」に対して、対応する信号用の配線について「クロック信号線ＬＣＬＸ」とする。また、以下の説明において、端子１０２を介して素子基板１０に入力される信号名称と信号用の端子とは、同一のアルファベット記号を信号および端子Ｔの後に各々付与する。例えば、信号名称である「クロック信号ＣＬＸ」に対して、対応する端子１０２については「端子ＴＣＬＸ」とする。

図３（ａ）、（ｂ）に示すように、液晶装置１００において、素子基板１０の中央領域には複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画素電極配列領域１０ｐが設けられており、かかる画素電極配列領域１０ｐのうち、図１（ｂ）に示す額縁部分２９ａの内縁で囲まれた領域が表示領域１０ａである。素子基板１０では、画素電極配列領域１０ｐの内側に、Ｘ方向に延在する複数本の走査線３ａと、Ｙ方向に延在する複数本のデータ線６ａとが形成されており、それらの交点に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、ＴＦＴ等からなる画素トランジスター３０（画素スイッチング素子）、および第１画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、第１画素電極９ａが電気的に接続されている。

素子基板１０において、画素電極配列領域１０ｐより外側の外周領域１０ｃには、走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路１０３、基板間導通用電極１９、端子１０２等が構成されており、端子１０２から走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路１０３、および基板間導通用電極１９に向けて複数の配線が延在している。サンプリング回路１０３は複数本のデータ線６ａに電気的に接続しており、走査線駆動回路１０４は、複数本の走査線３ａに電気的に接続している。

各画素１００ａにおいて、第１画素電極９ａは、図１を参照して説明した対向基板２０に形成された共通電極２１と液晶層５０を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量５５が付加されている。本形態では、保持容量５５を構成するために、複数の画素１００ａに跨って延びた容量線５ａが形成され、かかる容量線５ａには電位Ｖcomが印加されている。なお、電位Ｖcomとしては、共通電極２１に印加される共通電位と同一電位を用いることができる。

素子基板１０の辺１０ｅに沿って設けられた端子１０２は、共通電位線用、走査線駆動回路用、画像信号用、およびデータ線駆動回路用の４つの用途に大きく分類される複数の端子群により構成されている。具体的には、端子１０２は、共通電位線ＬＶcom用として端子ＴＶcomを備え、走査線駆動回路１０４用として端子ＴＳＰＹ、端子ＴＶＳＳＹ、端子ＴＶＤＤＹ、端子ＴＣＬＹおよび端子ＴＣＬＹINVを備えている。また、端子１０２は、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６用として端子ＴＶＩＤ１〜ＴＶＩＤ６を備え、データ線駆動回路１０１用として、端子ＴＶＳＳＸ、端子ＴＳＰＸ、端子ＴＶＤＤＸ、端子ＴＣＬＸ、端子ＴＣＬＸINV、端子ＴＥＮＢ１〜ＴＥＮＢ４、および端子ＴＶＳＳＸを備えている。

データ線駆動回路１０１は、シフトレジスタ回路１０１ｃ、選択回路１０１ｂ、およびバッファー回路１０１ａを備えている。データ線駆動回路１０１において、シフトレジスタ回路１０１ｃは、外部制御回路から端子１０２（端子ＴＶＳＳＸ、ＴＶＤＤＸ）および配線１０５（配線ＬＶＳＳＸ、ＬＶＤＤＸ）を介して供給される負電源ＶＳＳＸおよび正電源ＶＤＤＸを電源として用い、外部制御回路から端子１０２（端子ＴＳＰＸ）および配線１０５（配線ＬＳＰＸ）を介して供給されるスタート信号ＳＰＸに基づいて転送動作を開始する。シフトレジスタ回路１０１ｃは、端子１０２（端子ＴＣＬＸ、ＴＣＬＸINV）、および配線１０５（配線ＬＣＬＸ、ＬＣＬＸINV）を介して供給されるクロック信号ＣＬＸおよび逆位相クロック信号ＣＬＸINVに基づき、転送信号を順次、所定タイミングで選択回路１０１ｂへ出力する。選択回路１０１ｂは、「イネーブル回路」とも称され、シフトレジスタ回路１０１ｃから順次出力される転送信号のパルス幅を、外部制御回路から端子１０２（端子ＴＥＮＢ１〜ＴＥＮＢ４）および配線１０５（配線ＬＥＮＢ１〜ＬＥＮＢ４）を介して供給されるイネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４のパルス幅に制限することにより、後述のサンプリング回路１０３における各サンプリング期間を規定する。より具体的には、選択回路１０１ｂは、シフトレジスタ回路１０１ｃの各段に対応して設けられたＮＡＮＤ回路およびインバーター等により構成されており、シフトレジスタ回路１０１ｃより順次出力される転送信号がハイレベルとされており、かつ、イネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４のいずれかがハイレベルとされているときにのみデータ線６ａが駆動されるように時間軸上における波形の選択制御を行う。バッファー回路１０１ａは、このように波形の選択が行われた転送信号をバッファリングした後、サンプリング回路駆動信号として、サンプリング回路駆動信号線１０９を介してサンプリング回路１０３に供給する。

サンプリング回路１０３は、画像信号をサンプリングするためのスイッチング素子１０８を複数備えて構成されている。本形態において、スイッチング素子１０８は、ＴＦＴ等の電界効果型トランジスターからなる。スイッチング素子１０８のドレインには、データ線６ａが電気的に接続され、スイッチング素子１０８のソースには、配線１０６を介して配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）が接続されるとともに、スイッチング素子１０８のゲートには、データ線駆動回路１０１に接続されたサンプリング回路駆動信号線１０９が接続されている。そして、端子１０２（端子ＴＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）を介して配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）に供給された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６は、データ線駆動回路１０１からサンプリング回路駆動信号線１０９を通じてサンプリング回路駆動信号が供給されるのに応じ、サンプリング回路１０３によりサンプリングされ、各データ線６ａに画像信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、・・Ｓｎとして供給される。本形態において、画像信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、・・Ｓｎは、６相にシリアル−パラレル展開された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６の各々に対応して、６本のデータ線６ａの組に対してグループ毎に供給される。なお、画像信号の相展開数に関しては、６相に限られるものでなく、例えば、９相、１２相、２４相、４８相等、複数相に展開された画像信号が、その展開数に対応した数を一組としたデータ線６ａの組に対して供給される。

走査線駆動回路１０４は、構成要素としてシフトレジスタ回路およびバッファー回路を備えている。走査線駆動回路１０４は、外部制御回路から端子１０２（端子ＴＶＳＳＹ、ＴＶＤＤＹ）および配線１０５（配線ＬＶＳＳＹ、ＬＶＤＤＹ）を介して供給される負電源ＶＳＳＹおよび正電源ＶＤＤＹを電源として用い、同じく外部制御回路から端子１０２（端子ＴＳＰＹ）および配線１０５（端子ＴＳＰＹ）を介して供給されるスタート信号ＳＰＹに応じて、その内蔵シフトレジスタ回路の転送動作を開始する。また、走査線駆動回路１０４は、端子１０２（端子ＴＣＬＹ、ＴＣＬＹINV）および配線１０５（配線ＬＣＬＹ、ＬＣＬＹINV）を介して供給されるクロック信号ＣＬＹおよび逆位相クロック信号ＣＬＹINVに基づいて、所定のタイミングで走査線３ａに走査信号をパルス的に線順次で印加する。

素子基板１０には、４つの基板間導通用電極１９を通過するように共通電位線ＬＶcomが形成されており、基板間導通用電極１９には、端子１０２（端子ＴＶcom）および共通電位線ＬＶcomを介して共通電位Ｖcomが供給される。

（画素１００ａの具体的構成）
図４は、本発明を適用した液晶装置１００の画素１００ａの一形態を示す説明図であり、図４（ａ）、（ｂ）は、素子基板１０において隣り合う複数の画素の平面図、および液晶装置１００のＦ−Ｆ′断面図である。なお、図４（ａ）では、各層を以下の線
走査線３ａ＝太い実線
半導体層１ａ＝細くて長い破線
ゲート電極８ａ＝点線
ドレイン電極４ａ＝細い実線
容量線５ａ＝細い二点鎖線
データ線６ａおよび中継電極６ｂ＝太い一点鎖線
遮光層７ａおよび中継電極７ｂ＝細い一点鎖線
第１画素電極９ａ＝太い破線
で示してある。また、図４（ａ）では、互いの端部が平面視で重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。

図４（ａ）に示すように、素子基板１０（第１基板１０ｗ）において対向基板２０（第２基板２０ｗ）と対向する一方面１０ｓには、複数の画素１００ａの各々に第１画素電極９ａが形成されており、隣り合う第１画素電極９ａにより挟まれた画素間領域に沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。本形態において、画素間領域は縦横に延在しており、走査線３ａは画素間領域のうち、Ｘ方向に延在する第１画素間領域に沿って直線的に延在し、データ線６ａは、Ｙ方向に延在する第２画素間領域に沿って直線的に延在している。また、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応して画素トランジスター３０が形成されており、本形態において、画素トランジスター３０は、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域およびその付近を利用して形成されている。素子基板１０には容量線５ａが形成されており、かかる容量線５ａには共通電位Ｖcomが印加されている。本形態において、容量線５ａは、走査線３ａに重なるように延在している。

画素トランジスター３０に対して対向基板２０側には遮光層７ａが形成されており、かかる遮光層７ａは、データ線６ａに重なるように延在している。画素トランジスター３０の下層側には走査線３ａが形成されており、かかる走査線３ａは、Ｘ方向に直線的に延在した主線部分３ａ1と、データ線６ａとの交差部分でデータ線６ａに重なるように延びた副線部分３ａ2とを備えている。また、走査線３ａは、データ線６ａとの交差部分には、矩形部分３ａ0を有している。

図４（ｂ）に示すように、素子基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の第１基板１０ｗの液晶層５０側の基板面（対向基板２０と対向する一方面１０ｓ側）に形成された第１画素電極９ａ、画素トランジスター３０、および配向膜１６を有している。対向基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の第２基板２０ｗ、その液晶層５０側の表面（素子基板１０と対向する一方面２０ｓ）に形成された遮光層２９、共通電極２１、および配向膜２６を有している。

素子基板１０において、第１基板１０ｗの一方面１０ｓ側には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる走査線３ａが形成されている。本形態において、走査線３ａは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）等の遮光膜からなり、液晶装置１００を透過した後の光が他の部材で反射した際、かかる反射光が半導体層１ａに入射して画素トランジスター３０で光電流に起因する誤動作が発生することを防止する。

第１基板１０ｗの一方面１０ｓ側において、走査線３ａの上層側（対向基板２０の側）には、シリコン酸化膜等の透光性の絶縁膜１２が形成されており、かかる絶縁膜１２の表面側に、半導体層１ａを備えた画素トランジスター３０が形成されている。画素トランジスター３０は、データ線６ａの延在方向に長辺方向を向けた半導体層１ａと、半導体層１ａの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極８ａとを備えており、半導体層１ａとゲート電極８ａとの間には透光性のゲート絶縁層２が形成されている。半導体層１ａは、ゲート電極８ａに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇを備えているとともに、チャネル領域１ｇの両側にソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃを備えている。本形態において、画素トランジスター３０は、ＬＤＤ構造を有している。従って、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、チャネル領域１ｇの両側に低濃度領域を備え、低濃度領域に対してチャネル領域１ｇとは反対側で隣接する領域に高濃度領域を備えている。

半導体層１ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）等によって構成されている。ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第１ゲート絶縁層２ａと、温度が７００〜９００℃の高温条件での減圧ＣＶＤ法により形成されたシリコン酸化膜からなる第２ゲート絶縁層２ｂとの２層構造からなる。

ゲート電極８ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、ゲート電極８ａは、導電性のポリシリコン膜とタングステンシリサイド膜との２層構造を有している。ゲート電極８ａは、半導体層１ａをＸ方向の両側で挟む位置でゲート絶縁膜２および絶縁膜１２を貫通するコンタクトホール１２ａ，１２ｂを介して走査線３ａに導通している。

ゲート電極８ａの上層側（対向基板２０の側）には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４１が形成され、層間絶縁膜４１の上層には、ドレイン電極４ａが形成されている。本形態において、層間絶縁膜４１は、シリコン酸化膜からなる。ドレイン電極４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、ドレイン電極４ａはチタン窒化膜からなる。ドレイン電極４ａは、半導体層１ａのドレイン領域１ｃ（画素電極側ソースドレイン領域）と一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ａを介してドレイン領域１ｃに導通している。

ドレイン電極４ａの上層側（対向基板２０の側）には、シリコン酸化膜等からなる透光性の絶縁膜４９、および透光性の誘電体層４０が形成されており、かかる誘電体層４０の上層側には容量線５ａが形成されている。誘電体層４０としては、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のシリコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。容量線５ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、容量線５ａは、チタン窒化膜、アルミニウム膜、およびチタン窒化膜との３層構造を有している。ここで、容量線５ａは、誘電体層４０を介してドレイン電極４ａと重なっており、保持容量５５を構成している。

容量線５ａの上層側（対向基板２０の側）には層間絶縁膜４２が形成されており、かかる層間絶縁膜４２の上層側（対向基板２０の側）には、データ線６ａと中継電極６ｂとが同層に形成されている。層間絶縁膜４２はシリコン酸化膜からなる。データ線６ａと中継電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、データ線６ａおよび中継電極６ｂは、アルミニウム合金膜や、チタン窒化膜とアルミニウム膜との２層乃至４層の積層膜からなる。データ線６ａは、層間絶縁膜４２、絶縁膜４９、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４２ａを介してソース領域１ｂ（データ線側ソースドレイン領域）に導通している。中継電極６ｂは、層間絶縁膜４２および絶縁膜４９を貫通するコンタクトホール４２ｂを介してドレイン電極４ａに導通している。

データ線６ａおよび中継電極６ｂの上層側（対向基板２０の側）にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４４が形成されており、層間絶縁膜４４の表面（対向基板２０の側の面）は平坦化されている。かかる層間絶縁膜４４の上層側（対向基板２０の側）には、遮光層７ａおよび中継電極７ｂが同層に形成されている。層間絶縁膜４４は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜からなり、その表面は平坦化されている。遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、アルミニウム合金膜や、チタン窒化膜とアルミニウム膜との２層乃至４層の積層膜からなる。中継電極７ｂは、層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４４ａを介して中継電極６ｂに導通している。遮光層７ａは、データ線６ａと重なるように延在しており、遮光層として機能している。なお、遮光層７ａを容量線５ａと導通させて、シールド層として利用してもよい。

遮光層７ａおよび中継電極７ｂの上層側（対向基板２０の側）には、シリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４５が形成されており、かかる層間絶縁膜４５の上層側（対向基板２０の側）にはＩＴＯ膜等からなる第１画素電極９ａが形成されている。従って、図１および図２を参照して説明した第２画素電極９ｂおよび第３画素電極９ｃも、第１画素電極９ａと同様、層間絶縁膜４５の表面（対向基板２０の側面）に形成されている。

層間絶縁膜４５には、層間絶縁膜４５を貫通して中継電極７ｂまで到達したコンタクトホール４５ａが形成されており、第１画素電極９ａは、コンタクトホール４５ａを介して中継電極７ｂに電気的に接続している。その結果、第１画素電極９ａは、中継電極７ｂ、中継電極６ｂおよびドレイン電極４ａを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続している。層間絶縁膜４５は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜からなる。また、層間絶縁膜４５は、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）からなる下層側の第１絶縁膜と、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）からなる上層側の第２絶縁膜との構造を有している場合がある。いずれの場合も、層間絶縁膜４５の表面（対向基板２０の側の面）は平坦化されている。

第１画素電極９ａの表面側には、ポリイミドや無機配向膜からなる配向膜１６が形成されている。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯ_X（ｘ＜２）、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＭｇＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｉｎ₂Ｏ₃、Ｓｂ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜／無機配向膜）からなる。

（対向基板２０の構成）
対向基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の第２基板２０ｗ（透光性基板）の液晶層５０側の表面（素子基板１０に対向する一方面２０ｓ）には、遮光層２９、シリコン酸化膜等からなる絶縁膜２８、およびＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１が形成されており、かかる共通電極２１を覆うように、ポリイミドや無機配向膜からなる配向膜２６が形成されている。本形態において、共通電極２１はＩＴＯ膜からなる。本形態において、配向膜２６は、配向膜１６と同様、ＳｉＯ_X（ｘ＜２）、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＭｇＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｉｎ₂Ｏ₃、Ｓｂ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜／無機配向膜）である。かかる配向膜１６、２６は、液晶層５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を傾斜垂直配向させ、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作する。本形態では、配向膜１６、２６として、各種無機配向膜のうち、シリコン酸化膜（ＳｉＯ_X）の斜方蒸着膜が用いられている。

（膜厚モニター領域の構成）
図５は、本発明を適用した液晶装置１００の膜厚モニター領域の一形態を示す説明図であり、図５（ａ）、（ｂ）は、膜厚モニター領域の断面図、および平面図である。なお、図５（ａ）では、対向基板２０側に形成されている膜等の図示を省略してある。

本形態の液晶装置１００の製造工程のうち、素子基板１０の製造工程では、成膜工程およびパターニング工程等を繰り返し行う。その際、素子基板１０に形成した走査線３ａ、半導体層１ａ、ゲート電極８ａ、ドレイン電極４ａ、容量線５ａ、データ線６ａ（中継電極６ｂ）、遮光層７ａ（中継電極７ｂ）、および第１画素電極９ａの膜厚を測定する。

このため、図２および図５に示すように、素子基板１０には、以下に説明する膜厚モニター領域１１が形成され、かかる膜厚モニター領域１１には、走査線３ａ、半導体層１ａ、ゲート電極８ａ、ドレイン電極４ａ、容量線５ａ、データ線６ａ（中継電極６ｂ）、遮光層７ａ（中継電極７ｂ）、および第１画素電極９ａと同層に形成された膜厚モニター膜が形成されている。

ここで、膜厚モニター領域１１は、膜毎に独立して形成された領域や、一部の膜が複数、重ねて形成された領域として構成される。以下の説明では、膜厚モニター領域１１に３つの膜厚モニター領域（第１膜厚モニター領域１１ａ、第２膜厚モニター領域１１ｂおよび第３膜厚モニター領域１１ｃ）が形成されている場合を例示する。また、以下の説明では、第１基板１０ｗと第１画素電極９ａとの間に形成された膜のうち、走査線３ａを第１膜とし、走査線３ａと同層の第１膜厚モニター膜３ｘが第１膜厚モニター領域１１ａに形成されている例を説明する。また、半導体層１ａを第２膜とし、半導体層１ａと同層の第２膜厚モニター膜１ｘが第２膜厚モニター領域１１ｂに形成されている例を説明する。また、遮光層７ａを第３膜とし、データ線６ａと同層の第３膜厚モニター膜６ｘが第３膜厚モニター領域１１ｃに形成されている例を説明する。

本形態では、シール材１０７と重なる領域に複数の第２画素電極９ｂ（ダミー画素電極）が設けられているとともに、シール材１０７と重なる領域のうち、第２画素電極９ｂと重ならない位置に膜厚モニター領域１１が形成されている。また、本形態では、第１基板１０に対して垂直な方向からみた平面視において、シール材１０７は四角形に形成されており、かかる四角形の４角のうち、辺１０ｆ、２０ｆと辺１０ｇ，２０ｇとが繋がる角部付近の角１０７ｇ、および辺１０ｆ、２０ｆと辺１０ｇ，２０ｇとが繋がる角部付近の角１０７ｈの各々に膜厚モニター領域１１が形成されている。膜厚モニター領域１１は、３つの領域（第１膜厚モニター領域１１ａ、第２膜厚モニター領域１１ｂおよび第３膜厚モニター領域１１ｃ）として形成されており、第１膜厚モニター領域１１ａ、第２膜厚モニター領域１１ｂおよび第３膜厚モニター領域１１ｃは互いに重ならない領域に設けられている。このため、第１基板１０に対して垂直な方向からみた平面視において、第２画素電極９ｂと第１膜厚モニター領域１１ａとの間に第２膜厚モニター領域１１ｂが位置し、第２画素電極９ｂと第２膜厚モニター領域１１ｂとの間に第３膜厚モニター領域１１ｂが位置している。なお、図２および図５では、第２画素電極９ｂの平面サイズが第１膜厚モニター領域１１ａ、第２膜厚モニター領域１１ｂおよび第３膜厚モニター領域１１ｃの平面サイズより大きく表されているが、第２画素電極９ｂの平面サイズは、第１膜厚モニター領域１１ａ、第２膜厚モニター領域１１ｂおよび第３膜厚モニター領域１１ｃの平面サイズより小さい。例えば、第２画素電極９ｂの平面サイズは、１５μｍ×１５μｍであるが、第１膜厚モニター領域１１ａ、第２膜厚モニター領域１１ｂおよび第３膜厚モニター領域１１ｃの平面サイズは、１００μｍ×１５０μｍである。

ここで、第１膜厚モニター領域１１ａには、走査線３ａ（第１膜）と同層の第１膜厚モニター膜３ｘが形成されている。また、第１膜厚モニター領域１１ａには、ゲート電極８ａと同層の膜厚モニター膜８ｘ、容量線５ａと同層の膜厚モニター膜５ｘ、データ線６ａと同層の膜厚モニター膜６ｙ、および遮光層７ａと同層の膜厚モニター膜７ｘが第１膜厚モニター膜３ｘと重なるように形成されている。

第２膜厚モニター領域１１ｂには、半導体層１ａ（第２膜）と同層の第２膜厚モニター膜１ｘが形成されている。また、第２膜厚モニター領域１１ｂには、ゲート電極８ａと同層の膜厚モニター膜８ｙ、ドレイン電極４ａと同層の膜厚モニター膜４ｘ，容量線５ａと同層の膜厚モニター膜５ｙ、および遮光層７ａと同層の膜厚モニター膜７ｙが第２膜厚モニター膜１ｘと重なるように形成されている。

第３膜厚モニター領域１１ｃには、データ線６ａ（第３膜）と同層の第３膜厚モニター膜６ｘが形成されている。また、第３膜厚モニター領域１１ｃには、走査線３ａ（第１膜）と同層の膜厚モニター膜３ｙ、半導体層１ａと同層の膜厚モニター膜１ｙ、およびドレイン電極４ａと同層の膜厚モニター膜４ｙが第３膜厚モニター膜６ｘと重なるように形成されている。

従って、各膜の成膜後あるいはパターニング後に第１膜厚モニター領域１１ａ、第２膜厚モニター領域１１ｂ、および第３膜厚モニター領域１１ｃにおいて膜厚を測定すれば、走査線３ａ、半導体層１ａ、ゲート電極８ａ、ドレイン電極４ａ、容量線５ａ、データ線６ａ（中継電極６ｂ）、および遮光層７ａ（中継電極７ｂ）の膜厚をモニターすることができる。

また、第１膜厚モニター領域１１ａ、第２膜厚モニター領域１１ｂ、および第３膜厚モニター領域１１ｃのいずれにも、第１画素電極９ａと同層の画素電極用膜厚モニター膜９ｘが形成されている。従って、第１画素電極９ａを構成する膜の成膜後あるいはパターニング後に第１膜厚モニター領域１１ａ、第２膜厚モニター領域１１ｂ、または第３膜厚モニター領域１１ｃにおいて膜厚を測定すれば、第１画素電極９ａの膜厚をモニターすることができる。本形態において、画素電極用膜厚モニター膜９ｘは、第１膜厚モニター領域１１ａおよび第２膜厚モニター領域１１ｂに連続して形成されている。また、画素電極用膜厚モニター膜９ｘは、第１膜厚モニター領域１１ａ、第２膜厚モニター領域１１ｂ、および第３膜厚モニター領域１１ｃに連続して形成されている。

また、本形態では、シール材１０７と重なる領域には、膜厚モニター領域１１と隣り合う位置に複数の第２画素電極９ｂが形成されており、複数の第２画素電極９ｂのうち、画素電極用膜厚モニター膜９ｘと隣り合う第２画素電極９ｂと画素電極用膜厚モニター膜９ｘとの隙間寸法Ｇａは、隣り合う第２画素電極９ｂの隙間寸法Ｇｂ以下である。このため、シール材１０７と重なる領域では、第１画素電極９ａと同層の膜の分布の差が小さい。

本形態では、シール材１０７の角１０７ｇ、１０７ｈに膜厚モニター領域１１（第１膜厚モニター領域１１ａ、第２膜厚モニター領域１１ｂおよび第３膜厚モニター領域１１ｃ）が形成されていることから、膜厚モニター領域１１（第１膜厚モニター領域１１ａ、第２膜厚モニター領域１１ｂおよび第３膜厚モニター領域１１ｃ）と基板間導通部１０５とが隣り合っている。言い換えれば、第１基板１０に対して垂直な方向からみた平面視において、第２基板２０の端部と膜厚モニター領域１１との間（例えば、第２基板２０の端部と第１膜厚モニター領域１１ａとの間）に基板間導通部１０５が位置している。基板間導通部１０５では、遮光層７ａと同層の導電膜によって基板間導通用電極１９が形成され、基板間導通用電極１９は、層間絶縁膜４４に形成されたコンタクトホール４４ｅを介して、データ線６ａと同層に形成された共通電位Ｖcom用の配線６ｅに導通している。なお、基板間導通用電極１９と重なる領域には、走査線３ａと同層の導電膜３ｅが形成されており、導電膜３ｅは、導電膜３ｅの高さ位置を調節し、コンタクトホール４４ｅの深さを調節している。

（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の液晶装置１００では、素子基板１０（第１基板１０ｗ）には、シール材１０７と重なる領域に、第１膜厚モニター領域１１ａ、第２膜厚モニター領域１１ｂおよび第３膜厚モニター領域１１ｃが設けられ、第１膜厚モニター領域１１ａ、第２膜厚モニター領域１１ｂおよび第３膜厚モニター領域１１ｃのいずれにも、第１画素電極９ａと同層の画素電極用膜厚モニター膜９ｘが設けられている。このため、走査線３ａ、半導体層１ａ、データ線６ａ、第１画素電極９ａ等の膜厚をシール材１０７と重なる領域でモニターすることができる。従って、素子基板１０を形成するためのマザー基板のスクライブ領域に第１膜厚モニター領域１１ａ、第２膜厚モニター領域１１ｂおよび第３膜厚モニター領域１１ｃを設ける必要がない。それ故、素子基板１０を製造する際、マザー基板のスクライブ領域の幅を狭くすることができる。

また、画素電極用膜厚モニター膜９ｘは、第１膜厚モニター領域１１ａ、第２膜厚モニター領域１１ｂおよび第３膜厚モニター領域１１ｃのいずれにも、第１画素電極９ａと同層の画素電極用膜厚モニター膜９ｘが設けられている一方、シール材１０７と重なる領域には第１画素電極９ａと同層の複数の第２画素電極９ｂが形成されている。また、第２画素電極９ｂと画素電極用膜厚モニター膜９ｘとの隙間寸法Ｇａは、第２画素電極９ｂ同士の隙間寸法Ｇｂ以下である。このため、シール材１０７と重なる領域では、第１画素電極９ａと同層の膜の分布の差が小さい。従って、膜厚モニター領域１１をシール材１０７と重なる領域に設けた場合でも、素子基板１０（第１基板１０ｗ）と対向基板２０（第２基板２０ｗ）との間隔のばらつきを小さくすることができる。それ故、液晶層５０の厚さを精度よく規定することができる。また、基板間導通部１０５が設けられている位置における間隔が安定するので、基板間導通部１０５において第１基板１０ｗ側と第２基板２０ｗ側とを確実に導通させることができる。

また、本形態では、複数の第２画素電極９ｂが形成されているため、素子基板１０（第１基板１０ｗ）において、配向膜１６の下地との接触面積が広い。それ故、配向膜１６の密着性が高い。

かかる効果を図６に示す参考例と比較して説明する。例えば、図６（ａ）に示す参考例１では、画素電極用膜厚モニター膜９ｘが第１膜厚モニター領域１１ａのみに形成され、第２画素電極９ｂが形成されていない。このため、シール材１０７のギャップ材１０７ａでは、素子基板１０側および対向基板２０側の双方に接しないギャップ材１０７ｓが多く、素子基板１０側および対向基板２０側の双方に接するギャップ材１０７ｔが少ない。従って、素子基板１０と対向基板２０との間隔のばらつきが大きい。また、図６（ａ）に示す参考例１のように、第２画素電極９ｂが形成されていない場合、配向膜１６の下地との接触面積が狭いので、配向膜１６の密着性が低い。

また、図６（ｂ）に示す参考例２では、画素電極用膜厚モニター膜９ｘが第１膜厚モニター領域１１ａのみに形成されているが、第２画素電極９ｂが形成されている。かかる形態でも、第２膜厚モニター領域１１ｂおよび第３膜厚モニター領域１１ｃでは、画素電極用膜厚モニター膜９ｘが形成されていないので、素子基板１０側および対向基板２０側の双方に接しないギャップ材１０７ｓが発生する。従って、素子基板１０側および対向基板２０側の双方に接するギャップ材１０７ｔが少ないので、素子基板１０と対向基板２０との間隔のばらつきが大きい。

また、図６（ｃ）に示す参考例３では、第１膜厚モニター領域１１ａ、第２膜厚モニター領域１１ｂおよび第３膜厚モニター領域１１ｃのいずれにも、第１画素電極９ａと同層の画素電極用膜厚モニター膜９ｘが設けられている、但し、第２画素電極９ｂが形成されていない。かかる形態では、第２画素電極９ｂが形成されていないので、素子基板１０側および対向基板２０側の双方に接しないギャップ材１０７ｓが多く、素子基板１０側および対向基板２０側の双方に接するギャップ材１０７ｔが少ない。このため、素子基板１０と対向基板２０との間隔のばらつきが大きい。また、図６（ｃ）に示す参考例１のように、第２画素電極９ｂが形成されていない場合、配向膜１６の下地との接触面積が狭いので、配向膜１６の密着性が低い。

［他の実施の形態］
上記実施の形態では、１個所に形成された膜厚モニター領域１１の数が３つの例を説明したが、１個所に形成された膜厚モニター領域１１の数が２つあるいは４つ以上の場合に本初発明を適用してもよく、いずれの場合も、画素電極用膜厚モニター膜９ｘは２つ以上の膜厚モニター領域１１に形成する。

また、画素電極用膜厚モニター膜９ｘは、２つ以上の膜厚モニター領域１１に連続して形成されていたが、膜厚モニター領域１１毎に分割して形成されていてもよい。

上記実施の形態では、液晶装置として、透過型の液晶装置を例示したが、反射型の液晶装置に本発明を適用してもよい。

［電子機器への搭載例］
（投射型表示装置および光学ユニットの構成例）
図７は、本発明を適用した投射型表示装置（電子機器）の概略構成図であり、図７（ａ）、（ｂ）は各々、透過型の液晶装置を用いた投射型表示装置の説明図、および反射型の液晶装置を用いた投射型表示装置の説明図である。

図７（ａ）に示す投射型表示装置１１０は、液晶パネルとして透過型の液晶パネルを用いた例であるのに対して、図７（ｂ）に示す投射型表示装置１０００は、液晶パネルとして反射型の液晶パネルを用いた例である。但し、以下に説明するように、投射型表示装置１１０、１０００はいずれも、光源部１３０、１０２１と、光源部１３０、１０２１から互いに異なる波長域の光が供給される複数の液晶装置１００と、複数の液晶装置１００から出射された光を合成して出射するクロスダイクロイックプリズム１１９、１０２７（光合成光学系）と、光合成光学系により合成された光を投射する投射光学系１１８、１０２９とを有している。また、投射型表示装置１１０、１０００においては、液晶装置１００およびクロスダイクロイックプリズム１１９、１０２７（光合成光学系）を備えた光学ユニット２００が用いられている。

（投射型表示装置の第１例）
図７（ａ）に示す投射型表示装置１１０は、観察者側に設けられたスクリーン１１１に光を照射し、このスクリーン１１１で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置である。投射型表示装置１１０は、光源１１２を備えた光源部１３０と、ダイクロイックミラー１１３、１１４と、液晶ライトバルブ１１５〜１１７と、投射光学系１１８と、クロスダイクロイックプリズム１１９（合成光学系）と、リレー系１２０とを備えている。

光源１１２は、赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、および青色光Ｂを含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー１１３は、光源１１２からの赤色光Ｒを透過させるとともに、緑色光Ｇ、および青色光Ｂを反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光Ｇおよび青色光Ｂのうち青色光Ｂを透過させるとともに緑色光Ｇを反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、光源１１２から出射した光を赤色光Ｒと緑色光Ｇと青色光Ｂとに分離する色分離光学系を構成する。

ここで、ダイクロイックミラー１１３と光源１１２との間には、インテグレーター１２１および偏光変換素子１２２が光源１１２から順に配置されている。インテグレーター１２１は、光源１１２から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子１２２は、光源１１２からの光を、例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。

液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、液晶装置１００（赤色用液晶パネル１００Ｒ）、および第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光Ｒは、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。

λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶装置１００（赤色用液晶パネル１００Ｒ）は、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光Ｒを変調し、変調した赤色光Ｒをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。

なお、λ／２位相差板１１５ａ、および第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａ、および第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。

液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光Ｇを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。かかる液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、液晶装置１００（緑色用液晶パネル１００Ｇ）、および第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光Ｇは、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。また、液晶装置１００（緑色用液晶パネル１００Ｇ）は、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。そして、第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光Ｇを変調し、変調した緑色光Ｇをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。

液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光Ｂを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。かかる液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、液晶装置１００（青色用液晶パネル１００Ｂ）、および第２偏光板１１７ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光Ｂは、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の後述する２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。

λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶装置１００（青色用液晶パネル１００Ｂ）は、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光Ｂを変調し、変調した青色光Ｂをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。なお、λ／２位相差板１１７ａ、および第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。

リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光Ｂの光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。また、リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光Ｂをリレーレンズ１２４ｂに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光Ｂを液晶ライトバルブ１１７に向けて反射するように配置されている。

クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光Ｂを反射して緑色光Ｇを透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光Ｒを反射して緑色光Ｇを透過する膜である。従って、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７の各々で変調された赤色光Ｒと緑色光Ｇと青色光Ｂとを合成し、投射光学系１１８に向けて出射するように構成されている。

なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射トランジスター特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光Ｒ、および青色光Ｂをｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光Ｇをｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン１１１に投射するように構成されている。

（投射型表示装置の第２例）
図７（ｂ）に示す投射型表示装置１０００は、光源光を発生する光源部１０２１と、光源部１０２１から出射された光源光を赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、および青色光Ｂの３色の色光に分離する色分離導光光学系１０２３と、色分離導光光学系１０２３から出射された各色の光源光によって照明される光変調部１０２５とを有している。また、投射型表示装置１０００は、光変調部１０２５から出射された各色の像光を合成するクロスダイクロイックプリズム１０２７（合成光学系）と、クロスダイクロイックプリズム１０２７を経た像光をスクリーン（不図示）に投射する投射光学系１０２９とを備えている。

かかる投射型表示装置１０００において、光源部１０２１は、光源１０２１ａと、一対のフライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅと、偏光変換部材１０２１ｇと、重畳レンズ１０２１ｉとを備えている。本形態においては、光源部１０２１は、放物面からなるリフレクタ１０２１ｆを備えており、平行光を出射する。フライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅは、システム光軸と直交する面内にマトリクス状に配置された複数の要素レンズからなり、これらの要素レンズによって光源光を分割して個別に集光・発散させる。偏光変換部材１０２１ｇは、フライアイ光学系１０２１ｅから出射した光源光を、例えば図面に平行なｐ偏光成分のみに変換して光路下流側光学系に供給する。重畳レンズ１０２１ｉは、偏光変換部材１０２１ｇを経た光源光を全体として適宜収束させることにより、光変調部１０２５に設けた複数の液晶装置１００を各々均一に重畳照明可能とする。

色分離導光光学系１０２３は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａと、ダイクロイックミラー１０２３ｂと、反射ミラー１０２３ｊ、１０２３ｋとを備える。色分離導光光学系１０２３において、光源部１０２１からの略白色の光源光は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａに入射する。クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する一方の第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された赤色光Ｒは、反射ミラー１０２３ｊで反射されダイクロイックミラー１０２３ｂを透過して、入射側偏光板１０３７ｒ、ｐ偏光を透過させる一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、および光学補償板１０３９ｒを介して、ｐ偏光のまま、液晶装置１００（赤色用液晶パネル１００Ｒ）に入射する。

また、第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された緑色光Ｇは、反射ミラー１０２３ｊで反射され、その後、ダイクロイックミラー１０２３ｂでも反射されて、入射側偏光板１０３７ｇ、ｐ偏光を透過させる一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｇ、および光学補償板１０３９ｇを介して、ｐ偏光のまま、液晶装置１００（緑色用液晶パネル１００Ｇ）に入射する。

これに対して、クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する他方の第２ダイクロイックミラー１０３１ｂで反射された青色光Ｂは、反射ミラー１０２３ｋで反射されて、入射側偏光板１０３７ｂ、ｐ偏光を透過する一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｂ、および光学補償板１０３９ｂを介して、ｐ偏光のまま、液晶装置１００（青色用液晶パネル１００Ｂ）に入射する。なお、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂは、液晶装置１００への入射光および出射光の偏光状態を調整することで、液晶層の特性を光学的に補償している。

このように構成した投射型表示装置１０００では、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂを経て入射した３色の光は各々、各液晶装置１００において変調される。その際、液晶装置１００から出射された変調光のうち、ｓ偏光の成分光は、ワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、１０３２ｇ、１０３２ｂで反射し、出射側偏光板１０３８ｒ、１０３８ｇ、１０３８ｂを介してクロスダイクロイックプリズム１０２７に入射する。クロスダイクロイックプリズム１０２７には、Ｘ字状に交差する第１誘電体多層膜１０２７ａおよび第２誘電体多層膜１０２７ｂが形成されており、一方の第１誘電体多層膜１０２７ａは赤色光Ｒを反射し、他方の第２誘電体多層膜１０２７ｂは青色光Ｂを反射する。従って、３色の光は、クロスダイクロイックプリズム１０２７において合成され、投射光学系１０２９に出射される。そして、投射光学系１０２９は、クロスダイクロイックプリズム１０２７で合成されたカラーの像光を、所望の倍率でスクリーン（図示せず。）に投射する。

（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。

（他の電子機器）
本発明を適用した液晶装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。

１ａ・・半導体層、１ｘ・・第２膜厚モニター膜、３ａ・・走査線、３ｘ・・第１膜厚モニター膜、４ａ・・ドレイン電極、５ａ・・容量線、６ａ・・データ線、６ｘ・・第３膜厚モニター膜、７ａ・・遮光層、８ａ・・ゲート電極、９ｘ・・画素電極用膜厚モニター膜、９ａ・・第１画素電極、９ｂ・・第２画素電極、９ｃ・・第３画素電極、１０・・素子基板、１０ｗ・・第１基板、１１・・膜厚モニター領域、１１ａ・・第１膜厚モニター領域、１１ｂ・・第２膜厚モニター領域、１１ｃ・・第３膜厚モニター領域、２０・・対向基板、２０ｗ・・第２基板、１００・・液晶装置、１０７・・シール材、１０７・・基板間導通部、１０７ａ・・ギャップ材

Claims (8)

1. 表示領域に複数の第１画素電極が設けられた第１基板と、
   該第１基板の前記第１画素電極が設けられた面側に対向する第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に設けられたシール材と、
   を有し、
   前記第１基板と前記シール材との間には、前記第１画素電極と同層に形成された複数の第２画素電極と、前記第２画素電極と重ならない第１膜厚モニター領域に前記第１基板と前記第１画素電極との間の第１膜と同層に形成された第１膜厚モニター膜と、平面視で前記第２画素電極と前記第１膜厚モニター領域との間に位置する第２膜厚モニター領域に前記第１基板と前記第１画素電極との間の第２膜と同層に形成された第２膜厚モニター膜と、前記第１モニター領域および前記第２膜厚モニター領域の双方に前記第１画素電極および前記第２画素電極と同層に形成された画素電極用膜厚モニター膜と、が設けられていることを特徴とする液晶装置。
2. 前記第１基板には、前記シール材と重なる領域に前記第１膜厚モニター領域および前記第２膜厚モニター領域を含めて３以上の膜厚モニター領域が設けられ、
   前記画素電極用膜厚モニター膜は、前記複数のモニター領域のいずれにも設けられていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
3. 前記画素電極用膜厚モニター膜は、前記第１モニター領域および前記第２膜厚モニター領域に連続して設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶装置。
4. 前記画素電極用膜厚モニター膜は、前記３以上の膜厚モニター領域の全てに連続して設けられていることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
5. 前記複数の第２画素電極のうち、前記画素電極用膜厚モニター膜と隣り合う第２画素電極と前記画素電極用膜厚モニター膜との隙間寸法は、前記複数の第２画素電極のうち、隣り合う第２画素電極同士の隙間寸法以下であることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の液晶装置。
6. 平面視で前記第１膜厚モニター領域と前記第２基板の端部との間に前記第１基板側と前記第２基板側とを導通させる基板間導通部が設けられていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の液晶装置。
7. 前記シール材は、多角形の平面形状に形成されており、
   前記多角形状の角に前記第１膜厚モニター領域および前記第２膜厚モニター領域が設けられていることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の液晶装置。
8. 請求項１乃至７の何れか一項に記載の液晶装置を備えていることを特徴とする電子機器。