JP2017120434A - 電気光学装置、投射型表示装置及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
Description
(全体構成)
図1は、本発明を適用した液晶装置(電気光学装置)の電気的構成を示すブロック図である。なお、図1は、あくまで電気的な構成を示すブロック図であるため、容量線等が延在している方向等、レイアウトについては模式的に示してある。
図2は、本発明を適用した液晶装置100に用いた液晶パネル100pの説明図であり、図2(a)、(b)は各々、液晶パネル100pを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのH−H′断面図である。
図3は、本発明を適用した液晶装置100の画素の説明図であり、図3(a)、(b)は各々、素子基板10において隣り合う画素の平面図、および図3(a)のF−F′線に相当する位置で液晶装置100を切断したときの断面図である。図4は、図3に示す画素の特徴部分を示す説明図であり、図4(a)、(b)は、画素トランジスター30周辺を拡大して示す説明図、および素子基板10に形成した溝状凹部の説明図である。なお、図3(a)および図4(a)、(b)では、各領域を以下の線で表してある。また、図3(a)では溝状凹部の図示を省略し、図4(a)、(b)にグレー領域として表してある。
走査線3a=太い実線
半導体層1a=細くて短い点線
データ線6aおよびドレイン電極6b=一点鎖線
第1電極層5aおよび中継電極5b=細くて長い破線
第2電極層7a=二点鎖線
画素電極9a=太くて短い破線
図3(b)および図4(a)、(b)に示すように、本形態の液晶装置100においては、画素トランジスター30と画素電極9aとの間に設けられた複数層の層間絶縁膜41〜45のうち、層間絶縁膜42(第1層間絶縁膜)には溝状凹部42eが形成されている。溝状凹部42eは、データ線6aと走査線3aとの交差領域を起点として、前段の画素100aに向かう途中位置まで、第2画素間領域10hと重なる領域に沿って延在しており、少なくとも溝状凹部42eが形成されている領域と重なる領域には、蓄積容量55を構成する第1電極層5a、誘電体層40、および第2電極層7aが形成されている。従って、溝状凹部42eの底壁42e1および側壁42e2に沿って、第1電極層5a、誘電体層40、および第2電極層7aが形成されており、かかる底壁42e1および側壁42e2の全体にわたって、蓄積容量55が構成されている。
図5〜図8は、本発明を適用した液晶装置100の製造工程の要部を示す説明図である。本形態の液晶装置100の製造工程のうち、素子基板10を形成する工程では、図5(a)に示すように、基板本体10wの一方面側に、走査線3a、画素トランジスター30、データ線6a等を形成した後、以下の工程を行う。なお、以下に説明する工程は、素子基板10を多数取りできる大型基板の状態で行われるが、以下の説明では、サイズにかかわらず、素子基板10として説明する。
以上説明したように、本形態の液晶装置100においては、複数層の層間絶縁膜41〜45のうち、層間絶縁膜42に溝状凹部42eが設けられ、かかる溝状凹部42eの底壁42e1および側壁42e2に沿って形成された第1電極層5a、誘電体層40、および第2電極層7aにより蓄積容量55が構成されている。このため、蓄積容量55の平面視における形成領域が狭い場合でも、第1電極層5aと第2電極層7aの対向面積が広い。それ故、より高精細な画像を形成すること等を目的に画素ピッチの縮小や画素サイズの小型化を図った場合でも、十分な容量値をもった蓄積容量55を構成することができる。
上記実施の形態では、透過型の液晶装置100に本発明を適用した例を説明したが、反射型の液晶装置100に本発明を適用してもよい。また、上記実施の形態では、液晶装置100に本発明を適用した例を説明したが、有機エレクトロルミネッセンス装置等、他の電気光学装置に本発明を適用してもよい。
上述した実施形態に係る液晶装置100を備えた電子機器について説明する。図9は、本発明を適用した液晶装置100を用いた投射型表示装置の概略構成図であり、図9(a)、(b)は各々、透過型の液晶装置100を用いた投射型表示装置の説明図、および反射型の液晶装置100を用いた投射型表示装置の説明図である。
図9(a)に示す投射型表示装置110は、観察者側に設けられたスクリーン111に光を照射し、このスクリーン111で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置である。投射型表示装置110は、光源112を備えた光源部130と、ダイクロイックミラー113、114と、液晶ライトバルブ115〜117(液晶装置100)と、投射光学系118と、クロスダイクロイックプリズム119と、リレー系120とを備えている。
図9(b)に示す投射型表示装置1000において、光源部890は、システム光軸Lに沿って光源810、インテグレーターレンズ820および偏光変換素子830が配置された偏光照明装置800を有している。また、光源部890は、システム光軸Lに沿って、偏光照明装置800から出射されたs偏光光束をs偏光光束反射面841により反射させる偏光ビームスプリッター840と、偏光ビームスプリッター840のs偏光光束反射面841から反射された光のうち、青色光(B)の成分を分離するダイクロイックミラー842と、青色光が分離された後の光束のうち、赤色光(R)の成分を反射させて分離するダイクロイックミラー843とを有している。
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するLED光源等を用い、かかるLED光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
本発明を適用した液晶装置100については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末(PDA:Personal Digital Assistants)、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。
Claims (10)
- 基板と、
該基板の一方面側に設けられた画素トランジスターと、
該画素トランジスターに対応して設けられた画素電極と、
前記画素トランジスターと前記画素電極との間に設けられた複数層の層間絶縁膜と、
前記画素電極と隣り合う画素電極との間に対して平面視で重なる領域において、前記複数層の層間絶縁膜のうちの少なくとも1つに設けられた溝状凹部と、
少なくとも前記溝状凹部の底壁および側壁に沿って形成された第1電極層、少なくとも前記溝状凹部の内部において前記第1電極層に対して前記基板とは反対側に積層された誘電体層、および少なくとも前記溝状凹部の内部において前記誘電体層に対して前記基板とは反対側に積層された第2電極層により構成された蓄積容量と、を有し、
前記第2電極層は、前記画素トランジスターの画素電極側ソースドレイン領域と前記画素電極とに電気的に接続していることを特徴とする電気光学装置。 - 前記第1電極層および前記第2電極層は、遮光性の導電膜からなることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
- 前記第2電極層と前記画素電極とは、前記複数層の層間絶縁膜のうち、前記第2電極層と前記画素電極との間に介在する層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して導通していることを特徴とする請求項1または2に記載の電気光学装置。
- 前記画素電極側ソースドレイン領域と前記第2電極層との間には、前記第1電極層と同層の導電膜からなる中継電極が設けられ、
当該中継電極と前記第2電極層とは、前記複数層の層間絶縁膜のうち、前記中継電極と前記第2電極層との間に介在する層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して導通していることを特徴とする請求項3に記載の電気光学装置。 - 前記画素電極側ソースドレイン領域と前記中継電極との間には、前記画素電極側ソースドレイン領域に電気的に接続するドレイン電極が設けられ、
当該ドレイン電極と前記中継電極とは、前記複数層の層間絶縁膜のうち、前記ドレイン電極と前記中継電極との間に介在する層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して導通していることを特徴とする請求項4に記載の電気光学装置。 - 前記複数層の層間絶縁膜のうち、前記溝状凹部が形成された層間絶縁膜には、前記ドレイン電極と前記中継電極とを導通させる前記コンタクトホールが形成されている領域に凹部が形成されていることを特徴とする請求項5に記載の電気光学装置。
- 前記複数の層間絶縁膜は、前記溝状凹部が形成された第1層間絶縁膜と、該第1層間絶縁膜に対して前記基板が位置する側とは反対側に積層された第2層間絶縁膜と、を含み、
前記第1電極層、前記誘電体層、および前記第2電極は、前記第2層間絶縁膜において前記溝状凹部が反映されてなる凹部内に設けられていることを特徴とする請求項1乃至6の何れか一項に記載の電気光学装置。 - 前記基板は、当該基板の一方面側に対向配置された対向基板との間に液晶層を保持することを特徴とする請求項1乃至7の何れか一項に記載の電気光学装置。
- 請求項1乃至8に記載の電気光学装置を備えた投射型表示装置であって、
前記電気光学装置に照射される照明光を出射する光源部と、前記電気光学装置により変調された光を投射する投射光学系と、を有していることを特徴とする投射型表示装置。 - 請求項1乃至8に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
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