JP5736656B2 - 液晶装置および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、素子基板と対向基板とがシール材により貼り合わされた液晶装置、および当該液晶装置を備えた電子機器に関するものである。

液晶装置は、図９（ａ）に示すように、素子基板側基板本体１０ｄの一方面に複数の画素電極９ａを備えた素子基板１０と、対向基板側基板本体２０ｄの一方面に共通電極２１を備えた対向基板２０とが環状のシール材８０により貼り合わされており、かかるシール材８０は、素子基板１０と対向基板２０との間隔を制御するビーズ状あるいはファイバー状のギャップ材８１を含んでいる。このため、素子基板１０と対向基板２０との間には所定の間隙Ｇが確保され、かかる間隙Ｇに液晶層５０が配置されている。また、素子基板側基板本体１０ｄの一方面および対向基板側基板本体２０ｄの一方面は、シール材８０と重なる領域およびシール材８０で囲まれた領域も含めて、全体が平坦面である。このため、液晶層５０の層厚は、ギャップ材８１のサイズにより所定の値に制御されることになる（特許文献１参照）。

特開２００３−３０３４２８号公報

液晶装置において、液晶層５０の応答性等を向上するには、液晶層５０の層厚を薄くすることが好ましい。しかしながら、図９（ａ）に示す構成の液晶装置において液晶層５０の層厚を例えば１．８μｍ程度まで薄くするには、図９（ｂ）に示すように、ギャップ材８１として、外径寸法が従来より小径の１．９μｍのものを用いる必要があるが、ギャップ材８１の外径については、製造上の制約等から２．０μｍ未満まで縮小するのが困難である。このため、液晶層５０の層厚については、１．９μｍ未満まで薄くすることが困難であるという問題点がある。

特に反射型の液晶装置においては、明るさを透過型と同等にするためには液晶層５０の層厚を薄くする必要がある。すなわち、反射型の液晶装置は光が液晶層５０を２回通るので、反射型の光路長を透過型の光路長と等しくして同等の明るさを得るためには液晶層５０の層厚を半分程度にしなければならない。このような場合においても、ギャップ材８１の外径寸法を縮小することが困難であり、液晶層５０の層厚を縮小することが困難であるという問題点がある。

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、ギャップ材のサイズを縮小しなくても液晶層の層厚を薄くすることのできる液晶装置および該液晶装置を備えた電子機器を提供することにある。

本発明の一態様の液晶装置は、複数の画素電極を一方面に備えた素子基板と、前記素子基板と液晶層を介して対向するように配置された対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との間隔を制御するギャップ材を含んで前記素子基板と前記対向基板とを貼り合わせるシール材と、前記シール材の外側に設けられた基板間導通材と、を含み、前記素子基板に用いた素子基板側基板本体、および前記対向基板に用いた対向基板側基板本体のうちの少なくとも一方の基板本体は、前記シール材及び前記基板間導通材と重なる領域に設けられ、当該シール材及び当該基板間導通材と重なる領域における前記一方の基板本体と他方の基板本体との間隔を前記シール材により囲まれた領域における前記一方の基板本体と前記他方の基板本体との間隔より大きくする段差部を有し、前記シール材と前記基板間導通材は接するように配置されることを特徴とする。
上記の本発明に係る液晶装置は、複数の画素電極を一方面に備えた素子基板と、前記素子基板と液晶層を介して対向して設けられた対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との間隔を制御するギャップ材を含んで前記素子基板と前記対向基板とを貼り合わせるシール材と、前記シール材の外側に設けられた基板間導通材と、前記素子基板に用いた素子基板側基板本体、および前記対向基板に用いた対向基板側基板本体のうちの少なくとも一方の基板本体の前記シール材及び前記基板間導通材と重なる領域に設けられ、当該シール材及び当該基板間導通材と重なる領域における前記一方の基板本体と他方の基板本体との間隔を前記シール材により囲まれた領域における前記一方の基板本体と前記他方の基板本体との間隔より大きくする段差部と、を有していることを特徴とする。

本発明に係る液晶装置では、素子基板側基板本体および対向基板側基板本体のうちの少なくとも一方の基板本体は、シール材と重なる領域に、シール材と重なる領域における一方の基板本体と他方の基板本体との間隔をシール材により囲まれた領域における一方の基板本体と他方の基板本体との間隔より大きくする段差部を有している。このため、シール材と重なる領域では、素子基板と対向基板との間隙が広いが、シール材より内側の領域では、素子基板と対向基板との間隙が狭い。従って、ギャップ材のサイズを縮小しなくても、液晶層の層厚を薄くすることができ、液晶層の応答性等を向上することができる。

本発明において、前記段差部は、前記対向基板側基板本体に設けられていることが好ましい。かかる構成によれば、対向基板側基板本体のサイズを大きくする必要がないという利点がある。より具体的には、段差部については、素子基板側基板本体に設けてもよいが、素子基板側基板本体には、シール材と重なる領域に配線等を形成することが多く、かかる配線が形成される領域には、無用な段差が存在しない方が好ましい。従って、素子基板側基板本体に段差部を設ける場合には、配線が通る位置を避けた領域に段差部を設ける必要がある等、制約が多い。このため、素子基板に段差部を設けると、素子基板が大きくなってしまうが、対向基板側であれば、かかる制約がないので、対向基板のサイズを大きくする必要がない。

本発明において、前記段差部は、前記対向基板側基板本体の外周縁に形成されている構成を採用することができる。

本発明において、前記段差部は、前記対向基板側基板本体の外周縁から離間した内側に設けられた溝により構成されている構成を採用してもよい。

本発明において、前記素子基板と前記対向基板との間には、前記段差部と重なる領域で前記素子基板側と前記対向基板側とを導通させる基板間導通材が設けられていることが好ましい。基板間導通材は、接着剤成分に銀粉や金メッキファイバー等の導電粒子が配合されたものであるため、かかる基板間導通材を段差部と重なる領域に設ければ、サイズの小さな導通粒子を用いなくても、素子基板側と対向基板側とを導通させることができる。

本発明において、前記段差部の側面はテーパー面になっていることが好ましい。かかる構成によれば、段差部の側面上に電極等を設ける必要がある場合でも、段差切れが発生しにくいという利点がある。

本発明において、前記段差部は、前記一方の基板本体に対するエッチングにより形成されてなることが好ましい。エッチングであれば、研削等の機械加工と比較して多数枚の基板本体に凹部を効率よく形成することができるという利点がある。

本発明は、前記素子基板および前記対向基板のうちの一方の基板が、他方の基板から入射した光を当該他方の基板に向けて反射する反射層を備えている反射型の液晶装置に適用するとより効果的である。反射型の液晶装置においては、光が液晶層を２回通るので、透過型の液晶装置と比較して液晶層の層厚を半分程度にしなければならないが、本発明によれば、ギャップ材の外径寸法を縮小しなくても、液晶層の層厚を縮小することができる。

本発明に係る液晶装置は各種電子機器に用いることができる。ここで、電子機器として投射型表示装置を構成する場合、投射型表示装置は、本発明に係る液晶装置と、該液晶装置に光を供給する光源部と、前記液晶装置によって光変調された光を投射する投射光学系と、を有している。また、本発明を適用した液晶装置は、携帯電話機やモバイルコンピューター等の電子機器において表示部を構成するのに用いることもできる。

本発明の実施の形態１に係る液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。 本発明の実施の形態１に係る液晶装置に用いた液晶パネルの具体的構成を示す説明図である。 本発明の実施の形態１に係る液晶装置の画素の説明図である。 本発明の実施の形態１に係る液晶装置における液晶層の層厚制御に関する構成を示す説明図である。 本発明の実施の形態１に係る液晶装置の製造方法を示す説明図である。 本発明の実施の形態１に係る液晶装置の製造方法を示す説明図である。 本発明の実施の形態２に係る液晶装置における液晶層の層厚制御に関する構成を示す説明図である。 本発明を適用した液晶装置を用いた投射型表示装置の概略構成図である。 従来の液晶装置における液晶層の層厚制御に関する構成を示す説明図である。

図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。なお、電界効果型トランジスターを流れる電流の方向が反転する場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、以下の説明では、便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとし、データ線が接続されている側をソースとして説明する。また、以下の説明では、図９を参照して説明した構成との対応が分りやすいように、対応する部材には同一の符号を付して説明する。

［実施の形態１］
（全体構成）
図１は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。図１において、液晶装置１００は、ＴＮ（Twisted Nematic）モードあるいはＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶パネル１００ｐを有しており、液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画素領域１０ｂを備えている。かかる液晶パネル１００ｐにおいて、後述する素子基板１０では、画素領域１０ｂの内側で複数本のデータ線６ａおよび複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交点に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター３０、および後述する画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。

素子基板１０において、画素領域１０ｂより外周側には走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１が設けられている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａの一端に電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。

各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する対向基板に形成された共通電極と液晶層を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量５５が付加されている。本形態では、保持容量５５を構成するために、複数の画素１００ａに跨って走査線３ａと並行して延びた容量線５ｂが形成されている。容量線５ｂは共通電位線（ＣＯＭ）に接続され、所定の電位に保持されている。なお、保持容量５５は前段の走査線３ａとの間に形成される場合もある。

（液晶パネル１００ｐの具体的構成）
図２は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１００に用いた液晶パネル１００ｐの具体的構成を示す説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１００の液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。

図２（ａ）、（ｂ）に示すように、液晶パネル１００ｐでは、素子基板１０と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材８０によって貼り合わされており、シール材８０は対向基板２０の外周縁に沿うように環状に配置されている。シール材８０は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤部分８２と、両基板間の間隔を所定値とするためのグラスファイバーあるいはガラスビーズ等のギャップ材８１とからなり、ギャップ材８１は、接着剤部分８２中に分散している。

かかる液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０と対向基板２０との間では、シール材８０で囲まれた領域内に液晶層５０が保持されている。なお、シール材８０には部分的な途切れ部分が設けられ、かかる途切れ部分は、液晶注入口８３として利用される。液晶注入口８３は、液晶の注入後、封止用樹脂８４で塞がれる。かかる封止用樹脂８４には、ギャップ材が配合されていないものを用いることができる。

また、素子基板１０あるいは対向基板２０にシール材８０を環状に塗布した後、シール材８０で囲まれた領域内に液晶を設け、その後、素子基板１０と対向基板２０とをシール材８０で貼り合せる場合には、液晶注入口８３および封止用樹脂８４は不要である。

素子基板１０に用いた素子基板側基板本体１０ｄは、例えば、石英基板やガラス基板およびシリコン基板であり、対向基板２０に用いた対向基板側基板本体２０ｄは、例えば、石英基板やガラス基板である。なお、液晶パネル１００ｐを反射型として構成する場合、素子基板側基板本体１０ｄおよび対向基板側基板本体２０ｄのうち、外光が入射する側の基板本体には透光性であることが求められるが、他方の基板本体については透光性である必要はない。これに対して、液晶パネル１００ｐを透過型として構成する場合、素子基板側基板本体１０ｄおよび対向基板側基板本体２０ｄの双方が透光性を有していることが求められる。

素子基板１０において、シール材８０の外側領域では、素子基板側基板本体１０ｄの一方面に、素子基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。

詳しくは後述するが、素子基板側基板本体１０ｄの一方面には、図１（ａ）を参照して説明した画素トランジスター３０、および画素トランジスター３０に電気的に接続する画素電極９ａがマトリクス状に形成されている。対向基板２０において、対向基板側基板本体２０ｄの一方面には、シール材８０の内側領域に遮光性材料からなる額縁１０８が形成され、その内側が画像表示領域１０ａとされている。また、対向基板側基板本体２０ｄの一方面には共通電極２１が形成されている。かかる共通電極２１は、対向基板側基板本体２０ｄの略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。なお、液晶パネル１００ｐを反射型として構成する場合、画素電極９ａおよび共通電極２１のうち、外光が入射する側の電極については透光性を有することが求められ、他方の電極には反射性を有することが求められる。これに対して、液晶パネル１００ｐを透過型として構成する場合、画素電極９ａおよび共通電極２１の双方に透光性を有していることが求められる。

また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、シール材８０より外側で素子基板１０の基板間導通用電極１０９と、対向基板２０の共通電極２１との間で電気的導通をとるための基板間導通材８６が形成されている。基板間導通材８６は、エポキシ樹脂系の接着剤成分に銀粉や金メッキファイバー等の導電粒子が配合されたものである。

液晶装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０側には、カラーフィルター（図示せず）や保護膜が形成される。また、液晶装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、液晶装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各液晶装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。

以下、液晶装置１００が反射型であって、画素電極９ａを反射性導電膜（反射層）により構成し、共通電極２１を透光性導電膜により形成した場合を例示する。かかる構成によれば、図２（ｂ）に矢印Ｌで示すように、対向基板２０の側から入射した光が画素電極９ａで反射して再び、対向基板２０の側から出射される間に、光は液晶層５０によって光変調される。なお、液晶装置１００を透過型とする場合、素子基板１０および対向基板２０の双方を透光性を有するように構成する。

（画素の具体的構成）
図３は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１００の画素の説明図であり、図３（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る液晶装置に用いた素子基板において隣り合う画素の平面図、および図３（ａ）のＦ−Ｆ′線に相当する位置で液晶装置１００を切断したときの断面図である。なお、図３（ａ）では、半導体層は細くて短い点線で示し、走査線３ａは太い実線で示し、データ線６ａおよびそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、容量線５ｂは二点鎖線で示し、画素電極９ａは太くて長い点線で示し、下電極層４ａは細い実線で示してある。

図３（ａ）に示すように、素子基板１０において、素子基板側基板本体１０ｄ上には、複数の画素１００ａの各々に矩形状の画素電極９ａが形成されており、各画素電極９ａの縦横の境界領域に沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。データ線６ａおよび走査線３ａは各々、直線的に延びており、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応する位置に画素トランジスター３０が形成されている。また、素子基板側基板本体１０ｄ上には、走査線３ａと重なるように容量線５ｂが形成されている。本形態において、容量線５ｂは、走査線３ａと重なるように直線的に延びた主線部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差部分でデータ線６ａに重なるように延びた副線部分とを備えている。

図３（ａ）、（ｂ）に示すように、素子基板１０は、石英基板やガラス基板、シリコン基板等の透光性の素子基板側基板本体１０ｄ、素子基板側基板本体１０ｄの液晶層５０側の表面に形成された画素電極９ａ、画素スイッチング用の画素トランジスター３０、および配向膜１６を主体として構成されている。対向基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の対向基板側基板本体２０ｄ、対向基板側基板本体２０ｄの液晶層５０側の表面に形成された共通電極２１、および配向膜２９を主体として構成されている。

素子基板１０において、複数の画素１００ａの各々には画素トランジスター３０が形成されている。画素トランジスター３０において、半導体層１ａは、走査線３ａの一部からなるゲート電極３ｃに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇと、ソース領域１ｂと、ドレイン領域１ｃとを備えており、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、低濃度領域および高濃度領域を備えている。半導体層１ａは、例えば、素子基板側基板本体１０ｄ上に絶縁膜１２を介して形成された多結晶シリコン膜等によって構成され、ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化してなるシリコン酸化膜２ａと、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のＣＶＤ膜２ｂとの２層構造を有している。なお、ゲート絶縁層２は、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜のみからなる場合や、半導体層１ａを熱酸化してなるシリコン酸化膜のみからなる場合もある。走査線３ａには、ポリシリコンやアモルファスシリコン、単結晶シリコン膜等のシリコン膜や、これらのポリサイドやシリサイド、さらには金属膜が用いられる。

走査線３ａの上層側にはシリコン酸化膜等からなる第１層間絶縁膜４１が形成されており、第１層間絶縁膜４１の上層には下電極層４ａが形成されている。下電極層４ａは、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する位置を基点として走査線３ａおよびデータ線６ａに沿って延出する略Ｌ字型に形成されている。下電極層４ａは、導電性のポリシリコン膜や金属膜等からなり、コンタクトホール７ｃを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続されている。

下電極層４ａの上層側には、シリコン窒化膜等からなる誘電体層４２が形成されている。誘電体層４２の上層側には、誘電体層４２を介して下電極層４ａと対向するように容量線５ｂ（上電極層）が形成され、かかる容量線５ｂ、誘電体層４２および下電極層４ａによって、保持容量５５が形成されている。容量線５ｂは、金属膜、導電性のポリシリコン膜、高融点金属を含む金属シリサイド膜、あるいはそれらの積層膜からなる。

容量線５ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる第２層間絶縁膜４３が形成され、第２層間絶縁膜４３の上層にはデータ線６ａおよびドレイン電極６ｂが形成されている。データ線６ａはコンタクトホール７ａを介してソース領域１ｂに電気的に接続している。ドレイン電極６ｂはコンタクトホール７ｂを介して下電極層４ａに電気的に接続し、下電極層４ａを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続している。データ線６ａおよびドレイン電極６ｂは、金属膜、導電性のポリシリコン膜、高融点金属を含む金属シリサイド膜、あるいはそれらの積層膜からなる。

データ線６ａおよびドレイン電極６ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる第３層間絶縁膜４４が形成されている。第３層間絶縁膜４４には、ドレイン電極６ｂへ通じるコンタクトホール７ｄが形成されている。第３層間絶縁膜４４の上層には、アルミニウムやアルミニウム合金等の反射性金属膜からなる画素電極９ａが形成されており、画素電極９ａは、コンタクトホール７ｄを介してドレイン電極６ｂに電気的に接続されている。本形態において、第３層間絶縁膜４４の表面は平坦面になっている。また、画素電極９ａの表面も平坦面になっている。

画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。配向膜１６は、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜１６は、シリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜であり、配向膜１６と画素電極９ａとの層間には、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の絶縁膜１６０が形成されている。絶縁膜１６０の表面は平坦面になっており、それ故、配向膜１６の表面も平坦面になっている。

対向基板２０では、対向基板側基板本体２０ｄの液晶層５０側の表面（素子基板１０に対向する側の面）に共通電極２１が形成されており、かかる共通電極２１を覆うように配向膜２６が形成されている。共通電極２１の表面は平坦面になっている。配向膜２６は、配向膜１６と同様、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜２６は、シリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜であり、配向膜２６と共通電極２１との層間にはシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の絶縁膜２６０が形成されている。絶縁膜２６０の表面は平坦面になっており、それ故、配向膜２６の表面も平坦面になっている。

（液晶層５０の層厚）
図４は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１００における液晶層５０の層厚制御に関する構成を示す説明図であり、図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、図２（ａ）のＨ−Ｈ′線における断面を模式的に示す説明図、図２（ａ）のＪ−Ｊ′線における断面を模式的に示す説明図、対向基板側基板本体２０ｄに形成した凹部を拡大して示す説明図である。なお、図４においては、素子基板１０では画素電極９ａ、基板間導通用電極１０９、およびシール材８０と重なる領域に存在する層間絶縁膜４３等の膜のみが表され、対向基板２０では共通電極２１のみが表されている。また、図４では、シール材８０に含まれるギャップ材８１を１つのみ表してあるが、ギャップ材８１は、シール材８０の幅方向において複数、存在する。

本形態の液晶装置１００においては、液晶層５０の応答性を高めるために、液晶層５０の層厚を薄くする必要がある。また、反射型の液晶装置１００において、透過型の液晶装置と同様の明るさを得るには、液晶層５０の層厚を透過型の液晶装置の半分程度にする必要がある。そこで、本形態では、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、素子基板１０に用いた素子基板側基板本体１０ｄ、および対向基板２０に用いた対向基板側基板本体２０ｄのうちの一方の基板本体において、シール材８０と重なる領域には、シール材８０と重なる領域における一方の基板本体と他方の基板本体との間隔をシール材８０により囲まれた領域における一方の基板本体と他方の基板本体との間隔とより大きくする段差部２０ｈが形成されている。

本形態において、段差部２０ｈは、対向基板側基板本体２０ｄにおいて素子基板１０と対向する面側に形成されており、素子基板側基板本体１０ｄから離間する方向に凹んでいる。また、段差部２０ｈは、一定厚の対向基板側基板本体２０ｄの一部を掘り込んだ領域である。例えば、段差部２０ｈは、全体が厚さ１．１ｍｍの対向基板側基板本体２０ｄの一部をウエットエッチングあるいはドライエッチングにより、例えば０．４μｍの深さで、２ｍｍ程度の幅寸法をもって掘り込んだ領域である。このため、対向基板側基板本体２０ｄにおいて、段差部２０ｈが形成されている領域は肉薄部２０ｅになっている。

ここで、段差部２０ｈおよび肉薄部２０ｅは、対向基板側基板本体２０ｄの外周縁に形成された段差２０ｆにより構成されており、段差部２０ｈおよび肉薄部２０ｅは、対向基板側基板本体２０ｄの外周縁まで届いている。また、共通電極２１は、段差部２０ｈおよび肉薄部２０ｅも含めて対向基板側基板本体２０ｄの全体に形成されており、シール材８０より外側では、基板間導通材８６も、段差部２０ｈおよび肉薄部２０ｅと重なる位置に設けられている。かかる基板間導通材８６は、プラスチックビーズ等の表面に金あるいは銀等の金属層を設けた導電粒子８７と、樹脂成分８８とからなり、素子基板側基板本体１０ｄに形成された基板間導通用電極１０９と共通電極２１とを導通させている。このため、基板間導通用電極１０９は、基板間導通材８６を介して共通電極２１に共通電位を供給可能である。

また、本形態では、共通電極２１は、段差部２０ｈおよび肉薄部２０ｅも含めて対向基板側基板本体２０ｄの全体に形成されている。そこで、本形態では、図４（ｃ）に示すように、段差部２０ｈの側面２０ｇについてはテーパー面としてある。このため、共通電極２１を段差部２０ｈまで形成した場合でも、共通電極２１に段差部２０ｈの側面２０ｇに段差切れが発生しにくい。

このように構成した液晶装置１００において、シール材８０にも用いたギャップ材８１の外径寸法は、２．３μｍである。但し、本形態の液晶装置１００において、シール材８０と重なる領域には、深さが０．６μｍの段差２０ｆによって肉薄部２０ｅが設けられている。このため、素子基板１０と対向基板２０とをシール材８０で貼り合わせた状態で、素子基板１０と対向基板２０との間には、外径寸法が２．３μｍのギャップ材８１が介在するが、シール材８０で囲まれた領域における素子基板１０と対向基板２０との間隙Ｇは、１．８μｍであり、液晶層５０の層厚は１．８μｍである。

なお、対向基板側基板本体２０ｄに形成する段差部２０ｈの深さを変えた場合におけるギャップ材８１の外径寸法と、液晶層５０の層厚との関係（シミュレーション結果）は、表１に示す通りである。

なお、ギャップ材８１の外径寸法から段差部２０ｈの深さを差し引いた値と、液晶層５０の層厚との間には、０．１μｍ程度の差があるが、かかる差は、素子基板１０等に形成した画素電極９ａや層間絶縁膜４３等の厚さに起因するものである。

（製造方法）
図５および図６は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１００の製造方法を示す説明図である。本形態の液晶装置１００は、単品サイズの素子基板１０と単品サイズの対向基板２０とを準備した後、貼り合せる方法に製造できるが、本形態では、図５および図６を参照して以下に説明するように、貼り合わせ工程までは、素子基板１０を多数取りできる素子基板用大型基板と対向基板用大型基板を用いる。

まず、図５および図６を参照して以下に説明するように、貼り合わせ工程までは、素子基板１０を多数取りできる素子基板用大型基板２１０と対向基板用大型基板２２０を用いる。より具体的には、まず、図５（ａ）に示すように、対向基板２０（対向基板側基板本体２０ｄ）を多数取りできる対向基板用大型基板２２０を準備する。かかる対向基板用大型基板２２０において、一点鎖線３０１で示す切断予定線により囲まれた領域が対向基板側基板本体２０ｄとして切り出される領域である。

次に、図５（ｂ）に示すように、対向基板用大型基板２２０において対向基板側基板本体２０ｄとして切り出される領域のうち、外周縁から所定の寸法だけ内側に相当する領域をエッチングマスク２３０で覆い、フッ酸系のエッチング液を用いたウエットエッチング、あるいはフッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、対向基板側基板本体２０ｄにおいてエッチングマスク２３０から露出している部分をエッチングする。

次に、エッチングマスク２３０を除去すると、対向基板用大型基板２２０において対向基板側基板本体２０ｄとして切り出される領域の外周縁に沿って段差部２０ｈ（肉薄部２０ｅ）が形成される。ここで、ウエットエッチングおよびドライエッチングとしてサイドエッチングが発生しやすい条件を設定すれば、図４（ｃ）を参照して説明したように、段差部２０ｈの形成により発生した段差部の側面２０ｇをテーパー面とすることができる。

次に、対向基板側基板本体２０ｄに対して、図１〜図４を参照して説明した額縁１０８、共通電極２１、配向膜２６（図２、図３等を参照）等を形成する。

一方、図６（ａ）に示すように、素子基板１０（素子基板側基板本体１０ｄ）を多数取りできる素子基板用大型基板２１０において、一点鎖線３０１で示す切断予定線で囲まれた領域が素子基板側基板本体１０ｄとして切り出される領域であり、かかる領域に、図１〜図４を参照して説明した画素トランジスター３０、画素電極９ａ、基板間導通用電極１０９、配向膜１６（図２、図３等を参照）等形成する。

次に、図６（ｂ）に示すように、素子基板用大型基板２１０において素子基板側基板本体１０ｄとして切り出される領域のうち、画像表示領域１０ａの周りを囲むように、ギャップ材８１を含有するシール材８０を塗布する。その際、シール材８０には、途切れ部分からなる液晶注入口８３（図２参照）を形成する。

次に、図６（ｃ）に示すように、素子基板用大型基板２１０において画素電極９ａが形成されている一方面と、対向基板用大型基板２２０において共通電極２１や段差部２０ｈが形成されている一方面とをシール材８０を挟んで重ね合わせ、シール材８０を固化させる。その結果、大型のパネル構造体３００ｐが形成される。なお、シール材８０については、対向基板用大型基板２２０の側に塗布して、素子基板用大型基板２１０と対向基板用大型基板２２０とを貼り合わせてもよい。いずれの場合も、シール材８０は、対向基板側基板本体２０ｄの段差部２０ｈ（肉薄部２０ｅ）と重なる位置に配置される。

次に、大型のパネル構造体３００ｐを切断予定線に沿って切断し、単品サイズの液晶パネル１００ｐを得る。その間において、シール材８０の液晶注入口８３が露出したタイミングで液晶の真空注入を行い、その後、図２に示すように、液晶注入口８３を封止樹脂で塞ぐ。

なお、素子基板用大型基板２１０（素子基板１０）あるいは対向基板用大型基板２２０（対向基板２０）にシール材８０を環状に塗布した後、シール材８０で囲まれた領域内に液晶を設け、その後、素子基板用大型基板２１０（素子基板１０）と対向基板用大型基板２２０（対向基板２０）とをシール材８０で貼り合せる製造方法を採用してもよい。

（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の反射型の液晶装置１００では、ギャップ材８１を含むシール材８０と重なる領域に、シール材８０と重なる領域における対向基板側基板本体２０ｄ（一方の基板本体）と素子基板側基板本体１０ｄ（他方の基板本体）との間隔を、シール材８０で囲まれた領域における対向基板側基板本体２０ｄと素子基板側基板本体１０ｄとの間隔より大きくする段差部２０ｈが形成されている。このため、シール材８０と重なる領域では、素子基板１０と対向基板２０との間隙が広いが、シール材８０より内側の領域では、素子基板１０と対向基板２０との間隙が狭い。従って、ギャップ材８１のサイズを縮小しなくても、液晶層５０の層厚を薄くすることができ、液晶層５０の応答性等を向上することができる。

また、段差部２０ｈは、対向基板側基板本体２０ｄに設けられているため、対向基板側基板本体２０ｄのサイズを大きくする必要がないという利点がある。より具体的には、段差部２０ｈについては、素子基板側基板本体１０ｄに設けてもよいが、素子基板側基板本体１０ｄには、シール材８０と重なる領域に配線等を形成することが多く、かかる配線が形成される領域には、無用な段差が存在しない方が好ましい。従って、素子基板側基板本体１０ｄに段差部２０ｈを設ける場合には、配線が通る位置を避けた領域に段差部２０ｈを設ける必要がある等制約が多い。このため、素子基板１０に段差部２０ｈを設けると、素子基板１０が大きくなってしまうが、対向基板２０側であれば、かかる制約がないので、対向基板２０のサイズを大きくする必要がない。

また、本形態において、素子基板１０と対向基板２０との間には、段差部２０ｈと重なる領域で素子基板１０側の基板間導通電極１０９と対向基板２０側の共通電極２１とを導通させる基板間導通材８６が設けられている。ここで、基板間導通材８６は、樹脂成分８８に銀粉や金メッキファイバー等の導電粒子８７が配合されたものであるため、かかる基板間導通材８６を段差部２０ｈと重なる領域に設ければ、サイズの小さな導通粒子８７を用いなくても、素子基板１０側と対向基板２０側とを導通させることができる。

また、対向基板側基板本体２０ｄにおいて、段差部２０ｈより形成された段差部の側面２０ｇはテーパー面になっているため、段差部２０ｈの側面２０ｇ上に共通電極２１を設けた場合でも、共通電極２１に段差切れが発生しにくい。

また、段差部２０ｈは、対向基板側基板本体２０ｄに対するエッチングにより形成されてなるため、研削等の機械加工で形成する場合と比較して多数枚の対向基板側基板本体２０ｄに段差部２０ｈを効率よく形成することができる。

［実施の形態２］
図７は、本発明の実施の形態２に係る液晶装置１００における液晶層５０の層厚制御に関する構成を示す説明図であり、図７（ａ）、（ｂ）は各々、図２（ａ）のＨ−Ｈ′線における断面を模式的に示す説明図、および図２（ａ）のＪ−Ｊ′線における断面を模式的に示す説明図である。なお、図７においては、素子基板１０では画素電極９ａ、基板間導通用電極１０９、およびシール材８０と重なる領域に存在する層間絶縁膜４３等の膜のみが表され、対向基板２０では共通電極２１のみが表されている。また、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。

実施の形態１では、対向基板側基板本体２０ｄに段差部２０ｈおよび肉薄部２０ｅを形成するにあたって、対向基板側基板本体２０ｄの外周縁に段差２０ｆを設けたが、本形態では、図７に示すように、対向基板側基板本体２０ｄの外周縁に対して所定の寸法を隔てた内側に溝２０ｉを設け、かかる溝２０ｉによって、対向基板側基板本体２０ｄに段差部２０ｈおよび肉薄部２０ｅが形成されている。

このように構成した対向基板２０において、ギャップ材８１を含有するシール材８０は、段差部２０ｈおよび肉薄部２０ｅと重なる領域で、対向基板２０と素子基板１０とを貼り合せる。また、シール材８０より外側では、基板間導通材８６も、段差部２０ｈおよび肉薄部２０ｅと重なる位置に設けられている。

このため、本形態の液晶装置１００では、実施の形態１と同様、シール材８０と重なる領域では、素子基板１０と対向基板２０との間隙が広いが、シール材８０より内側の領域では、素子基板１０と対向基板２０との間隙が狭い。従って、ギャップ材８１のサイズを縮小しなくても、液晶層５０の層厚を薄くすることができ、液晶層５０の応答性等を向上することができる等、実施の形態１と同様な効果を奏する。

［他の実施の形態］
上記実施の形態では、段差部２０ｈおよび肉薄部２０ｅを対向基板側基板本体２０ｄに設けたが、素子基板側基板本体１０ｄにおいてシール材８０と重なる領域に段差部２０ｈおよび肉薄部２０ｅを設けてもよい。また、対向基板側基板本体２０ｄおよび素子基板側基板本体１０ｄの双方に対してシール材８０と重なる領域に段差部２０ｈおよび肉薄部２０ｅを設けてもよい。

また、上記実施の形態では、段差部２０ｈおよび肉薄部２０ｅをエッチングにより形成したが、研削等の機械加工によって、段差部２０ｈおよび肉薄部２０ｅを形成してもよい。また、素子基板側基板本体１０ｄあるいは対向基板側基板本体２０ｄを製作する際の成形によって段差部２０ｈおよび肉薄部２０ｅを形成してもよい。

［液晶装置１００の電子機器への搭載例］
図８を参照して、上述した実施形態に係る液晶装置１００を適用した電子機器について説明する。図８は、本発明を適用した液晶装置を用いた投射型表示装置（電子機器）の概略構成図であり、図８（ａ）、（ｂ）は各々、透過型の液晶装置１００を用いた投射型表示装置の説明図、および反射型の液晶装置１００を用いた投射型表示装置（電子機器）の説明図である。

（投射型表示装置の第１例）
図８（ａ）に示す投射型表示装置１１０は、観察者側に設けられたスクリーン１１１に光を照射し、このスクリーン１１１で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置である。投射型表示装置１１０は、光源１１２と、ダイクロイックミラー１１３、１１４と、液晶ライトバルブ１１５〜１１７（液晶装置１００）と、投射光学系１１８と、クロスダイクロイックプリズム１１９と、リレー系１２０とを備えている。

光源１１２は、赤色光、緑色光および青色光を含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー１１３は、光源１１２からの赤色光を透過させると共に緑色光および青色光を反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光および青色光のうち青色光を透過させると共に緑色光を反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、光源１１２から出射した光を赤色光と緑色光と青色光とに分離する色分離光学系を構成する。

ここで、ダイクロイックミラー１１３と光源１１２との間には、インテグレーター１２１および偏光変換素子１２２が光源１１２から順に配置されている。インテグレーター１２１は、光源１１２から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子１２２は、光源１１２からの光を例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。

液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置（液晶装置１００）である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、液晶パネル１１５ｃおよび第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光は、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。

λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１５ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光を変調し、変調した赤色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて射出する構成となっている。

なお、λ／２位相差板１１５ａおよび第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａおよび第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。

液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。そして、液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、液晶パネル１１６ｃおよび第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光は、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。また、液晶パネル１１６ｃは、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。そして、第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光を変調し、変調した緑色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて射出する構成となっている。

液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。そして、液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、液晶パネル１１７ｃおよび第２偏光板１１７ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光は、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の後述する２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。

λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１７ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光を変調し、変調した青色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて射出する構成となっている。なお、λ／２位相差板１１７ａおよび第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。

リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光の光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。また、リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光をリレーレンズ１２４ｂに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光を液晶ライトバルブ１１７に向けて反射するように配置されている。

クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光を反射して緑色光を透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光を反射して緑色光を透過する膜である。したがって、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７のそれぞれで変調された赤色光と緑色光と青色光とを合成し、投射光学系１１８に向けて射出するように構成されている。

なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を有効に合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光および青色光をｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光をｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン１１１に投射するように構成されている。

（投射型表示装置の第２例）
図８（ｂ）に示す投射型表示装置１０００において、光源部８９０は、システム光軸Ｌに沿って光源８１０、インテグレーターレンズ８２０および偏光変換素子８３０が配置された偏光照明装置８００を有している。また、光源部８９０は、システム光軸Ｌに沿って、偏光照明装置８００から出射されたＳ偏光光束をＳ偏光光束反射面８４１により反射させる偏光ビームスプリッター８４０と、偏光ビームスプリッター８４０のＳ偏光光束反射面８４１から反射された光のうち、青色光（Ｂ）の成分を分離するダイクロイックミラー８４２と、青色光が分離された後の光束のうち、赤色光（Ｒ）の成分を反射させて分離するダイクロイックミラー８４３とを有している。

また、投射型表示装置１０００は、各色光が入射する３つの反射型の液晶装置１００（液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ）を備えており、光源部８９０は、３つの液晶装置１００（液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ）に所定の色光を供給する。

かかる投射型表示装置１０００においては、３つの液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにて変調された光をダイクロイックミラー８４２、８４３、および偏光ビームスプリッター８４０にて合成した後、この合成光を投射光学系８５０によってスクリーン８６０等の被投射部材に投射する。

なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。

（他の電子機器）
本発明を適用した液晶装置１００については、上記の投射型表示装置（電子機器）の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルスチールカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型、モニター直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器に用いてもよい。

９ａ・・画素電極、１０・・素子基板、１０ｄ・・素子基板側基板本体、２０・・対向基板、２０ｄ・・対向基板側基板本体、２０ｅ・・肉薄部、２０ｆ・・段差、２０ｇ・・段差部の側面、２０ｈ・・段差部、２０ｉ・・溝、３０・・画素トランジスター、５０・・液晶層、８０・・シール材、８１・・ギャップ材、８２・・接着剤部分、８６・・基板間導通材、８７・・導電粒子、８８・・樹脂部分、１００・・液晶装置

Claims (9)

1. 複数の画素電極を一方面に備えた素子基板と、
   前記素子基板と液晶層を介して対向するように配置された対向基板と、
   前記素子基板と前記対向基板との間隔を制御するギャップ材を含んで前記素子基板と前記対向基板とを貼り合わせるシール材と、
   前記シール材の外側に設けられた、導電粒子と樹脂を含んだ基板間導通材と、
   を含み、
   前記素子基板に用いた素子基板側基板本体、および前記対向基板に用いた対向基板側基板本体のうちの少なくとも一方の基板本体は、前記シール材及び前記基板間導通材と重なる領域に設けられ、当該シール材及び当該基板間導通材と重なる領域における前記一方の基板本体と他方の基板本体との間隔を前記シール材により囲まれた領域における前記一方の基板本体と前記他方の基板本体との間隔より大きくする段差部を有し、
   前記段差部は、前記対向基板側基板本体の外周縁から離間した内側に設けられた溝により構成され、
   前記シール材と前記基板間導通材は、前記溝の中で隣り合うように配置されることを特徴とする液晶装置。
2. 前記段差部は、前記対向基板側基板本体に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
3. 前記対向基板は、遮光部材を含み、
   前記遮光部材の外側に、前記溝が配置されることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶装置。
4. 前記導電粒子は、プラスチックビーズと、前記プラスチックビーズの表面に配置された金属層と、を含むことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の液晶装置。
5. 前記段差部の側面は、テーパー面になっていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の液晶装置。
6. 前記段差部は、前記一方の基板本体に対するエッチングにより形成されてなることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の液晶装置。
7. 前記素子基板および前記対向基板のうちの一方の基板は、他方の基板から入射した光を当該他方の基板に向けて反射する反射層を備えていることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の反射型の液晶装置。
8. 請求項１乃至７の何れか一項に記載の液晶装置を備えていることを特徴とする電子機器。
9. 前記液晶装置に光を供給する光源部と、前記液晶装置によって光変調された光を投射する投射光学系と、を有していることを特徴とする請求項８に記載の電子機器。