JP5332841B2 - 電気光学装置および電子機器 - Google Patents
電気光学装置および電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5332841B2 JP5332841B2 JP2009094639A JP2009094639A JP5332841B2 JP 5332841 B2 JP5332841 B2 JP 5332841B2 JP 2009094639 A JP2009094639 A JP 2009094639A JP 2009094639 A JP2009094639 A JP 2009094639A JP 5332841 B2 JP5332841 B2 JP 5332841B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- liquid crystal
- region
- layer
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 59
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 22
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 17
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 102
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 72
- 239000010408 film Substances 0.000 description 137
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 124
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 7
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
また、前記第1トランジスターと電気的に接続され、前記保持容量の一部と平面視で重なるデータ線と、第1定電位が供給され、前記データ線と同層に形成され、前記容量素子の一部と平面視で重なる第1定電位線と、前記第1定電位と異なる第2定電位が供給され、前記データ線と同層に形成され、前記容量素子の一部と平面視で重なる第2定電位線と、前記第2トランジスターと導電型が相違し、前記容量素子の一部と平面視で重なる領域に設けられた第3トランジスターと、を含み、前記第2トランジスターと前記第3トランジスターとは相補型トランジスター回路を構成し、前記第1導電膜は、前記第2トランジスターおよび前記第1定電位線と電気的に接続され、前記第2導電膜は、前記第3トランジスターおよび前記第2定電位線と電気的に接続されている。
図1(a)、(b)は各々、本発明を適用した液晶装置(電気光学装置)の電気的構成を示すブロック図、および駆動回路領域に形成された相補型トランジスター回路の説明図である。
図2(a)、(b)は各々、本発明を適用した液晶装置100の液晶パネル100pを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのH−H′断面図である。図2(a)、(b)に示すように、液晶パネル100pでは、素子基板10と対向基板20とが所定の隙間を介してシール材107によって貼り合わされており、シール材107は対向基板20の縁に沿うように配置されている。シール材107は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂などからなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。
図3は、本発明を適用した液晶装置の画素の説明図であり、図3(a)、(b)は各々、本発明を適用した液晶装置に用いた素子基板において隣り合う画素の平面図、および図3(a)のF−F′線に相当する位置で液晶装置100を切断したときの断面図である。なお、図3(a)では、半導体層は細くて短い点線で示し、走査線3aは太い実線で示し、データ線6aおよびそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、容量線5bは二点鎖線で示し、画素電極9aは太くて長い点線で示し、後述する下電極層は細い実線で示してある。
図1(a)および図2(a)に示すように、本形態の液晶装置100では、素子基板10の一方の基板面には、画素領域10bより外側に駆動回路領域10e(データ線駆動回路101および走査線駆動回路104)が形成されている。このような駆動回路領域10eは、図1(b)に示すように、Nチャネル型の駆動用トランジスター80とPチャネル型の駆動用トランジスター90とを備えた相補型トランジスター回路70を有しており、かかる相補型トランジスター回路70はインバーター回路を構成している。従って、本形態の液晶装置100には、図1に示す画素トランジスター30が「第1のトランジスター」として形成され、駆動用トランジスター80および駆動用トランジスター90の一方が「第2のトランジスター」として形成され、他方が「第3のトランジスター」として形成されている。本形態では、便宜上、駆動用トランジスター80を「第2のトランジスター」とし、駆動用トランジスター90を「第3のトランジスター」として説明する。
以上説明したように、本形態の液晶装置100において、画素領域10bでは、画素トランジスター30の上層側で画素トランジスター30に平面視で重なる領域に保持容量55が形成され、駆動回路領域10eでは、駆動用トランジスター80、90の上層側で駆動用トランジスター80、90に平面視で重なる領域に容量素子58が形成されている。このように、駆動用トランジスター80、90が設けられた領域において、第3層間絶縁膜44の下地層の最表面は容量素子58によって底上げされているため、第3層間絶縁膜44の表面を研磨すれば、図7(b)、(c)に直線LC2、LD2で示すように、素子基板10上における画素領域10bと駆動回路領域10eとの高低差を容易に緩和することができる。
上記実施の形態では、駆動用トランジスター80、90の上層側において駆動用トランジスター80、90に平面視で重なる領域に、保持容量55の下電極層4aと同層の導電膜4eと、誘電体層42と同層の誘電体膜42eと、容量線5bと同層の導電膜5eとを設けたが、導電膜4e、誘電体膜42e、および導電膜5eのうちの1層あるいは2層を設けてもよい。かかる構成を採用した場合も、素子基板10上における画素領域10bと駆動回路領域10eとの高低差を緩和することができる。
図6を参照して、上述した実施形態に係る液晶装置100を適用した電子機器について説明する。図6は、本発明を適用した液晶装置を用いた投射型表示装置の概略構成図であり、図6(a)、(b)は各々、透過型の液晶装置100を用いた投射型表示装置の説明図、および透過型の液晶装置100を用いた投射型表示装置の説明図である。
図6(a)に示す投射型表示装置110は、観察者側に設けられたスクリーン111に光を照射し、このスクリーン111で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置である。投射型表示装置110は、光源112と、ダイクロイックミラー113、114と、液晶ライトバルブ115〜117(液晶装置100)と、投射光学系118と、クロスダイクロイックプリズム119と、リレー系120とを備えている。
図6(b)に示す投射型表示装置1000において、光源部890は、システム光軸Lに沿って光源810、インテグレーターレンズ820および偏光変換素子830が配置された偏光照明装置800を有している。また、光源部890は、システム光軸Lに沿って、偏光照明装置800から出射されたS偏光光束をS偏光光束反射面841により反射させる偏光ビームスプリッター840と、偏光ビームスプリッター840のS偏光光束反射面841から反射された光のうち、青色光(B)の成分を分離するダイクロイックミラー842と、青色光が分離された後の光束のうち、赤色光(R)の成分を反射させて分離するダイクロイックミラー843とを有している。
本発明を適用した液晶装置100については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末(PDA:Personal Digital Assistants)、デジタルスチールカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型、モニター直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器に用いてもよい。
Claims (3)
- 画素領域に形成された複数の第1トランジスターと、
前記画素領域の外側に設けられた第2トランジスターと、
前記第1トランジスターと平面視で重なる領域に設けられ、第1容量電極層、前記第1容量電極層の前記第1トランジスターの反対側に設けられた第2容量電極層および前記第1容量電極層と前記第2容量電極層との間に設けられた第1誘電体層を備えた保持容量と、
前記第2トランジスターと平面視で重なる領域に設けられ、互いに積層された前記第1容量電極層と同層の第1導電膜、前記第1誘電体層と同層の第2誘電体膜および前記第2容量電極層と同層の第2導電膜を備えた容量素子と、
を含むことを特徴とする電気光学装置。 - 前記第1トランジスターと電気的に接続され、前記保持容量の一部と平面視で重なるデータ線と、
第1定電位が供給され、前記データ線と同層に形成され、前記容量素子の一部と平面視で重なる第1定電位線と、
前記第1定電位と異なる第2定電位が供給され、前記データ線と同層に形成され、前記容量素子の一部と平面視で重なる第2定電位線と、
前記第2トランジスターと導電型が相違し、前記容量素子の一部と平面視で重なる領域に設けられた第3トランジスターと、
を含み、
前記第2トランジスターと前記第3トランジスターとは相補型トランジスター回路を構成し、
前記第1導電膜は、前記第2トランジスターおよび前記第1定電位線と電気的に接続され、
前記第2導電膜は、前記第3トランジスターおよび前記第2定電位線と電気的に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。 - 請求項1又は2に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009094639A JP5332841B2 (ja) | 2009-04-09 | 2009-04-09 | 電気光学装置および電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009094639A JP5332841B2 (ja) | 2009-04-09 | 2009-04-09 | 電気光学装置および電子機器 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010243931A JP2010243931A (ja) | 2010-10-28 |
JP2010243931A5 JP2010243931A5 (ja) | 2012-05-31 |
JP5332841B2 true JP5332841B2 (ja) | 2013-11-06 |
Family
ID=43096985
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009094639A Expired - Fee Related JP5332841B2 (ja) | 2009-04-09 | 2009-04-09 | 電気光学装置および電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5332841B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4798907B2 (ja) * | 2001-09-26 | 2011-10-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP4284950B2 (ja) * | 2001-10-04 | 2009-06-24 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
JP4269659B2 (ja) * | 2002-11-26 | 2009-05-27 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
JP2005203675A (ja) * | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置とその製造方法、及び電子機器 |
JP4442570B2 (ja) * | 2005-04-11 | 2010-03-31 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
-
2009
- 2009-04-09 JP JP2009094639A patent/JP5332841B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010243931A (ja) | 2010-10-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5849489B2 (ja) | 電気光学装置、投射型表示装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法 | |
JP2012083513A (ja) | 液晶装置および電子機器 | |
US8953129B2 (en) | Liquid crystal device and projection-type display apparatus | |
US8643814B2 (en) | Liquid crystal device and projection-type display apparatus | |
JP2012098577A (ja) | 液晶装置および投射型表示装置 | |
JP2012208302A (ja) | 液晶装置および投射型表示装置 | |
JP5736656B2 (ja) | 液晶装置および電子機器 | |
JP2012208301A (ja) | 液晶装置および投射型表示装置 | |
JP3199691U (ja) | 電気光学装置および電子機器 | |
JP5910009B2 (ja) | 液晶装置および電子機器 | |
JP5810589B2 (ja) | 電気光学装置、投射型表示装置、および電子機器 | |
JP3199692U (ja) | 電気光学装置および電子機器 | |
JP6311811B2 (ja) | 電気光学装置、投射型表示装置及び電子機器 | |
JP5982094B2 (ja) | 電気光学装置、投射型表示装置および電子機器 | |
JP2017009887A (ja) | 電気光学装置および電子機器 | |
JP2012255960A (ja) | 電気光学装置の製造方法 | |
JP2013003184A (ja) | 電気光学装置および投射型表示装置 | |
JP2009276588A (ja) | 電気光学装置および投射型表示装置 | |
JP2012185422A (ja) | 液晶装置、液晶装置の製造方法、および投射型表示装置 | |
JP6107919B2 (ja) | 電気光学装置、電子機器 | |
JP5332841B2 (ja) | 電気光学装置および電子機器 | |
JP2018045018A (ja) | 液晶装置および電子機器 | |
JP5751046B2 (ja) | 液晶装置および投射型表示装置 | |
JP2012208294A (ja) | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、投射型表示装置および電子機器 | |
JP2013109258A (ja) | 電気光学装置および電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120409 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120409 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130305 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130403 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130702 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130715 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5332841 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |