JP2016099493A - 電気光学装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】データ線にデータ電位を書き込むタイミングのずれを抑制することのできる電気光学装置および電子機器を提供する。【解決手段】電気光学装置１００では、画素１００ａの階調を規定するデータ電位Ｓ１、Ｓ２、・・Ｓｎをデータ出力線１７からブロックＢ１、Ｂ２、・・Ｂｒ毎に出力するとともに、複数の制御信号線１１から供給された制御信号Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４に基づいて、各ブロックＢ１、Ｂ２、・・Ｂｒでは、データ線６ａにデータ電位Ｓ１、Ｓ２、・・Ｓｎを時系列に書き込む。ここで、複数の制御信号線１１では、周囲の配線との間の寄生容量や引き回し長さ等に起因して、時定数に大きな差が存在する場合があるが、複数の制御信号線１１には、複数の制御信号線１１における時定数のばらつきを抑制する付加容量１４が接続されている。また、付加容量１は、制御信号線１１の延在方向の複数個所に設けられている。【選択図】図２

Description

本発明は、各画素の階調を規定するデータ電位を制御信号に基づいてデータ線に時系列
的に書き込む電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器に関するものであ
る。

液晶装置等の電気光学装置において、画素の階調を規定するデータ電位を制御信号に基
づいてデータ線に書き込む方式が提案されている（特許文献１参照）。かかる電気光学装
置では、複数のデータ線を複数のブロックにグループ分けするとともに、時分割回路にお
いて、データ出力線から出力されたブロック毎のデータ電位を時分割して複数のデータ線
の各々に時系列的に書き込む。このため、時分割回路には、データ線とデータ出力線との
各間に介在する複数のスイッチング素子と、複数のスイッチング素子のうち、同一のブロ
ックに属するデータ線に接続するスイッチング素子を順次オンオフさせる制御信号を出力
する複数の制御信号線とが設けられる。

特開２００６−１１９４０４号公報

しかしながら、制御信号線では、周囲の配線との間に寄生容量が発生し、かかる寄生容
量の影響により、複数の制御信号線に寄生する寄生容量の大きさが相違する。また、引き
回し距離の影響で複数の制御信号線の抵抗が相違する。その結果、複数の制御信号線では
、時定数が相違することになり、同一のブロック内やブロック間でデータ線にデータ電位
が書き込まれるタイミングがずれる等の問題点がある。

以上の問題点に鑑みて、本発明は、データ線にデータ電位を書き込むタイミングのずれ
を抑制することのできる電気光学装置および電子機器を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置は、第１方向に延在する複数の
走査線と、該複数の走査線と交差する第２方向に延在する複数のデータ線と、前記複数の
走査線と前記複数のデータ線との各交差に対応して設けられた複数の画素と、前記複数の
データ線をグループ分けした複数のブロック毎に設けられ、階調を規定する複数のデータ
電位を時系列的に出力する複数のデータ出力線と、前記データ出力線から出力された前記
ブロック毎の前記データ電位を時分割して前記複数のデータ線の各々に時系列的に書き込
む時分割回路と、を有し、前記時分割回路は、前記データ線と前記データ出力線との各間
に介在する複数のスイッチング素子と、前記複数のスイッチング素子のうち、同一の前記
ブロックに属する前記データ線に接続するスイッチング素子を順次オンオフさせる制御信
号を出力する複数の制御信号線と、を備え、前記複数の制御信号線の少なくとも１つには
、付加容量が接続されていることを特徴とする。

本発明では、画素の階調を規定するデータ電位をデータ出力線からブロック毎に出力す
るとともに、複数の制御信号線から供給された制御信号に基づいて、各ブロックでは、デ
ータ線にデータ電位を時系列に書き込む。ここで、複数の制御信号線の少なくとも１つに
は、複数の制御信号線における時定数のばらつきを抑制する付加容量が接続されているた
め、ブロック内において、データ線にデータ電位が書き込まれるタイミングのずれを抑制
することができる。それ故、品位の高い画像を表示することができる。

本発明において、前記付加容量は、前記制御信号線の延在方向の複数個所に設けられて
いることが好ましい。かかる構成によれば、制御信号線の延在方向における時定数のばら
つきを抑制することができる。このため、ブロック間において、データ線にデータ電位が
書き込まれるタイミングのずれを抑制することができる。それ故、品位の高い画像を表示
することができる。

本発明において、前記付加容量は、前記制御信号線に対して前記ブロック毎に設けられ
ていることが好ましい。

本発明において、前記付加容量は、前記複数の制御信号線のいずれにも設けられている
ことが好ましい。

本発明において、前記複数の走査線、前記複数のデータ線、前記複数のデータ出力線、
前記複数のスイッチング素子、前記複数の制御信号線、および前記付加容量は、基板の一
方面に形成され、前記データ出力線は、前記第２方向に延在し、前記制御信号線は、前記
第１方向に延在して前記制御信号線と交差する第１方向延在部を備え、前記付加容量は、
前記第１方向延在部に接続している構成を採用することができる。かかる構成の場合には
、データ出力線との間に寄生容量が発生するが、本発明によれは、かかる寄生容量の大き
さの差を付加容量によって緩和することができる。

本発明において、前記基板の端部には、前記制御信号線に接続した接続端子が形成され
ている構成を採用することができる。かかる構成の場合、制御信号線が端子から長い距離
を引き回されるため、複数の制御信号線での時定数の差や、制御信号線の長さ方向での時
定数の差が発生しやすいが、本発明によれは、かかる時定数の差を付加容量によって緩和
することができる。

本発明において、前記画素は、画素電極と、該画素電極と前記データ線との間に介在し
、前記走査線に接続する制御電極を備えた非線形素子と、第１電極層、第１誘電体層およ
び第２電極層を備え、前記データ電位を保持する保持容量と、を備え、前記付加容量は、
前記画素を構成する複数の層のうちのいずれかと同層の層により構成されていることが好
ましい。かかる構成によれば、新たな層を追加しなくても、付加容量を設けることができ
る。

本発明において、前記付加容量は、前記第１電極層と同層の第３電極層、第１誘電体層
と同層の第２誘電体層、および前記第２電極層と同層の第４電極層により構成されている
ことが好ましい。

本発明に係る電気光学装置は、携帯電話機やモバイルコンピューター、カメラのファイ
ンダー、投射型表示装置等の電子機器に用いることができる。これらの電子機器のうち、
投射型表示装置は、電気光学装置に光を供給するための光源部と、電気光学装置によって
光変調された光を投射する投射光学系とを備えている。

本発明を適用した電気光学装置の液晶パネルの説明図である。 本発明を適用した第１基板の電気的構成を示す説明図である。 本発明を適用した電気光学装置の画素の説明図である。 本発明を適用した電気光学装置に形成した付加容量の説明図である。 本発明を適用した投射型表示装置（電子機器）および光学ユニットの概略構成図である。

図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図にお
いては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に
縮尺を異ならしめてある。また、以下の説明で参照する図においては、走査線、データ線
、信号線等の配線等については、それらの数を少なく表してある。また、第１基板１０の
面内方向で交差する２方向をＸ方向（第１方向）とＹ方向（第２方向）とし、Ｘ方向の一
方側をＸ１側とし、Ｘ方向の他方側をＸ２とし、Ｙ方向の一方側をＹ１側とし、Ｙ方向の
他方側をＹ２として説明する。

［全体構成］
図１は、本発明を適用した電気光学装置の液晶パネルの説明図であり、図１（ａ）、（
ｂ）は各々、液晶パネルを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ
−Ｈ′断面図である。

図１（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の電気光学装置１００は液晶装置であり、液
晶パネル１００ｐを有している。液晶パネル１００ｐは、第１基板１０（素子基板）と第
２基板２０（対向基板）とが所定の隙間を介して枠状のシール材１０７によって貼り合わ
されており、シール材１０７は第２基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。
シール材１０７は、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距
離を所定値とするためのグラスファイバーあるいはガラスビーズ等のギャップ材１０７ａ
が配合されている。液晶パネル１００ｐにおいて、第１基板１０と第２基板２０との間の
うち、シール材１０７によって囲まれた領域内には、液晶層５０が設けられている。シー
ル材１０７には、液晶注入口１０７ｃとして利用される途切れ部分が形成されており、か
かる液晶注入口１０７ｃは、液晶材料の注入後、封止材１０７ｄによって封止されている
。

液晶パネル１００ｐにおいて、第１基板１０および第２基板２０はいずれも四角形であ
り、第１基板１０は、Ｙ方向で対向する２つの辺１０ｅ、１０ｆ（端部）と、Ｘ方向で対
向する２つの辺１０ｇ、１０ｈ（端部）とを備えている。液晶パネル１００ｐの略中央に
は、表示領域１０ａが四角形の領域として設けられており、かかる形状に対応して、シー
ル材１０７も略四角形に設けられている。従って、液晶パネル１００ｐは、表示領域１０
ａとシール材１０７の外縁１０７ｅ（第２基板２０の外縁）との間に四角形の非表示領域
１０ｃを有している。

第１基板１０において、非表示領域１０ｃでは、第１基板１０においてＹ方向の一方側
Ｙ１に位置する辺１０ｅに沿ってデータ線駆動回路１０１の時分割回路１０３、および複
数の接続端子１０２が形成されており、この辺１０ｅに隣接する他の辺１０ｇ、１０ｈの
各々に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、接続端子１０２には、フレ
キシブル配線基板１０５（図１（ｂ）では図示せず）が接続されており、第１基板１０に
は、フレキシブル配線基板１０５を介して各種電位や各種信号が入力される。

図３等を参照して詳しくは後述するが、第１基板１０の一方面１０ｓおよび他方面１０
ｔのうち、第２基板２０と対向する一方面１０ｓの側において、表示領域１０ａには、画
素電極９ａや、図２等を参照して後述する画素トランジスター３０（非線形素子）等がマ
トリクス状に配列されている。従って、表示領域１０ａは、画素電極９ａがマトリクス状
に配列された画素電極配列領域１０ｐとして構成されている。かかる構成の第１基板１０
において、画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。

第１基板１０の一方面１０ｓの側において、表示領域１０ａより外側の非表示領域１０
ｃのうち、表示領域１０ａとシール材１０７の内縁１０７ｆとに挟まれた四角枠状のダミ
ー領域１０ｂ（周辺領域）にはダミー画素電極９ｂが形成されている。

第２基板２０の一方面２０ｓおよび他方面２０ｔのうち、第１基板１０と対向する一方
面２０ｓの側には共通電極２１が形成されている。共通電極２１は、第２基板２０の略全
面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。本形態に
おいて、共通電極２１は、第２基板２０の略全面に形成されている。

第２基板２０の一方面２０ｓの側には、共通電極２１の下層側に遮光層２９が形成され
、共通電極２１の表面には配向膜２６が積層されている。遮光層２９は、表示領域１０ａ
の外周縁に沿って延在する額縁部分２９ａとして形成されており、遮光層２９の内周縁に
よって表示領域１０ａが規定されている。また、遮光層２９は、隣り合う画素電極９ａに
より挟まれた画素間領域に重なるブラックマトリクス部２９ｂとしても形成されている。

液晶パネル１００ｐにおいて、シール材１０７より外側には、第２基板２０の一方面２
０ｓの側の４つの角部分に基板間導通用電極２５が形成されており、第１基板１０の一方
面１０ｓの側には、第２基板２０の４つの角部分（基板間導通用電極２５）と対向する位
置に基板間導通用電極１９が形成されている。本形態において、基板間導通用電極２５は
、共通電極２１の一部からなる。基板間導通用電極１９には、定電位Ｖcomが印加されて
いる。基板間導通用電極１９と基板間導通用電極２５との間には、導電粒子を含んだ基板
間導通材１９ａが配置されており、第２基板２０の共通電極２１は、基板間導通用電極１
９、基板間導通材１９ａおよび基板間導通用電極２５からなる基板間導通部１９０を介し
て第１基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、第１基板１０
の側から定電位Ｖcomが印加されている。シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって第
２基板２０の外周縁に沿って設けられているが、第２基板２０の角部分と重なる領域では
基板間導通用電極１９、２５を避けて内側を通るように設けられている。

本形態において、電気光学装置１００は透過型電気光学装置であり、画素電極９ａおよ
び共通電極２１は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜等
の透光性導電膜により形成されている。かかる透過型の電気光学装置１００では、例えば
、第２基板２０の側から入射した光が第１基板１０の側から出射される間に変調されて画
像を表示する。また、電気光学装置１００が反射型の電気光学装置である場合、共通電極
２１は、ＩＴＯ膜やＩＺＯ膜等の透光性導電膜により形成され、画素電極９ａは、アルミ
ニウム膜等の反射性導電膜により形成される。かかる反射型の電気光学装置１００では、
第１基板１０および第２基板２０のうち、第２基板２０の側から入射した光が第１基板１
０で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。

電気光学装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカ
ラー表示装置として用いることができ、この場合、第２基板２０等には、カラーフィルタ
ー（図示せず）が形成される。また、電気光学装置１００は、電子ペーパーとして用いる
ことができる。また、電気光学装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリ
ホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム
、偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、電気光学装
置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライ
トバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各電気光学装置１００の各々
には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光とし
て各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。

（第１基板１０の電気的構成）
図２は、本発明を適用した電気光学装置１００の第１基板１０の電気的構成を示す説明
図であり、図２（ａ）、（ｂ）は、第１基板１０の回路や配線の平面的なレイアウトを示
す説明図、および画素の電気的構成を示す説明図である。なお、以下の説明では、データ
線６ａの数をｎとするが、複数のデータ線６ａをＸ方向においてｒ個のブロックＢ１、Ｂ
２、・・Ｂｒにグループ分けした際、各ブロックＢ１、Ｂ２、・・Ｂｒに含まれるデータ
線６ａの数を４本として説明する。但し、各ブロックＢ１、Ｂ２、・・Ｂｒに含まれるデ
ータ線６ａの数は、複数であれば、４本以外の本数であってもよい。

図２（ａ）、（ｂ）に示すように、電気光学装置１００において、第１基板１０には複
数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画素電極配列領域１０ｐが設けられている
。画素電極配列領域１０ｐのうち、図１（ｂ）に示す額縁部分２９ａの内縁で囲まれた領
域が表示領域１０ａであり、表示領域１０ａの外側がダミー領域１０ｂである。

第１基板１０では、画素電極配列領域１０ｐの内側に、Ｘ方向（第１方向）に沿って延
在する複数の走査線３ａと、Ｙ方向（第２方向）に沿って延在する複数のデータ線６ａと
が形成されており、複数の走査線３ａと複数のデータ線６ａとの各交差に対応する位置に
画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、ＴＦＴ等のトランジス
ター３０（非線形素子）、および画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター３
０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには
走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａ
が電気的に接続されている。各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、図１を参照して
説明した第２基板２０に形成された共通電極２１と液晶層５０を介して対向し、液晶容量
５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信
号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量５５が付加されている。本形態
では、保持容量５５を構成するために、複数の画素１００ａに跨って容量線５ａが形成さ
れ、かかる容量線５ａには、共通電極２１に印加される共通電位と同一の定電位Ｖcomが
印加されている。なお、容量線５ａは、走査線３ａに沿ってＸ方向に沿って延在している
構成、およびデータ線６ａに沿ってＹ方向に沿って延在している構成のいずれを採用して
もよい。

第１基板１０において、表示領域１０ａ（画素電極配列領域１０ｐ）より外側の非表示
領域１０ｃには、走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１の時分割回路１０３、
基板間導通用電極１９、接続端子１０２等が構成されており、接続端子１０２から走査線
駆動回路１０４、時分割回路１０３、および基板間導通用電極１９に向けて複数の配線が
延在している。また、本形態では、フレキシブル配線基板１０５にドライバＩＣ１５ｂ、
制御回路１５ｃ、フレームメモリ１５ａが実装されており、ドライバＩＣ１５ｂ、制御回
路１５ｃ、フレームメモリ１５ａ、および時分割回路１０３によってデータ線駆動回路１
０１が構成されている。ここで、走査線駆動回路１０４に対する各種信号や、共通電位Ｖ
comは、フレキシブル配線基板１０５を介して第１基板１０に供給される。

このように構成した電気光学装置１００において、本形態では、画素１００ａの階調を
規定するデータ電位Ｓ１、Ｓ２、・・Ｓｎを制御信号Ｐ１、Ｐ２、・・に基づいてデータ
線６ａに書き込む方式が採用されている。このため、電気光学装置１００では、複数のデ
ータ線６ａをＸ方向においてｒ個のブロックＢ１、Ｂ２、・・Ｂｒにグループ分けすると
ともに、複数のブロックＢ１、Ｂ２、・・Ｂｒ毎に対応するように、階調を規定する複数
のデータ電位Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３・・を時系列的に出力する複数のデータ出力線１７が設け
られている。複数のデータ出力線１７は、非表示領域１０ｃのうち、表示領域１０ａと第
１基板１０の辺１０ｅとの間でＹ方向に延在し、接続端子１０２に接続されている。ここ
で、データ出力線１７の数は、ブロックＢ１、Ｂ２、・・Ｂｒの数と同数であり、ｒ本で
ある。

また、第１基板１０には時分割回路１０３が設けられており、時分割回路１０３は、デ
ータ線６ａとデータ出力線１７との各間に介在する複数のスイッチング素子１２と、複数
のスイッチング素子１２のうち、同一のブロックＢ１、Ｂ２、・・Ｂｒに属するデータ線
６ａに接続するスイッチング素子１２を順次オンオフさせる制御信号Ｐ１、Ｐ２、・・を
出力する複数の制御信号線１１とを有している。制御信号Ｐ１、Ｐ２、・・は、スイッチ
ング素子１２をオンさせるパルスを含んでおり、スイッチング素子１２をオンさせるパル
スの位置が制御信号Ｐ１、Ｐ２、・・においてずれている。制御信号線１１は、非表示領
域１０ｃのうち、表示領域１０ａと第１基板１０の辺１０ｅとの間で接続端子１０２から
Ｙ方向の他方側Ｙ２に延在した後、Ｘ方向の一方側に延在しており、データ出力線１７と
交差する第１方向延在部１１ｓを有している。

また、本形態では、非表示領域１０ｃにおいて第１方向延在部１１ｓに接続する付加容
量１４が設けられており、かかる付加容量１４の構成等は、図４を参照して後述する。

本形態では、各ブロックＢ１、Ｂ２、・・Ｂｒに含まれるデータ線６ａの数を４本とし
たため、制御信号線１１の数は４本である。このため、複数の制御信号線１１は、制御信
号Ｐ１をスイッチング素子１２に供給する第１制御信号線１１ａ、制御信号Ｐ２をスイッ
チング素子１２に供給する第２制御信号線１１ｂ、制御信号Ｐ３をスイッチング素子１２
に供給する第３制御信号線１１ｃ、および制御信号Ｐ４をスイッチング素子１２に供給す
る第４制御信号線１１ｄからなる。また、ブロックＢ１、Ｂ２、・・Ｂｒの数、およびデ
ータ出力線１７の数は、データ線６ａの数をｎとしたとき、ｎ／４である。

このように構成した電気光学装置１００において、フレームメモリ１５ａは、外部から
入力された１フレーム分の諧調データを一時記憶し、ドライバＩＣ１５ｂは、かかる諧調
データをブロックＢ１、Ｂ２、・・Ｂｒ毎の画像信号Ｄ１、Ｄ２、・・Ｄｒに展開し、デ
ータ出力線１７に出力する。制御回路１５ｃは、制御信号Ｐ１、Ｐ２、・・を生成し、制
御信号線１１（第１制御信号線１１ａ、第２制御信号線１１ｂ、第３制御信号線１１ｃ、
第４制御信号線１１ｄ）に出力する。その結果、画像信号Ｄ１、Ｄ２、・・Ｄｒが時分割
されてデータ線６ａには、データ電位Ｓ１、Ｓ２・・Ｓｎが書き込まれる。

例えば、ブロックＢ１に対応するデータ出力線１７が画像信号Ｄ１を出力すると、画像
信号Ｄ１には、４本のデータ線６ａに対応するデータ電位Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４を時系
列に含んでいる。このため、第１制御信号線１１ａが出力した制御信号Ｐ１によって１番
目のスイッチング素子１２がオンすると、１番目のデータ線６ａにデータ電位Ｓ１が書き
込まれ、その後、１番目のスイッチング素子１２がオフする。次に、第２制御信号線１１
ｂが出力した制御信号Ｐ２によって２番目のスイッチング素子１２がオンすると、２番目
のデータ線６ａにデータ電位Ｓ２が書き込まれ、その後、２番目のスイッチング素子１２
がオフする。次に、第３制御信号線１１ｃが出力した制御信号Ｐ３によって３番目のスイ
ッチング素子１２がオンすると、３番目のデータ線６ａにデータ電位Ｓ３が書き込まれ、
その後、３番目のスイッチング素子１２がオフする。次に、第４制御信号線１１ｄが出力
した制御信号Ｐ４によって４番目のスイッチング素子１２がオンすると、４番目のデータ
線６ａにデータ電位Ｓ４が書き込まれ、その後、４番目のスイッチング素子１２がオフす
る。このような動作は、複数のブロックＢ１、Ｂ２、・・Ｂｒにおいて同時に実施される
結果、全てのデータ線６ａに１フレーム分の諧調データが出力される。かかる動作に同期
して、走査線３ａによって画素トランジスター３０が順次、オンすれば、複数の画素１０
０ａに諧調データが書き込まれる。従って、１フレーム分の画像が表示されることになる
。

（画素１００ａの具体的構成）
図３は、本発明を適用した電気光学装置１００の画素１００ａの説明図であり、図３（
ａ）、（ｂ）は、第１基板１０において隣り合う複数の画素の平面図、および電気光学装
置１００をＦ−Ｆ′線に沿って切断したときの断面図である。なお、図３（ａ）では、各
層を以下の線
下層側の遮光層８ａ＝細くて長い破線
半導体層１ａ＝細くて短い点線
走査線３ａ＝太い実線
ドレイン電極４ａ＝細い実線
データ線６ａおよび中継電極６ｂ＝細い一点鎖線
容量線５ａ＝太い一点鎖線
上層側の遮光層７ａおよび中継電極７ｂ＝細い二点鎖線
画素電極９ａ＝太い破線
で示してある。また、図３（ａ）では、互いの端部が平面視で重なり合う層については、
層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。また、第１基板１０に形
成されている膜等を説明する際、上層側とは基板本体１０ｗとは反対側（第２基板２０の
側、液晶層５０の側）を意味し、下層側とは基板本体１０ｗの側（第２基板２０とは反対
側、液晶層５０とは反対側）を意味する。また、第２基板２０に形成されている膜等を説
明する際、上層側とは基板本体２０ｗとは反対側（第１基板１０の側、液晶層５０の側）
を意味し、下層側とは基板本体２０ｗの側（第１基板１０とは反対側、液晶層５０とは反
対側）を意味する。

図３（ａ）に示すように、第１基板１０において第２基板２０と対向する一方面１０ｓ
には、複数の画素１００ａの各々に画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９
ａにより挟まれた画素間領域に沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。
本形態において、画素間領域は縦横に延在しており、走査線３ａは画素間領域のうち、Ｘ
方向に沿って延在する第１画素間領域に沿って直線的に延在し、データ線６ａは、Ｙ方向
に沿って延在する第２画素間領域に沿って直線的に延在している。また、データ線６ａと
走査線３ａとの交差に対応して画素トランジスター３０が形成されており、本形態におい
て、画素トランジスター３０は、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域およびその付近
を利用して形成されている。第１基板１０には容量線５ａが形成されており、かかる容量
線５ａには定電位Ｖcomが印加されている。本形態において、容量線５ａは、走査線３ａ
およびデータ線６ａに重なるように延在して格子状に形成されている。画素トランジスタ
ー３０の上層側には遮光層７ａが形成されており、かかる遮光層７ａは、データ線６ａに
重なるように延在している。画素トランジスター３０の下層側には遮光層８ａが形成され
ており、かかる遮光層８ａは、走査線３ａと重なるように直線的に延びた主線部分と、デ
ータ線６ａと走査線３ａとの交差部分でデータ線６ａに重なるように延びた副線部分とを
備えている。

図３（ｂ）に示すように、第１基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本
体１０ｗの液晶層５０側の基板面（第２基板２０と対向する一方面１０ｓ側）に画素電極
９ａ、画素スイッチング用の画素トランジスター３０、および配向膜１６等が構成されて
いる。第２基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗの液晶層５０
側の基板面（第１基板１０と対向する一方面２０ｓ）に遮光層２９、共通電極２１、およ
び配向膜２６等が構成されている。

より具体的には、第１基板１０において、基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側には、導電
性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からな
る下層側の遮光層８ａが形成されている。本形態において、遮光層８ａは、タングステン
シリサイド（ＷＳｉ）等の遮光膜からなり、電気光学装置１００を透過した後の光が他の
部材で反射した際、かかる反射光が半導体層１ａに入射して画素トランジスター３０で光
電流に起因する誤動作が発生することを防止する。なお、遮光層８ａを走査線として構成
する場合もあり、この場合、後述するゲート電極３ｂと遮光層８ａを導通させた構成とす
る。

基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側において、遮光層８ａの上層側には、シリコン酸化膜
等の透光性の絶縁膜４７が形成されており、かかる絶縁膜４７の表面側に、半導体層１ａ
を備えた画素トランジスター３０が形成されている。画素トランジスター３０は、データ
線６ａの延在方向に長辺方向を向けた半導体層１ａと、半導体層１ａの長さ方向と直交す
る方向に沿って延在して半導体層１ａの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極３ｂとを
備えており、本形態において、ゲート電極３ｂは走査線３ａの一部からなる。画素トラン
ジスター３０は、半導体層１ａとゲート電極３ｂとの間に透光性のゲート絶縁層２を有し
ている。半導体層１ａは、ゲート電極３ｂに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャ
ネル領域１ｇを備えているとともに、チャネル領域１ｇの両側にソース領域１ｂおよびド
レイン領域１ｃを備えている。本形態において、画素トランジスター３０は、ＬＤＤ構造
を有している。従って、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、チャネル領域１
ｇの両側に低濃度領域を備え、低濃度領域に対してチャネル領域１ｇとは反対側で隣接す
る領域に高濃度領域を備えている。

半導体層１ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）等によって構成されている。ゲ
ート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第１ゲート絶縁層２
ａと、減圧ＣＶＤ法により形成されたシリコン酸化膜からなる第２ゲート絶縁層２ｂとの
２層構造からなる。ゲート電極３ｂおよび走査線３ａは、導電性のポリシリコン膜、金属
シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。

ゲート電極３ｂの上層側には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリコン酸化膜
等からなる透光性の層間絶縁膜４１が形成され、層間絶縁膜４１の上層には、ドレイン電
極４ａが形成されている。ドレイン電極４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイ
ド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。ドレイン電極４ａは、半導体層
１ａのドレイン領域１ｃ（画素電極側ソースドレイン領域）と一部が重なるように形成さ
れており、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ａを介
してドレイン領域１ｃに導通している。

ドレイン電極４ａ（第１電極層）の上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の絶
縁膜４９、および透光性の誘電体層４０（第１誘電体層）が形成されており、かかる誘電
体層４０の上層側には容量線５ａ（第２電極層）が形成されている。誘電体層４０として
は、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のシリコン化合物を用いることができる他、アル
ミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ラ
ンタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。容量
線５ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等
の導電膜からなる。ここで、容量線５ａは、誘電体層４０を介してドレイン電極４ａと重
なっており、保持容量５５を構成している。

容量線５ａの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４２が形成さ
れており、かかる層間絶縁膜４２の上層側には、データ線６ａと中継電極６ｂとが同一の
導電膜により形成されている。データ線６ａおよび中継電極６ｂは、導電性のポリシリコ
ン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態にお
いて、データ線６ａおよび中継電極６ｂは、アルミニウム配線からなる。また、データ線
６ａおよび中継電極６ｂは、アルミニウム層と、アルミニウム層の上層に積層された窒化
チタン層からなる。データ線６ａは、層間絶縁膜４２、絶縁膜４９、層間絶縁膜４１およ
びゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４２ａを介してソース領域１ｂ（データ線
側ソースドレイン領域）に導通している。中継電極６ｂは、層間絶縁膜４２および絶縁膜
４９を貫通するコンタクトホール４２ｂを介してドレイン電極４ａに導通している。

データ線６ａおよび中継電極６ｂの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間
絶縁膜４３が形成されており、かかる層間絶縁膜４３の上層側には、遮光層７ａおよび中
継電極７ｂが同一の導電膜によって形成されている。層間絶縁膜４３の表面は平坦化され
ている。遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜
、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、遮光層７ａおよび
中継電極７ｂは、アルミニウム配線からなる。また、本形態において、遮光層７ａおよび
中継電極７ｂは、アルミニウム層と、アルミニウム層の上層に積層された窒化チタン層か
らなる。中継電極７ｂは、層間絶縁膜４３を貫通するコンタクトホール４３ａを介して中
継電極６ｂに導通している。遮光層７ａは、データ線６ａと重なるように延在している。
なお、遮光層７ａを容量線５ａと導通させて、シールド層として利用してもよい。

遮光層７ａおよび中継電極７ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の層間
絶縁膜４４が形成されており、かかる層間絶縁膜４４の上層側にはＩＴＯ膜等からなる画
素電極９ａが形成されている。層間絶縁膜４４には、層間絶縁膜４４を貫通して中継電極
７ｂまで到達したコンタクトホール４４ａが形成されており、画素電極９ａは、コンタク
トホール４４ａを介して中継電極７ｂに電気的に接続している。その結果、画素電極９ａ
は、中継電極７ｂ、中継電極６ｂおよびドレイン電極４ａを介してドレイン領域１ｃに電
気的に接続している。層間絶縁膜４４の表面は平坦化されている。

画素電極９ａの表面側には、ポリイミドや無機配向膜からなる配向膜１６が形成されて
いる。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯ_X（ｘ＜２）、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＭｇＯ
、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｉｎ₂Ｏ₃、Ｓｂ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜／無機配向
膜）からなる。

（第２基板２０の構成）
第２基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ（透光性基板）
の液晶層５０側の面（第１基板１０に対向する一方面２０ｓ）には、遮光層２９、シリコ
ン酸化膜等からなる絶縁膜２８、およびＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１
が形成されており、かかる共通電極２１を覆うように、ポリイミドや無機配向膜からなる
配向膜２６が形成されている。本形態において、共通電極２１はＩＴＯ膜からなる。本形
態において、配向膜２６は、配向膜１６と同様、ＳｉＯ_X（ｘ＜２）、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂
、ＭｇＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｉｎ₂Ｏ₃、Ｓｂ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜／
無機配向膜）からなる。かかる配向膜１６、２６は、液晶層５０に用いた誘電異方性が負
のネマチック液晶化合物を傾斜垂直配向させ、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラック
のＶＡモードとして動作する。本形態では、配向膜１６、２６として、各種無機配向膜の
うち、シリコン酸化膜（ＳｉＯ_X）の斜方蒸着膜が用いられている。

（付加容量１４の構成）
図４は、本発明を適用した電気光学装置１００に形成した付加容量１４の説明図であり
、図４（ａ）、（ｂ）は、付加容量１４の配置例を示す説明図、および付加容量１４を構
成する層の一例を示す説明図である。なお、図４（ａ）では、制御信号線１１を中心に表
し、データ出力線１７の図示を一部省略してある。

図２および図４（ａ）に示すように、本形態の電気光学装置１００において、第１基板
１０の非表示領域１０ｃには、制御信号線１１に接続する付加容量１４が形成されている
。かかる付加容量１４を構成するにあたって、本形態では、制御信号線１１と並列するよ
うにＹ方向に延在する定電位線１８が設けられており、付加容量１４は、定電位線１８と
制御信号線１１の第１方向延在部１１ｓとに接続されている。

ここで、付加容量１４は、制御信号線１１（第１制御信号線１１ａ、第２制御信号線１
１ｂ、第３制御信号線１１ｃ、第４制御信号線１１ｄ）の１つ、あるいは全部に設けられ
る。本形態では、４本の制御信号線１１（第１制御信号線１１ａ、第２制御信号線１１ｂ
、第３制御信号線１１ｃ、第４制御信号線１１ｄ）の全てに設けられている。また、付加
容量１４は、制御信号線１１の延在方向の複数個所に設けられている。本形態において、
付加容量１４は、制御信号線１１に対してブロックＢ１、Ｂ２、・・Ｂｒ毎に設けられて
いる。但し、複数の付加容量１４は、静電容量が相違しており、第１制御信号線１１ａ、
第２制御信号線１１ｂ、第３制御信号線１１ｃ、および第４制御信号線１１ｄのうち、時
定数が大きな制御信号線１１には、静電容量の大きな付加容量１４が設けられており、４
本の制御信号線１１の時定数の差が緩和されている。また、１本の制御信号線１１に接続
する複数の付加容量１４でも、静電容量が相違しており、本形態では、接続端子１０２（
図２参照）に近い付加容量１４の静電容量が大きく、接続端子１０２から遠い付加容量１
４の静電容量が小さくなっている。

このような付加容量１４を構成するにあたって、本形態では、図３を参照して説明した
ように、画素１００ａを構成するのに複数の層が用いられていることから、付加容量１４
は、画素１００ａを構成する複数の層のうちのいずれかと同層の層により構成されている
。このため、新たな層を追加しなくても、付加容量１４を設けることができる。

例えば、図４（ｂ）に示すように、付加容量１４は、図３に示すドレイン電極４ａ（第
１電極層）と同層の第３電極層４ｃ、誘電体層４０（第１誘電体層）と同層の第２誘電体
層４０ｃ、および容量線５ａ（第２電極層）と同層の第４電極層５ｃを積層した構成を有
している。ここで、第４電極層５ｃは、定電位線１８として延在している。また、制御信
号線１１は、データ線６ａと同層に形成されており、層間絶縁膜４２および絶縁膜４９を
貫通するコンタクトホール４２ｃを介して第３電極層４ｃに電気的に接続されている。

なお、図示を省略するが、付加容量１４は、図３に示す半導体層１ａと同層の電極層、
ゲート絶縁層２と同層の誘電体層、およびゲート電極３ｃと同層の電極層を用いて構成し
てもよい。

（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態では、画素１００ａの階調を規定するデータ電位Ｓ１、Ｓ
２、・・Ｓｎをデータ出力線１７からブロックＢ１、Ｂ２、・・Ｂｒ毎に出力するととも
に、複数の制御信号線１１から供給された制御信号Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４に基づいて、
各ブロックＢ１、Ｂ２、・・Ｂｒでは、データ線６ａにデータ電位Ｓ１、Ｓ２、・・Ｓｎ
を時系列に書き込む。ここで、複数の制御信号線１１では、周囲の配線との間の寄生容量
や引き回し長さ等に起因して、時定数に大きな差が存在する場合があるが、複数の制御信
号線１１には、複数の制御信号線１１における時定数のばらつきを抑制する付加容量１４
が接続されている。このため、複数の制御信号線１１における時定数のばらつきを緩和す
ることができるので、ブロックＢ１、Ｂ２、・・Ｂｒ内において、データ線６ａにデータ
電位が書き込まれるタイミングのずれを抑制することができる。それ故、品位の高い画像
を表示することができる。

また、付加容量１４は、制御信号線１１の延在方向の複数個所に設けられている。この
ため、制御信号線１１の延在方向において時定数の差が存在している場合でも、かかる差
を付加容量１４によって緩和することができる。このため、ブロックＢ１、Ｂ２、・・Ｂ
ｒ間において、データ線６ａにデータ電位が書き込まれるタイミングのずれを抑制するこ
とができる。それ故、品位の高い画像を表示することができる。

また、制御信号線１１は、接続端子１０２から延在しているため、長い距離を引き回さ
れる。従って、制御信号線１１では、時定数の差が発生しやすいが、本形態によれば、か
かる時定数の差を付加容量１４によって緩和することができる。

［他の実施の形態］
上記実施の形態では、制御回路１５ｃがフレキシブル配線基板１０５に構成されていた
が、第１基板１０に制御回路１５ｃが構成されている場合に本発明を適用してもよい。

また、上記実施の形態では、電気光学装置として液晶装置を例に挙げて説明したが、本
発明はこれに限定されず、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマディスプレ
イ、ＦＥＤ（Field Emission Display）、ＳＥＤ（Surface-Conduction Electron-Emitte
r Display）、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置等の液晶装置に本
発明を適用してもよい。

［電子機器への搭載例］
（投射型表示装置および光学ユニットの構成例）
図５は、本発明を適用した投射型表示装置（電子機器）および光学ユニットの概略構成
図である。

図５に示す投射型表示装置１１０は、観察者側に設けられたスクリーン１１１に光を照
射し、このスクリーン１１１で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置
である。投射型表示装置１１０は、光源１１２を備えた光源部１３０と、ダイクロイック
ミラー１１３、１１４と、液晶ライトバルブ１１５〜１１７と、投射光学系１１８と、ク
ロスダイクロイックプリズム１１９（合成光学系）と、リレー系１２０とを備えており、
電気光学装置１００およびクロスダイクロイックプリズム１１９は、光学ユニット２００
を構成している。

光源１１２は、赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、および青色光Ｂを含む光を供給する超高圧水銀ラ
ンプで構成されている。ダイクロイックミラー１１３は、光源１１２からの赤色光Ｒを透
過させるとともに、緑色光Ｇ、および青色光Ｂを反射する構成となっている。また、ダイ
クロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光Ｇおよび青
色光Ｂのうち青色光Ｂを透過させるとともに緑色光Ｇを反射する構成となっている。この
ように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、光源１１２から出射した光を赤色光Ｒ
と緑色光Ｇと青色光Ｂとに分離する色分離光学系を構成する。

ここで、ダイクロイックミラー１１３と光源１１２との間には、インテグレーター１２
１および偏光変換素子１２２が光源１１２から順に配置されている。インテグレーター１
２１は、光源１１２から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、
偏光変換素子１２２は、光源１１２からの光を、例えばｓ偏光のような特定の振動方向を
有する偏光にする構成となっている。

液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３
で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置である。液晶ライト
バルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、電気光学装置１００（
赤色用液晶パネル１００Ｒ）、および第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ラ
イトバルブ１１５に入射する赤色光Ｒは、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の
偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。

λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換
する光学素子である。また、第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させ
る偏光板である。そして、電気光学装置１００（赤色用液晶パネル１００Ｒ）は、ｐ偏光
を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換す
る構成となっている。さらに、第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過さ
せる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光Ｒ
を変調し、変調した赤色光Ｒをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構
成となっている。

なお、λ／２位相差板１１５ａ、および第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透
光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａ、およ
び第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。

液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイッ
クミラー１１４で反射した緑色光Ｇを画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置で
ある。かかる液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板
１１６ｂ、電気光学装置１００（緑色用液晶パネル１００Ｇ）、および第２偏光板１１６
ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光Ｇは、ダイクロイックミラー
１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮
断してｓ偏光を透過させる偏光板である。また、電気光学装置１００（緑色用液晶パネル
１００Ｇ）は、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又
は楕円偏光）に変換する構成となっている。そして、第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮
断してｐ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１６は、画像
信号に応じて緑色光Ｇを変調し、変調した緑色光Ｇをクロスダイクロイックプリズム１１
９に向けて出射する構成となっている。

液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミ
ラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光Ｂを画像信号に応じて変調する透
過型の電気光学装置である。かかる液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５
、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、電気光学装置１００
（青色用液晶パネル１００Ｂ）、および第２偏光板１１７ｄを備えている。ここで、液晶
ライトバルブ１１７に入射する青色光Ｂは、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイ
クロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の後述する２つの反射ミラー１２
５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。

λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換
する光学素子である。また、第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させ
る偏光板である。そして、電気光学装置１００（青色用液晶パネル１００Ｂ）は、ｐ偏光
を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換す
る構成となっている。さらに、第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過さ
せる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光Ｂ
を変調し、変調した青色光Ｂをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構
成となっている。なお、λ／２位相差板１１７ａ、および第１偏光板１１７ｂは、ガラス
板１１７ｅに接した状態で配置されている。

リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂ
とを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光Ｂの光路が長いことによる
光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイ
ックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。また、リレーレンズ１
２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは
、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光Ｂを
リレーレンズ１２４ｂに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー１２５
ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光Ｂを液晶ライトバルブ１１７に向けて反
射するように配置されている。

クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂ
をＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光Ｂを反
射して緑色光Ｇを透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光Ｒを反射して緑
色光Ｇを透過する膜である。従って、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライ
トバルブ１１５〜１１７の各々で変調された赤色光Ｒと緑色光Ｇと青色光Ｂとを合成し、
投射光学系１１８に向けて出射するように構成されている。

なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入
射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１
１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入
射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム１１９に
おいて各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を合成できる。ここで、一般に
、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射トランジスター特性に優れている
。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光Ｒ、および青色光
Ｂをｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光Ｇをｐ偏光とし
ている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイッ
クプリズム１１９で合成された光をスクリーン１１１に投射するように構成されている。

（他の投射型表示装置）
投射型表示装置においては、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、
かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の電気光学装置に供給するように構成し
てもよい。

（他の電子機器）
本発明を適用した電気光学装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話
機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、カメラ
のファインダー、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、ヘッドマウントディスプレイ、
テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装
置として用いてもよい。

３ａ・・走査線、３ｃ・・ゲート電極、４ａ・・ドレイン電極（第１電極層）、５ａ・・
容量線（第２電極層）、５ｃ・・第４電極層、６ａ・・データ線、９ａ・・画素電極、１
０・・第１基板、１０ａ・・表示領域、１０ｃ・・非表示領域、１０ｅ〜１０ｈ・・辺、
１１・・制御信号線、１１ａ・・第１制御信号線、１１ｂ・・第２制御信号線、１１ｃ・
・第３制御信号線、１１ｄ・・第４制御信号線、１１ｓ・・第１方向延在部、１２・・ス
イッチング素子、１５ａ・・フレームメモリ、１５ｂ・・ドライバＩＣ、１５ｃ・・制御
回路、１７・・データ出力線、１８・・定電位線、１４・・付加容量、２０・・第２基板
、２１・・共通電極、３０・・画素トランジスター、４０・・誘電体層（第１誘電体層）
、４０ｃ・・第２誘電体層、４ｃ・・第３電極層、５０・・液晶層、５０ａ・・液晶容量
、５５・・保持容量、１００・・電気光学装置、１００ａ・・画素、１００ｐ・・液晶パ
ネル、１０１・・データ線駆動回路、１０２・・接続端子、１０３・・時分割回路、１０
４・・走査線駆動回路、１０５・・フレキシブル配線基板、１１０・・投射型表示装置、
Ｂ１〜Ｂｒ・・ブロック、Ｄ１〜Ｄｒ・・画像信号、Ｐ１〜Ｐ４・・制御信号、Ｓ１〜Ｓ
ｎ・・データ電位

Claims (9)

1. 第１方向に延在する複数の走査線と、
   該複数の走査線と交差する第２方向に延在する複数のデータ線と、
   前記複数の走査線と前記複数のデータ線との各交差に対応して設けられた複数の画素と
   、
   前記複数のデータ線をグループ分けした複数のブロック毎に設けられ、階調を規定する
   複数のデータ電位を時系列的に出力する複数のデータ出力線と、
   前記データ出力線から出力された前記ブロック毎の前記データ電位を時分割して前記複
   数のデータ線の各々に時系列的に書き込む時分割回路と、
   を有し、
   前記時分割回路は、前記データ線と前記データ出力線との各間に介在する複数のスイッ
   チング素子と、前記複数のスイッチング素子のうち、同一の前記ブロックに属する前記デ
   ータ線に接続するスイッチング素子を順次オンオフさせる制御信号を出力する複数の制御
   信号線と、
   を備え、
   前記複数の制御信号線の少なくとも１つには、付加容量が接続されていることを特徴と
   する電気光学装置。
2. 前記付加容量は、前記制御信号線の延在方向の複数個所に設けられていることを特徴と
   する請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記付加容量は、前記制御信号線に対して前記ブロック毎に設けられていることを特徴
   とする請求項２に記載の電気光学装置。
4. 前記付加容量は、前記複数の制御信号線のいずれにも設けられていることを特徴とする
   請求項１乃至３の何れか一項に記載の電気光学装置。
5. 前記複数の走査線、前記複数のデータ線、前記複数のデータ出力線、前記複数のスイッ
   チング素子、前記複数の制御信号線、および前記付加容量は、基板の一方面に形成され、
   前記データ出力線は、前記第２方向に延在し、
   前記制御信号線は、前記第１方向に延在して前記制御信号線と交差する第１方向延在部
   を備え、
   前記付加容量は、前記第１方向延在部に接続していることを特徴とする請求項１乃至４
   の何れか一項に記載の電気光学装置。
6. 前記基板の端部には、前記制御信号線に接続した接続端子が形成されていることを特徴
   とする請求項５に記載の電気光学装置。
7. 前記画素は、画素電極と、該画素電極と前記データ線との間に介在し、前記走査線に接
   続する制御電極を備えた非線形素子と、第１電極層、第１誘電体層および第２電極層を備
   え、前記データ電位を保持する保持容量と、を備え、
   前記付加容量は、前記画素を構成する複数の層のうちのいずれかと同層の層により構成
   されていることを特徴とする請求項５または６に記載の電気光学装置。
8. 前記付加容量は、前記第１電極層と同層の第３電極層、第１誘電体層と同層の第２誘電
   体層、および前記第２電極層と同層の第４電極層により構成されていることを特徴とする
   請求項７に記載の電気光学装置。
9. 請求項１乃至８のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機
   器。

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