JP2008224934A - 電気光学装置および異方性導電層による電気的接合の検査方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板側端子と配線基板の端子とを電気的に接続する異方性導電層を含み当該異方性導電層による端子間の電気的接合状態を探知可能な電気光学装置等を提供することである。
【解決手段】電気光学装置30は、電気光学要素に接続された基板側端子150と端子150に隣接して形成された透光性部分174を有する基板側アライメントマーク170を備えた透光性基板110と、異方性導電層50を間に挟んで透光性基板110と接続される配線側端子66を備えた配線基板60とを有する。電気光学装置30は、基板と異方性導電層との接続状態が基板側アライメントマーク170の透光性部分174を通して視認可能に構成されている。基板側アライメントマーク170の透光性部分174は、透光性基板110上に形成されると共に異方性導電層50と接触する透光性の膜を含む。
【選択図】図4
【解決手段】電気光学装置30は、電気光学要素に接続された基板側端子150と端子150に隣接して形成された透光性部分174を有する基板側アライメントマーク170を備えた透光性基板110と、異方性導電層50を間に挟んで透光性基板110と接続される配線側端子66を備えた配線基板60とを有する。電気光学装置30は、基板と異方性導電層との接続状態が基板側アライメントマーク170の透光性部分174を通して視認可能に構成されている。基板側アライメントマーク170の透光性部分174は、透光性基板110上に形成されると共に異方性導電層50と接触する透光性の膜を含む。
【選択図】図4
Description
本発明は電気光学装置に係り、特に基板側端子と配線基板の端子とを電気的に接続する異方性導電層を含む電気光学装置に関し、また、本発明は異方性導電層による電気的接合の検査方法に係る。
液晶表示装置において基板と外部配線基板とは異方性導電フィルム(Anisotropic Conductive Film:ACF)を介して圧着される。異方性導電フィルムによれば、当該フィルム中の導電性粒子が圧着によって基板側端子と外部配線基板側端子とに接触し両端子が導通状態になる。異方性導電フィルムによる端子接合については例えば下記特許文献1に記載されている。
一般的に基板側端子および外部配線基板側端子は例えばアルミニウム(Al)、銅(Cu)、金(Au)等の金属で構成される。これらの材料は遮光性が高いので、両端子と導電性粒子との接合状態を直接、観察することができない。
本発明の目的は、基板側端子と配線基板の端子とを電気的に接続する異方性導電層を含む電気光学装置であって異方性導電層による端子間の電気的接合状態を探知可能な電気光学装置を提供すること、および、異方性導電層による電気的接合の検査方法を提供することである。
本発明に係る電気光学装置は、電気光学要素に接続された基板側端子と前記端子に隣接して形成された透光性部分を有する基板側アライメントマークを備えた透光性基板と、異方性導電層を間に挟んで前記透光性基板と接続される配線側端子を備えた配線基板とを有し、前記基板と異方性導電層との接続状態が前記基板側アライメントマークの透光性部分を通して視認可能に構成された電気光学装置であって、前記基板側アライメントマークの透光性部分は、前記透光性基板上に形成されると共に前記異方性導電層と接触する透光性の膜を含むことを特徴とする。上記構成によれば、透光性基板側から基板側アライメントマークの透光性部分を通して異方性導電層の観察、例えば異方性導電層中の導電性粒子の変形具合等の観察が可能である。この観察によって、基板側端子と配線基板の端子との電気的接合状態を探知することができる。
前記透光性部分は、前記異方性導電層の厚さが前記透光性部分上と前記基板側端子上とで略同等となる条件で、厚さが設定されていることが好ましい。上記構成によれば、基板側アライメントマークの透光性部分を通しての観察結果と、基板側端子と配線基板の端子との電気的接合状態とが略同等になる。このため、端子間の接合状態をより正確に探知することができる。
前記基板側端子は前記異方性導電層に接触した透光性の電極パッドを含み、前記透光性の膜は前記電極パッドと同一の材料で構成されたことが好ましい。上記構成によれば、透光性部分と異方性導電層との接触状態を、基板側端子の電極パッドと異方性導電層との接触状態と同等にすることができる。このため、端子間の接合状態をより正確に探知することができる。また、透光性の膜と電極パッドとを同じプロセスで形成することができるので、製造が容易である。
前記透光性基板は複数の透光性絶縁膜をさらに備え、前記透光性部分は前記複数の透光性絶縁膜のうちの少なくとも1つと同一の材料の膜を含むことが好ましい。上記構成によれば、基板側アライメントマークの透光性部分の厚さを調整可能である。これにより異方性導電層の厚さを透光性部分上と基板側端子上とで略同等にすることが可能になる。
本発明に係る異方性導電層による電気的接合の検査方法は、透光性基板の基板側端子と配線基板の配線側端子との異方性導電層による電気的接合を検査する方法であって、前記透光性基板に設けられる基板側アライメントマークであって前記配線基板のアライメントマークと組み合わされる基板側アライメントマークに、基板側端子上の透光性導電膜と同じ透光性導電膜が形成された透光性部分を含むアライメントマークを用い、前記透光性部分を通して前記異方性導電層の観察を行うことにより前記電気的接合を検査することを特徴とする。上記構成によれば、基板側アライメントマークの透光性部分を通した異方性導電層の観察によって、基板側端子と配線基板の端子との電気的接合状態を探知することができる。このため、簡便かつ有効な検査を実施可能である。
前記異方性導電層の前記観察は、前記異方性導電層中の導電性粒子の変形具合の観察と、前記導電性粒子の個数の観察との少なくとも一方を含むことが好ましい。
以下に図面を用いて本発明に係る実施の形態について詳細に説明する。
図1に実施の形態に係る液晶表示装置30を説明する模式的な平面図を示す。また、図2に液晶表示装置30の表示領域32の構成を説明する模式図を示す。なお、図2には画素40の1個分の断面図とともに後述の画素電極118の平面図を併記している。ここでは、液晶表示装置30がFFS(Fringe Field Switching)方式の場合を例示する。
液晶表示装置30は、図2に示すように、対向配置された一対の基板110,210と、当該一対の基板110,210に挟持された液晶層300とを含んでいる。基板110は例えばガラス等の透光性基板で構成可能である。基板210は、液晶表示装置30が透過型または半透過型の場合には例えばガラス等の透光性基板で構成可能である一方、液晶表示装置30が反射型の場合は透光性を有さなくてもよい。
基板110および基板210は以下に例示する種々の電気光学要素が設けられて素子基板100および対向基板200をそれぞれ構成する。このため、液晶層300は素子基板100と対向基板200とで挟持されているとも捉えられる。
図1に示すように液晶表示装置30は、また、異方性導電層50と、外部配線基板60と、外部回路70とを含んでいる。異方性導電層50は例えば異方性導電フィルムを利用して構成可能である。例えば当該異方性導電フィルムを介して素子基板100と外部配線基板60とを熱圧着することによって、素子基板100と外部配線基板60とが互いに接着するとともに両基板100,60の端子が互いに電気的に接続される。外部配線基板60は例えばフレキシブルプリント回路(Flexible Printed Circuit:FPC)によって構成可能である。外部配線基板60は、また、外部回路70に接続されており、この接続は例えば異方性導電フィルムを利用可能である。なお、図1では外部回路70を模式的に図示している。
以下に図2を参照して表示領域32の構成を説明する。素子基板100は、上記基板110の他に、基板110の液晶層300側に、絶縁膜112と、共通電極114と、絶縁膜116と、画素電極118とを含んでいる。
絶縁膜112は例えば酸化シリコン、窒化シリコン、アクリル等の樹脂等で構成可能である。図2では絶縁膜112を1層で図示しているが、多層構造にすることも可能である。絶縁膜112内には例えば画素トランジスタや各種配線等が埋設されている。
共通電極114と画素電極118とは絶縁膜116を介して積層されている。電極114,118は例えばITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)等の透光性導電材料で構成可能であり、絶縁膜116は例えば窒素シリコン等で構成可能である。ここでは、共通電極114が絶縁膜112上に配置され、画素電極118が液晶層300側に配置された構成を例示するが、共通電極114を液晶層300側に配置することも可能である。
共通電極114と画素電極118とは対を成して各画素40に設けられている。共通電極114は例えば全ての画素40に跨った一つの電極層によって構成され、この場合、当該電極層の各画素40内の部分がそれぞれ共通電極114を構成する。画素電極118は例えば画素40ごとに分割された電極によって構成される。なお、共通電極114を画素電極118と同様に画素40ごとに分割して設けることも可能である。
画素電極118にはスリット120が設けられている。図2にはスリット120が画素電極118の外縁に到達していない場合を例示しているが、例えばスリット120を上記外縁まで到達させて、いわゆるくし歯形状にすることも可能である。スリット120の延伸方向および本数は図2の例示に限定されるものではない。なお、共通電極114が液晶層300側に配置される構成では、共通電極114にスリット120が設けられる。
対向基板200は、上記基板210の他に、基板210の液晶層300側に、遮光膜と、カラーフィルタ212とを含んでいる。遮光膜は、例えば樹脂で構成可能であり、各画素40に開口部を有している。当該各開口部には、その画素40の表示色に応じた色相のカラーフィルタ212が配置されている。遮光膜の各開口部は画素電極118に対向して設けられており、このため各画素40においてカラーフィルタ212は画素電極118に対向している。なお、液晶表示装置30が例えば白黒表示用の場合、カラーフィルタ212は省略可能である。
図3に図1中の一点鎖線で囲んだ部分3を説明する平面図を示し、図3中の4−4線における断面図を図4に示す。なお、図3では、説明のために、素子基板100と外部配線基板60とを離して図示しており、素子基板100に接続された状態の外部配線基板60を二点鎖線で図示している。また、図3では図4中の要素を一部省略している。図1〜図4を参照して、表示領域32の外側の周辺領域34の構成および素子基板100と外部配線基板60との接続形態を説明する。
素子基板100は、また、基板110の液晶層300側に、配線148と、端子150と、アライメントマーク170と、絶縁膜140とを含んでいる。配線148および端子150の数は図示の例示に限定されるものではない。
配線148は例えば信号線、電源線等である。配線148は、例えばアルミニウム(Al)、銅(Cu)、金(Au)等の導電材料で構成可能である。当該材料は透光性基板110よりも透光性が低い、すなわち遮光性が高い。配線148の厚さは例えば0.5μmである。配線148は例えば図4に示すように基板110上に(基板110に接触して)配置される。配線148は基板110の外縁付近まで延伸しており、図3では当該基板外縁まで到達している場合を例示している。
端子150は、ここでは各配線148の端部に設けられている。端子150は例えば配線148の端部と、当該端部上に積層された電極パッド152とによって構成可能である。電極パッド152は例えばITO、IZO等の透光性導電膜で構成され、その厚さは例えば0.3μmである。
電極パッド152は共通電極114と同一の材料で構成することが可能である。この場合、単一の透光性導電膜をパターニングして共通電極114と電極パッド152とを同時に形成可能であり、共通電極114と電極パッド152とを同じ厚さで形成可能である。同様に、電極パッド152を画素電極118と同時に形成することも可能である。また、電極パッド152を電極114,118用の両透光性導電膜の積層膜として構成することも可能である。これらによれば電極パッド152を容易に製造できる。
アライメントマーク170は遮光性部分172と透光性部分174とを含んで構成されている。
遮光性部分172は例えばアルミニウム、銅、金等で構成可能であり、当該材料によれば遮光性部分172は透光性基板110よりも遮光性が高い。遮光性部分172の厚さは例えば0.5μmである。遮光性部分172は例えば図4に示すように基板110上に(基板110に接触して)配置されている。遮光性部分172は配線148と同一の材料で構成可能である。この場合、単一の導電膜をパターニングして配線148と遮光性部分172とを同時に形成可能であり、配線148と遮光性部分172とを同じ厚さで形成可能である。これによれば遮光性部分172を容易に製造できる。
透光性部分174は例えばITO、IZO等の透光性導電膜で構成可能であり、当該材料によれば透光性部分174は遮光性部分172、配線148、および配線148を利用した端子150よりも透光性が高い。透光性部分174の厚さは例えば0.3μmである。透光性部分174は例えば図4に示すように基板110上に(基板110に接触して)配置されている。透光性部分174は端子150の電極パッド152と同一の材料で構成可能である。この場合、単一の透光性導電膜をパターニングして電極パッド152と透光性部分174とを同時に形成可能であり、電極パッド152と透光性部分174とを同じ厚さで形成可能である。これによれば透光性部分174を容易に製造できる。
遮光性部分172は透光性部分174の周囲に配置されている。図3では平面視において、透光性部分174が正方形の領域で構成され、遮光性部分172が当該正方形領域を取り囲む枠状の場合を例示している。但し、両部分172,174の形状はこの例示に限定されるものではない。上記のように遮光性部分172と透光性部分174とは透光性(換言すれば遮光性)が異なるので、両部分172,174によってアライメントマークとして利用可能なコントラスト比が得られる。
絶縁膜140は例えば酸化シリコン、窒化シリコン、アクリル等の樹脂等で構成可能である。絶縁膜140の厚さは例えば0.8μmである。図4では絶縁膜140を1層で図示しているが、多層構造にすることも可能である。絶縁膜140は例えば上記絶縁膜112のうちの一層または複数層を利用して構成可能である。
絶縁膜140は配線148およびアライメントマーク170の遮光性部分172を覆っており、例えば基板110上に配置されている。絶縁膜140は端子150の箇所に開口部を有しており、当該開口部を介して配線148と電極パッド152とが接触している。また、絶縁膜140はアライメントマーク170の箇所に開口部を有しており、当該開口部を介して透光性部分174が基板110に接触している。
外部配線基板60は例えばベース材62と、配線64と、端子66と、アライメントマーク68とを含んでいる。配線64および端子66の数は図示の例示に限定されるものではない。
ベース材62は例えばポリイミド等の絶縁材料で構成可能である。配線64は例えばアルミニウム、銅、金等の導電材料で構成可能であり、例えばベース材62中に埋設されている。図3では配線64がベース材62の外縁まで延伸している場合を例示している。配線64は端部においてベース材62から露出しており、当該露出端部によって端子66が構成される。配線64および端子66の厚さは例えば0.5μmである。
アライメントマーク68は例えばベース材62上に設けられている。アライメントマーク68は例えばアルミニウム、銅、金等で構成可能であり、例えばベース材62との間でアライメントマークとして利用可能なコントラスト比が得られる材料で構成するのが好ましい。アライメントマーク68の厚さは例えば0.5μmである。
配線基板側アライメントマーク68は基板側アライメントマーク170と組み合わされて利用される。図3ではアライメントマーク68が、平面視において基板側アライメントマーク170の透光性部分174内に収まる正方形の領域で構成される場合を例示している。但し、アライメントマーク68は、この形状は限定されるものではない。
異方性導電層50は導電性粒子52とバインダ54とを含み、導電性粒子52はバインダ54中に均等に分散されている。
導電性粒子52は例えば金属粒子、金属めっきをした樹脂粒子等で構成可能である。導電性粒子52の粒径は例えば数μm〜数十μmである。導電性粒子52の粒径、分散密度等は例えば端子150の大きさや配列ピッチ等によって選定される。導電性粒子52の数は図示の例示に限定されるものではない。
バインダ54は透光性の接着材料で構成され、例えばエポキシ系の熱硬化性樹脂、ポリエチレン系の熱可塑性樹脂等で構成可能である。バインダ54の透光性は例えば導電性粒子52よりも高い。
異方性導電層50は基板側端子150と配線基板側端子66との間だけでなく、基板側アライメントマーク170と配線基板側アライメントマーク68との間にも設けられている。
異方性導電層50は、素子基板100と外部配線基板60との接着前は、例えばフィルム状部材(いわゆる異方性導電フィルム)、未硬化状態のバインダ54に導電性粒子52を混練したペースト状材料等として構成可能である。
素子基板100と外部配線基板60との接着は例えば次のようにして実施される。まず、素子基板100と外部配線基板60とを、上記の異方性導電フィルム、ペースト状材料等を介して対向させる。その後、アライメントマーク170,68を利用して端子150と端子66との相対位置を調整する。このとき、アライメントマーク170,68は透光性基板110側から観察可能である(図4中の矢印Aを参照)。位置決めの後、両基板100,60を熱圧着する。これにより、バインダ54によって両基板100,60が互いに接着し、導電性粒子52によって対応する端子150,66が互いに電気的に接続される。
ここで、アライメントマーク170,68は端子150と端子66との位置合わせに利用可能である限り、その配置位置は特に限定されるものではない。例えばアライメントマーク170,68を、端子150,66の配列の片側または両側に隣接して設けてもよいし、当該端子配列中に設けてもよい。また、各アライメントマーク170,68の数に限定はない。
上記構成によれば、熱圧着後の異方性導電層50を、透光性基板110側からアライメントマーク170の透光性部分174を通して観察することができる(図4中の矢印Aを参照)。すなわち、透光性部分174を観察窓として利用することができる。この観察によって、基板側端子150と配線基板側端子66との電気的接合状態を探知することができる。ここで、端子150,66は上記のようにアルミニウム等の遮光性の高い材料で構成されている。このため、基板110,210のいずれの側からであっても端子150,66間の異方性導電層50を直接、観察することはできない。したがって、透光性部分174を通しての観察は、異方性導電層50による端子150,66の電気的接合状態を探知・検査するのに簡便かつ有効である。ここで、検査についての観察項目として例えば導電性粒子52の変形具合(つぶれの程度)が挙げられる。
図5に異方性導電層50による電気的接合の検査方法を説明する模式図を示す。図5には圧着時の加圧値を異ならせた2例を(a)および(b)として図示しており、(b)の方が加圧値が大きい場合である。また、図5には(a)および(b)について断面図と基板110側からの観察像とを図示している。
図5に示すように圧着時の加圧が大きいほど、圧着時および圧着後において、導電性粒子52が大きく変形する。このとき、変形が大きいほど、導電性粒子52とアライメントマーク170の透光性部分174との接触面積が広くなる(図5中のハッチング部分を参照)。これらは端子150,66間の導電性粒子52についても同様であり、導電性粒子52と端子150,66との接触面積が広いほど、より確実な電気的接合が可能である。したがって、透光性部分174を通して導電性粒子52の変形具合を観察することによって、端子150,66間の電気的接合を検査することができる。
ここで、電極パッド152は配線148よりも硬質の材料で構成されるのが好ましい。これによれば、電極パッド152を設けない構成に比べて、導電性粒子52の変形が大きくなり導電性粒子52と端子150,66と接触面積を広くすることができる。
また、検査についての観察項目として例えば導電性粒子52の個数が挙げられる。端子150,66間の導電性粒子52が多いほど、導電経路が多数確保され、また、端子150,66間の抵抗を低減することができる。導電性粒子52の密度は端子150,66の領域とアライメントマーク170の透光性部分174の領域とで同等であるので、透光性部分174を通して導電性粒子52の個数を数えることによって端子150,66間の電気的接合を検査することができる。
上記検査では導電性粒子52の変形具合の観察と導電性粒子52の個数の観察との一方のみを実施してもよいし、両方を実施してもよい。
上記のようにアライメントマーク170の透光性部分174は基板側端子150の電極パッド152と同一の材料で構成することが可能である。また、上記構成によれば、電極パッド152と透光性部分174とは異方性導電層50に接触している(接着している)。このため、透光性部分174と異方性導電層50との接触状態、例えば導電性粒子52の変形具合を、電極パッド152と異方性導電層50との接触状態と同等にすることができる。このため、透光性部分174を通した観察によって、端子150,66間の接合状態をより正確に探知することができる。
ここで、異方性導電層50の厚さを透光性部分174上と基板側端子150上とで略同等にすることによって、透光性部分174を通しての観察から、端子150,66間の接合状態をより正確に探知することができる。
例えば透光性部分174を電極パッド152とは別工程によって形成し透光性部分174の厚さを調整することによって、異方性導電層50の厚さを透光性部分174上と基板側端子150上とで略同等にすることが可能である。
また、異方性導電層50の厚さの上記均等化は、次に説明する実施の形態に係る他の液晶表示装置30Bによっても可能である。
図6に液晶表示装置30Bを説明する断面図を示す。液晶表示装置30Bの構成は、アライメントマーク170Bを除いて、上記液晶表示装置30を適用可能である。液晶表示装置30のアライメントマーク170Bは、遮光性部分172と、透光性部分174Bとを含んでいる。透光性部分174Bは図6の例示では絶縁膜140と透光性導電膜176との積層膜によって構成されている。すなわち、液晶表示装置30Bでは絶縁膜140は、アライメントマーク170Bの箇所に開口部を有しておらず、枠状の遮光性部分172の内側にも配置されている。透光性導電膜176は透光性の絶縁膜140上に配置され異方性導電層50に接触している。透光性導電膜176は例えばITO、IZO等で構成可能であり、その厚さは例えば0.3μmである。透光性導電膜176は電極パッド152と同一の材料で構成可能である。この場合、単一の透光性導電膜をパターニングして電極パッド152と透光性導電膜176とを同時に形成可能であり、電極パッド152と透光性導電膜176とを同じ厚さで形成可能である。これによれば透光性導電膜176を容易に製造できる。
絶縁膜140は配線148を被覆する厚さを有している。このため、アライメントマーク170Bによれば、絶縁膜140を有さない上記アライメントマーク170(図4参照)と比べて、異方性導電層50の厚さを透光性部分174B上と端子150上とで揃えやすい。また、絶縁膜140が多層構造である場合、そのうちの一部の透光性絶縁膜を利用することによって透光性部分174Bの厚さを調整することが可能である。
また、絶縁膜140に替えてまたは加えて、絶縁膜112(図2参照)のうちの一部または全部の透光性絶縁膜を利用して透光性部分174Bを構成してもよい。また、絶縁膜140に替えてまたは加えて、透光性の絶縁膜116(図2参照)を利用して透光性部分174Bを構成してもよい。これらの構成によっても透光性部分174Bの厚さを調整することができる。
図7および図8にアライメントマーク170の他の平面パターンを説明する平面図を示す。図7の例では、遮光性部分172が4つのL字状部分172aで構成されている。各L字状部分172aは、透光性部分174の周囲に配置され、透光性部分174の各角部にあてがうように設けられている。図8の例では、遮光性部分172が4つの直線状部分172bで構成されている。各直線状部分172bは、透光性部分174の周囲に配置され、透光性部分174の各辺部に沿って設けられている。なお、L字状部分172aおよび直線状部分172bの数は上記の4つに限定されるものではない。また、L字状部分172aと直線状部分172bとを組み合わせてもよい。また、L字状部分172aと直線状部分172bとの一方または両方を透光性部分174B(図6参照)と組み合わせてもよい。上記では透光性部分174,174Bが正方形の場合を例示したが、例えば他の多角形、円形等であってもよい。
また、外部配線基板60のアライメントマーク68も上記例示の正方形に限定されるものではなく、例えば他の多角形、円形、十字形状、X形状等であってもよい。
上記では液晶表示装置30がFFS方式である場合を例示したが、IPS(In-Plane Switching)方式またはTN(Twisted Nematic)方式にも上記構成を適用可能である。図9にIPS方式の液晶表示装置30Cを例示し、図10にTN方式の液晶表示装置30Dを例示する。図9および図10には画素40の1個分を図示している。なお、以下ではFFS方式の上記液晶表示装置30との相違を中心に説明する。
図9に例示の液晶表示装置30Cでは、共通電極114と画素電極118との両方がくし歯形状をしており、当該くし歯形状を互いにかみ合わせた形態で電極114,118の両方が絶縁膜112上に配置されている。かみ合わせ部分において電極114,118間のスペースがそれぞれスリット120に対応する。
液晶表示装置30Cにおいて、共通電極114、画素電極118、絶縁膜112を利用してアライメントマーク170,170Bの透光性部分174,174B(図4および図6参照)を構成可能である。ここで、IPS方式において電極114,118の間に絶縁膜116(図2参照)を設けることも可能であり、この場合には絶縁膜116も透光性部分174,174B(図4および図6参照)の構成に利用可能である。
図10に例示の液晶表示装置30Dでは、画素電極118は基板110に設けられている一方で、共通電極114は基板210に設けられている。例えば、画素電極118は絶縁膜112上に配置され、共通電極114はカラーフィルタ212上に配置されている。液晶表示装置30Dにおいて、これらの画素電極118、絶縁膜112を利用してアライメントマーク170,170Bの透光性部分174,174B(図4および図6参照)を構成可能である。
上記では電気光学装置として、液晶表示装置30,30B〜30Dを例示したが、プラズマディスプレイ装置等の他の電気光学装置にも上記の各種構成を適用可能である。
30,30B〜30D 電気光学装置、50 異方性導電層、52 導電性粒子、60 配線基板、66 端子、68 アライメントマーク、110 透光性基板、112,116,140 絶縁膜、150 基板側端子、170,170B 基板側アライメントマーク、172 遮光性部分、174,174B 透光性部分、176 透光性導電膜、210 基板、300 液晶層。
Claims (6)
- 電気光学要素に接続された基板側端子と前記端子に隣接して形成された透光性部分を有する基板側アライメントマークを備えた透光性基板と、異方性導電層を間に挟んで前記透光性基板と接続される配線側端子を備えた配線基板とを有し、
前記基板と異方性導電層との接続状態が前記基板側アライメントマークの透光性部分を通して視認可能に構成された電気光学装置であって、
前記基板側アライメントマークの透光性部分は、前記透光性基板上に形成されると共に前記異方性導電層と接触する透光性の膜を含むことを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1に記載の電気光学装置であって、
前記透光性部分は、前記異方性導電層の厚さが前記透光性部分上と前記基板側端子上とで略同等となる条件で、厚さが設定されていることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1または請求項2に記載の電気光学装置であって、
前記基板側端子は前記異方性導電層に接触した透光性の電極パッドを含み、
前記透光性の膜は前記電極パッドと同一の材料で構成されたことを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の電気光学装置であって、
前記透光性基板は複数の透光性絶縁膜をさらに備え、
前記透光性部分は前記複数の透光性絶縁膜のうちの少なくとも1つと同一の材料の膜を含むことを特徴とする電気光学装置。 - 透光性基板の基板側端子と配線基板の配線側端子との異方性導電層による電気的接合を検査する方法であって、
前記透光性基板に設けられる基板側アライメントマークであって前記配線基板のアライメントマークと組み合わされる基板側アライメントマークに、基板側端子上の透光性導電膜と同じ透光性導電膜が形成された透光性部分を含むアライメントマークを用い、
前記透光性部分を通して前記異方性導電層の観察を行うことにより前記電気的接合を検査することを特徴とする異方性導電層による電気的接合の検査方法。 - 請求項5に記載の異方性導電層による電気的接合の検査方法であって、
前記異方性導電層の前記観察は、前記異方性導電層中の導電性粒子の変形具合の観察と、前記導電性粒子の個数の観察との少なくとも一方を含むことを特徴とする異方性導電層による電気的接合の検査方法。
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