JPS60106180A - ＭｉＭダイオ−ド - Google Patents
ＭｉＭダイオ−ドInfo
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- JPS60106180A JPS60106180A JP58214722A JP21472283A JPS60106180A JP S60106180 A JPS60106180 A JP S60106180A JP 58214722 A JP58214722 A JP 58214722A JP 21472283 A JP21472283 A JP 21472283A JP S60106180 A JPS60106180 A JP S60106180A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1365—Active matrix addressed cells in which the switching element is a two-electrode device
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、金属−絶縁膜−金属ダイオード（Ｍ １Ｍダ
イオード）を形成した基板を用いた、液晶表示パネルに
関し、とくにＭ ｉ Ｍダイオードの電極構造に関する
ものである。
イオード）を形成した基板を用いた、液晶表示パネルに
関し、とくにＭ ｉ Ｍダイオードの電極構造に関する
ものである。
液晶表示パネルの表示画素数−を増加する方法として、
液晶表示パネルを構成する基板にトランジスタやダイオ
ード等のアクティブ素子を形成したアクティブ基板を用
いる方式が提案されている。
液晶表示パネルを構成する基板にトランジスタやダイオ
ード等のアクティブ素子を形成したアクティブ基板を用
いる方式が提案されている。
液晶表示パネルの製造コストの観点から、トランジスタ
型とダイオード型を比較すると、アクティブ素子製造プ
ロセスの単純さの点からダイオード型が優れている。さ
らにダイオード型の中でも、ｉ” ａ −Ｔ ａ２０．
− Ｃｒ構成のＭｉＭダイオード方式は、ｐ １１ダイ
オ一ド方式と比較して素子製造プロセスがより簡単であ
り、有望である。
型とダイオード型を比較すると、アクティブ素子製造プ
ロセスの単純さの点からダイオード型が優れている。さ
らにダイオード型の中でも、ｉ” ａ −Ｔ ａ２０．
− Ｃｒ構成のＭｉＭダイオード方式は、ｐ １１ダイ
オ一ド方式と比較して素子製造プロセスがより簡単であ
り、有望である。
Ｔ ａ −Ｔａ ２０ 、−Ｃｒ 構成のＭ ｉ Ｍダ
イオードを配設した基板で液晶表示パネルを形成した、
ＭｉＭ−ＬＣＤは、高密度表示を行なうために害素形状
を小さくすると液晶層の容量が減少し、Ｍ ｉ Ｍダイ
オードの容量が相対的に増大するので容量カップリング
に起因する画素間のクロスト−りが発生し、表示品位が
著しく低下する。
イオードを配設した基板で液晶表示パネルを形成した、
ＭｉＭ−ＬＣＤは、高密度表示を行なうために害素形状
を小さくすると液晶層の容量が減少し、Ｍ ｉ Ｍダイ
オードの容量が相対的に増大するので容量カップリング
に起因する画素間のクロスト−りが発生し、表示品位が
著しく低下する。
ＭｉＭダイオードの容量低減化の方法として、Ｍ ｉ
Ｍダイオードの金属電極の幅を狭くしてダイオード面積
を低下し容量低減化する方法が提案されている。（参考
文献Ｂａｒａｆｆ他 ５ｊｌ）コンファレンス １９８
０） 上記の方法では、１００μｍ００面積の画素を駆動する
には、へ４ｉＭダイオードの容量を充分小さく保つため
、ｌ’ｖｌ ｉ Ｍダイオードの電極面積を３μｍＸ３
μｍ程度にする必要がある。このためには３μＩｎ 幅
のＴ、 ａ膜エツチングおよび３μＩｌｌ 幅のＣｒ膜
エツチングを、液晶表示パネル基板の全面にわたって均
一に再現性よく行なう必要がある。
Ｍダイオードの金属電極の幅を狭くしてダイオード面積
を低下し容量低減化する方法が提案されている。（参考
文献Ｂａｒａｆｆ他 ５ｊｌ）コンファレンス １９８
０） 上記の方法では、１００μｍ００面積の画素を駆動する
には、へ４ｉＭダイオードの容量を充分小さく保つため
、ｌ’ｖｌ ｉ Ｍダイオードの電極面積を３μｍＸ３
μｍ程度にする必要がある。このためには３μＩｎ 幅
のＴ、 ａ膜エツチングおよび３μＩｌｌ 幅のＣｒ膜
エツチングを、液晶表示パネル基板の全面にわたって均
一に再現性よく行なう必要がある。
しかし、上記プロセスは、エツチングに用いるレジスト
幅が３μｍ と非常に狭いのでレジスト密着力が減少す
ることにより、レジスト剥離が生じ、エツチングを広い
面積で均一に再現性よく行なうことは、非常に困難であ
る欠点を有す。
幅が３μｍ と非常に狭いのでレジスト密着力が減少す
ることにより、レジスト剥離が生じ、エツチングを広い
面積で均一に再現性よく行なうことは、非常に困難であ
る欠点を有す。
本発明は、ＭｉＭ−ＬＣＤを信頼性よく、安価に形成す
ることを目的とする。
ることを目的とする。
本発明では、Ｍ ｉ Ｍダイオードのダイオード電極パ
ターンを工夫することにより、上記目的を満足する。以
下図面を用いて本発明を詳細に述べる。
ターンを工夫することにより、上記目的を満足する。以
下図面を用いて本発明を詳細に述べる。
実施例１を第１図に一画素の構成として示す。
１は走査電極線でありＴａ金属線または表面を陽極酸化
したＴ ａ線である。幅は約１０〜４０μｍである。２
は表示電極でありＩ Ｔ Ｏ等の透明導電膜で構成され
ている。３はダイオード電極であり表面を陽極酸化した
幅約１０μｍのＴａ膜である。
したＴ ａ線である。幅は約１０〜４０μｍである。２
は表示電極でありＩ Ｔ Ｏ等の透明導電膜で構成され
ている。３はダイオード電極であり表面を陽極酸化した
幅約１０μｍのＴａ膜である。
４はダイオードパターンの他の一方であり、幅約２０μ
Ｉｌｌ のＣｒ膜である。ダイオード電極３とダイオー
ド電極４０幅約２μ１１１ の重なり部５がＭ ｉ Ｍ
ダイオードのダイオード面積である。
Ｉｌｌ のＣｒ膜である。ダイオード電極３とダイオー
ド電極４０幅約２μ１１１ の重なり部５がＭ ｉ Ｍ
ダイオードのダイオード面積である。
第１図の断面Ａ−Ａ’を第２図に示す。７は基板である
。ダイオード電極６とダイオード電極４間に絶縁層６１
を配設する。絶縁層６１は、Ｔａ膜を陽極酸化して形成
した膜厚約３ Ｑ ｎｍ の、Ｔ ａ２０．膜である。
。ダイオード電極６とダイオード電極４間に絶縁層６１
を配設する。絶縁層６１は、Ｔａ膜を陽極酸化して形成
した膜厚約３ Ｑ ｎｍ の、Ｔ ａ２０．膜である。
６は信号電極線であり基板７に対向しておいた基板上に
パターニングされた透明導電膜で形成する。２枚の基板
間に液晶層を形成する。
パターニングされた透明導電膜で形成する。２枚の基板
間に液晶層を形成する。
Ｍ ｉ Ｍダイオードの形成プロセスは以下のとうりで
ある。
ある。
基板７にＳ ｉ Ｏ２，Ｔ ａ２０５ 、Ａ ｌ１２’
ｏｓ等のパッシベーション薄膜を全面に形成する。つぎ
に約５０ ｎｍ厚のＩＴＯ膜を全面に形成し、パターニ
ングを行なって表示電極２を作る。つぎに約３ Ｑ Ｑ
ｎ＋ｎ 厚のＴ’ａ膜を全面に設け、リアクチづプエ
ソチングにてパターニングして走査電イ１シ線１、ダイ
オード電極６を形成する。つぎに１ｒａパターンの外部
接続端子部以外の部分に、陽極酸化にて約３ Ｑ ｎｍ
厚の絶縁層Ｔａ２Ｑ、層６１を形ＪｊｌＸする。
ｏｓ等のパッシベーション薄膜を全面に形成する。つぎ
に約５０ ｎｍ厚のＩＴＯ膜を全面に形成し、パターニ
ングを行なって表示電極２を作る。つぎに約３ Ｑ Ｑ
ｎ＋ｎ 厚のＴ’ａ膜を全面に設け、リアクチづプエ
ソチングにてパターニングして走査電イ１シ線１、ダイ
オード電極６を形成する。つぎに１ｒａパターンの外部
接続端子部以外の部分に、陽極酸化にて約３ Ｑ ｎｍ
厚の絶縁層Ｔａ２Ｑ、層６１を形ＪｊｌＸする。
最後に約１００ ｎｍ厚のＣｒ膜を全面に設け、ノぐタ
ーニングしてダイオード電極４を形成、づ−る。
ーニングしてダイオード電極４を形成、づ−る。
ダイオード面積は２ケ所の重なり部５の和である。ダイ
オード電極４の一部の面積のみがダイオード動作に寄与
するのでダイオード電極４０幅をｌｘより犬にでき、ダ
イオード電極４のパターニング時のレジストの密着力を
確保することができる。
オード電極４の一部の面積のみがダイオード動作に寄与
するのでダイオード電極４０幅をｌｘより犬にでき、ダ
イオード電極４のパターニング時のレジストの密着力を
確保することができる。
本実施例は下の特徴を有す。
■ ダイオード容ｉｉｌが小さい。
■ マスク合わせ許容値が大きい。
■については、従来はダイオード電極が第１図のＸ印の
部分８にも形成されていたので、電極面積が大きくなり
容量が犬λなり、画素間のり・后−りが生じた。本発明
では、Ｘ印の部分８にダイオード電極乙がないので容量
が小さく、クロストークが抑制される。
部分８にも形成されていたので、電極面積が大きくなり
容量が犬λなり、画素間のり・后−りが生じた。本発明
では、Ｘ印の部分８にダイオード電極乙がないので容量
が小さく、クロストークが抑制される。
■について１明する。ダイオード電極面積は、最後のＣ
ｒパターン形成時に決まる。第１図に示したダイオード
パターンでは、右方向にｌｘｌ、左方向にｌｘ２、」二
方向にｌｒｓ・下方向にｌｙ２の範囲でマスク合わせ時
にずれてもダイオード電極面積となる２ケ所の重なり部
５の和は一定である。従ってダイオード面積に依存する
Ｍ ｉ Ｍダイオードの電気特性は、各画素で均一とな
り、この結果コントラスト比むらのな（・表示力玉得ら
れる。
ｒパターン形成時に決まる。第１図に示したダイオード
パターンでは、右方向にｌｘｌ、左方向にｌｘ２、」二
方向にｌｒｓ・下方向にｌｙ２の範囲でマスク合わせ時
にずれてもダイオード電極面積となる２ケ所の重なり部
５の和は一定である。従ってダイオード面積に依存する
Ｍ ｉ Ｍダイオードの電気特性は、各画素で均一とな
り、この結果コントラスト比むらのな（・表示力玉得ら
れる。
画素の駆動は従来どうりである。画素の等何回路を第３
図に示す。
図に示す。
９はＭ ｉ Ｍダイオードであり、上記のように、ダイ
オード電極６、ダイオード電極４、および絶縁膜３１で
形成されている。１０は表示電極２、信号電極６および
それらの間に形成された液晶層で構成される表示画素容
量である。走査電極線１をつぎつぎに選択状態とし、同
期して信号電極乙に画像信号に依存した信号を印加し、
Ｍ ｉ Ｍダイオード９を通して、表示画素容量１０に
電荷を注入する。再び走査電極線が選択状態となるまで
、この電荷をＭ ｉ Ｍダイオードの抵抗非線形性を利
用して保持する。
オード電極６、ダイオード電極４、および絶縁膜３１で
形成されている。１０は表示電極２、信号電極６および
それらの間に形成された液晶層で構成される表示画素容
量である。走査電極線１をつぎつぎに選択状態とし、同
期して信号電極乙に画像信号に依存した信号を印加し、
Ｍ ｉ Ｍダイオード９を通して、表示画素容量１０に
電荷を注入する。再び走査電極線が選択状態となるまで
、この電荷をＭ ｉ Ｍダイオードの抵抗非線形性を利
用して保持する。
実施例２〜実施例５を第４図〜第７図に示ず。
番号１．２．６．４は実施例１で述べたように、１は走
査電極線、２は表示電極、３はダイオード電極、４は他
の一方のダイオード電極である。いずれの例でもダイオ
ード電極６とダイオード電極４０重なり部の面積が、従
来の単純な直交して重なった電極形状の場合の重なり部
の面積に比較して減少しており、ダイオード容量が激減
した。
査電極線、２は表示電極、３はダイオード電極、４は他
の一方のダイオード電極である。いずれの例でもダイオ
ード電極６とダイオード電極４０重なり部の面積が、従
来の単純な直交して重なった電極形状の場合の重なり部
の面積に比較して減少しており、ダイオード容量が激減
した。
以上述べたように、本発明ではＭ ｉ Ｍダイオードを
少なくも２ケ所以上のダイオード作用部分で構成し、該
ダイオード作用部の面積の和が、ある一定値のマスク合
わせずれ量に対して、不変であるよう該ダイオード作用
部の形状を形成すること□ により、電気特性が均一なＭ ｉ Ｍダイオードを形成
し、画素間のクロストークの少ない、コントラスト比が
均一な、商品質の液晶表示ノ々ネルを提供する。
少なくも２ケ所以上のダイオード作用部分で構成し、該
ダイオード作用部の面積の和が、ある一定値のマスク合
わせずれ量に対して、不変であるよう該ダイオード作用
部の形状を形成すること□ により、電気特性が均一なＭ ｉ Ｍダイオードを形成
し、画素間のクロストークの少ない、コントラスト比が
均一な、商品質の液晶表示ノ々ネルを提供する。
なお、電気光学素子として液晶について述べたが、本発
明はエレクトロクロミック素子、１） Ｌ Ｚ Ｔ素子
、螢光表示素子、電界発光素子、フ。
明はエレクトロクロミック素子、１） Ｌ Ｚ Ｔ素子
、螢光表示素子、電界発光素子、フ。
ラズマ発元素子等の電気光学素子とダイオードを形成し
た基板を組み合わせたアクティブ表示素子にも有効であ
る。
た基板を組み合わせたアクティブ表示素子にも有効であ
る。
第１図、第４図〜第７図は本発明によるＩＶＩ ｉ Ｍ
ダイオードを有する画素形状を示す平面図。 第２図は第１図のＡ−Ａでの断面図。 第３図は画素の電気的等価回路図。 １・・・・・・走査電極線、 ２・・・・・・表示電極、 ６・・・・・・ダイオード電極、 ４・・・・・・他の一方のダイオード電極。 第１図 第２ｖ？１ 第３図 第４図
ダイオードを有する画素形状を示す平面図。 第２図は第１図のＡ−Ａでの断面図。 第３図は画素の電気的等価回路図。 １・・・・・・走査電極線、 ２・・・・・・表示電極、 ６・・・・・・ダイオード電極、 ４・・・・・・他の一方のダイオード電極。 第１図 第２ｖ？１ 第３図 第４図
Claims (3)
- （１） 絶縁膜、絶縁膜の一方の面に接する金属膜、お
よび絶縁膜の対向面に接する金属膜で構成し、該金属膜
の重なり部の絶縁膜中を電気伝導するメタル−絶縁膜−
メタルダイオード（ＭｉＭダイオード）において、該重
なり部を少なくも２つ以上に分離し、該２つの金属膜の
相対位訪°の零以外のある値以内の変化に対して、該重
なり部の面積の和が一定であるような重なり部形状を有
することを特徴とするＭ ｉ ｆｖｌダイオード。 - （２）絶縁膜はＴ ａ金属膜を陽極酸化して形１ｊＭし
た１’ａ２０．、金属膜の一方はＴａ、他方はＣｒであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１ｆＡ記載のＭｉ
Ｍダイオード。 - （３）重なり部の数が２であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載のＭＩＭダイオード。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58214722A JPS60106180A (ja) | 1983-11-15 | 1983-11-15 | ＭｉＭダイオ−ド |
| US06/671,782 US4723837A (en) | 1983-11-15 | 1984-11-15 | Metal-insulating film-metal diode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58214722A JPS60106180A (ja) | 1983-11-15 | 1983-11-15 | ＭｉＭダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60106180A true JPS60106180A (ja) | 1985-06-11 |
Family
ID=16660535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58214722A Pending JPS60106180A (ja) | 1983-11-15 | 1983-11-15 | ＭｉＭダイオ−ド |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4723837A (ja) |
| JP (1) | JPS60106180A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH061313B2 (ja) * | 1985-02-06 | 1994-01-05 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| GB2213639B (en) * | 1987-12-10 | 1990-11-07 | Seiko Epson Corp | "non-linear device, e.g. for a liquid crystal display" |
| GB2231200A (en) * | 1989-04-28 | 1990-11-07 | Philips Electronic Associated | Mim devices, their method of fabrication and display devices incorporating such devices |
| US5179035A (en) * | 1989-09-15 | 1993-01-12 | U.S. Philips Corporation | Method of fabricating two-terminal non-linear devices |
| JPH03236275A (ja) * | 1990-02-14 | 1991-10-22 | Olympus Optical Co Ltd | メモリ素子およびメモリ装置 |
| WO2000070686A1 (fr) * | 1999-05-14 | 2000-11-23 | Hitachi, Ltd. | Dispositif semi-conducteur, dispositif d'affichage d'image, et leur procede et appareil de fabrication |
| JP2002340802A (ja) * | 2001-03-15 | 2002-11-27 | Yokogawa Electric Corp | 蛍光強度増強チップ |
| US20060091496A1 (en) * | 2004-10-28 | 2006-05-04 | Hewlett-Packard Development Company, Lp | Metal-insulator-metal device |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4413883A (en) * | 1979-05-31 | 1983-11-08 | Northern Telecom Limited | Displays controlled by MIM switches of small capacitance |
| JPS59131974A (ja) * | 1983-01-18 | 1984-07-28 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置 |
-
1983
- 1983-11-15 JP JP58214722A patent/JPS60106180A/ja active Pending
-
1984
- 1984-11-15 US US06/671,782 patent/US4723837A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4723837A (en) | 1988-02-09 |
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