JPH04309925A - アクティブマトリックスカラー液晶表示素子 - Google Patents
アクティブマトリックスカラー液晶表示素子Info
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- JPH04309925A JPH04309925A JP3075261A JP7526191A JPH04309925A JP H04309925 A JPH04309925 A JP H04309925A JP 3075261 A JP3075261 A JP 3075261A JP 7526191 A JP7526191 A JP 7526191A JP H04309925 A JPH04309925 A JP H04309925A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はアクティブマトリックス
カラー液晶表示素子に関し、特に対向する一対の基板の
うちの一方に導電性を有するブラックマトリックスを備
えたアクティブマトリックスカラー液晶表示素子に関す
る。
カラー液晶表示素子に関し、特に対向する一対の基板の
うちの一方に導電性を有するブラックマトリックスを備
えたアクティブマトリックスカラー液晶表示素子に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のアクティブマトリックスカラー液
晶素子（以下カラー液晶表示素子と記す）は、図４に示
すように、配線２，アクティブ素子３，画素透明電極４
，引き出し線６等が設けられた基板１と、ブラックマト
リックス１２，２３，カラーフィルター１４，オーバー
コート層１５，透明電極２６等が設けられた基板１１と
、１対の基板１，１１間にはさみこまれた液晶層２０と
、四隅に設けられたトランスファー５から構成されてい
る。
晶素子（以下カラー液晶表示素子と記す）は、図４に示
すように、配線２，アクティブ素子３，画素透明電極４
，引き出し線６等が設けられた基板１と、ブラックマト
リックス１２，２３，カラーフィルター１４，オーバー
コート層１５，透明電極２６等が設けられた基板１１と
、１対の基板１，１１間にはさみこまれた液晶層２０と
、四隅に設けられたトランスファー５から構成されてい
る。
【０００３】次に、カラー液晶表示素子の動作について
説明する。
説明する。
【０００４】カラー液晶表示素子は、液晶層２０の上下
両面に電圧を印加することにより動作するが、このカラ
ー液晶表示素子では、画素透明電極４の電圧は配線２，
アクティブ素子３を通じて個々それぞれ独立に駆動させ
るのに対し、基板１１上の透明電極２６は、表示領域外
３１にある引き出し線６，トランスファー１５を通じて
表示領域３０全面が一括駆動される。
両面に電圧を印加することにより動作するが、このカラ
ー液晶表示素子では、画素透明電極４の電圧は配線２，
アクティブ素子３を通じて個々それぞれ独立に駆動させ
るのに対し、基板１１上の透明電極２６は、表示領域外
３１にある引き出し線６，トランスファー１５を通じて
表示領域３０全面が一括駆動される。
【０００５】ここで、透明電極２６には、一般にＳｎＯ
２ （酸化錫）膜やＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ
Ｏｘｉｄｅ）膜、及び、金などの極薄の金属膜などが
用いられ、ブラックマトリックス１２，２３は、光を透
過しないＣｒなどの金属膜が用いられている。透明電極
２６とブラックマトリックス１２，２３との間にはオー
バーコート層１５があり、透明電極２６とブラックマト
リックス１２，２３は電気的には接続されておらずブラ
ックマトリックス１２，２３は電極としては用いられて
いなかった。
２ （酸化錫）膜やＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ
Ｏｘｉｄｅ）膜、及び、金などの極薄の金属膜などが
用いられ、ブラックマトリックス１２，２３は、光を透
過しないＣｒなどの金属膜が用いられている。透明電極
２６とブラックマトリックス１２，２３との間にはオー
バーコート層１５があり、透明電極２６とブラックマト
リックス１２，２３は電気的には接続されておらずブラ
ックマトリックス１２，２３は電極としては用いられて
いなかった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】透明電極には、一般に
、ＳｎＯ２ （酸化錫）膜やＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ
Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜、及び、金などの極薄の金属
膜などが用いられている。このような材料によって構成
される透明電極は、その透明度を確保するために膜厚を
むやみに厚くするわけにいかず、単位面積当りの抵抗が
比較的大きかった。その抵抗が大きいために、表示領域
内で電圧降下や駆動電圧波形に時間遅れを生じ、画面内
で明るさがばらついたり、表示させるパターンによって
は、その周囲の画素の明るさまで変化してしまう現象い
わゆるクロストーク現象などの問題点があった。
、ＳｎＯ２ （酸化錫）膜やＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ
Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜、及び、金などの極薄の金属
膜などが用いられている。このような材料によって構成
される透明電極は、その透明度を確保するために膜厚を
むやみに厚くするわけにいかず、単位面積当りの抵抗が
比較的大きかった。その抵抗が大きいために、表示領域
内で電圧降下や駆動電圧波形に時間遅れを生じ、画面内
で明るさがばらついたり、表示させるパターンによって
は、その周囲の画素の明るさまで変化してしまう現象い
わゆるクロストーク現象などの問題点があった。
【０００７】本発明の目的は、表示領域内で電圧降下や
駆動電圧波形に時間遅れがなく、明るさのばらつきやク
ロストーク現象のないカラー液晶表示素子を提供するこ
とにある。
駆動電圧波形に時間遅れがなく、明るさのばらつきやク
ロストーク現象のないカラー液晶表示素子を提供するこ
とにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、対向する一対
の基板のうちの一方の基板内面にアクティブ素子と画素
透明電極とを有し、他方の基板内面に導電性を有するブ
ラックマトリックスとカラーフィルターとオーバーコー
ト層と透明電極とを備えたアクティブマトリックス液晶
表示素子において、前記ブラックマトリックスと前記透
明電極とが表示領域外にて電気的に接続されている。
の基板のうちの一方の基板内面にアクティブ素子と画素
透明電極とを有し、他方の基板内面に導電性を有するブ
ラックマトリックスとカラーフィルターとオーバーコー
ト層と透明電極とを備えたアクティブマトリックス液晶
表示素子において、前記ブラックマトリックスと前記透
明電極とが表示領域外にて電気的に接続されている。
【０００９】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１０】図１は本発明の第１の実施例の要部断面図
である。
である。
【００１１】第１の実施例は、図１に示すように、１対
の基板のうちの一方の基板１の内面には、配線２，アク
ティブ素子３，画素透明電極４，引き出し線６などが形
成されており、外部から入力される駆動信号電圧は、配
線２，アクティブ素子３を通して画素透明電極４に入り
、それぞれの画素透明電極４が１つ１つ独立に駆動され
る。なお、基板１には、配線２と直交する配線，配線２
と直交する配線と配線２とがショートしないための絶縁
層，アクティブ素子３の保護層，液晶分子の向きをそろ
えるための配向膜などもあるが省略してある。
の基板のうちの一方の基板１の内面には、配線２，アク
ティブ素子３，画素透明電極４，引き出し線６などが形
成されており、外部から入力される駆動信号電圧は、配
線２，アクティブ素子３を通して画素透明電極４に入り
、それぞれの画素透明電極４が１つ１つ独立に駆動され
る。なお、基板１には、配線２と直交する配線，配線２
と直交する配線と配線２とがショートしないための絶縁
層，アクティブ素子３の保護層，液晶分子の向きをそろ
えるための配向膜などもあるが省略してある。
【００１２】一方、他方の基板１１には、ブラックマト
リックス１２，１３，カラーフィルター１４，オーバー
コート層１５，透明電極１６が形成されている。ブラッ
クマトリックス１２は、画素透明電極４と画素透明電極
４とのすきまを通る光とアクティブ素子３にあたる光を
遮断し、ブラックマトリックス１３は、表示領域外３１
の光も遮断する。この例では、ブラックマトリックス１
２，１３にはＣｒを使用している。カラーフィルター１
４は、個々の画素透明電極４を通る光の波長を選択する
。オーバーコート層１５は、表示領域３０を覆うように
形成され、ブラックマトリックス１３の一部までを覆っ
ている。オーバーコート層１５は、カラーフィルター１
４からの不純物の発生を抑え、また、表面を平坦化する
働きをもつ。透明電極１６は、表示領域３０を覆い、ブ
ラックマトリックス１３と電気的に接続するようにブラ
ックマトリックス１３の一部、または、全部を覆ってい
る。透明電極１６は、基板１の表示領域外３１にある引
き出し線６とトランスファー５を通して一括駆動される
。このようにして各画素透明電極４に電圧が印加され、
それに応じて液晶層２０の液晶分子が配列し、表示が行
われる。なお、配向膜などは省略してある。
リックス１２，１３，カラーフィルター１４，オーバー
コート層１５，透明電極１６が形成されている。ブラッ
クマトリックス１２は、画素透明電極４と画素透明電極
４とのすきまを通る光とアクティブ素子３にあたる光を
遮断し、ブラックマトリックス１３は、表示領域外３１
の光も遮断する。この例では、ブラックマトリックス１
２，１３にはＣｒを使用している。カラーフィルター１
４は、個々の画素透明電極４を通る光の波長を選択する
。オーバーコート層１５は、表示領域３０を覆うように
形成され、ブラックマトリックス１３の一部までを覆っ
ている。オーバーコート層１５は、カラーフィルター１
４からの不純物の発生を抑え、また、表面を平坦化する
働きをもつ。透明電極１６は、表示領域３０を覆い、ブ
ラックマトリックス１３と電気的に接続するようにブラ
ックマトリックス１３の一部、または、全部を覆ってい
る。透明電極１６は、基板１の表示領域外３１にある引
き出し線６とトランスファー５を通して一括駆動される
。このようにして各画素透明電極４に電圧が印加され、
それに応じて液晶層２０の液晶分子が配列し、表示が行
われる。なお、配向膜などは省略してある。
【００１３】図２は、図１に示す第１の実施例の平面図
である。アクティブ素子のある基板，液晶層，トランス
ファー，カラーフィルターなどは省略してある。
である。アクティブ素子のある基板，液晶層，トランス
ファー，カラーフィルターなどは省略してある。
【００１４】図２に示すように、基板１１の上にブラッ
クマトリックス１３，オーバーコート層１５，透明電極
１６が表示領域３０を囲むように形成されており、点線
の内側が表示領域３０である。この例では、オーバーコ
ート層１５の外周は直線的にパターニングされ、その外
側で、ブラックマトリックス１３と透明電極１６が電気
的に接続している。
クマトリックス１３，オーバーコート層１５，透明電極
１６が表示領域３０を囲むように形成されており、点線
の内側が表示領域３０である。この例では、オーバーコ
ート層１５の外周は直線的にパターニングされ、その外
側で、ブラックマトリックス１３と透明電極１６が電気
的に接続している。
【００１５】このような構造にすることにより、ブラッ
クマトリックス電極１３を電極として利用しない場合に
比べて、ブラックマトリックス１３と透明電極１６の接
続面が大きくなるので透明電極１６の単位面積当りの抵
抗が等価的に小さくなる。
クマトリックス電極１３を電極として利用しない場合に
比べて、ブラックマトリックス１３と透明電極１６の接
続面が大きくなるので透明電極１６の単位面積当りの抵
抗が等価的に小さくなる。
【００１６】図３は本発明の第２の実施例の平面図であ
る。
る。
【００１７】第２の実施例は、図３に示すように、オー
バーコート層２５の外周は凹凸状にパターニングされ、
その凹部でブラックマトリックス１３と透明電極２６が
接続している。
バーコート層２５の外周は凹凸状にパターニングされ、
その凹部でブラックマトリックス１３と透明電極２６が
接続している。
【００１８】このような構造にすることにより、オーバ
ーコート層２５の面積が広くとれ、オーバーコート２５
と基板１１との接着力を上げることができる。
ーコート層２５の面積が広くとれ、オーバーコート２５
と基板１１との接着力を上げることができる。
【００１９】他の例として、ブラックマトリックスと透
明電極を接続したい部分のみオーバーコート層に窓が開
いている構造にすることにより同様の効果が得られる。
明電極を接続したい部分のみオーバーコート層に窓が開
いている構造にすることにより同様の効果が得られる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、透明電極
の単位面積当りの抵抗を等価的に小さくしたので、表示
領域内での電圧降下や駆動電圧波形の時間遅れを減少さ
せ、明るさのばらつきやクロストーク現象を低減できる
という効果を有する。
の単位面積当りの抵抗を等価的に小さくしたので、表示
領域内での電圧降下や駆動電圧波形の時間遅れを減少さ
せ、明るさのばらつきやクロストーク現象を低減できる
という効果を有する。
【図１】本発明の第１の実施例の要部断面図である。
【図２】図１に示す第１の実施例の平面図である。
【図３】本発明の第２の実施例の平面図である。
【図４】従来のカラー液晶表示素子の一例の要部断面図
である。
である。
１，１１ 基板
２ 配線
３ アクティブ素子
４ 画素透明電極
５ トランスファー
６ 引き出し線
１２，１３，２３ ブラックマトリックス１４
カラーフィルター １５ オーバーコート層 １６，２６ 透明電極 ２０ 液晶層 ３０ 表示領域 ３１ 表示領域外
カラーフィルター １５ オーバーコート層 １６，２６ 透明電極 ２０ 液晶層 ３０ 表示領域 ３１ 表示領域外
Claims (2)
- 【請求項１】 対向する一対の基板のうちの一方の基
板内面にアクティブ素子と画素透明電極とを有し、他方
の基板内面に導電性を有するブラックマトリックスとカ
ラーフィルターとオーバーコート層と透明電極とを備え
たアクティブマトリックスカラー液晶表示素子において
、前記ブラックマトリックスと前記透明電極とが表示領
域外にて電気的に接続されていることを特徴とするアク
ティブマトリックスカラー液晶表示素子。 - 【請求項２】 前記オーバーコート層の外周を凹凸状
にパターニングして凹部でブラックマトリックス膜と透
明電極とを接続したことを特徴とする請求項１記載のア
クティブマトリックスカラー液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3075261A JPH04309925A (ja) | 1991-04-08 | 1991-04-08 | アクティブマトリックスカラー液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3075261A JPH04309925A (ja) | 1991-04-08 | 1991-04-08 | アクティブマトリックスカラー液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04309925A true JPH04309925A (ja) | 1992-11-02 |
Family
ID=13571103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3075261A Pending JPH04309925A (ja) | 1991-04-08 | 1991-04-08 | アクティブマトリックスカラー液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04309925A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4340780A1 (de) * | 1993-02-05 | 1994-08-11 | Samsung Display Devices Co Ltd | Farbfiltersubstrat für Flüssigkristallanzeige |
| KR19980036500A (ko) * | 1996-11-18 | 1998-08-05 | 김광호 | 블랙매트릭스의 수리 방법 |
| US5844645A (en) * | 1996-06-20 | 1998-12-01 | Nec Corporation | Color liquid-crystal display device |
| US7542198B2 (en) * | 2004-09-27 | 2009-06-02 | Idc, Llc | Device having a conductive light absorbing mask and method for fabricating same |
| US7738157B2 (en) | 1994-05-05 | 2010-06-15 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for a MEMS device |
| US7791783B2 (en) | 2008-06-25 | 2010-09-07 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Backlight displays |
| US7826120B2 (en) | 1994-05-05 | 2010-11-02 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for multi-color interferometric modulation |
| US7830587B2 (en) | 1993-03-17 | 2010-11-09 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for modulating light with semiconductor substrate |
| US8693084B2 (en) | 2008-03-07 | 2014-04-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric modulator in transmission mode |
| US8928967B2 (en) | 1998-04-08 | 2015-01-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for modulating light |
| US8971675B2 (en) | 2006-01-13 | 2015-03-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interconnect structure for MEMS device |
| US9086564B2 (en) | 2004-09-27 | 2015-07-21 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Conductive bus structure for interferometric modulator array |
| US9110289B2 (en) | 1998-04-08 | 2015-08-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Device for modulating light with multiple electrodes |
-
1991
- 1991-04-08 JP JP3075261A patent/JPH04309925A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4340780A1 (de) * | 1993-02-05 | 1994-08-11 | Samsung Display Devices Co Ltd | Farbfiltersubstrat für Flüssigkristallanzeige |
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| US7826120B2 (en) | 1994-05-05 | 2010-11-02 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for multi-color interferometric modulation |
| US8035884B2 (en) | 1994-05-05 | 2011-10-11 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for modulating light with semiconductor substrate |
| US5844645A (en) * | 1996-06-20 | 1998-12-01 | Nec Corporation | Color liquid-crystal display device |
| KR19980036500A (ko) * | 1996-11-18 | 1998-08-05 | 김광호 | 블랙매트릭스의 수리 방법 |
| US8928967B2 (en) | 1998-04-08 | 2015-01-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for modulating light |
| US9110289B2 (en) | 1998-04-08 | 2015-08-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Device for modulating light with multiple electrodes |
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| US9097885B2 (en) | 2004-09-27 | 2015-08-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Device having a conductive light absorbing mask and method for fabricating same |
| US8971675B2 (en) | 2006-01-13 | 2015-03-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interconnect structure for MEMS device |
| US8693084B2 (en) | 2008-03-07 | 2014-04-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric modulator in transmission mode |
| US7791783B2 (en) | 2008-06-25 | 2010-09-07 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Backlight displays |
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