KR100737642B1 - 프린지 필드 스위칭 액정표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 프린지 필드 스위칭 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 투명성 절연기판을 제공하는 단계; 상기 투명성 절연기판상에 금속전도막을 형성한 후 제1마스크공정으로 일정부분 패터닝하여 게이트전극 및 공통전극을 형성하는 단계; 상기 게이트전극 및 공통전극이 형성된 투명성 절연기판 상부에 게이트절연막을 형성하는 단계; 상기 박막트랜지스터부 및 데이타 라인부 상당영역상의 게이트절연막 상부에 제2마스크공정으로 액티브층을 형성하는 단계; 상기 화소부 및 데이타라인부 상당영역의 게이트절연막 상부에 제3마스크공정으로 1차 ITO 전극을 형성하는 단계; 상기 박막트랜지스터부 액티브층 상부 및 데이타 라인부 1차 ITO 전극 상부에 제4마스크공정으로 소오스/드레인전극 및 데이타 라인을 형성하는 단계; 상기 소오스/드레인전극과 데이타 라인이 형성된 투명성 절연기판 전면상에 보호막을 형성하는 단계; 상기 소오스전극, 화소부 1차 ITO전극 및 공통전극의 일부가 노출되도록 제5마스크공정으로 상기 보호막을 일부제거하여 비아홀을 형성하는 단계; 및 상기 비아홀을 통해 소오스전극과 콘택되는 2차ITO전극과, 상기 공통전극과 화소부 1차 ITO 전극을 콘택시키는 2차 ITO 브릿지 전극을 제6마스크공정으로 형성하는 단계를 포함하여 구성되며, ITO 보상라인이 첨가되므로 에천트 어택에 의한 데이타 라인의 손상시 보상될 수 있고, 제조수율을 향상시킬 수 있는 것이다.
Description
도 1은 종래 기술에 따른 프린지 필드 스위칭 액정표시장치의 하부기판을 도시한 단면도.
도 2는 종래 기술에 따른 프린지 필드 스위칭 액정표시장치의 하부기판을 도시한 평면도.
도 3 내지 10은 본 발명의 일실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 액정표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 각 공정별 단면도.
도 11은 본 발명의 일실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 액정표시장치를 나타내는 평면도.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 액정표시장치를 나타내는 평면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
11: 유리기판 13: 게이트전극
13a: 공통전극 15: 게이트 절연막
17: 액티브층 19: 1차 ITO 전극
21a: 소오스전극 21b: 드레인전극
21c: 데이타라인 23: 보호막
25: 2차 ITO 전극 25a: 2차 ITO 브릿지 전극
본 발명은 프린지 필드 스위칭 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 소오스/드레인전극 하부에 1차 ITO전극을 형성하여 에천트 어택(Echant attack)등에 의한 금속부식을 방지하고 제조수율을 향상시킬 수 있는 프린지 필드 스위칭 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
액정표시장치(Liquid Crystal Display: 이하, LCD라 칭한다)는 경량, 박형, 및 저소비전력등의 특성을 갖기 때문에 음극선관(CRT: Cathode Ray Tube)을 대신하여 각종 정보기기의 단말기 또는 비디오기기등에 사용되고 있다. 특히, 박막트랜지스(Thin Film Transister: 이하, TFT라 칭한다)가 구비된 TFT-LCD는 응답특성이 우수하고 고화소수에 적합하기 때문에 고화질 및 대형표시장치를 실현할 수 있다.
한편, 상기 TFT-LCD는 트위스트 네마틱(Twisted Nematic: 이하, TN이라 칭한다.)스위칭 모드를 채택하여 왔기 때문에 시야각이 협소하다는 단점이 있었지만, 최근 인플레인 스위칭(In Plane Switching: 이하, IPS라 칭한다) 액정표시장치가 제안되어 상기 협소한 시야각 문제를 어느정도 해결하였다.
그러나, 상기 IPS-LCD는 광시야각을 실현했음에도 불구하고 1차 ITO전극 및 2차 ITO전극이 불투명금속으로 이루어진 것에 기인하여 개구율 및 투과율이 낮은 단점을 가지고 있었다.
이에, IPS-LCD가 갖고있는 낮은 개구율 및 투과율을 개선하기 위하여 프린지 필드 스위칭(Fringe Field Switching: 이하, FFS라 칭한다) 액정표시장치가 제안되었다.
도 1은 종래 기술에 따른 프린지 필드 스위칭 액정표시장치의 하부기판을 개략적으로 도시한 단면도이다.
종래 기술에 따른 프린지 필드 스위칭 액정표시장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 투명성 절연기판, 예를 들어, 유리기판(1)상에 게이트(5)와, 공통전극(5)과 콘택되는 1차 ITO전극(3)이 있고, 빗살형태의 2차 ITO전극(15)이 게이트절연막(7) 및 보호막(13)을 사이에 두고 상기 1차 ITO전극(3)과 오버랩되게 배치되어 있다. 또한, 스위칭 소자로서 소오스 및 드레인 전극(11a)(11b)을 포함한 TFT(100)가 배치되어 있다.
여기서, 하부 유리기판(1)과 상부 유리기판(도시되지 않음)은 액정층(도시되지 않음)의 개재하에 일정거리를 두고 대향 배치되어 있다. 이때, 상기 하부 유리기판(11)과 상부 유리기판(도시되지 않음)의 간격을 셀 갭(cell gap)이라고 한다. 상기 셀 갭은 상기 1차 ITO 전극(3)과 2차 ITO 전극(15)간의 간격보다 커서 상기 양 전극(3)(15)간에 포물선 형태의 프린지 필드가 형성된다.
도 2는 종래 기술에 따른 프린지 필드 스위칭 액정표시장치의 하부기판을 개략적으로 도시한 평면도이다.
종래 기술에 따른 프린지 필드 스위칭 액정표시장치의 하부기판에 있어서, 도 2에 도시된 바와 같이, 게이트 버스라인(5)과 데이타 버스라인(17)이 교차배열되어 단위화소가 한정되고, 상기 교차부에는 스위칭 소자인 박막트랜지스터(100)가 배치된다.
투명 전도체로 이루어진 1차 ITO 전극(3)이 단위화소내에 배치되고 2차 ITO전극(15)이 상기 1차 ITO전극(3)과 오버랩되게 단위화소내에 배치된다. 상기 2차 ITO전극(15)도 투명 전도체로 이루어지며 상기 1차 ITO전극(3)과 전기적으로 절연된다.
상기 2차 ITO전극(15)은 상기 데이타 버스라인(17)과 평행하면서 등간격으로 이격 배치되는 빗살 형태로 되어있고 그 일단이 TFT(100)의 소오스 전극(부호표시되지 않음)과 연결되어 있다.
상기와 같은 종래의 프린지 필드 스위칭 액정표시장치는 앞서 설명한 바와 같이, 상기 1차 ITO 전극(3)과 2차 ITO 전극(15)사이에 프린지 필드가 형성되도록 하여 상부 및 하부 유리기판 사이에 개재하는 음의 유전율 이방성 특성을 갖는 액정분자(도시되지 않음)들이 모두 동작되도록 하여 편광판(도시되지 않음)을 통과하여 온 빛이 진행하게끔 하여 고휘도 및 광시야각을 실현하도록 만든 구조이다.
그러나, 상기 프린지 필드 스위칭 액정표시장치는 종래의 TN이나 IPS-LCD에 비해서 시야각이 우수하지만 제조공정상 백채널 에천트 또는 ITO 에천트 어택등에 의해 데이타 라인의 단락발생 가능성이 높아 제조수율이 저하되는 문제점이 있다.
이에 본 발명은 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 게이트전극 하부에 위치하는 1차 ITO전극을 소오스/드레인전극 하부에 위치하게 하여 에천트 어택(Echant attack)등에 의한 금속부식을 방지하고 제조수율을 향상시킬 수 있는 프린지 필드 스위칭 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공함에 있다.
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 액정표시장치 및 그 제조방법은, 박막트랜지스터부, 화소부 및 데이타라인부를 포함하는 투명성 절연기판을 제공하는 단계; 상기 투명성 절연기판상에 금속 전도막을 형성한 후 제1마스크공정으로 일정부분 패터닝하여 게이트전극 및 공통전극을 형성하는 단계; 상기 게이트전극 및 공통전극이 형성된 투명성 절연기판 상부에 게이트절연막을 형성하는 단계; 상기 박막트랜지스터부 및 데이타 라인부 상당영역상의 게이트절연막 상부에 제2마스크공정으로 액티브층을 형성하는 단계; 상기 화소부 및 데이타 라인부 상당영역의 게이트절연막 상부에 제3마스크공정으로 1 차 ITO 전극을 형성하는 단계; 상기 박막트랜지스터부 액티브층 상부 및 데이타라인부 1차 ITO전극 상부에 제4마스크공정으로 소오스/드레인전극 및 데이타 라인을 형성하는 단계; 상기 소오스/드레인전극과 데이타 라인이 형성된 투명성 절연기판 전면상에 보호막을 형성하는 단계; 상기 소오스전극, 화소부 1차 ITO 전극 및 공통전극의 일부가 노출되도록 제5마스크공정으로 상기 보호막을 일부제거하여 비아홀을 형성하는 단계; 및 상기 비아홀을 통해 소오스전극과 콘택되는 2차ITO전 극과, 상기 공통전극과 화소부 1차 ITO 전극을 콘택시키는 2차 ITO 브릿지 전극을 제6마스크공정으로 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
이하 본 발명의 일실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 액정표시장치 및 그 제조방법을 첨부한 도면에 의하여 상세히 설명한다.
도 3 내지 10은 본 발명의 일실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 액정표시장치를 제조하기 위한 각 공정별 단면도이다.
본 발명의 일실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 액정표시장치는, 도 3에 도시된 바와 같이, 먼저 박막트랜지스터부(α), 화소부(β) 및 데이타 라인부(γ)를 포함하는 투명성 절연기판, 예를 들면, 유리기판(11)을 준비하여 세정을 실시하여 상기 유리기판(11)상의 부착입자나 오염막등을 제거한다.
그 다음, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 유리기판(11)상에 알루미늄, 또는 몰리브덴텅스텐 합금과 같은 전기전도도가 우수한 금속을 사용하여 박막형태로 증착한 후, 제1마스크공정으로 일정부분을 패터닝하여 게이트전극(13)과 공통전극(13a)을 형성한다.
여기서, 상기 마스크공정은 세정공정, 코팅공정, 베이킹공정, 노광공정, 현상공정등을 포함하는 공정기술로서 이하에서도 이와 같다.
이어, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 게이트전극(13) 및 공통전극(13a)이 형성된 유리기판(11) 전면상에 게이트절연막(15)을 형성한다. 상기 게이트절연막(15)은 상기 게이트전극(13)을 하기 1차 ITO 전극(19), 액티브층(17) 및 소오스/드레인전극(21a)(21b)과 절연시키기 위하여 형성되며, 절연막재료로 SiO2, SiON, SiNx 등이 주로 쓰인다.
그 다음, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 게이트절연막(15) 상부에 액티브층용 재료를 증착한 후, 제2마스크공정으로 일정부분 패터닝하여 상기 박막트랜지스터부(α) 및 데이타 라인부(γ)에 상당하는 영역상의 게이트절연막(15) 상부에 액티브층(17)을 형성한다. 여기서, 상기 액티브층용 재료로는 상부에서부터 차레로 도핑된 비정질실리콘/비정질실리콘/실리콘질화물의 복합층을 주로 사용한다.
그 다음, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 액티브층(17)이 형성된 게이트절연막(15) 상부에 투명 전도체, 예를 들어, ITO(Indium Tin Oxide)를 증착한 후, 제3마스크공정으로 일정부분 패터닝하여 상기 화소부(β)상의 게이트절연막 상부(15) 및 상기 액티브층(17)이 형성된 데이타 라인부(γ)상부에 1차 ITO전극(19)을 형성한다.
상기 1차 ITO 전극(19)은 박막트랜지스터(100)가 턴-온(Turn On)되었을 때 액정을 구동시키고 커패시터를 형성하기 위한 화소전극이며, 특히 본 발명인 프린지 필드 스위칭 액정표시장치에 있어서는 하기 2차 ITO 전극(25)과 함께 포물선 형태의 전계, 즉 프린지 필드를 형성하여 2차 ITO 전극상의 액정 모두가 동작되도록 하는 작용을 한다. 이때, 상기 1차 ITO 전극(19)은 공통전극(13a)상부에도 형성되어 하기 2차 ITO 전극(25)과 오버랩되는 면적이 확대되므로 보조용량의 크기가 증가된다.
여기서, 데이타 라인부(γ)상의 1차 ITO 전극(19)은 제조공정상 에천트 어택 에 의한 데이타 라인 금속의 부식을 방지할 수 있고, 데이타 라인의 단선시 보상라인의 역할을 한다.
이어, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 박막트랜지스터부(α) 액티브층(17) 상부에는 소오스/드레인전극(21a)(21b)을, 상기 테이터 라인부(γ) 1차 ITO 전극 상부에는 데이타 라인(21c)을 제4마스크공정으로 형성한다.
여기서, 상기 소오스/드레인전극(21a)(21b)을 데이타신호전극(21)이라 하며 주로 알루미늄, 또는 몰리브덴과 알루미늄의 복합층 등이 사용되고 있다.
그 다음, 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 소오스/드레인전극(21a)(21b)과 데이타 라인(21c)이 형성된 유리기판(11) 전면상에 보호막(23)을 형성한다.
이어, 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 보호막(23)을 제5마스크공정으로 적어도 3이상의 비아홀(Via hole)을 형성한 후, 투명 전도체, 예를 들어, ITO(Indium Tin Oxide)를 사용하여 제6마스크공정으로 2차 ITO 전극을 형성한다.
여기서, 상기 비아홀(부호표시되지 않음)은 상기 2차 ITO 전극(25)전극과 소오스전극(21a)을 콘택시키는 수단을 제공한다. 이때, 상기 2차 ITO 전극(25)에 있어서, 약 500Å이하의 두께로 얇게 형성된 도핑된 비정질 실리콘층 상부에 금속실리사이드 형성물질인 니켈, 크롬, 팔라듐, 코발트, 알루미늄, 몰리브덴 등을 500Å이하로 도포하여 형성된 투명 실리사이드층을 상기 2차 ITO전극의 재료로 할 수 있으며, 이러한 금속 실리사이드층을 상기 1차 ITO전극에도 적용할 수 있다.
한편, 상기 비아홀(부호표시되지 않음)은 상기 1차 ITO 전극(19)과 공통전극(13a)을 상호 콘택시키는 수단도 제공한다. 즉, 상기 1차 ITO 전극(19)은 공통전극(13a)상에 형성된 게이트절연막(15)을 사이에 두고 형성되므로 공통전극(13a)과 콘택되지 않는다. 따라서, 상기 1차 ITO 전극(19)과 공통전극(13a)은 비아홀(부호표시되지 않음)을 통하여 간접적으로 2차 ITO 브릿지전극(25a)을 수단으로 상호 콘택된다.
한편, 상호 콘택되는 1차 ITO 전극(19)과 공통전극(13a)은 상기 비아홀(부호표시되지 않음) 형성시 동시에 노출되도록 제거되며, 상기 노출된 1차 ITO 전극(19)과 공통전극(13a)을 연결하기 위하여 2차 ITO 브릿지 전극(25a)을 형성하는 것이다.
여기서, 도 11에 도시된 바와 같이, 상기 2차 ITO 브릿지 전극(25a)의 위치를 게이트 라인(13)과 데이타 라인(21)에 의해 한정되는 단위화소영역의 모서리에 위치시킬 수 있으며, 본 발명의 다른 실시예를 도시한 도 12에서처럼 단위화소영역의 중앙부에도 위치시킬 수 있다.
한편, 상기 1차 ITO 전극(19)과 공통전극(13a)의 효과적인 연결, 예를 들면, 단차 극복이라든가 저항감소등을 위하여 비아홀을 1개 형성하는 외에 공통전극(13a)쪽에 1 내지 2개, 1차 ITO전극(19)쪽에 1 내지 2개 형성할 수도 있다.
여기서, 상기 비아홀을 형성하는데 있어서, 제조공정상 발생할 수 있는 불량등을 감소시키기 위하여 그 폭을 3 내지 12 ㎛, 그 너비를 5 내지 15 ㎛로 하는 것이 바람직하다.
본원에 개시된 실시예는 본 발명을 설명하기 위한 하나의 예이며, 본 발명을 이에 한정하려는 의도는 아니다. 기타, 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 프린지 필드 스위칭 액정표시장치 및 그 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명에 있어서 1차 ITO 전극은 종래 위치와 동일하게 유지되면서 데이타라인의 단선발생을 저감시킬 수 있고, 제조공정상 에천트 어택에 의해서 데이타 라인의 손상시 ITO 보상라인이 첨부되므로 제조수율을 향상시킬 수 있다.
또한, ITO는 리페어(repair)시 유리기판과 금속간의 필(peel)성 불량을 억제하는 역할을 수행한다.
한편, 1차 ITO 전극과 공통전극을 콘택시키는 2차 ITO 브릿지 전극의 위치를 필요에 따라 원하는 위치에 설정할 수 있다.
Claims (12)
- 박막트랜지스터부, 화소부 및 데이타라인부를 포함하는 투명성 절연기판을 제공하는 단계;상기 투명성 절연기판상에 금속전도막을 형성한 후 제1마스크공정으로 일정부분 패터닝하여 게이트전극 및 공통전극을 형성하는 단계;상기 게이트전극 및 공통전극이 형성된 투명성 절연기판 상부에 게이트절연막을 형성하는 단계;상기 박막트랜지스터부 및 데이타라인부의 게이트절연막 상부에 제2마스크공정으로 액티브층을 형성하는 단계;상기 화소부 및 데이타라인부 상당영역의 게이트절연막 상부에 제3마스크공정으로 1차ITO전극을 형성하는 단계;상기 박막트랜지스터부 액티브층 상부 및 데이타라인부 1차 ITO전극 상부에 제4마스크공정으로 소오스/드레인전극 및 데이타패드를 형성하는 단계;상기 소오스/드레인전극과 데이타패드가 형성된 투명성 절연기판 전면상에 보호막을 형성하는 단계;상기 소오스전극, 화소부 1차 ITO전극 및 공통전극의 일부가 노출되도록 제5마스크공정으로 상기 보호막을 일부제거하여 비아홀을 형성하는 단계; 및상기 비아홀을 통해 소오스전극과 콘택되는 2차ITO전극과, 상기 공통전극과 화소부 1차ITO전극을 콘택시키는 2차ITO 브릿지전극을 제6마스크공정으로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프린지 필드 스위칭 액정표시장치의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 공통전극과 화소부 1차ITO전극을 콘택시키는 2차ITO 브릿지전극은 적어도 하나 이상 형성하는 것을 특징으로 하는 프린지 필드 스위칭 액정표시장치의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 1차ITO전극, 2차 ITO전극 및 2차ITO 브릿지전극은 도핑된 비정질실리콘층 상부에 금속실리사이드 형성물질을 도포하는 것을 특징으로 하는 프린지 필드 스위칭 액정표시장치의 제조방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 금속실리사이드 형성물질은 니켈, 크롬, 팔라듐, 코발트, 구리, 알루미늄, 몰리브덴을 포함하는 것을 특징으로 하는 프린지 필드 스위칭 액정표시장치의 제조방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 도핑된 비정질실리콘층과 금속실리사이드 형성물질은 500Å이하의 두께 로 형성하는 것을 특징으로 하는 프린지 필드 스위칭 액정표시장치의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 비아홀은 3 내지 12㎛ 폭과 5 내지 15㎛ 너비를 가지도록 형성하는 것을 특징으로 하는 프린지 필드 스위칭 액정표시장치의 제조방법.
- 박막트랜지스터부, 화소부 및 데이타라인부를 포함하는 투명성 절연기판;상기 투명성 절연기판상에 금속전도막으로 형성된 게이트전극 및 공통전극;상기 게이트전극 및 공통전극이 형성된 투명성 절연기판 상부에 형성된 게이트절연막;상기 박막트랜지스터부 및 데이타라인부의 게이트절연막 상부에 제2마스크공정으로 형성된 액티브층;상기 화소부 및 데이타라인부 상당영역의 게이트절연막 상부에 제3마스크공정으로 형성된 1차ITO전극;상기 박막트랜지스터부 액티브층 상부 및 데이타라인부 1차 ITO전극 상부에 제4마스크공정으로 형성된 소오스/드레인전극 및 데이터 패드;상기 소오스/드레인전극과 데이터 패드가 형성된 투명성 절연기판 전면상에 형성된 보호막;상기 소오스전극, 화소부 1차 ITO전극 및 공통전극의 일부가 노출되도록 제5마스크공정으로 상기 보호막을 일부제거하여 형성된 비아홀; 및상기 비아홀을 통해 소오스전극과 콘택되는 2차ITO전극과, 상기 공통전극과 화소부 1차ITO전극을 콘택시키도록 제 6마스크 공정으로 형성된 2차ITO 브릿지 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 프린지 필드 스위칭 액정표시장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 공통전극과 화소부 1차ITO전극을 콘택시키는 2차ITO 브릿지전극은 적어도 하나 이상 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 프린지 필드 스위칭 액정표시장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 1차ITO전극, 2차 ITO전극 및 2차ITO 브릿지전극은 도핑된 비정질실리콘층 상부에 금속실리사이드 형성물질이 도포되어 있는 것을 특징으로 하는 프린지 필드 스위칭 액정표시장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 금속실리사이드 형성물질은 니켈, 크롬, 팔라듐, 코발트, 구리, 알루미늄, 몰리브덴을 포함하는 것을 특징으로 하는 프린지 필드 스위칭 액정표시장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 도핑된 비정질실리콘층과 금속실리사이드 형성물질은 500Å이하의 두께 로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 프린지 필드 스위칭 액정표시장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 비아홀은 3 내지 12㎛ 폭과 5 내지 15㎛ 너비로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 프린지 필드 스위칭 액정표시장치.
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Patent Citations (5)
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|---|---|---|---|---|
| KR20010003748A (ko) * | 1999-06-25 | 2001-01-15 | 김영환 | 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치 및 그 제조방법 |
| KR20010004533A (ko) * | 1999-06-29 | 2001-01-15 | 김영환 | 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치 및 그 제조방법 |
| JP2001056475A (ja) * | 1999-06-29 | 2001-02-27 | Hyundai Electronics Ind Co Ltd | フリンジフィールド駆動液晶表示装置 |
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| KR20010011849A (ko) * | 1999-07-30 | 2001-02-15 | 김영환 | 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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